Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349489) > Сторінка 1107 з 5825

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3453DV-T1-GE3 VISHAY si3453dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -3.4A; Idm: -6A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 276mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 VISHAY si3456ddv.pdf SI3456DDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 VISHAY si3456ddv.pdf SI3456DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3 VISHAY si3457cdv.pdf SI3457CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY SI3457CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.45 грн
10+38.20 грн
50+29.06 грн
75+14.44 грн
206+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-BE3 VISHAY si3458bdv.pdf SI3458BDV-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 VISHAY si3458bdv.pdf SI3458BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.32 грн
8+40.30 грн
25+34.67 грн
40+27.77 грн
100+27.68 грн
110+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 288mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.28 грн
10+59.02 грн
50+44.60 грн
55+20.23 грн
150+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.61 грн
12+25.69 грн
50+21.15 грн
100+16.74 грн
105+10.48 грн
289+9.93 грн
6000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3464DV-T1-GE3 VISHAY si3464dv.pdf SI3464DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 VISHAY si3469dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-GE3 VISHAY si3469dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 VISHAY si3473cd.pdf SI3473CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.27 грн
10+56.15 грн
50+22.25 грн
136+21.06 грн
3000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DDV-T1-GE3 VISHAY si3473ddv.pdf SI3473DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 VISHAY si3474dv.pdf SI3474DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 VISHAY si3476dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 4.6A; Idm: 18A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Pulsed drain current: 18A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3 VISHAY si3477dv.pdf SI3477DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY SI3483CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.54 грн
10+34.09 грн
47+23.27 грн
127+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3 VISHAY si3483ddv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -30A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
On-state resistance: 51.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3 VISHAY si3483ddv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -30A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
On-state resistance: 51.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 VISHAY si3493bdv.pdf SI3493BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-GE3 VISHAY si3493bdv.pdf SI3493BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 VISHAY si3493ddv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-BE3 VISHAY si3499dv.pdf SI3499DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 VISHAY si3499dv.pdf SI3499DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-1.8A
On-state resistance: 360/175mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.6/3.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7...8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.50 грн
25+53.86 грн
36+31.36 грн
97+29.70 грн
250+29.52 грн
500+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY si3585cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.89 грн
50+32.37 грн
66+16.46 грн
180+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 VISHAY si3590dv.pdf SI3590DV-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3 VISHAY si3590dv.pdf SI3590DV-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...12V DC
Number of channels: 1
Output current: 2.8A
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 45mΩ
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.40 грн
10+37.72 грн
45+24.19 грн
123+22.90 грн
250+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 VISHAY si3900dv.pdf SI3900DV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3900DV-T1-GE3 VISHAY si3900dv.pdf SI3900DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3932DV-T1-GE3 VISHAY si3932dv.pdf SI3932DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993CDV-T1-GE3 VISHAY Si3993CDV.PDF SI3993CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3 VISHAY SI4038DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY si4056ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3 VISHAY si4056dy.pdf SI4056DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3 VISHAY si4058dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 10.3A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 VISHAY si4062dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 25.7A
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3 VISHAY si4090bdy.pdf SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 VISHAY si4090dy.pdf SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3 VISHAY si4100dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 20A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 VISHAY si4100dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 20A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3 VISHAY si4101dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.7A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.7A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 203nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 VISHAY si4103dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 VISHAY si4114dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 VISHAY si4114dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 VISHAY si4116dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 VISHAY si4116dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 VISHAY si4122dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3 VISHAY si4124dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 VISHAY si4124dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 VISHAY si4126dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3 SI4128DY-T1-GE3 VISHAY si4128dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6892 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.21 грн
10+57.01 грн
59+18.58 грн
163+17.56 грн
2500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3453DV-T1-GE3 si3453dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -3.4A; Idm: -6A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 276mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 si3456ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3456DDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 si3456ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3456DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3 si3457cdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3457CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.45 грн
10+38.20 грн
50+29.06 грн
75+14.44 грн
206+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-BE3 si3458bdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 si3458bdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.32 грн
8+40.30 грн
25+34.67 грн
40+27.77 грн
100+27.68 грн
110+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 288mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.28 грн
10+59.02 грн
50+44.60 грн
55+20.23 грн
150+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.61 грн
12+25.69 грн
50+21.15 грн
100+16.74 грн
105+10.48 грн
289+9.93 грн
6000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3464DV-T1-GE3 si3464dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3464DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 si3469dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-GE3 si3469dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 si3473cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3473CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.27 грн
10+56.15 грн
50+22.25 грн
136+21.06 грн
3000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DDV-T1-GE3 si3473ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3473DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 si3474dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3474DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 si3476dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 4.6A; Idm: 18A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Pulsed drain current: 18A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3 si3477dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3477DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 si3483cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV.pdf
SI3483CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.54 грн
10+34.09 грн
47+23.27 грн
127+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3 si3483ddv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -30A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
On-state resistance: 51.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3 si3483ddv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -30A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
On-state resistance: 51.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 si3493bdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3493BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-GE3 si3493bdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3493BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 si3493ddv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-BE3 si3499dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3499DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3499DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
SI3552DV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-1.8A
On-state resistance: 360/175mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.6/3.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7...8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.50 грн
25+53.86 грн
36+31.36 грн
97+29.70 грн
250+29.52 грн
500+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 si3585cd.pdf
SI3585CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.89 грн
50+32.37 грн
66+16.46 грн
180+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 si3590dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3590DV-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3 si3590dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3590DV-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
SI3865DDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...12V DC
Number of channels: 1
Output current: 2.8A
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 45mΩ
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.40 грн
10+37.72 грн
45+24.19 грн
123+22.90 грн
250+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 si3900dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3900DV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3900DV-T1-GE3 si3900dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3900DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3932DV-T1-GE3 si3932dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3932DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993CDV-T1-GE3 Si3993CDV.PDF
Виробник: VISHAY
SI3993CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 si4056ady.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3 si4056dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4056DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 10.3A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 si4062dy.pdf
SI4062DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 25.7A
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3 si4090bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 si4090dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3 si4100dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 20A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 20A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3 si4101dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.7A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.7A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 203nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 si4114dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 si4116dy.pdf
SI4116DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3 si4124dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 si4124dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3 si4128dy.pdf
SI4128DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6892 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.21 грн
10+57.01 грн
59+18.58 грн
163+17.56 грн
2500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]