Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349489) > Сторінка 1108 з 5825

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4136DY-T1-GE3 VISHAY si4136dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 46A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 VISHAY si4143dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3 VISHAY si4151dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.5A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3 VISHAY si4153dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -19.3A; 5.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -19.3A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 VISHAY si4154dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 36A; Idm: 70A; 7.8W
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 VISHAY si4156dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3 VISHAY si4160dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY SI4162DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.27 грн
44+26.26 грн
120+23.91 грн
7500+23.63 грн
10000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 VISHAY si4164dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 VISHAY si4166dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 VISHAY si4168dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 5.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.18 грн
7+46.98 грн
25+39.45 грн
32+34.76 грн
88+32.83 грн
500+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY SI4178DY-T1-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.57 грн
50+34.38 грн
52+20.97 грн
142+19.77 грн
2500+19.13 грн
12500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 VISHAY si4186dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 VISHAY si4190ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 VISHAY si4202dy.pdf SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3 VISHAY si4204dy.pdf SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-E3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf SI4214DDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf SI4214DDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3 VISHAY si4228dy.pdf SI4228DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.13 грн
10+78.31 грн
17+68.05 грн
45+64.37 грн
500+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3 VISHAY si4368dy.pdf SI4368DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 VISHAY si4386dy.pdf SI4386DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 VISHAY si4386dy.pdf SI4386DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392ADY-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21.5A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.81 грн
5+111.73 грн
13+86.44 грн
35+81.84 грн
500+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.08 грн
10+57.39 грн
43+25.29 грн
117+23.91 грн
10000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY si4401fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.29 грн
6+55.39 грн
25+48.00 грн
30+36.69 грн
81+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.40 грн
6+48.04 грн
10+42.76 грн
25+41.01 грн
30+36.69 грн
83+34.76 грн
500+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY SI4403DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.31 грн
8+38.77 грн
25+32.92 грн
39+28.59 грн
106+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 VISHAY si4408dy.pdf SI4408DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DY-T1-GE3 VISHAY 70687.pdf SI4408DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 VISHAY si4420bd.pdf SI4420BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3 VISHAY 73067.pdf SI4420BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3 VISHAY si4421dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3 VISHAY si4421dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3 VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 VISHAY si4425bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 VISHAY si4425bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.4A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY SI4425DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.13 грн
10+65.80 грн
39+27.86 грн
100+27.77 грн
107+26.30 грн
2500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3 VISHAY si4425fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3 VISHAY si4426dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 VISHAY si4427bd.pdf SI4427BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-GE3 VISHAY si4427bd.pdf SI4427BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3 VISHAY si4430bd.pdf SI4430BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-GE3 VISHAY si4430bd.pdf SI4430BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.01 грн
10+68.57 грн
22+49.57 грн
60+46.90 грн
500+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.34 грн
10+52.43 грн
39+27.77 грн
107+26.30 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 VISHAY si4434ady.pdf SI4434ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 VISHAY si4434dy.pdf SI4434DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3 VISHAY si4434dy.pdf SI4434DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 VISHAY si4435ddy.pdf SI4435DDY SMD P channel transistors
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.81 грн
39+28.21 грн
105+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf SI4435DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.19 грн
50+21.70 грн
137+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY si4435fdy.pdf SI4435FDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.68 грн
72+15.17 грн
196+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3 VISHAY si4436dy.pdf SI4436DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 VISHAY si4436dy.pdf SI4436DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3 VISHAY si4442dy.pdf SI4442DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-GE3 VISHAY si4442dy.pdf SI4442DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3 si4136dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 46A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 si4143dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3 si4151dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.5A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3 si4153dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -19.3A; 5.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -19.3A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 36A; Idm: 70A; 7.8W
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3 si4160dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY.pdf
SI4162DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.27 грн
44+26.26 грн
120+23.91 грн
7500+23.63 грн
10000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 si4164dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 5.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
SI4174DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.18 грн
7+46.98 грн
25+39.45 грн
32+34.76 грн
88+32.83 грн
500+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-DTE.pdf
SI4178DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.57 грн
50+34.38 грн
52+20.97 грн
142+19.77 грн
2500+19.13 грн
12500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 si4190ady.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3 si4204dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-E3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Виробник: VISHAY
SI4214DDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Виробник: VISHAY
SI4214DDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3 si4228dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4228DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+78.31 грн
17+68.05 грн
45+64.37 грн
500+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4368DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 si4386dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4386DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 si4386dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4386DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392ADY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21.5A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 si4401bdy.pdf
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.81 грн
5+111.73 грн
13+86.44 грн
35+81.84 грн
500+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 si4401bdy.pdf
SI4401BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.08 грн
10+57.39 грн
43+25.29 грн
117+23.91 грн
10000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 si4401fdy.pdf
SI4401FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.29 грн
6+55.39 грн
25+48.00 грн
30+36.69 грн
81+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.40 грн
6+48.04 грн
10+42.76 грн
25+41.01 грн
30+36.69 грн
83+34.76 грн
500+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY.pdf
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.31 грн
8+38.77 грн
25+32.92 грн
39+28.59 грн
106+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 si4408dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4408DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DY-T1-GE3 70687.pdf
Виробник: VISHAY
SI4408DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 si4420bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4420BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3 73067.pdf
Виробник: VISHAY
SI4420BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3 si4421dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3 si4421dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 si4423dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3 si4423dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 si4425bd.pdf
SI4425BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 si4425bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.4A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY.pdf
SI4425DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+65.80 грн
39+27.86 грн
100+27.77 грн
107+26.30 грн
2500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3 si4425fdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4426DY-T1-E3 si4426dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 si4427bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4427BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-GE3 si4427bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4427BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3 si4430bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4430BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-GE3 si4430bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4430BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.01 грн
10+68.57 грн
22+49.57 грн
60+46.90 грн
500+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.34 грн
10+52.43 грн
39+27.77 грн
107+26.30 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
Виробник: VISHAY
SI4434ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4434DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3 si4434dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4434DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4435DDY SMD P channel transistors
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.81 грн
39+28.21 грн
105+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4435DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.19 грн
50+21.70 грн
137+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4435FDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.68 грн
72+15.17 грн
196+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3 si4436dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4436DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 si4436dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4436DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3 si4442dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4442DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-GE3 si4442dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4442DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]