Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40620) > Сторінка 471 з 677

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 466 467 468 469 470 471 472 473 474 475 476 536 603 670 677  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EGF1B-E3/67A EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.07 грн
3000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/5CA GF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.97 грн
12+28.41 грн
100+21.56 грн
500+15.90 грн
1000+13.30 грн
2000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.19 грн
10+41.69 грн
100+32.80 грн
500+23.76 грн
1000+19.77 грн
2000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/I EGF1B-1HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/H EGF1B-1HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/5CA EGF1B-1HE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/67A EGF1B-1HE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS2M-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division cs2dgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/5AT SL12-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division sl12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 445 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 16006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.61 грн
13+25.67 грн
100+12.95 грн
500+10.77 грн
1000+8.38 грн
2000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010L-7001M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010L-7001E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S28ATHE3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10atthrusm5s36at.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 79A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC18-GS18 TZMC18-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC18-GS18 TZMC18-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.22 грн
22+15.21 грн
100+8.06 грн
500+4.97 грн
1000+3.38 грн
2000+3.05 грн
5000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ20AHE3_A/H SMCJ20AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ20AHE3_A/I SMCJ20AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3_A/I P6SMB39AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3/H P6SMB39AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3/I P6SMB39AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V12P12HM3_A/H V12P12HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V12P12HM3_A/H V12P12HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-08 BZD27B47P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-08 BZD27B47P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-E3-08 BZD27C36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
6000+6.03 грн
9000+5.71 грн
15000+4.96 грн
21000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-E3-08 BZD27C36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 23791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.40 грн
22+14.97 грн
100+7.74 грн
500+6.91 грн
1000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-E3-08 BZD27B36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-E3-18 BZD27B36P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-M3-18 BZD27B36P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-E3-08 BZD27B47P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-E3-18 BZD27B47P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-18 BZD27B47P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-HE3-08 BZD27B36P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-HE3-18 BZD27B36P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-HE3-08 BZD27B47P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-HE3-18 BZD27B47P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP10-4004-E3/73 GP10-4004-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10-400x.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ2V2B-G3/H PLZ2V2B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 2.32V 960MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±4.1%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.32 V
Impedance (Max) (Zzt): 120 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 700 mV
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ2V2B-G3/H PLZ2V2B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 2.32V 960MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±4.1%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.32 V
Impedance (Max) (Zzt): 120 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 700 mV
на замовлення 13865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.73 грн
23+14.17 грн
100+6.94 грн
500+5.43 грн
1000+3.77 грн
2000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-18 BAT54A-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 39909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.04 грн
34+9.74 грн
100+6.83 грн
500+4.71 грн
1000+3.77 грн
2000+3.59 грн
5000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-18 BAT54A-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-18 BAT54A-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.07 грн
20+16.82 грн
100+8.24 грн
500+6.45 грн
1000+4.48 грн
2000+3.88 грн
5000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C5V1-HG3-08 BZX584C5V1-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx584c-series.pdf Description: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C5V1-HG3-08 BZX584C5V1-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx584c-series.pdf Description: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.07 грн
20+16.82 грн
100+8.21 грн
500+6.43 грн
1000+4.47 грн
2000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C9V1-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx584c-series.pdf Description: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C9V1-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx584c-series.pdf Description: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C9V1-G3-08 BZX584C9V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx584c-series.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C9V1-G3-08 BZX584C9V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx584c-series.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.54 грн
41+7.89 грн
100+3.45 грн
500+3.17 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C5V1-G3-08 BZX584C5V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx584c-series.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C5V1-G3-08 BZX584C5V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx584c-series.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 11208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.54 грн
41+7.89 грн
100+3.34 грн
500+3.10 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ48CAHE3_A/H SMCJ48CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FEPB16DT-E3/45 FEPB16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep16jt.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5241B-E3-08 MMBZ5241B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 225 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5241B-E3-08 MMBZ5241B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 225 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P3HM3/84A SS3P3HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
6000+6.87 грн
9000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P3HM3/84A SS3P3HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.75 грн
18+18.91 грн
100+12.81 грн
