Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40147) > Сторінка 473 з 670

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 468 469 470 471 472 473 474 475 476 477 478 536 603 670  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SB360-5300E3/73 SB360-5300E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4005-E3S/73 UF4005-E3S/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4001 thru UF4007.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PDHM3/89A MSE1PDHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.79 грн
9000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PDHM3/89A MSE1PDHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.99 грн
18+17.97 грн
100+9.07 грн
500+6.94 грн
1000+5.15 грн
2000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3/89A MSE1PJHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.23 грн
9000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3/89A MSE1PJHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.47 грн
26+12.08 грн
100+6.11 грн
500+4.68 грн
1000+3.47 грн
2000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SML4752HE3_A/H SML4752HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510A01HM3_C/I P6SMB510A01HM3_C/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510A01HM3_A/I P6SMB510A01HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHM3_A/H P6SMB510AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHM3_A/I P6SMB510AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-45EPS08L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-45epsl-m3.pdf Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-45APS08L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-45epsl-m3.pdf Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-65APS08L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-65epsl-m3.pdf Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ9.0CAHE3_A/H SMBJ9.0CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ9.0CAHE3_A/I SMBJ9.0CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4759A-E3/5A SML4759A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4728-SML4764A.pdf Description: DIODE ZENER 62V 1W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4759A-E3/5A SML4759A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4728-SML4764A.pdf Description: DIODE ZENER 62V 1W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.28 грн
11+28.36 грн
100+19.36 грн
500+14.25 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45HM3_A/I V10P45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C24-TR BZM55C24-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 220 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.91 грн
41+7.57 грн
100+3.91 грн
500+3.47 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
16+19.34 грн
100+17.26 грн
500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1DHE3/67A RGF1DHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1DHE3/67A RGF1DHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-2HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-2HE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-18 BAT54S-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1K-E3/5AT S1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
S1K-E3/5AT S1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
18+17.28 грн
100+8.42 грн
500+6.59 грн
1000+4.58 грн
2000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4694-E3-08 MMSZ4694-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz4681.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.69 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4694-E3-08 MMSZ4694-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz4681.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
19+16.59 грн
100+8.80 грн
500+5.44 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
S1BHE3_A/H S1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1BHE3_A/H S1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
13+25.00 грн
100+14.16 грн
500+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MBL108S-M3/I MBL108S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBL108S-M3/I MBL108S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4SMD
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-08 BZG03C82-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±6.1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 62 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.07 грн
3000+12.45 грн
4500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-08 BZG03C82-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±6.1%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 62 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
11+28.90 грн
100+19.73 грн
500+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-M3-18 BZG03C82-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-18 BZG03C82-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V6C-TAP TZX5V6C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.77 грн
20000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V6C-TAP TZX5V6C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.53 грн
47+6.57 грн
100+3.34 грн
500+2.83 грн
1000+2.53 грн
2000+2.37 грн
5000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5256C-E3-08 MMSZ5256C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5256C-E3-08 MMSZ5256C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.70 грн
37+8.49 грн
100+5.64 грн
500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B-E3-18 MMSZ5254B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B-E3-18 MMSZ5254B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B-E3-08 MMSZ5254B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.98 грн
6000+2.60 грн
9000+2.46 грн
15000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B-E3-08 MMSZ5254B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
на замовлення 22398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.53 грн
52+5.96 грн
100+3.27 грн
500+2.87 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.5CAHE3_A/H SMBJ8.5CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.5CAHE3_A/I SMBJ8.5CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C13-TAP BZT03C13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: TVS DIODE 11VWM 18.9VC SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±6.54%
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C13-TAP BZT03C13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: TVS DIODE 11VWM 18.9VC SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.54%
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.16 грн
10+48.16 грн
100+36.90 грн
500+27.38 грн
1000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B6V8-TR BZM55B6V8-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW MICROMELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+4.14 грн
5000+3.57 грн
7500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B6V8-TR BZM55B6V8-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.50 грн
35+8.87 грн
100+4.24 грн
500+3.91 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC3V0-GS08 TZMC3V0-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 3V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.03 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC3V0-GS08 TZMC3V0-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 3V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.53 грн
48+6.50 грн
100+3.10 грн
500+2.85 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC75-GS08 TZMC75-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 75V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 56 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC75-GS08 TZMC75-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 75V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 56 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.53 грн
49+6.27 грн
100+3.10 грн
500+2.85 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PH7506L-N3 VS-E5PH7506L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5ph7506l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.06 грн
25+178.37 грн
100+149.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3D/P G2SB60-E3D/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE BRIDGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS3M-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division cs3dgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMPC48AN-M3/I SMPC48AN-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smpc50a.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB360-5300E3/73
