Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40689) > Сторінка 474 з 679

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 470 471 472 473 474 475 476 477 478 479 536 603 670 679  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBR20H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR(F,B)20H35CT - 20H60CT.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C20-GS08 BZT55C20-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt55.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+1.98 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C20-GS08 BZT55C20-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt55.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+12.09 грн
44+7.73 грн
100+3.80 грн
500+2.98 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHE3_A/H SM6T7V5CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6t.pdf Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHE3_A/I SM6T7V5CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6t.pdf Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHM3_A/H SM6T7V5CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6t.pdf Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHM3_A/I SM6T7V5CAHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6t.pdf Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHM3/H SM6T7V5CAHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6t.pdf Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHM3/I SM6T7V5CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6t.pdf Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4690-GS08 TZS4690-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzs4678.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4690-GS08 TZS4690-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzs4678.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 4 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.77 грн
16+20.96 грн
100+11.14 грн
500+6.87 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4690B-GS08 TZS4690B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzs4678.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB16H35-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR(F,B)16Hxx_Rev_8-9-13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H35-E3/45 MBR10H35-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR%28F%2CB%2910H35%20-%2010H60.pdf Description: DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR16H35-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR(F,B)16Hxx_Rev_8-9-13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB16H35-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR(F,B)16Hxx_Rev_8-9-13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB7H35-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR(F,B)7H35%20thru%20MBR(F,B)7H60.pdf Description: DIODE SCHOTTKY TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H35-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR(F,B)10Hxx.pdf Description: DIODE SCHOTTKY ITO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF16H35-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR(F,B)16Hxx_Rev_8-9-13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY ITO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY36-GS08 ZMY36-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 36V 1W DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+8.83 грн
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY36-GS08 ZMY36-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 36V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.68 грн
16+21.95 грн
100+14.89 грн
500+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SB360L-5705E3/72 SB360L-5705E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB360-5300E3/73 SB360-5300E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4005-E3S/73 UF4005-E3S/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4001 thru UF4007.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PDHM3/89A MSE1PDHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+5.21 грн
9000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PDHM3/89A MSE1PDHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.36 грн
18+19.54 грн
100+9.86 грн
500+7.55 грн
1000+5.60 грн
2000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3/89A MSE1PJHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.52 грн
9000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3/89A MSE1PJHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+19.00 грн
26+13.14 грн
100+6.64 грн
500+5.09 грн
1000+3.78 грн
2000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SML4752HE3_A/H SML4752HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510A01HM3_C/I P6SMB510A01HM3_C/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510A01HM3_A/I P6SMB510A01HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHM3_A/H P6SMB510AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHM3_A/I P6SMB510AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-45EPS08L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-45epsl-m3.pdf Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-45APS08L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-45epsl-m3.pdf Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-65APS08L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-65epsl-m3.pdf Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ9.0CAHE3_A/H SMBJ9.0CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ9.0CAHE3_A/I SMBJ9.0CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4759A-E3/5A SML4759A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4728-SML4764A.pdf Description: DIODE ZENER 62V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4759A-E3/5A SML4759A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4728-SML4764A.pdf Description: DIODE ZENER 62V 1W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
11+30.85 грн
100+21.06 грн
500+15.50 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C24-TR BZM55C24-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 220 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.95 грн
41+8.23 грн
100+4.25 грн
500+3.77 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.50 грн
16+21.04 грн
100+18.78 грн
500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1DHE3/67A RGF1DHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1DHE3/67A RGF1DHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-2HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-2HE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-18 BAT54S-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1K-E3/5AT S1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
S1K-E3/5AT S1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.50 грн
18+18.79 грн
100+9.16 грн
500+7.17 грн
1000+4.98 грн
2000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4694-E3-08 MMSZ4694-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz4681.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.01 грн
6000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4694-E3-08 MMSZ4694-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz4681.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.32 грн
19+18.05 грн
100+9.57 грн
500+5.91 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
S1BHE3_A/H S1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1BHE3_A/H S1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
13+27.19 грн
100+15.40 грн
500+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MBL108S-M3/I MBL108S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBL108S-M3/I MBL108S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4SMD
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-08 BZG03C82-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.1%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 62 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.31 грн
3000+13.54 грн
4500+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-08 BZG03C82-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.1%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 62 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.32 грн
11+31.44 грн
100+21.46 грн
