Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40248) > Сторінка 54 з 671

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 67 134 201 268 335 402 469 536 603 670 671  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SS8PH10-M3/86A SS8PH10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8ph10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 59235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.81 грн
16+20.16 грн
100+20.09 грн
500+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/86A V10P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 27335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.26 грн
10+40.96 грн
100+31.39 грн
500+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V12P10-M3/86A V12P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V
на замовлення 12549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.80 грн
10+52.54 грн
100+43.40 грн
500+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V8P10-M3/86A V8P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
на замовлення 10295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
10+33.87 грн
100+29.22 грн
500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V60120C-E3/4W V60120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v60120c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 120V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.39 грн
10+167.38 грн
100+133.22 грн
500+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP5.0A-E3/54 5KP5.0A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 543A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP15A-E3/54 5KP15A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 205A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A MSP3V3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+2.51 грн
9000+2.35 грн
13500+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A MSP5.0A-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 100W
Power Line Protection: No
на замовлення 210200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+2.81 грн
9000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A MSS1P2L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.76 грн
9000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A MSS1P3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.70 грн
9000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A MSS1P3L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 721550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.34 грн
9000+3.12 грн
13500+3.01 грн
112500+2.56 грн
225000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A MSS1P4-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.17 грн
9000+2.91 грн
13500+2.87 грн
22500+2.20 грн
31500+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A MSS1P5-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
на замовлення 139500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.65 грн
9000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A MSS1P6-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.10 грн
9000+2.91 грн
13500+2.80 грн
22500+2.30 грн
45000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A MSP3V3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 73218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.18 грн
52+6.14 грн
100+3.16 грн
500+2.84 грн
1000+2.58 грн
2000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A MSP5.0A-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 100W
Power Line Protection: No
на замовлення 211557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.36 грн
32+10.16 грн
100+6.84 грн
500+4.91 грн
1000+4.40 грн
2000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A MSS1P2L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 79034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.45 грн
23+14.10 грн
100+7.12 грн
500+5.45 грн
1000+4.04 грн
2000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A MSS1P3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 31173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.18 грн
34+9.45 грн
100+7.92 грн
500+6.05 грн
1000+4.66 грн
2000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A MSS1P3L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 722020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.45 грн
46+6.85 грн
100+6.22 грн
500+4.51 грн
1000+3.89 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A MSS1P4-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 108202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.36 грн
61+5.20 грн
100+4.36 грн
500+3.77 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A MSS1P5-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
на замовлення 143194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.45 грн
24+13.63 грн
100+6.92 грн
500+5.29 грн
1000+3.92 грн
2000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A MSS1P6-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 245978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.00 грн
61+5.20 грн
100+4.22 грн
500+3.44 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
VSKD91\08P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE STANDARD 800V 100A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 36900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.65 грн
3000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SMA5J6.0A-E3/61 SMA5J6.0A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma5j5a.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 48.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.67V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2KBP08M-E4/51 2KBP08M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP005M-10M%2C3N253-259.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W005G-E4/51 2W005G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.80 грн
10+47.26 грн
100+32.61 грн
500+24.39 грн
1000+22.35 грн
3000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2W01G-E4/51 2W01G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.71 грн
10+44.27 грн
100+30.54 грн
500+22.85 грн
1000+20.94 грн
3000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2W02G-E4/51 2W02G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.53 грн
10+50.02 грн
100+34.63 грн
500+27.16 грн
1000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2W08G-E4/51 2W08G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.79 грн
10+54.74 грн
100+36.07 грн
500+26.29 грн
1000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP005M-E4/51 3KBP005M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP01M-E4/51 3KBP01M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP02M-E4/51 3KBP02M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP04M-E4/51 3KBP04M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP06M-E4/51 3KBP06M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP08M-E4/51 3KBP08M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B250C1000G-E4/51 B250C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division b40c1000g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.47 грн
100+23.75 грн
500+17.15 грн
1000+15.50 грн
2000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B250C800G-E4/51 B250C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 800g.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.07 грн
10+40.33 грн
100+23.07 грн
500+17.59 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B40C800G-E4/51 B40C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 800g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.87 грн
100+37.44 грн
500+27.28 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B80C1000G-E4/51 B80C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division b40c1000g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.72 грн
10+35.13 грн
100+27.42 грн
500+19.80 грн
1000+17.89 грн
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
B80C800G-E4/51 B80C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 800g.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.53 грн
10+33.16 грн
100+27.42 грн
500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3/51 G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB80-E3/51 G2SB80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA20-E3/51 G2SBA20-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60-E3/51 G2SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20%2C60%2C80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60L-E3/51 G2SBA60L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA80-E3/51 G2SBA80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20-E3/51 G3SBA20-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.78 грн
10+116.89 грн
100+91.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20L-E3/51 G3SBA20L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-E3/51 G3SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-E3/51 G3SBA60L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA80-E3/51 G3SBA80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA20-E3/51 G5SBA20-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g5sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA60-E3/51 G5SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g5sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA80-E3/51 G5SBA80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g5sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL01-E3/51 GBL01-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.88 грн
10+88.69 грн
100+69.01 грн
500+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL02-E3/51 GBL02-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.04 грн
10+102.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBL04-E3/51 GBL04-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBL
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.87 грн
10+104.84 грн