SB360-5300E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4005-E3S/73 UF4001 thru UF4007.pdf
UF4005-E3S/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PDHM3/89A mse1pj.pdf
MSE1PDHM3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+4.79 грн
9000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PDHM3/89A mse1pj.pdf
MSE1PDHM3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.99 грн
18+17.97 грн
100+9.07 грн
500+6.94 грн
1000+5.15 грн
2000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3/89A mse1pj.pdf
MSE1PJHM3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.23 грн
9000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3/89A mse1pj.pdf
MSE1PJHM3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.47 грн
26+12.08 грн
100+6.11 грн
500+4.68 грн
1000+3.47 грн
2000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SML4752HE3_A/H sml4738.pdf
SML4752HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 1W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510A01HM3_C/I p6smb.pdf
P6SMB510A01HM3_C/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510A01HM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB510A01HM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHM3_A/H p6smb.pdf
P6SMB510AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB510AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-45EPS08L-M3 vs-45epsl-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-45APS08L-M3 vs-45epsl-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-65APS08L-M3 vs-65epsl-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ9.0CAHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ9.0CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ9.0CAHE3_A/I smbj.pdf
SMBJ9.0CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4759A-E3/5A SML4728-SML4764A.pdf
SML4759A-E3/5A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4759A-E3/5A SML4728-SML4764A.pdf
SML4759A-E3/5A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.28 грн
11+28.36 грн
100+19.36 грн
500+14.25 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45HM3_A/I v10p45.pdf
V10P45HM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C24-TR bzm55.pdf
BZM55C24-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 220 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
41+7.57 грн
100+3.91 грн
500+3.47 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-E3/67A gf1x.pdf
GF1D-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
16+19.34 грн
100+17.26 грн
500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1DHE3/67A rgf1.pdf
RGF1DHE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1DHE3/67A rgf1.pdf
RGF1DHE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-2HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-2HE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-18 BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf
BAT54S-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1K-E3/5AT s1.pdf
S1K-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
S1K-E3/5AT s1.pdf
S1K-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
18+17.28 грн
100+8.42 грн
500+6.59 грн
1000+4.58 грн
2000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4694-E3-08 mmsz4681.pdf
MMSZ4694-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.69 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4694-E3-08 mmsz4681.pdf
MMSZ4694-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
19+16.59 грн
100+8.80 грн
500+5.44 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
S1BHE3_A/H s1.pdf
S1BHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1BHE3_A/H s1.pdf
S1BHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
13+25.00 грн
100+14.16 грн
500+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MBL108S-M3/I
MBL108S-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBL108S-M3/I
MBL108S-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4SMD
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-08 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C82-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±6.1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 62 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.07 грн
3000+12.45 грн
4500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-08 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C82-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±6.1%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 62 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
11+28.90 грн
100+19.73 грн
500+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-M3-18 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C82-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-18 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C82-HM3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V6C-TAP tzxserie.pdf
TZX5V6C-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.77 грн
20000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V6C-TAP tzxserie.pdf
TZX5V6C-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
47+6.57 грн
100+3.34 грн
500+2.83 грн
1000+2.53 грн
2000+2.37 грн
5000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5256C-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5256C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5256C-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5256C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
37+8.49 грн
100+5.64 грн
500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B-E3-18 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5254B-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B-E3-18 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5254B-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5254B-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.98 грн
6000+2.60 грн
9000+2.46 грн
15000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5254B-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
на замовлення 22398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
52+5.96 грн
100+3.27 грн
500+2.87 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.5CAHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ8.5CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.5CAHE3_A/I smbj.pdf
SMBJ8.5CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C13-TAP bzt03.pdf
BZT03C13-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 11VWM 18.9VC SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±6.54%
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C13-TAP bzt03.pdf
BZT03C13-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 11VWM 18.9VC SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.54%
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.16 грн
10+48.16 грн
100+36.90 грн
500+27.38 грн
1000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B6V8-TR bzm55.pdf
BZM55B6V8-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW MICROMELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+4.14 грн
5000+3.57 грн
7500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B6V8-TR bzm55.pdf
BZM55B6V8-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.50 грн
35+8.87 грн
100+4.24 грн
500+3.91 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC3V0-GS08 tzm.pdf
TZMC3V0-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+3.03 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC3V0-GS08 tzm.pdf
TZMC3V0-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
48+6.50 грн
100+3.10 грн
500+2.85 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC75-GS08 tzm.pdf
TZMC75-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 75V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 56 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC75-GS08 tzm.pdf
TZMC75-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 75V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 56 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
49+6.27 грн
100+3.10 грн
500+2.85 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PH7506L-N3 vs-e5ph7506l-n3.pdf
VS-E5PH7506L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.06 грн
25+178.37 грн
100+149.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3D/P
G2SB60-E3D/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE BRIDGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS3M-E3/H cs3dgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMPC48AN-M3/I smpc50a.pdf
SMPC48AN-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 468 469 470 471 472 473 474 475 476 477 478 536 603 670  [ Наступна Сторінка >> ]