500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-M3-18 BZG03C82-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-18 BZG03C82-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V6C-TAP TZX5V6C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.92 грн
20000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H35CTHE3/45 MBR(F,B)20H35CT - 20H60CT.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C20-GS08 bzt55.pdf
BZT55C20-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+1.98 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C20-GS08 bzt55.pdf
BZT55C20-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.09 грн
44+7.73 грн
100+3.80 грн
500+2.98 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHE3_A/H sm6t.pdf
SM6T7V5CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHE3_A/I sm6t.pdf
SM6T7V5CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHM3_A/H sm6t.pdf
SM6T7V5CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHM3_A/I sm6t.pdf
SM6T7V5CAHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHM3/H sm6t.pdf
SM6T7V5CAHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T7V5CAHM3/I sm6t.pdf
SM6T7V5CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4690-GS08 tzs4678.pdf
TZS4690-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4690-GS08 tzs4678.pdf
TZS4690-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 4 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.77 грн
16+20.96 грн
100+11.14 грн
500+6.87 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4690B-GS08 tzs4678.pdf
TZS4690B-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB16H35-E3/81 MBR(F,B)16Hxx_Rev_8-9-13.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H35-E3/45 MBR%28F%2CB%2910H35%20-%2010H60.pdf
MBR10H35-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR16H35-E3/45 MBR(F,B)16Hxx_Rev_8-9-13.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB16H35-E3/45 MBR(F,B)16Hxx_Rev_8-9-13.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB7H35-E3/45 MBR(F,B)7H35%20thru%20MBR(F,B)7H60.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H35-E3/45 MBR(F,B)10Hxx.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY ITO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF16H35-E3/45 MBR(F,B)16Hxx_Rev_8-9-13.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY ITO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY36-GS08 zmy3v9.pdf
ZMY36-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 1W DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+8.83 грн
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY36-GS08 zmy3v9.pdf
ZMY36-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.68 грн
16+21.95 грн
100+14.89 грн
500+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SB360L-5705E3/72
SB360L-5705E3/72
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB360-5300E3/73
SB360-5300E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4005-E3S/73 UF4001 thru UF4007.pdf
UF4005-E3S/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PDHM3/89A mse1pj.pdf
MSE1PDHM3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+5.21 грн
9000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PDHM3/89A mse1pj.pdf
MSE1PDHM3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.36 грн
18+19.54 грн
100+9.86 грн
500+7.55 грн
1000+5.60 грн
2000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3/89A mse1pj.pdf
MSE1PJHM3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.52 грн
9000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3/89A mse1pj.pdf
MSE1PJHM3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.00 грн
26+13.14 грн
100+6.64 грн
500+5.09 грн
1000+3.78 грн
2000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SML4752HE3_A/H sml4738.pdf
SML4752HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 1W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510A01HM3_C/I p6smb.pdf
P6SMB510A01HM3_C/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510A01HM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB510A01HM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHM3_A/H p6smb.pdf
P6SMB510AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB510AHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB510AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 434VWM 698VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 860mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 434V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 485V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 698V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-45EPS08L-M3 vs-45epsl-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-45APS08L-M3 vs-45epsl-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-65APS08L-M3 vs-65epsl-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ9.0CAHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ9.0CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ9.0CAHE3_A/I smbj.pdf
SMBJ9.0CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4759A-E3/5A SML4728-SML4764A.pdf
SML4759A-E3/5A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML4759A-E3/5A SML4728-SML4764A.pdf
SML4759A-E3/5A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.91 грн
11+30.85 грн
100+21.06 грн
500+15.50 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C24-TR bzm55.pdf
BZM55C24-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 220 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.95 грн
41+8.23 грн
100+4.25 грн
500+3.77 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-E3/67A gf1x.pdf
GF1D-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.50 грн
16+21.04 грн
100+18.78 грн
500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1DHE3/67A rgf1.pdf
RGF1DHE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1DHE3/67A rgf1.pdf
RGF1DHE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-2HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1D-2HE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-18 BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf
BAT54S-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1K-E3/5AT s1.pdf
S1K-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
S1K-E3/5AT s1.pdf
S1K-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.50 грн
18+18.79 грн
100+9.16 грн
500+7.17 грн
1000+4.98 грн
2000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4694-E3-08 mmsz4681.pdf
MMSZ4694-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.01 грн
6000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4694-E3-08 mmsz4681.pdf
MMSZ4694-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.32 грн
19+18.05 грн
100+9.57 грн
500+5.91 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
S1BHE3_A/H s1.pdf
S1BHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1BHE3_A/H s1.pdf
S1BHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
13+27.19 грн
100+15.40 грн
500+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MBL108S-M3/I
MBL108S-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBL108S-M3/I
MBL108S-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4SMD
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-08 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C82-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.1%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 62 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+15.31 грн
3000+13.54 грн
4500+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-08 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C82-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.1%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 62 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.32 грн
11+31.44 грн
100+21.46 грн
500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-M3-18 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C82-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C82-HM3-18 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C82-HM3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V6C-TAP tzxserie.pdf
TZX5V6C-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.92 грн
20000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 470 471 472 473 474 475 476 477 478 479 536 603 670 679  [ Наступна Сторінка >> ]