Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41622) > Сторінка 54 з 694

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 69 138 207 276 345 414 483 552 621 690 694  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SS8P2L-M3/86A SS8P2L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.83 грн
10+41.37 грн
50+30.44 грн
100+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P3L-M3/86A SS8P3L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.08 грн
10+38.63 грн
50+28.34 грн
100+23.49 грн
500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS8PH10-M3/86A SS8PH10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8ph10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 50049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.41 грн
10+42.36 грн
100+27.55 грн
500+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/86A V10P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 105079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.15 грн
10+57.22 грн
100+37.73 грн
500+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V12P10-M3/86A V12P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V
на замовлення 37155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.39 грн
10+65.67 грн
100+43.61 грн
500+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V8P10-M3/86A V8P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
на замовлення 60219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.03 грн
10+52.42 грн
100+34.44 грн
500+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V60120C-E3/4W V60120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v60120c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 120V 30A TO220-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.54 грн
10+161.90 грн
100+128.86 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP5.0A-E3/54 5KP5.0A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 543A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP15A-E3/54 5KP15A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 205A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A MSP3V3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.48 грн
13500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A MSP5.0A-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO219AD
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 100W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 58500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.31 грн
13500+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A MSS1P2L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.93 грн
13500+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A MSS1P3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+5.45 грн
13500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A MSS1P3L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.17 грн
13500+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A MSS1P4-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.94 грн
13500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A MSS1P5-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO219AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+5.14 грн
13500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A MSS1P6-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 148500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.85 грн
13500+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A MSP3V3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 191416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
23+13.56 грн
50+9.71 грн
100+7.93 грн
500+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A MSP5.0A-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 100W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
на замовлення 58735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.15 грн
24+13.03 грн
50+9.31 грн
100+7.61 грн
500+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A MSS1P2L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 14137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
21+14.63 грн
50+10.56 грн
100+8.64 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A MSS1P3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
на замовлення 25135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.69 грн
19+16.15 грн
50+11.61 грн
100+9.51 грн
500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A MSS1P3L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 516536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.36 грн
24+12.72 грн
50+9.10 грн
100+7.43 грн
500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A MSS1P4-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 162391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.78 грн
26+11.96 грн
50+8.58 грн
100+7.01 грн
500+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A MSS1P5-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO219AD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
на замовлення 74279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.32 грн
20+15.24 грн
50+10.96 грн
100+8.97 грн
500+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A MSS1P6-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 150505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.78 грн
26+11.73 грн
50+8.40 грн
100+6.86 грн
500+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSKD91\08P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE STANDARD 800V 100A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.24 грн
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA5J6.0A-E3/61 SMA5J6.0A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma5j5a.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.3V
Voltage - Breakdown (Min): 6.67V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 48.5A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2KBP08M-E4/51 2KBP08M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP005M-10M%2C3N253-259.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W005G-E4/51 2W005G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.02 грн
10+64.76 грн
100+43.17 грн
500+31.83 грн
1000+29.03 грн
3000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W01G-E4/51 2W01G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.09 грн
10+71.08 грн
50+53.16 грн
100+44.46 грн
500+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W02G-E4/51 2W02G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.59 грн
10+111.46 грн
50+84.70 грн
100+71.40 грн
500+57.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W08G-E4/51 2W08G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.09 грн
10+71.08 грн
50+53.16 грн
100+44.46 грн
500+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP005M-E4/51 3KBP005M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP01M-E4/51 3KBP01M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP02M-E4/51 3KBP02M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP04M-E4/51 3KBP04M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP06M-E4/51 3KBP06M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP08M-E4/51 3KBP08M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B250C1000G-E4/51 B250C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division b40c1000g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.00 грн
10+43.20 грн
50+31.88 грн
100+26.45 грн
500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B250C800G-E4/51 B250C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 800g.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.00 грн
10+43.20 грн
50+31.88 грн
100+26.45 грн
500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B40C800G-E4/51 B40C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 800g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.98 грн
10+55.01 грн
100+36.21 грн
500+26.39 грн
1000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B80C1000G-E4/51 B80C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division b40c1000g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
10+33.98 грн
100+26.52 грн
500+19.15 грн
1000+17.30 грн
3000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B80C800G-E4/51 B80C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 800g.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.88 грн
10+39.01 грн
100+25.43 грн
500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3/51 G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB80-E3/51 G2SB80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA20-E3/51 G2SBA20-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60-E3/51 G2SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20%2C60%2C80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60L-E3/51 G2SBA60L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA80-E3/51 G2SBA80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20-E3/51 G3SBA20-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.33 грн
10+113.06 грн
100+88.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20L-E3/51 G3SBA20L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-E3/51 G3SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-E3/51 G3SBA60L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA80-E3/51 G3SBA80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA20-E3/51 G5SBA20-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g5sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA60-E3/51 G5SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g5sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA80-E3/51 G5SBA80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g5sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL01-E3/51 GBL01-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.18 грн
10+85.79 грн
100+66.75 грн
