Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40689) > Сторінка 53 з 679

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 67 134 201 268 335 402 469 536 603 670 679  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BU1010A5S-E3/45 BU1010A5S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1006a.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3A BU-5S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1010A-E3/45 BU1010A-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1006a.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1010A-E3/51 BU1010A-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1006a.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1010-E3/45 BU1010-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1006.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.2A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1010-E3/51 BU1010-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1006.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.2A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU12065S-E3/45 BU12065S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1206.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 3.4A BU-5S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1206-E3/45 BU1206-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1206.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.4A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.67 грн
10+131.23 грн
100+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU1206-E3/51 BU1206-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1206.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.4A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU12085S-E3/45 BU12085S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1206.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU-5S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1208-E3/51 BU1208-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1206.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.4A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU15085S-E3/45 BU15085S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1506.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1508-E3/45 BU1508-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1506.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+166.68 грн
20+134.22 грн
100+133.00 грн
500+102.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BU1508-E3/51 BU1508-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1206.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1510-E3/51 BU1510-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu1506.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.4A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2006-E3/45 BU2006-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2006.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.26 грн
10+212.64 грн
100+170.93 грн
500+131.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU20085S-E3/45 BU20085S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2006.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2008-E3/45 BU2008-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2006.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.5A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.35 грн
10+173.64 грн
100+121.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU2008-E3/51 BU2008-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2006.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU20105S-E3/45 BU20105S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2006.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010-E3/45 BU2010-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2006.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.5A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.94 грн
20+137.84 грн
100+128.17 грн
500+117.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010-E3/51 BU2010-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2006.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+336.81 грн
10+214.39 грн
250+135.47 грн
500+117.58 грн
1000+109.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU25065S-E3/45 BU25065S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2506.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2506-E3/45 BU2506-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2506.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2506-E3/51 BU2506-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2506.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+335.08 грн
10+213.39 грн
250+134.81 грн
500+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU25085S-E3/45 BU25085S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2506.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2508-E3/45 BU2508-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2506.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.5A BU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.44 грн
10+188.78 грн
100+146.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BU2508-E3/51 BU2508-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2506.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2510-E3/45 BU2510-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2506.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.81 грн
10+208.65 грн
100+170.92 грн
500+136.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU2510-E3/51 BU2510-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bu2506.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL41T-E3/1 GL41T-E3/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM10-50%20-%2010-1000%2C%20GL41A-Y_Rev30.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-100BGQ100 VS-100BGQ100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 100BGQ100.pdf Description: DIODE SCHOTTK 100V 100A POWIRTAB
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: PowIRtab™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.04 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P4-M3/86A SS10P4-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss10p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.16 грн
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P4L-M3/86A SS3P4L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p4l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6L-M3/86A SS3P6L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p6l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.20 грн
3000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P10-M3/86A SS5P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss5p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.97 грн
3000+15.80 грн
4500+15.03 грн
7500+13.30 грн
10500+12.82 грн
15000+12.35 грн
37500+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P3-M3/86A SS5P3-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss5p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P6-M3/86A SS5P6-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss5p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.54 грн
3000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P2L-M3/86A SS8P2L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P3L-M3/86A SS8P3L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.79 грн
3000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS8PH10-M3/86A SS8PH10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8ph10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 54990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.70 грн
3000+16.45 грн
