Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40633) > Сторінка 539 з 678

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 534 535 536 537 538 539 540 541 542 543 544 603 670 678  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMSZ4708-E3-08 MMSZ4708-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz4681_to_mmsz4717.pdf Description: DIODE ZENER 22V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 16.7 V
на замовлення 17791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.90 грн
24+13.44 грн
100+6.58 грн
500+5.15 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS15P3S-M3/87A SS15P3S-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss15p3s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: 200°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS15P3S-M3/87A SS15P3S-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss15p3s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: 200°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+55.29 грн
100+44.07 грн
500+32.44 грн
1000+29.57 грн
2000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHE3_A/I P6SMB91CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHM3_A/H P6SMB91CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHM3/I P6SMB9.1CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHM3_A/I P6SMB91CAHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHE3_A/I P6SMB9.1CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHM3/H P6SMB91CAHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHE3_A/H P6SMB91CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHM3_A/H P6SMB9.1CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHE3_A/H P6SMB9.1CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHM3/H P6SMB9.1CAHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHM3/I P6SMB91CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHM3_A/I P6SMB9.1CAHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C3V9-HG3-08 BZX384C3V9-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
6000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C3V9-HG3-08 BZX384C3V9-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.04 грн
44+7.49 грн
100+4.60 грн
500+4.28 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5248B-GS18 TZM5248B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5248B-GS18 TZM5248B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
на замовлення 9753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+10.03 грн
48+6.84 грн
112+2.90 грн
500+2.58 грн
1000+2.37 грн
2000+2.33 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
VS-ETU1506-M3 VS-ETU1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu1506m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.31 грн
50+81.34 грн
100+64.46 грн
1000+41.77 грн
5000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-ETU1506-1HM3 VS-ETU1506-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu1506shm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-ETU2006S2LHM3 VS-ETU2006S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu2006s2lhm3.pdf Description: FREDS - D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506FP-N3 VS-E5TX1506FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1506fp-n3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.67 грн
50+87.50 грн
100+69.34 грн
500+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TW1206FP-N3 VS-E5TW1206FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tw1206fp-n3.pdf Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+100.69 грн
100+78.49 грн
500+60.85 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006-M3 VS-E5TH3006-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3006-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.94 грн
50+68.40 грн
100+61.90 грн
500+53.40 грн
1000+49.46 грн
2000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TW1506FP-N3 VS-E5TW1506FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tw1506fp-n3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 15A TO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.22 грн
50+66.75 грн
100+60.48 грн
500+46.23 грн
1000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012-M3 VS-E5TH3012-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 5844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.19 грн
50+112.21 грн
100+101.32 грн
500+77.18 грн
1000+71.42 грн
2000+66.58 грн
5000+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1206FP-N3 VS-E5TX1206FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1206fp-n3.pdf Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.23 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+100.69 грн
100+78.49 грн
500+60.85 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2LHM3 VS-E5TH3012S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012s2lhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2LHM3 VS-E5TH3012S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012s2lhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.83 грн
10+186.65 грн
100+136.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006THN3 VS-E5TH3006THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3006thn3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
50+95.54 грн
100+81.06 грн
500+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2LHM3 VS-E5TX3012S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012s2lhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX0812THN3 VS-E5TX0812THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx0812thn3.pdf Description: FREDS - TO-220G5,8A,1200V, LOW Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2LHM3 VS-E5TX1512S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1512s2lhm3.pdf Description: FREDS - D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012THN3 VS-E5TX3012THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012thn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH0812THN3 VS-E5TH0812THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th0812hn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012THN3 VS-E5TH3012THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012thn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512THN3 VS-E5TX1512THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1512thn3.pdf Description: FREDS - TO-220G5,15A,1200V, LOW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GMF05LC-HSF-GS08 GMF05LC-HSF-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gmf05lch.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 12.5VC LLP75-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 43pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Min)
Supplier Device Package: LLP75-6L
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.5V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GMF05LC-HSF-GS08 GMF05LC-HSF-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gmf05lch.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 12.5VC LLP75-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 43pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Min)
Supplier Device Package: LLP75-6L
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.5V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.66 грн
10+43.54 грн
100+32.50 грн
500+23.96 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt50yf120nt.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 64A 231W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 231 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7592.49 грн
12+6103.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120UT VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt75yf120ut.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9227.33 грн
12+7696.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt75yf120nt.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8898.02 грн
12+7371.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5261F-GS18 TZM5261F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5241F-GS18 TZM5241F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5243F-GS18 TZM5243F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5246F-GS18 TZM5246F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 16V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5229F-GS18 TZM5229F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5257F-GS08 TZM5257F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 33V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5262F-GS08 TZM5262F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 51V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5222F-GS08 TZM5222F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5232F-GS18 TZM5232F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5248F-GS08 TZM5248F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5251F-GS08 TZM5251F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 22V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5221F-GS08 TZM5221F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5267F-GS08 TZM5267F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 75V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5224F-GS08 TZM5224F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40AHE3_A/H SMBJ40AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+16.01 грн
