Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349489) > Сторінка 1109 з 5825

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf SI4447ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.33 грн
43+25.66 грн
116+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 VISHAY si4447dy.pdf SI4447DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3 VISHAY si4447dy.pdf SI4447DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-E3 VISHAY 72115.pdf SI4451DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-GE3 VISHAY 72115.pdf SI4451DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 VISHAY si4455dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 VISHAY si4455dy.pdf SI4455DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY-T1-E3 VISHAY 73852.pdf SI4456DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4456DY-T1-GE3 VISHAY 73852.pdf SI4456DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY SI4459ADY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 VISHAY si4459bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -27.8A; 5.6W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -27.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-E3 SI4463BDY-E3 VISHAY SI4463BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.1A; 3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.1A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.18 грн
5+77.35 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
500+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-GE3 VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.7A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.05 грн
10+65.70 грн
26+42.49 грн
70+40.19 грн
500+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3 VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 VISHAY si4465ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3 VISHAY si4465ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY si4477dy.pdf SI4477DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY SI4483ADY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.88 грн
5+99.32 грн
14+78.17 грн
39+74.49 грн
500+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3 VISHAY si4485dy.pdf SI4485DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 VISHAY si4488dy-090512.pdf SI4488DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 VISHAY si4488dy-090512.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-E3 SI4490DY-E3 VISHAY SI4490DY-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A; 1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY si4491edy.pdf SI4491EDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY SI4497DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+148.55 грн
10+122.24 грн
11+105.75 грн
29+100.24 грн
50+99.32 грн
100+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3 VISHAY si4501bd.pdf SI4501BDY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9/12nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.28 грн
10+51.00 грн
50+21.70 грн
137+20.51 грн
2500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 VISHAY si4554dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-8A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-8A
On-state resistance: 34/27mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.2/3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63/20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4559ADY-T1-E3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22/20nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 2/2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58/120mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20/22nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.77 грн
10+89.29 грн
30+36.88 грн
81+34.94 грн
10000+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 VISHAY si4564dy.pdf SI4564DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY-T1-GE3 VISHAY SI4590DY-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5/-2.7A; 2.3/2.7W
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 4.5/-2.7A
On-state resistance: 57/183mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.3/2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4/11.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.30 грн
44+26.36 грн
120+24.00 грн
5000+23.45 грн
7500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4626ADY-T1-E3 VISHAY si4626ad.pdf SI4626ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-E3 VISHAY 73685.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W
Case: SO8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 161nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-GE3 VISHAY 73685.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W
Case: SO8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 161nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-E3 VISHAY si4634dy.pdf SI4634DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-GE3 VISHAY si4634dy.pdf SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4670DY-T1-GE3 VISHAY si4670dy.pdf SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.18 грн
32+34.03 грн
87+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-GE3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY SI4800BDY-E3.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.49 грн
10+40.59 грн
46+23.63 грн
125+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-GE3 VISHAY si4800bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 VISHAY si4804cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-E3 VISHAY SI4816BDY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.6/6.5A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 VISHAY SI4816BDY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.6/6.5A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4825DDY-T1-GE3 VISHAY si4825ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -14.9A; Idm: -60A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 20.5mΩ
Drain current: -14.9A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 86nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 VISHAY SI4835DDY-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.06 грн
5+58.06 грн
25+51.50 грн
26+43.22 грн
70+40.46 грн
500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.68 грн
25+56.63 грн
29+39.08 грн
78+36.97 грн
500+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3 VISHAY si4838bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W
Case: SO8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 34A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3 VISHAY si4838dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Case: SO8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 25A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY SI4840BDY-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.98 грн
10+76.97 грн
23+47.82 грн
62+45.15 грн
1000+43.68 грн
2500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 VISHAY si4840bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 19A; Idm: 50A; 3.8W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3 VISHAY si4842bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 6.25W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 VISHAY si4848ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.133Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.03 грн
17+66.85 грн
46+60.69 грн
500+59.77 грн
1000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI4447ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.33 грн
43+25.66 грн
116+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 si4447dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4447DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3 si4447dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4447DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-E3 72115.pdf
Виробник: VISHAY
SI4451DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-GE3 72115.pdf
Виробник: VISHAY
SI4451DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 si4455dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 si4455dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4455DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY-T1-E3 73852.pdf
Виробник: VISHAY
SI4456DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4456DY-T1-GE3 73852.pdf
Виробник: VISHAY
SI4456DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 si4459bdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -27.8A; 5.6W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -27.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-E3 SI4463BDY-E3.pdf
SI4463BDY-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.1A; 3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.1A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.18 грн
5+77.35 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
500+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 si4463bd.pdf
SI4463BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-GE3 si4463bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.7A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.05 грн
10+65.70 грн
26+42.49 грн
70+40.19 грн
500+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3 si4464dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 si4465ad.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3 si4465ad.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3 si4477dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4477DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY.pdf
SI4483ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.88 грн
5+99.32 грн
14+78.17 грн
39+74.49 грн
500+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3 si4485dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4485DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
Виробник: VISHAY
SI4488DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 si4488dy-090512.pdf
SI4488DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-E3 SI4490DY-E3.pdf
SI4490DY-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 si4490dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3 si4490dy.pdf
SI4490DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A; 1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4491EDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY.pdf
SI4497DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+148.55 грн
10+122.24 грн
11+105.75 грн
29+100.24 грн
50+99.32 грн
100+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3 si4501bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4501BDY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9/12nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.28 грн
10+51.00 грн
50+21.70 грн
137+20.51 грн
2500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 si4554dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-8A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-8A
On-state resistance: 34/27mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.2/3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63/20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4559ADY-T1-E3 si4559ady.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22/20nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 2/2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58/120mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20/22nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.77 грн
10+89.29 грн
30+36.88 грн
81+34.94 грн
10000+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4564DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY-T1-GE3.pdf
SI4590DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5/-2.7A; 2.3/2.7W
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 4.5/-2.7A
On-state resistance: 57/183mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.3/2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4/11.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.30 грн
44+26.36 грн
120+24.00 грн
5000+23.45 грн
7500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4626ADY-T1-E3 si4626ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI4626ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-E3 73685.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W
Case: SO8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 161nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-GE3 73685.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W
Case: SO8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 161nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-E3 si4634dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4634DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-GE3 si4634dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4670DY-T1-GE3 si4670dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 si4686dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.18 грн
32+34.03 грн
87+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-GE3 si4686dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 description SI4800BDY-E3.pdf
SI4800BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.49 грн
10+40.59 грн
46+23.63 грн
125+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-GE3 si4800bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY.pdf
SI4816BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.6/6.5A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY.pdf
SI4816BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.6/6.5A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4825DDY-T1-GE3 si4825ddy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -14.9A; Idm: -60A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 20.5mΩ
Drain current: -14.9A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 86nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.06 грн
5+58.06 грн
25+51.50 грн
26+43.22 грн
70+40.46 грн
500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.68 грн
25+56.63 грн
29+39.08 грн
78+36.97 грн
500+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3 si4838bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W
Case: SO8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 34A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3 si4838dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Case: SO8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 25A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-E3.pdf
SI4840BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.98 грн
10+76.97 грн
23+47.82 грн
62+45.15 грн
1000+43.68 грн
2500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3 si4840bdy.pdf
SI4840BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 19A; Idm: 50A; 3.8W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3 si4842bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 6.25W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 si4848ady.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.133Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
SI4848DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.03 грн
17+66.85 грн
46+60.69 грн
500+59.77 грн
1000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1114 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]