4500+15.66 грн
7500+13.86 грн
10500+13.36 грн
15000+12.88 грн
37500+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/86A V10P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.05 грн
3000+20.88 грн
4500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
V12P10-M3/86A V12P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.37 грн
3000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
V30100S-E3/4W V30100S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30100s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 40362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+85.50 грн
50+59.84 грн
100+54.35 грн
500+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V60100C-E3/4W V60100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V(B)60100C.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.99 грн
10+182.37 грн
100+145.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VF30100S-E3/4W VF30100S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30100s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.91 грн
50+64.28 грн
100+52.88 грн
500+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VF30100SG-E3/4W VF30100SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30100sg.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 100 V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+114.00 грн
50+87.95 грн
100+69.69 грн
500+55.44 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VF40100C-E3/4W VF40100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40100c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.99 грн
10+151.85 грн
100+120.88 грн
500+95.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P4-M3/86A SS10P4-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss10p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 40 V
на замовлення 9066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.00 грн
11+32.68 грн
100+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P4L-M3/86A SS3P4L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p4l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 40 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.64 грн
20+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6L-M3/86A SS3P6L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3p6l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 15543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.64 грн
12+28.42 грн
100+25.60 грн
500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P10-M3/86A SS5P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss5p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
на замовлення 63477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.41 грн
13+27.11 грн
100+26.43 грн
500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P3-M3/86A SS5P3-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss5p4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A TO277A
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.54 грн
10+44.08 грн
100+32.87 грн
500+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P6-M3/86A SS5P6-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss5p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 50337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.32 грн
13+27.53 грн
100+26.07 грн
500+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P2L-M3/86A SS8P2L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.41 грн
10+35.09 грн
100+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P3L-M3/86A SS8P3L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 7368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.77 грн
13+26.69 грн
100+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SS8PH10-M3/86A SS8PH10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8ph10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 55344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
16+21.71 грн
100+21.11 грн
500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/86A V10P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 25026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.18 грн
10+43.83 грн
100+33.58 грн
500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V12P10-M3/86A V12P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V
на замовлення 12882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.63 грн
10+48.98 грн
100+45.22 грн
500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V8P10-M3/86A V8P10-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
на замовлення 7223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.50 грн
14+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
V60120C-E3/4W V60120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v60120c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 120V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.08 грн
10+176.72 грн
100+140.66 грн
500+111.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU1010A5S-E3/45 bu1006a.pdf
BU1010A5S-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3A BU-5S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1010A-E3/45 bu1006a.pdf
BU1010A-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1010A-E3/51 bu1006a.pdf
BU1010A-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1010-E3/45 bu1006.pdf
BU1010-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.2A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1010-E3/51 bu1006.pdf
BU1010-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.2A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU12065S-E3/45 bu1206.pdf
BU12065S-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 3.4A BU-5S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1206-E3/45 bu1206.pdf
BU1206-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.4A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.67 грн
10+131.23 грн
100+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU1206-E3/51 bu1206.pdf
BU1206-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.4A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU12085S-E3/45 bu1206.pdf
BU12085S-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU-5S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1208-E3/51 bu1206.pdf
BU1208-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.4A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU15085S-E3/45 bu1506.pdf
BU15085S-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1508-E3/45 bu1506.pdf
BU1508-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.68 грн
20+134.22 грн
100+133.00 грн
500+102.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BU1508-E3/51 bu1206.pdf
BU1508-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU1510-E3/51 bu1506.pdf
BU1510-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.4A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2006-E3/45 bu2006.pdf
BU2006-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.26 грн
10+212.64 грн
100+170.93 грн
500+131.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU20085S-E3/45 bu2006.pdf
BU20085S-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2008-E3/45 bu2006.pdf
BU2008-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.5A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.35 грн
10+173.64 грн
100+121.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU2008-E3/51 bu2006.pdf
BU2008-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU20105S-E3/45 bu2006.pdf
BU20105S-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010-E3/45 bu2006.pdf
BU2010-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.5A BU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.94 грн
