Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349470) > Сторінка 1105 з 5825

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1100 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1965DH-T1-E3 VISHAY SI1965DH.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 710mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -3A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3 VISHAY si1965dh.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 710mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -3A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 VISHAY si1967dh.pdf SI1967DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3 VISHAY si1967dh.pdf SI1967DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.69 грн
15+20.15 грн
86+12.51 грн
236+11.77 грн
2500+11.68 грн
3000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
10+31.04 грн
25+26.21 грн
80+13.52 грн
219+12.78 грн
3000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 VISHAY si2301cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.73 грн
17+17.00 грн
50+14.44 грн
100+13.52 грн
126+8.55 грн
346+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.66 грн
11+28.08 грн
50+22.71 грн
75+21.70 грн
90+12.05 грн
246+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.42 грн
11+27.50 грн
25+21.33 грн
100+16.18 грн
114+9.38 грн
314+8.92 грн
3000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.45 грн
20+44.31 грн
50+34.76 грн
100+10.76 грн
275+10.12 грн
6000+10.02 грн
18000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3 VISHAY si2304bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY si2304bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY SI2304DDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.57 грн
12+25.40 грн
50+17.01 грн
100+10.76 грн
275+10.12 грн
1500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
12+24.83 грн
50+17.75 грн
96+11.31 грн
263+10.67 грн
1000+10.48 грн
1500+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
12+24.83 грн
50+17.75 грн
96+11.31 грн
263+10.67 грн
1000+10.48 грн
1500+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY SI2306BDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.45 грн
10+34.67 грн
43+25.01 грн
119+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 VISHAY si2306bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 20A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4500000000nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 VISHAY si2307bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY SI2307CDS-T1-GE3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.60 грн
15+33.14 грн
50+27.31 грн
75+25.66 грн
87+12.41 грн
238+11.77 грн
2500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.51 грн
20+35.81 грн
73+14.89 грн
199+14.08 грн
6000+13.79 грн
9000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY si2308bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.50 грн
10+34.38 грн
68+16.00 грн
185+15.17 грн
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.78 грн
19+15.28 грн
25+13.24 грн
100+11.68 грн
107+10.12 грн
293+9.56 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 VISHAY si2309cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -8A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY si2309cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.36 грн
50+39.63 грн
66+16.37 грн
180+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 VISHAY si2312bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 VISHAY si2312bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
10+30.08 грн
90+12.05 грн
246+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 VISHAY si2314ed.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-GE3 VISHAY si2314ed.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.58 грн
10+35.33 грн
25+25.93 грн
52+20.87 грн
142+19.68 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.41 грн
10+41.06 грн
50+31.73 грн
60+17.93 грн
165+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-E3 VISHAY si2316bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 VISHAY si2316bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 VISHAY si2316ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.39 грн
9+34.00 грн
25+28.78 грн
43+25.20 грн
118+23.82 грн
500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-GE3 VISHAY si2316ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.61 грн
12+24.83 грн
50+17.84 грн
90+12.05 грн
246+11.40 грн
1000+11.04 грн
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.02 грн
25+25.21 грн
58+18.76 грн
158+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.42 грн
10+40.40 грн
50+21.52 грн
138+20.32 грн
500+19.77 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.58 грн
10+31.90 грн
66+16.46 грн
180+15.54 грн
3000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.15 грн
6+49.09 грн
25+42.67 грн
33+32.63 грн
91+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.40 грн
10+49.85 грн
25+37.52 грн
38+28.69 грн
103+27.13 грн
1000+26.76 грн
3000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.41 грн
10+49.56 грн
78+14.16 грн
214+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY SI2323DDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
50+32.95 грн
51+21.11 грн
140+19.96 грн
500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 VISHAY SI2323DS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.36 грн
25+28.74 грн
45+24.00 грн
124+22.71 грн
3000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 VISHAY SI2323DS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.22 грн
10+60.45 грн
25+52.05 грн
36+30.07 грн
99+28.42 грн
1000+28.05 грн
3000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY si2324ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.46 грн
8+37.05 грн
50+28.97 грн
53+20.60 грн
144+19.50 грн
500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3 Si2325DS-T1-E3 VISHAY 73238.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.53A; Idm: -1.6A; 0.48W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -530mA
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 VISHAY SI2325DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+92.89 грн
50+54.43 грн
57+18.94 грн
156+17.93 грн
3000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 VISHAY SI2329DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.53 грн
10+37.72 грн
43+25.29 грн
100+24.92 грн
117+23.91 грн
250+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.36 грн
10+42.31 грн
42+25.66 грн
115+24.28 грн
500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.54 грн