500+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL02-E3/51 GBL02-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.61 грн
10+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P2L-M3/86A ss8p3l.pdf
SS8P2L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.83 грн
10+41.37 грн
50+30.44 грн
100+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P3L-M3/86A ss8p3l.pdf
SS8P3L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.08 грн
10+38.63 грн
50+28.34 грн
100+23.49 грн
500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS8PH10-M3/86A ss8ph10.pdf
SS8PH10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 50049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.41 грн
10+42.36 грн
100+27.55 грн
500+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/86A v10p10.pdf
V10P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 105079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.15 грн
10+57.22 грн
100+37.73 грн
500+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V12P10-M3/86A v12p10.pdf
V12P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V
на замовлення 37155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.39 грн
10+65.67 грн
100+43.61 грн
500+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V8P10-M3/86A v8p10.pdf
V8P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
на замовлення 60219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.03 грн
10+52.42 грн
100+34.44 грн
500+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V60120C-E3/4W v60120c.pdf
V60120C-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 120V 30A TO220-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.54 грн
10+161.90 грн
100+128.86 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP5.0A-E3/54 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf
5KP5.0A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 543A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP15A-E3/54 5kp8_5a.pdf
5KP15A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 205A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A msp3v3.pdf
MSP3V3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+4.48 грн
13500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A msp3v3.pdf
MSP5.0A-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO219AD
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 100W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 58500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+4.31 грн
13500+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P2L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+4.93 грн
13500+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+5.45 грн
13500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P3L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+4.17 грн
13500+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P4-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+3.94 грн
13500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P5-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO219AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+5.14 грн
13500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P6-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 148500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+3.85 грн
13500+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A msp3v3.pdf
MSP3V3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 191416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.94 грн
23+13.56 грн
50+9.71 грн
100+7.93 грн
500+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A msp3v3.pdf
MSP5.0A-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 100W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
на замовлення 58735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.15 грн
24+13.03 грн
50+9.31 грн
100+7.61 грн
500+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P2L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 14137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.53 грн
21+14.63 грн
50+10.56 грн
100+8.64 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
на замовлення 25135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.69 грн
19+16.15 грн
50+11.61 грн
100+9.51 грн
500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P3L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 516536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.36 грн
24+12.72 грн
50+9.10 грн
100+7.43 грн
500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P4-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 162391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.78 грн
26+11.96 грн
50+8.58 грн
100+7.01 грн
500+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P5-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO219AD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
на замовлення 74279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.32 грн
20+15.24 грн
50+10.96 грн
100+8.97 грн
500+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P6-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 150505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.78 грн
26+11.73 грн
50+8.40 грн
100+6.86 грн
500+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSKD91\08P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 100A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A gf1x.pdf
GF1M-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+12.24 грн
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA5J6.0A-E3/61 sma5j5a.pdf
SMA5J6.0A-E3/61
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.3V
Voltage - Breakdown (Min): 6.67V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 48.5A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2KBP08M-E4/51 2KBP005M-10M%2C3N253-259.pdf
2KBP08M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W005G-E4/51 2w005g.pdf
2W005G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.02 грн
10+64.76 грн
100+43.17 грн
500+31.83 грн
1000+29.03 грн
3000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W01G-E4/51 2w005g.pdf
2W01G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.09 грн
10+71.08 грн
50+53.16 грн
100+44.46 грн
500+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W02G-E4/51 2w005g.pdf
2W02G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.59 грн
10+111.46 грн
50+84.70 грн
100+71.40 грн
500+57.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2W08G-E4/51 2w005g.pdf
2W08G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.09 грн
10+71.08 грн
50+53.16 грн
100+44.46 грн
500+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP005M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP005M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP01M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP01M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP02M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP02M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP04M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP04M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP06M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP06M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP08M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP08M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B250C1000G-E4/51 b40c1000g.pdf
B250C1000G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.00 грн
10+43.20 грн
50+31.88 грн
100+26.45 грн
500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B250C800G-E4/51 800g.pdf
B250C800G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.00 грн
10+43.20 грн
50+31.88 грн
100+26.45 грн
500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B40C800G-E4/51 800g.pdf
B40C800G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.98 грн
10+55.01 грн
100+36.21 грн
500+26.39 грн
1000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B80C1000G-E4/51 b40c1000g.pdf
B80C1000G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.35 грн
10+33.98 грн
100+26.52 грн
500+19.15 грн
1000+17.30 грн
3000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B80C800G-E4/51 800g.pdf
B80C800G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.88 грн
10+39.01 грн
100+25.43 грн
500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3/51 irl620.pdf
G2SB60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB80-E3/51 irl620.pdf
G2SB80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA20-E3/51 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA20-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60-E3/51 G2SBA20%2C60%2C80.pdf
G2SBA60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60L-E3/51 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA60L-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA80-E3/51 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA20-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.33 грн
10+113.06 грн
100+88.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20L-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA20L-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA60L-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA80-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA20-E3/51 g5sba20.pdf
G5SBA20-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA60-E3/51 g5sba20.pdf
G5SBA60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA80-E3/51 g5sba20.pdf
G5SBA80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL01-E3/51 gbl005.pdf
GBL01-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.18 грн
10+85.79 грн
100+66.75 грн
500+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL02-E3/51 gbl005.pdf
GBL02-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.61 грн
10+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 69 138 207 276 345 414 483 552 621 690 694  [ Наступна Сторінка >> ]