20+137.84 грн
100+128.17 грн
500+117.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU2010-E3/51 bu2006.pdf
BU2010-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.81 грн
10+214.39 грн
250+135.47 грн
500+117.58 грн
1000+109.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU25065S-E3/45 bu2506.pdf
BU25065S-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2506-E3/45 bu2506.pdf
BU2506-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2506-E3/51 bu2506.pdf
BU2506-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.08 грн
10+213.39 грн
250+134.81 грн
500+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU25085S-E3/45 bu2506.pdf
BU25085S-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU-5S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, BU-5S
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU-5S
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2508-E3/45 bu2506.pdf
BU2508-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.5A BU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.44 грн
10+188.78 грн
100+146.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BU2508-E3/51 bu2506.pdf
BU2508-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2510-E3/45 bu2506.pdf
BU2510-E3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.81 грн
10+208.65 грн
100+170.92 грн
500+136.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU2510-E3/51 bu2506.pdf
BU2510-E3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL41T-E3/1 BYM10-50%20-%2010-1000%2C%20GL41A-Y_Rev30.pdf
GL41T-E3/1
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-100BGQ100 100BGQ100.pdf
VS-100BGQ100
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 100V 100A POWIRTAB
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: PowIRtab™
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.04 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P4-M3/86A ss10p4.pdf
SS10P4-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+21.16 грн
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P4L-M3/86A ss3p4l.pdf
SS3P4L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6L-M3/86A ss3p6l.pdf
SS3P6L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.20 грн
3000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P10-M3/86A ss5p10.pdf
SS5P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+17.97 грн
3000+15.80 грн
4500+15.03 грн
7500+13.30 грн
10500+12.82 грн
15000+12.35 грн
37500+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P3-M3/86A ss5p4.pdf
SS5P3-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P6-M3/86A ss5p6.pdf
SS5P6-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.54 грн
3000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P2L-M3/86A ss8p3l.pdf
SS8P2L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P3L-M3/86A ss8p3l.pdf
SS8P3L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.79 грн
3000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SS8PH10-M3/86A ss8ph10.pdf
SS8PH10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 54990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+18.70 грн
3000+16.45 грн
4500+15.66 грн
7500+13.86 грн
10500+13.36 грн
15000+12.88 грн
37500+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/86A v10p10.pdf
V10P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+23.05 грн
3000+20.88 грн
4500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
V12P10-M3/86A v12p10.pdf
V12P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+27.37 грн
3000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
V30100S-E3/4W v30100s.pdf
V30100S-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 40362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.50 грн
50+59.84 грн
100+54.35 грн
500+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V60100C-E3/4W V(B)60100C.pdf
V60100C-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.99 грн
10+182.37 грн
100+145.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VF30100S-E3/4W v30100s.pdf
VF30100S-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.91 грн
50+64.28 грн
100+52.88 грн
500+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VF30100SG-E3/4W v30100sg.pdf
VF30100SG-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 100 V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.00 грн
50+87.95 грн
100+69.69 грн
500+55.44 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VF40100C-E3/4W v40100c.pdf
VF40100C-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.99 грн
10+151.85 грн
100+120.88 грн
500+95.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P4-M3/86A ss10p4.pdf
SS10P4-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 40 V
на замовлення 9066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.00 грн
11+32.68 грн
100+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P4L-M3/86A ss3p4l.pdf
SS3P4L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 40 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.64 грн
20+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS3P6L-M3/86A ss3p6l.pdf
SS3P6L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 15543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.64 грн
12+28.42 грн
100+25.60 грн
500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P10-M3/86A ss5p10.pdf
SS5P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
на замовлення 63477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.41 грн
13+27.11 грн
100+26.43 грн
500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P3-M3/86A ss5p4.pdf
SS5P3-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A TO277A
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.54 грн
10+44.08 грн
100+32.87 грн
500+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SS5P6-M3/86A ss5p6.pdf
SS5P6-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 50337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.32 грн
13+27.53 грн
100+26.07 грн
500+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P2L-M3/86A ss8p3l.pdf
SS8P2L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.41 грн
10+35.09 грн
100+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SS8P3L-M3/86A ss8p3l.pdf
SS8P3L-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 7368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.77 грн
13+26.69 грн
100+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SS8PH10-M3/86A ss8ph10.pdf
SS8PH10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 55344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.23 грн
16+21.71 грн
100+21.11 грн
500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/86A v10p10.pdf
V10P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 25026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.18 грн
10+43.83 грн
100+33.58 грн
500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V12P10-M3/86A v12p10.pdf
V12P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V
на замовлення 12882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.63 грн
10+48.98 грн
100+45.22 грн
500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V8P10-M3/86A v8p10.pdf
V8P10-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
на замовлення 7223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.50 грн
14+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
V60120C-E3/4W v60120c.pdf
V60120C-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 120V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.08 грн
10+176.72 грн
100+140.66 грн
500+111.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 67 134 201 268 335 402 469 536 603 670 679  [ Наступна Сторінка >> ]