Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40820) > Сторінка 472 з 681

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 408 467 468 469 470 471 472 473 474 475 476 477 544 612 680 681  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1.5SMC51AHM3/I 1.5SMC51AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHE3_A/H P6SMB20AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3_A/H P6SMB20AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHE3_A/I P6SMB20AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3_A/I P6SMB20AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3/H P6SMB20AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3/I P6SMB20AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP10J-E3/54 GP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
GP10J-E3/54 GP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.53 грн
12+25.38 грн
100+17.25 грн
500+12.69 грн
1000+11.54 грн
2000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBR2035CT-M3 VS-MBR2035CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr2035_45ct-m3.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSC53L-E3/9AT SSC53L-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ssc53l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSC53L-E3/9AT SSC53L-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ssc53l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.63 грн
10+35.23 грн
100+24.38 грн
500+19.11 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36A-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smb10j40a.pdf Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHE3_A/H S1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+4.21 грн
3600+3.80 грн
5400+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHE3_A/H S1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.60 грн
25+12.09 грн
100+7.43 грн
500+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ8.5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHE3_A/H SMCJ6.5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHE3_A/I SMCJ6.5AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHM3_A/H SMCJ6.5AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.5AHE3_A/H SMBJ8.5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4686-GS08 TZS4686-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4678_to_TZS4717_Rev1.9_22-Feb-18.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.61 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
V1F6HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1f6.pdf Description: 1A 60V SMF TRENCH SKY RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5260B-GS08 TZM5260B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+2.70 грн
5000+2.32 грн
7500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5260B-GS08 TZM5260B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 14476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.98 грн
66+4.55 грн
113+2.65 грн
500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB9.1AHE3_A/H TPSMB9.1AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW27-TAP BAW27-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw27.pdf Description: DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 600mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
36+8.43 грн
100+4.12 грн
500+3.23 грн
1000+2.24 грн
2000+1.95 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.69 грн
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/5CA GF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.63 грн
12+26.35 грн
100+20.00 грн
500+14.75 грн
1000+12.34 грн
2000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.46 грн
10+38.66 грн
100+30.41 грн
500+22.04 грн
1000+18.33 грн
2000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/I EGF1B-1HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/H EGF1B-1HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/5CA EGF1B-1HE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/67A EGF1B-1HE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS2M-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division cs2dgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/5AT SL12-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division sl12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 445 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 16006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.88 грн
13+23.81 грн
100+12.01 грн
500+9.99 грн
1000+7.77 грн
2000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010L-7001M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010L-7001E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S28ATHE3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s10atthrusm5s36at.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 79A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC18-GS18 TZMC18-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC18-GS18 TZMC18-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.83 грн
22+14.11 грн
100+7.47 грн
500+4.61 грн
1000+3.14 грн
2000+2.83 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ20AHE3_A/H SMCJ20AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ20AHE3_A/I SMCJ20AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3_A/I P6SMB39AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3/H P6SMB39AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3/I P6SMB39AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V12P12HM3_A/H V12P12HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V12P12HM3_A/H V12P12HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-08 BZD27B47P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-08 BZD27B47P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-E3-08 BZD27C36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
6000+5.59 грн
9000+5.29 грн
15000+4.60 грн
21000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-E3-08 BZD27C36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 23791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
22+13.88 грн
100+7.18 грн
500+6.40 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-E3-08 BZD27B36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-E3-18 BZD27B36P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-M3-18 BZD27B36P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-E3-08 BZD27B47P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-E3-18 BZD27B47P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27bseries.pdf Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHM3/I 15smc.pdf
1.5SMC51AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHE3_A/H p6smb.pdf
P6SMB20AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3_A/H p6smb.pdf
P6SMB20AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHE3_A/I p6smb.pdf
P6SMB20AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB20AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3/H p6smb.pdf
P6SMB20AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3/I p6smb.pdf
P6SMB20AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP10J-E3/54 gp10a.pdf
GP10J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5500+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
GP10J-E3/54 gp10a.pdf
GP10J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.53 грн
12+25.38 грн
100+17.25 грн
500+12.69 грн
1000+11.54 грн
2000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBR2035CT-M3 vs-mbr2035_45ct-m3.pdf
VS-MBR2035CT-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSC53L-E3/9AT ssc53l.pdf
SSC53L-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSC53L-E3/9AT ssc53l.pdf
SSC53L-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.63 грн
10+35.23 грн
100+24.38 грн
500+19.11 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36A-M3/52 smb10j40a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHE3_A/H s1.pdf
S1MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+4.21 грн
3600+3.80 грн
5400+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHE3_A/H s1.pdf
S1MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.60 грн
25+12.09 грн
100+7.43 грн
500+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ8.5AHE3_A/H smcj.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ6.5AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHE3_A/I smcj.pdf
SMCJ6.5AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHM3_A/H smcj.pdf
SMCJ6.5AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.5AHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ8.5AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4686-GS08 TZS4678_to_TZS4717_Rev1.9_22-Feb-18.pdf
TZS4686-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+3.61 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
V1F6HM3/I v1f6.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 1A 60V SMF TRENCH SKY RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5260B-GS08 tzm5221.pdf
TZM5260B-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+2.70 грн
5000+2.32 грн
7500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5260B-GS08 tzm5221.pdf
TZM5260B-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 14476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+6.98 грн
66+4.55 грн
113+2.65 грн
500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB9.1AHE3_A/H tpsmb.pdf
TPSMB9.1AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW27-TAP baw27.pdf
BAW27-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 600mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.40 грн
36+8.43 грн
100+4.12 грн
500+3.23 грн
1000+2.24 грн
2000+1.95 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A egf1a.pdf
EGF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+17.69 грн
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A egf1a.pdf
EGF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/5CA gf1x.pdf
GF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.63 грн
12+26.35 грн
100+20.00 грн
500+14.75 грн
1000+12.34 грн
2000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.46 грн
10+38.66 грн
100+30.41 грн
500+22.04 грн
1000+18.33 грн
2000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/H egf1a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/I egf1a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/I egf1a.pdf
EGF1B-1HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/H egf1a.pdf
EGF1B-1HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-1HE3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/67A egf1a.pdf
EGF1B-1HE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS2M-E3/H cs2dgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/5AT sl12.pdf
SL12-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 445 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 16006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.88 грн
13+23.81 грн
100+12.01 грн
500+9.99 грн
1000+7.77 грн
2000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010L-7001M3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010L-7001E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE BRIDGE 20A 1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S28ATHE3/I sm5s10atthrusm5s36at.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 79A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC18-GS18 tzm.pdf
TZMC18-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC18-GS18 tzm.pdf
TZMC18-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.83 грн
22+14.11 грн
100+7.47 грн
500+4.61 грн
1000+3.14 грн
2000+2.83 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ20AHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ20AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ20AHE3_A/I smcj.pdf
SMCJ20AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB39AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3/H p6smb.pdf
P6SMB39AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39AHM3/I p6smb.pdf
P6SMB39AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V12P12HM3_A/H v12p12.pdf
V12P12HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V12P12HM3_A/H v12p12.pdf
V12P12HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B47P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B47P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C36P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.42 грн
6000+5.59 грн
9000+5.29 грн
15000+4.60 грн
21000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C36P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
на замовлення 23791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.70 грн
22+13.88 грн
100+7.18 грн
500+6.40 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-E3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-E3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B36P-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B36P-M3-18 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B36P-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-E3-08 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B47P-E3-18 bzd27bseries.pdf
BZD27B47P-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 408 467 468 469 470 471 472 473 474 475 476 477 544 612 680 681  [ Наступна Сторінка >> ]