100+81.77 грн
500+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL06-E3/51 GBL06-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS8PH10-M3/86A ss8ph10.pdf
SS8PH10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 59235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.81 грн
16+20.16 грн
100+20.09 грн
500+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/86A v10p10.pdf
V10P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 27335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.26 грн
10+40.96 грн
100+31.39 грн
500+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V12P10-M3/86A v12p10.pdf
V12P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V
на замовлення 12549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.80 грн
10+52.54 грн
100+43.40 грн
500+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V8P10-M3/86A v8p10.pdf
V8P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
на замовлення 10295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.26 грн
10+33.87 грн
100+29.22 грн
500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V60120C-E3/4W v60120c.pdf
V60120C-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 120V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.39 грн
10+167.38 грн
100+133.22 грн
500+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP5.0A-E3/54 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf
5KP5.0A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 543A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP15A-E3/54 5kp8_5a.pdf
5KP15A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 205A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A msp3v3.pdf
MSP3V3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+2.51 грн
9000+2.35 грн
13500+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A msp3v3.pdf
MSP5.0A-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 100W
Power Line Protection: No
на замовлення 210200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+2.81 грн
9000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P2L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.76 грн
9000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.70 грн
9000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P3L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 721550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.34 грн
9000+3.12 грн
13500+3.01 грн
112500+2.56 грн
225000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P4-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.17 грн
9000+2.91 грн
13500+2.87 грн
22500+2.20 грн
31500+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P5-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
на замовлення 139500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.65 грн
9000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P6-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.10 грн
9000+2.91 грн
13500+2.80 грн
22500+2.30 грн
45000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A msp3v3.pdf
MSP3V3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 73218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.18 грн
52+6.14 грн
100+3.16 грн
500+2.84 грн
1000+2.58 грн
2000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A msp3v3.pdf
MSP5.0A-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 100W
Power Line Protection: No
на замовлення 211557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.36 грн
32+10.16 грн
100+6.84 грн
500+4.91 грн
1000+4.40 грн
2000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P2L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 79034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.45 грн
23+14.10 грн
100+7.12 грн
500+5.45 грн
1000+4.04 грн
2000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 31173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.18 грн
34+9.45 грн
100+7.92 грн
500+6.05 грн
1000+4.66 грн
2000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P3L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 722020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.45 грн
46+6.85 грн
100+6.22 грн
500+4.51 грн
1000+3.89 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P4-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 108202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.36 грн
61+5.20 грн
100+4.36 грн
500+3.77 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P5-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
на замовлення 143194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.45 грн
24+13.63 грн
100+6.92 грн
500+5.29 грн
1000+3.92 грн
2000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P6-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 245978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.00 грн
61+5.20 грн
100+4.22 грн
500+3.44 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
VSKD91\08P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 100A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A gf1x.pdf
GF1M-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 36900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+12.65 грн
3000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SMA5J6.0A-E3/61 sma5j5a.pdf
SMA5J6.0A-E3/61
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 48.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.67V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2KBP08M-E4/51 2KBP005M-10M%2C3N253-259.pdf
2KBP08M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W005G-E4/51 2w005g.pdf
2W005G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.80 грн
10+47.26 грн
100+32.61 грн
500+24.39 грн
1000+22.35 грн
3000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2W01G-E4/51 2w005g.pdf
2W01G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.71 грн
10+44.27 грн
100+30.54 грн
500+22.85 грн
1000+20.94 грн
3000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2W02G-E4/51 2w005g.pdf
2W02G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.53 грн
10+50.02 грн
100+34.63 грн
500+27.16 грн
1000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2W08G-E4/51 2w005g.pdf
2W08G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.79 грн
10+54.74 грн
100+36.07 грн
500+26.29 грн
1000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP005M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP005M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP01M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP01M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP02M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP02M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP04M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP04M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP06M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP06M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP08M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP08M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B250C1000G-E4/51 b40c1000g.pdf
B250C1000G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.35 грн
10+36.47 грн
100+23.75 грн
500+17.15 грн
1000+15.50 грн
2000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B250C800G-E4/51 800g.pdf
B250C800G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.07 грн
10+40.33 грн
100+23.07 грн
500+17.59 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B40C800G-E4/51 800g.pdf
B40C800G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.06 грн
10+56.87 грн
100+37.44 грн
500+27.28 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B80C1000G-E4/51 b40c1000g.pdf
B80C1000G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.72 грн
10+35.13 грн
100+27.42 грн
500+19.80 грн
1000+17.89 грн
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
B80C800G-E4/51 800g.pdf
B80C800G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.53 грн
10+33.16 грн
100+27.42 грн
500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3/51 irl620.pdf
G2SB60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB80-E3/51 irl620.pdf
G2SB80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA20-E3/51 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA20-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60-E3/51 G2SBA20%2C60%2C80.pdf
G2SBA60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60L-E3/51 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA60L-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA80-E3/51 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA20-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.78 грн
10+116.89 грн
100+91.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20L-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA20L-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA60L-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA80-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA20-E3/51 g5sba20.pdf
G5SBA20-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA60-E3/51 g5sba20.pdf
G5SBA60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA80-E3/51 g5sba20.pdf
G5SBA80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL01-E3/51 gbl005.pdf
GBL01-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.88 грн
10+88.69 грн
100+69.01 грн
500+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL02-E3/51 gbl005.pdf
GBL02-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.04 грн
10+102.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBL04-E3/51 gbl005.pdf
GBL04-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBL
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.87 грн
10+104.84 грн
100+81.77 грн
500+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL06-E3/51 gbl005.pdf
GBL06-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 67 134 201 268 335 402 469 536 603 670 671  [ Наступна Сторінка >> ]