Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40028) > Сторінка 54 з 668

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 132 198 264 330 396 462 528 594 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
V8P10-M3/86A V8P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
на замовлення 10295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.84 грн
10+32.87 грн
100+28.36 грн
500+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V60120C-E3/4W V60120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v60120c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 120V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.24 грн
10+162.45 грн
100+129.31 грн
500+102.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP5.0A-E3/54 5KP5.0A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 543A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP15A-E3/54 5KP15A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 205A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A MSP3V3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 85500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+2.71 грн
9000+2.47 грн
13500+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A MSP5.0A-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 100W
Power Line Protection: No
на замовлення 210200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+2.73 грн
9000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A MSS1P2L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.65 грн
9000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A MSS1P3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+6.20 грн
9000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A MSS1P3L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 722650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.40 грн
9000+3.05 грн
13500+3.01 грн
22500+2.52 грн
31500+2.42 грн
45000+2.31 грн
112500+2.05 грн
225000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A MSS1P4-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.52 грн
9000+3.05 грн
13500+2.94 грн
22500+2.31 грн
31500+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A MSS1P5-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
на замовлення 139500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.55 грн
9000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A MSS1P6-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.36 грн
9000+3.21 грн
13500+3.07 грн
22500+2.88 грн
31500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A MSP3V3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 88619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.53 грн
48+6.50 грн
100+3.32 грн
500+2.98 грн
1000+2.78 грн
2000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A MSP5.0A-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division msp3v3.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 100W
Power Line Protection: No
на замовлення 211557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.88 грн
32+9.86 грн
100+6.64 грн
500+4.76 грн
1000+4.27 грн
2000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A MSS1P2L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 79034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.85 грн
23+13.68 грн
100+6.91 грн
500+5.29 грн
1000+3.93 грн
2000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A MSS1P3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP
на замовлення 12699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.34 грн
13+23.93 грн
100+13.52 грн
500+8.40 грн
1000+6.44 грн
2000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A MSS1P3L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 722668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.91 грн
44+6.96 грн
100+6.33 грн
500+4.59 грн
1000+3.97 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A MSS1P4-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 54227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.91 грн
44+6.96 грн
100+6.41 грн
500+4.64 грн
1000+3.97 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A MSS1P5-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
на замовлення 143194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.85 грн
24+13.23 грн
100+6.71 грн
500+5.13 грн
1000+3.81 грн
2000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A MSS1P6-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 84481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.70 грн
37+8.49 грн
100+6.48 грн
500+4.67 грн
1000+4.03 грн
2000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
VSKD91\08P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE STANDARD 800V 100A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 36900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.28 грн
3000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SMA5J6.0A-E3/61 SMA5J6.0A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma5j5a.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 48.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.67V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2KBP08M-E4/51 2KBP08M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP005M-10M%2C3N253-259.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W005G-E4/51 2W005G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.66 грн
10+45.87 грн
100+31.65 грн
500+23.67 грн
1000+21.69 грн
3000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2W01G-E4/51 2W01G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.69 грн
10+42.96 грн
100+29.65 грн
500+22.18 грн
1000+20.32 грн
3000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2W02G-E4/51 2W02G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.75 грн
10+48.55 грн
100+33.61 грн
500+26.36 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2W08G-E4/51 2W08G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2w005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.12 грн
10+53.13 грн
100+35.01 грн
500+25.52 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP005M-E4/51 3KBP005M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP01M-E4/51 3KBP01M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP02M-E4/51 3KBP02M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP04M-E4/51 3KBP04M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP06M-E4/51 3KBP06M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP08M-E4/51 3KBP08M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B250C1000G-E4/51 B250C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division b40c1000g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.54 грн
10+35.40 грн
100+23.05 грн
500+16.65 грн
1000+15.04 грн
2000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B250C800G-E4/51 B250C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 800g.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.66 грн
10+42.35 грн
100+26.81 грн
500+19.94 грн
1000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B40C800G-E4/51 B40C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 800g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.30 грн
10+55.20 грн
100+36.34 грн
500+26.48 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B80C1000G-E4/51 B80C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division b40c1000g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.49 грн
10+34.10 грн
100+26.61 грн
500+19.22 грн
1000+17.36 грн
3000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
B80C800G-E4/51 B80C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 800g.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.28 грн
10+32.18 грн
100+26.61 грн
500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3/51 G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irlz44.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB80-E3/51 G2SB80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division irl620.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA20-E3/51 G2SBA20-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60-E3/51 G2SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20%2C60%2C80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60L-E3/51 G2SBA60L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA80-E3/51 G2SBA80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20,60,80.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20-E3/51 G3SBA20-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.79 грн
10+113.45 грн
100+88.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20L-E3/51 G3SBA20L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-E3/51 G3SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-E3/51 G3SBA60L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA80-E3/51 G3SBA80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g3sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA20-E3/51 G5SBA20-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g5sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA60-E3/51 G5SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g5sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA80-E3/51 G5SBA80-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division g5sba20.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL01-E3/51 GBL01-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.56 грн
10+86.08 грн
100+66.98 грн
500+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL02-E3/51 GBL02-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.16 грн
10+99.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBL04-E3/51 GBL04-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBL
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+101.75 грн
100+79.36 грн
500+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL06-E3/51 GBL06-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL08-E3/51 GBL08-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10-E3/51 GBL10-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLA10-E3/51 GBLA10-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gblaxx.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V8P10-M3/86A v8p10.pdf