10+39.92 грн
25+34.03 грн
78+13.89 грн
212+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 710mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -3A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3 si1965dh.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 710mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -3A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1967DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3 si1967dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1967DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.69 грн
15+20.15 грн
86+12.51 грн
236+11.77 грн
2500+11.68 грн
3000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3 si2301bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
10+31.04 грн
25+26.21 грн
80+13.52 грн
219+12.78 грн
3000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.73 грн
17+17.00 грн
50+14.44 грн
100+13.52 грн
126+8.55 грн
346+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.66 грн
11+28.08 грн
50+22.71 грн
75+21.70 грн
90+12.05 грн
246+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.42 грн
11+27.50 грн
25+21.33 грн
100+16.18 грн
114+9.38 грн
314+8.92 грн
3000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 si2303cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 si2303cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.45 грн
20+44.31 грн
50+34.76 грн
100+10.76 грн
275+10.12 грн
6000+10.02 грн
18000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3 si2304bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 si2304bds.pdf
SI2304BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.57 грн
12+25.40 грн
50+17.01 грн
100+10.76 грн
275+10.12 грн
1500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
12+24.83 грн
50+17.75 грн
96+11.31 грн
263+10.67 грн
1000+10.48 грн
1500+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
12+24.83 грн
50+17.75 грн
96+11.31 грн
263+10.67 грн
1000+10.48 грн
1500+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS.pdf
SI2306BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.45 грн
10+34.67 грн
43+25.01 грн
119+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 si2306bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 20A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4500000000nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 si2307bd.pdf
SI2307BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.60 грн
15+33.14 грн
50+27.31 грн
75+25.66 грн
87+12.41 грн
238+11.77 грн
2500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.51 грн
20+35.81 грн
73+14.89 грн
199+14.08 грн
6000+13.79 грн
9000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 si2308bds.pdf
SI2308BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.50 грн
10+34.38 грн
68+16.00 грн
185+15.17 грн
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.78 грн
19+15.28 грн
25+13.24 грн
100+11.68 грн
107+10.12 грн
293+9.56 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -8A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cds.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
50+39.63 грн
66+16.37 грн
180+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 si2312bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 si2312bds.pdf
SI2312BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
10+30.08 грн
90+12.05 грн
246+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 si2314ed.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-GE3 si2314ed.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.58 грн
10+35.33 грн
25+25.93 грн
52+20.87 грн
142+19.68 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.41 грн
10+41.06 грн
50+31.73 грн
60+17.93 грн
165+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-E3 si2316bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.39 грн
9+34.00 грн
25+28.78 грн
43+25.20 грн
118+23.82 грн
500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-GE3 si2316ds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.61 грн
12+24.83 грн
50+17.84 грн
90+12.05 грн
246+11.40 грн
1000+11.04 грн
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS.pdf
SI2318DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS.pdf
SI2318DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.02 грн
25+25.21 грн
58+18.76 грн
158+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.42 грн
10+40.40 грн
50+21.52 грн
138+20.32 грн
500+19.77 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.58 грн
10+31.90 грн
66+16.46 грн
180+15.54 грн
3000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.15 грн
6+49.09 грн
25+42.67 грн
33+32.63 грн
91+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.40 грн
10+49.85 грн
25+37.52 грн
38+28.69 грн
103+27.13 грн
1000+26.76 грн
3000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 si2323cds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.41 грн
10+49.56 грн
78+14.16 грн
214+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
50+32.95 грн
51+21.11 грн
140+19.96 грн
500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3.pdf
SI2323DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.36 грн
25+28.74 грн
45+24.00 грн
124+22.71 грн
3000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3.pdf
SI2323DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.22 грн
10+60.45 грн
25+52.05 грн
36+30.07 грн
99+28.42 грн
1000+28.05 грн
3000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.46 грн
8+37.05 грн
50+28.97 грн
53+20.60 грн
144+19.50 грн
500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3 73238.pdf
Si2325DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.53A; Idm: -1.6A; 0.48W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -530mA
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS.pdf
SI2325DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3 si2328ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2328DS-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
SI2328DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.89 грн
50+54.43 грн
57+18.94 грн
156+17.93 грн
3000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS.pdf
SI2329DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.53 грн
10+37.72 грн
43+25.29 грн
100+24.92 грн
117+23.91 грн
250+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
10+42.31 грн
42+25.66 грн
115+24.28 грн
500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.54 грн
10+39.92 грн
25+34.03 грн
78+13.89 грн
212+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1100 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]