500+10.67 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P5HM3/84A SS3P5HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p5.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
6000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A egf1a.pdf
EGF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.07 грн
3000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A egf1a.pdf
EGF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/5CA gf1x.pdf
GF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.97 грн
12+28.41 грн
100+21.56 грн
500+15.90 грн
1000+13.30 грн
2000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.19 грн
10+41.69 грн
100+32.80 грн
500+23.76 грн
1000+19.77 грн
2000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/H egf1a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/I egf1a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/I egf1a.pdf
EGF1B-1HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/H egf1a.pdf
EGF1B-1HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-1HE3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/67A egf1a.pdf
EGF1B-1HE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS2M-E3/H cs2dgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/5AT sl12.pdf
SL12-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 445 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 16006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.61 грн
13+25.67 грн
100+12.95 грн
500+10.77 грн
1000+8.38 грн
2000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010L-7001M3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010L-7001E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S28ATHE3/I sm5s10atthrusm5s36at.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 79A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC18-GS18 tzm.pdf
TZMC18-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC18-GS18 tzm.pdf
TZMC18-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.22 грн
22+15.21 грн
100+8.06 грн
500+4.97 грн
1000+3.38 грн
2000+3.05 грн
5000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ20AHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ20AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ20AHE3_A/I smcj.pdf
SMCJ20AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB39AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3/H p6smb.pdf
P6SMB39AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3/I p6smb.pdf
P6SMB39AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V12P12HM3_A/H v12p12.pdf
V12P12HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V12P12HM3_A/H v12p12.pdf
V12P12HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B47P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B47P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C36P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.92 грн
6000+6.03 грн
9000+5.71 грн
15000+4.96 грн
21000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C36P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 23791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.40 грн
22+14.97 грн
100+7.74 грн
500+6.91 грн
1000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-E3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-E3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-M3-18 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B36P-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-E3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-E3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-18 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B47P-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-HE3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-HE3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-HE3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-HE3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP10-4004-E3/73 gp10-400x.pdf
GP10-4004-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ2V2B-G3/H plzseries.pdf
PLZ2V2B-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.32V 960MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±4.1%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.32 V
Impedance (Max) (Zzt): 120 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 700 mV
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ2V2B-G3/H plzseries.pdf
PLZ2V2B-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.32V 960MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±4.1%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.32 V
Impedance (Max) (Zzt): 120 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 960 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 700 mV
на замовлення 13865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.73 грн
23+14.17 грн
100+6.94 грн
500+5.43 грн
1000+3.77 грн
2000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-18 bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf
BAT54A-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 39909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.04 грн
34+9.74 грн
100+6.83 грн
500+4.71 грн
1000+3.77 грн
2000+3.59 грн
5000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-18
BAT54A-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-18
BAT54A-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.07 грн
20+16.82 грн
100+8.24 грн
500+6.45 грн
1000+4.48 грн
2000+3.88 грн
5000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C5V1-HG3-08 bzx584c-series.pdf
BZX584C5V1-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C5V1-HG3-08 bzx584c-series.pdf
BZX584C5V1-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.07 грн
20+16.82 грн
100+8.21 грн
500+6.43 грн
1000+4.47 грн
2000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C9V1-HG3-08 bzx584c-series.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C9V1-HG3-08 bzx584c-series.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C9V1-G3-08 bzx584c-series.pdf
BZX584C9V1-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C9V1-G3-08 bzx584c-series.pdf
BZX584C9V1-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.54 грн
41+7.89 грн
100+3.45 грн
500+3.17 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C5V1-G3-08 bzx584c-series.pdf
BZX584C5V1-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C5V1-G3-08 bzx584c-series.pdf
BZX584C5V1-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 11208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.54 грн
41+7.89 грн
100+3.34 грн
500+3.10 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ48CAHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ48CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FEPB16DT-E3/45 fep16jt.pdf
FEPB16DT-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5241B-E3-08
MMBZ5241B-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 225 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5241B-E3-08
MMBZ5241B-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 225 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P3HM3/84A ss3p3.pdf
SS3P3HM3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.40 грн
6000+6.87 грн
9000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P3HM3/84A ss3p3.pdf
SS3P3HM3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.75 грн
18+18.91 грн
100+12.81 грн
500+10.67 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P5HM3/84A ss3p5.pdf
SS3P5HM3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.21 грн
6000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 466 467 468 469 470 471 472 473 474 475 476 536 603 670 677  [ Наступна Сторінка >> ]