V8P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
на замовлення 10295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
10+32.87 грн
100+28.36 грн
500+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V60120C-E3/4W v60120c.pdf
V60120C-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 120V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.24 грн
10+162.45 грн
100+129.31 грн
500+102.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP5.0A-E3/54 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf
5KP5.0A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 543A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP15A-E3/54 5kp8_5a.pdf
5KP15A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 205A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A msp3v3.pdf
MSP3V3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 85500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+2.71 грн
9000+2.47 грн
13500+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A msp3v3.pdf
MSP5.0A-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 100W
Power Line Protection: No
на замовлення 210200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+2.73 грн
9000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P2L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.65 грн
9000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+6.20 грн
9000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P3L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 722650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.40 грн
9000+3.05 грн
13500+3.01 грн
22500+2.52 грн
31500+2.42 грн
45000+2.31 грн
112500+2.05 грн
225000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P4-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.52 грн
9000+3.05 грн
13500+2.94 грн
22500+2.31 грн
31500+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P5-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
на замовлення 139500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.55 грн
9000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P6-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.36 грн
9000+3.21 грн
13500+3.07 грн
22500+2.88 грн
31500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSP3V3-M3/89A msp3v3.pdf
MSP3V3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 88619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
48+6.50 грн
100+3.32 грн
500+2.98 грн
1000+2.78 грн
2000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MSP5.0A-M3/89A msp3v3.pdf
MSP5.0A-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 100W
Power Line Protection: No
на замовлення 211557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
32+9.86 грн
100+6.64 грн
500+4.76 грн
1000+4.27 грн
2000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P2L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P2L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 79034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
23+13.68 грн
100+6.91 грн
500+5.29 грн
1000+3.93 грн
2000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P3-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP
на замовлення 12699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
13+23.93 грн
100+13.52 грн
500+8.40 грн
1000+6.44 грн
2000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P3L-M3/89A mss1p3l.pdf
MSS1P3L-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 30 V
на замовлення 722668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
44+6.96 грн
100+6.33 грн
500+4.59 грн
1000+3.97 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P4-M3/89A mss1p4.pdf
MSS1P4-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 54227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
44+6.96 грн
100+6.41 грн
500+4.64 грн
1000+3.97 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P5-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P5-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 50 V
на замовлення 143194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
24+13.23 грн
100+6.71 грн
500+5.13 грн
1000+3.81 грн
2000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MSS1P6-M3/89A mss1p6.pdf
MSS1P6-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 84481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
37+8.49 грн
100+6.48 грн
500+4.67 грн
1000+4.03 грн
2000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
VSKD91\08P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 100A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M-E3/67A gf1x.pdf
GF1M-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 36900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+12.28 грн
3000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SMA5J6.0A-E3/61 sma5j5a.pdf
SMA5J6.0A-E3/61
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 48.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.67V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.3V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2KBP08M-E4/51 2KBP005M-10M%2C3N253-259.pdf
2KBP08M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W005G-E4/51 2w005g.pdf
2W005G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.66 грн
10+45.87 грн
100+31.65 грн
500+23.67 грн
1000+21.69 грн
3000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2W01G-E4/51 2w005g.pdf
2W01G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.69 грн
10+42.96 грн
100+29.65 грн
500+22.18 грн
1000+20.32 грн
3000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2W02G-E4/51 2w005g.pdf
2W02G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.75 грн
10+48.55 грн
100+33.61 грн
500+26.36 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2W08G-E4/51 2w005g.pdf
2W08G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.12 грн
10+53.13 грн
100+35.01 грн
500+25.52 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP005M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP005M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP01M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP01M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP02M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP02M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP04M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP04M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP06M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP06M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3KBP08M-E4/51 3KBP005%2C01%2C02%2C04%2C06%2C08M.pdf
3KBP08M-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBPM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B250C1000G-E4/51 b40c1000g.pdf
B250C1000G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.54 грн
10+35.40 грн
100+23.05 грн
500+16.65 грн
1000+15.04 грн
2000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B250C800G-E4/51 800g.pdf
B250C800G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.66 грн
10+42.35 грн
100+26.81 грн
500+19.94 грн
1000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B40C800G-E4/51 800g.pdf
B40C800G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.30 грн
10+55.20 грн
100+36.34 грн
500+26.48 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B80C1000G-E4/51 b40c1000g.pdf
B80C1000G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
10+34.10 грн
100+26.61 грн
500+19.22 грн
1000+17.36 грн
3000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
B80C800G-E4/51 800g.pdf
B80C800G-E4/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.28 грн
10+32.18 грн
100+26.61 грн
500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60-E3/51 irlz44.pdf
G2SB60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB80-E3/51 irl620.pdf
G2SB80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA20-E3/51 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA20-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60-E3/51 G2SBA20%2C60%2C80.pdf
G2SBA60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA60L-E3/51 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA60L-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SBA80-E3/51 G2SBA20,60,80.pdf
G2SBA80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA20-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.79 грн
10+113.45 грн
100+88.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA20L-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA20L-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA60L-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA80-E3/51 g3sba20.pdf
G3SBA80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA20-E3/51 g5sba20.pdf
G5SBA20-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA60-E3/51 g5sba20.pdf
G5SBA60-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5SBA80-E3/51 g5sba20.pdf
G5SBA80-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2.8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL01-E3/51 gbl005.pdf
GBL01-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.56 грн
10+86.08 грн
100+66.98 грн
500+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL02-E3/51 gbl005.pdf
GBL02-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.16 грн
10+99.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBL04-E3/51 gbl005.pdf
GBL04-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBL
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.29 грн
10+101.75 грн
100+79.36 грн
500+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL06-E3/51 gbl005.pdf
GBL06-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL08-E3/51 gbl005.pdf
GBL08-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10-E3/51 gbl005.pdf
GBL10-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLA10-E3/51 gblaxx.pdf
GBLA10-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 132 198 264 330 396 462 528 594 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]