Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349467) > Сторінка 1104 з 5825

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1099 1100 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1021R-T1-GE3 VISHAY Si1021R.PDF SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3
+1
 		SI1022R-T1-GE3 VISHAY SI1022R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.28 грн
7+46.60 грн
50+35.96 грн
65+17.20 грн
177+16.28 грн
6000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 VISHAY si1023cx.pdf SI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3 VISHAY si1023x.pdf SI1023X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 VISHAY si1024x.pdf SI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 VISHAY si1025x.pdf SI1025X-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 VISHAY si1026x.pdf SI1026X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 VISHAY si1029x.pdf SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3 VISHAY si1031r.pdf SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 VISHAY si1032r.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.42 грн
9+34.95 грн
10+27.96 грн
50+19.22 грн
75+14.90 грн
204+14.07 грн
500+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 VISHAY si1032rx.pdf SI1032X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3 VISHAY si1034cx.pdf SI1034CX-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3 VISHAY si1034x.pdf SI1034X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.66 грн
14+21.96 грн
100+14.16 грн
141+7.63 грн
389+7.17 грн
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3 VISHAY si1040x.pdf SI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 VISHAY si1050x.pdf SI1050X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.80 грн
16+18.34 грн
25+13.10 грн
50+10.83 грн
100+8.91 грн
189+5.88 грн
518+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3 VISHAY si1070x.pdf SI1070X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3 VISHAY si1077x.pdf SI1077X-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.50 грн
113+9.56 грн
311+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3 VISHAY si1078x.pdf SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1079X-T1-GE3 VISHAY si1079x.pdf SI1079X-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3 VISHAY si1302dl.pdf SI1302DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 VISHAY SI1302DL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.86nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.98 грн
11+28.46 грн
82+13.06 грн
226+12.32 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf SI1308EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.64 грн
90+11.95 грн
247+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3 VISHAY si1317dl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.3W; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.63 грн
11+26.26 грн
25+15.82 грн
99+11.22 грн
272+10.58 грн
500+10.48 грн
1000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3 VISHAY SI1330ED.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 VISHAY SI1330ED.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; 0.18W; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3 VISHAY si1330ed.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 VISHAY si1401edh.pdf SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3 VISHAY si1403bdl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-GE3 VISHAY si1403bdl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY si1403cd.pdf SI1403CDL-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 VISHAY si1411dh.pdf SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3 VISHAY si1416ed.pdf SI1416EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3 VISHAY si1424ed.pdf SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 VISHAY si1427ed.pdf SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1428EDH-T1-GE3 VISHAY SI1428EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3 VISHAY si1441ed.pdf SI1441EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 4A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70-6; SOT363
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.96 грн
18+16.33 грн
100+11.31 грн
118+9.38 грн
323+8.83 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; SC70; ESD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.58 грн
10+32.66 грн
25+22.44 грн
81+13.33 грн
221+12.60 грн
3000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3 VISHAY si1467dh.pdf SI1467DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 VISHAY si1467dh.pdf SI1467DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 VISHAY si1469dh.pdf SI1469DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3 VISHAY si1469dh.pdf SI1469DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3 VISHAY si1480dh.pdf SI1480DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-E3 VISHAY si1499dh.pdf SI1499DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-GE3 VISHAY si1499dh.pdf SI1499DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY si1539cdl.pdf SI1539CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY si1553cdl.pdf SI1553CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DDL-T1-GE3 VISHAY Si1865DDL.pdf SI1865DDL-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-E3 VISHAY SI1869DH.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Case: SC70
Supply voltage: 1.8...20V DC
On-state resistance: 132mΩ
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.41 грн
10+38.96 грн
91+11.86 грн
249+11.22 грн
12000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 VISHAY si1900dl.pdf SI1900DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-GE3 VISHAY SI1900DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.67 грн
14+21.87 грн
100+11.59 грн
104+10.67 грн
286+10.02 грн
1000+9.93 грн
3000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3 VISHAY si1902dl.pdf SI1902DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 VISHAY si1902dl.pdf SI1902DL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 VISHAY si1922edh.pdf SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 VISHAY si1926dl.pdf SI1926DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 VISHAY si1926dl.pdf SI1926DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 Si1021R.PDF
Виробник: VISHAY
SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R.pdf
SI1022R-T1-GE3
+1
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.28 грн
7+46.60 грн
50+35.96 грн
65+17.20 грн
177+16.28 грн
6000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 si1023cx.pdf
Виробник: VISHAY
SI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3 si1023x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1023X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 si1024x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1025X-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 si1026x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1026X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 si1029x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3 si1031r.pdf
Виробник: VISHAY
SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 si1032r.pdf
SI1032R-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.42 грн
9+34.95 грн
10+27.96 грн
50+19.22 грн
75+14.90 грн
204+14.07 грн
500+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 si1032rx.pdf
Виробник: VISHAY
SI1032X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3 si1034cx.pdf
Виробник: VISHAY
SI1034CX-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3 si1034x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1034X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.66 грн
14+21.96 грн
100+14.16 грн
141+7.63 грн
389+7.17 грн
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3 si1040x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 si1050x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1050X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.80 грн
16+18.34 грн
25+13.10 грн
50+10.83 грн
100+8.91 грн
189+5.88 грн
518+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3 si1070x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1070X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3 si1077x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1077X-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.50 грн
113+9.56 грн
311+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3 si1078x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1079X-T1-GE3 si1079x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1079X-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3 si1302dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1302DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL.pdf
SI1302DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.86nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.98 грн
11+28.46 грн
82+13.06 грн
226+12.32 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1308EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.64 грн
90+11.95 грн
247+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3 si1317dl.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
SI1317DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.3W; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.63 грн
11+26.26 грн
25+15.82 грн
99+11.22 грн
272+10.58 грн
500+10.48 грн
1000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-BE3 SI1330ED.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3 SI1330ED.pdf
SI1330EDL-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; 0.18W; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3 si1330ed.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 si1401edh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3 si1403bdl.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-GE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3 si1403cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI1403CDL-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 si1411dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3 si1416ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1416EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3 si1424ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 si1427ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1428EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI1428EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3 si1441ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1441EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 4A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70-6; SOT363
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.96 грн
18+16.33 грн
100+11.31 грн
118+9.38 грн
323+8.83 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; SC70; ESD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.58 грн
10+32.66 грн
25+22.44 грн
81+13.33 грн
221+12.60 грн
3000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3 si1467dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1467DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 si1467dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1467DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 si1469dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1469DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3 si1469dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1469DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3 si1480dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1480DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-E3 si1499dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1499DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-GE3 si1499dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1499DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-GE3 si1539cdl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1539CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 si1553cdl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1553CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DDL-T1-GE3 Si1865DDL.pdf
Виробник: VISHAY
SI1865DDL-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-E3 SI1869DH.pdf
SI1869DH-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Case: SC70
Supply voltage: 1.8...20V DC
On-state resistance: 132mΩ
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.41 грн
10+38.96 грн
91+11.86 грн
249+11.22 грн
12000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1900DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI1900DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.67 грн
14+21.87 грн
100+11.59 грн
104+10.67 грн
286+10.02 грн
1000+9.93 грн
3000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3 si1902dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1902DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1902DL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1926DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 si1926dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1926DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1099 1100 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]