1500+13.94 грн
2250+13.18 грн
3750+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40AHE3_A/H SMBJ40AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.00 грн
10+33.32 грн
100+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA9.1AHM3/H P4SMA9.1AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p4sma.pdf Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4708-E3-08 mmsz4681_to_mmsz4717.pdf
MMSZ4708-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 16.7 V
на замовлення 17791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.90 грн
24+13.44 грн
100+6.58 грн
500+5.15 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS15P3S-M3/87A ss15p3s.pdf
SS15P3S-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: 200°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS15P3S-M3/87A ss15p3s.pdf
SS15P3S-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: 200°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.76 грн
10+55.29 грн
100+44.07 грн
500+32.44 грн
1000+29.57 грн
2000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHE3_A/I p6smb.pdf
P6SMB91CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHM3_A/H p6smb.pdf
P6SMB91CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHM3/I p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB91CAHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHE3_A/I p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHM3/H p6smb.pdf
P6SMB91CAHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHE3_A/H p6smb.pdf
P6SMB91CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHM3_A/H p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHE3_A/H p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHM3/H p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB91CAHM3/I p6smb.pdf
P6SMB91CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB9.1CAHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB9.1CAHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C3V9-HG3-08
BZX384C3V9-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.51 грн
6000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C3V9-HG3-08
BZX384C3V9-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.04 грн
44+7.49 грн
100+4.60 грн
500+4.28 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5248B-GS18 tzm5221.pdf
TZM5248B-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5248B-GS18 tzm5221.pdf
TZM5248B-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
на замовлення 9753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.03 грн
48+6.84 грн
112+2.90 грн
500+2.58 грн
1000+2.37 грн
2000+2.33 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
VS-ETU1506-M3 vs-etu1506m3.pdf
VS-ETU1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.31 грн
50+81.34 грн
100+64.46 грн
1000+41.77 грн
5000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-ETU1506-1HM3 vs-etu1506shm3.pdf
VS-ETU1506-1HM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-ETU2006S2LHM3 vs-etu2006s2lhm3.pdf
VS-ETU2006S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: FREDS - D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506FP-N3 vs-e5tx1506fp-n3.pdf
VS-E5TX1506FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.67 грн
50+87.50 грн
100+69.34 грн
500+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TW1206FP-N3 vs-e5tw1206fp-n3.pdf
VS-E5TW1206FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.01 грн
10+100.69 грн
100+78.49 грн
500+60.85 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006-M3 vs-e5th3006-m3.pdf
VS-E5TH3006-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.94 грн
50+68.40 грн
100+61.90 грн
500+53.40 грн
1000+49.46 грн
2000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TW1506FP-N3 vs-e5tw1506fp-n3.pdf
VS-E5TW1506FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 15A TO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.22 грн
50+66.75 грн
100+60.48 грн
500+46.23 грн
1000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012-M3 vs-e5th3012-m3.pdf
VS-E5TH3012-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 5844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.19 грн
50+112.21 грн
100+101.32 грн
500+77.18 грн
1000+71.42 грн
2000+66.58 грн
5000+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1206FP-N3 vs-e5tx1206fp-n3.pdf
VS-E5TX1206FP-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.23 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.01 грн
10+100.69 грн
100+78.49 грн
500+60.85 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2LHM3 vs-e5th3012s2lhm3.pdf
VS-E5TH3012S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2LHM3 vs-e5th3012s2lhm3.pdf
VS-E5TH3012S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.83 грн
10+186.65 грн
100+136.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006THN3 vs-e5th3006thn3.pdf
VS-E5TH3006THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.36 грн
50+95.54 грн
100+81.06 грн
500+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2LHM3 vs-e5tx3012s2lhm3.pdf
VS-E5TX3012S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+99.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX0812THN3 vs-e5tx0812thn3.pdf
VS-E5TX0812THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: FREDS - TO-220G5,8A,1200V, LOW Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2LHM3 vs-e5tx1512s2lhm3.pdf
VS-E5TX1512S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: FREDS - D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012THN3 vs-e5tx3012thn3.pdf
VS-E5TX3012THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH0812THN3 vs-e5th0812hn3.pdf
VS-E5TH0812THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012THN3 vs-e5th3012thn3.pdf
VS-E5TH3012THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512THN3 vs-e5tx1512thn3.pdf
VS-E5TX1512THN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: FREDS - TO-220G5,15A,1200V, LOW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GMF05LC-HSF-GS08 gmf05lch.pdf
GMF05LC-HSF-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 12.5VC LLP75-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 43pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Min)
Supplier Device Package: LLP75-6L
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.5V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GMF05LC-HSF-GS08 gmf05lch.pdf
GMF05LC-HSF-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 12.5VC LLP75-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 43pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Min)
Supplier Device Package: LLP75-6L
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.5V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.66 грн
10+43.54 грн
100+32.50 грн
500+23.96 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50YF120NT vs-gt50yf120nt.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MODULE 1200V 64A 231W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 231 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7592.49 грн
12+6103.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120UT vs-gt75yf120ut.pdf
VS-GT75YF120UT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9227.33 грн
12+7696.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120NT vs-gt75yf120nt.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8898.02 грн
12+7371.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5261F-GS18
TZM5261F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5241F-GS18
TZM5241F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5243F-GS18
TZM5243F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5246F-GS18
TZM5246F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5229F-GS18
TZM5229F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5257F-GS08
TZM5257F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5262F-GS08
TZM5262F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 51V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5222F-GS08
TZM5222F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5232F-GS18
TZM5232F-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5248F-GS08
TZM5248F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5251F-GS08
TZM5251F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5221F-GS08
TZM5221F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5267F-GS08
TZM5267F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 75V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5224F-GS08
TZM5224F-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW SOD80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40AHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ40AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+16.01 грн
1500+13.94 грн
2250+13.18 грн
3750+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40AHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ40AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.00 грн
10+33.32 грн
100+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA9.1AHM3/H p4sma.pdf
P4SMA9.1AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 534 535 536 537 538 539 540 541 542 543 544 603 670 678  [ Наступна Сторінка >> ]