Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349470) > Сторінка 1106 з 5825

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.00 грн
10+34.09 грн
71+15.17 грн
195+14.35 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.31 грн
10+58.92 грн
25+49.84 грн
32+34.49 грн
86+32.55 грн
1000+31.45 грн
3000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3 VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
24+12.87 грн
109+10.22 грн
299+9.38 грн
18000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 VISHAY SI2337DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.03 грн
10+66.28 грн
31+35.04 грн
85+33.11 грн
3000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-BE3 VISHAY SI2338DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.27 грн
67+16.18 грн
184+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.56 грн
10+31.71 грн
50+25.20 грн
67+16.18 грн
182+15.27 грн
1500+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+49.52 грн
10+35.62 грн
50+29.52 грн
68+15.82 грн
187+14.99 грн
6000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 VISHAY si2343ds.pdf SI2343DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 VISHAY si2343ds.pdf SI2343DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.67 грн
12+25.40 грн
25+17.38 грн
50+14.90 грн
100+12.87 грн
106+10.12 грн
291+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.17 грн
114+9.47 грн
313+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3 VISHAY si2365eds.pdf SI2365EDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+18.02 грн
50+13.18 грн
100+10.58 грн
149+7.17 грн
408+6.81 грн
2500+6.71 грн
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3 VISHAY si2367ds.pdf SI2367DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 VISHAY si2369bds.pdf SI2369BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
11+28.46 грн
50+22.07 грн
68+15.82 грн
187+14.99 грн
500+14.71 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 VISHAY si2371eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.03 грн
96+11.31 грн
263+10.67 грн
1500+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY SI2377EDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.47 грн
10+34.38 грн
68+15.82 грн
187+14.99 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3 VISHAY si2387ds.pdf SI2387DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3 VISHAY Si2392DS.pdf SI2392DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.57 грн
11+27.79 грн
50+20.05 грн
80+13.52 грн
218+12.78 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 VISHAY si2399ds.pdf SI2399DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3127DV-T1-GE3 VISHAY si3127dv.pdf SI3127DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 VISHAY si3129dv.pdf SI3129DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3 VISHAY si3407dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY SI3407DV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.65 грн
25+28.46 грн
50+24.92 грн
51+21.33 грн
139+20.14 грн
500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3 VISHAY si3410dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A; 4.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 VISHAY si3417dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.36 грн
8+38.39 грн
50+26.94 грн
57+19.40 грн
157+18.30 грн
500+17.66 грн
3000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-BE3 VISHAY si3424cdv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY si3424cdv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY si3429edv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3 VISHAY si3430dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3 VISHAY si3430dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3 VISHAY si3433cdv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 VISHAY si3433cdv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3 VISHAY si3437dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 VISHAY si3437dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3 VISHAY si3438dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3 VISHAY si3438dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 VISHAY si3440adv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 432mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 VISHAY si3440dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.14W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 VISHAY si3440dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.59W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 VISHAY si3442bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-GE3 VISHAY si3442bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 VISHAY SI3443BDV.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.74 грн
25+22.35 грн
66+16.45 грн
180+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-GE3 VISHAY 72749.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-E3 VISHAY si3443cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.97A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.97A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 VISHAY SI3443CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 2.05W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.05W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 VISHAY si3443ddv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-GE3 VISHAY SI3443DDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.00 грн
10+34.09 грн
71+15.17 грн
195+14.35 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 si2333ds.pdf
SI2333DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.31 грн
10+58.92 грн
25+49.84 грн
32+34.49 грн
86+32.55 грн
1000+31.45 грн
3000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3 si2333ds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
SI2336DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+12.87 грн
109+10.22 грн
299+9.38 грн
18000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3 si2337ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2337DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS.pdf
SI2337DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.03 грн
10+66.28 грн
31+35.04 грн
85+33.11 грн
3000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.27 грн
67+16.18 грн
184+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.56 грн
10+31.71 грн
50+25.20 грн
67+16.18 грн
182+15.27 грн
1500+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.52 грн
10+35.62 грн
50+29.52 грн
68+15.82 грн
187+14.99 грн
6000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 si2343ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2343DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2343DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.67 грн
12+25.40 грн
25+17.38 грн
50+14.90 грн
100+12.87 грн
106+10.12 грн
291+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3 si2356ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2356DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.17 грн
114+9.47 грн
313+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3 si2365eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2365EDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.02 грн
50+13.18 грн
100+10.58 грн
149+7.17 грн
408+6.81 грн
2500+6.71 грн
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3 si2366ds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3 si2367ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2367DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 si2369bds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2369BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
11+28.46 грн
50+22.07 грн
68+15.82 грн
187+14.99 грн
500+14.71 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3 si2371eds.pdf
SI2371EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.03 грн
96+11.31 грн
263+10.67 грн
1500+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS.pdf
SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.47 грн
10+34.38 грн
68+15.82 грн
187+14.99 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3 si2387ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2387DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3 Si2392DS.pdf
Виробник: VISHAY
SI2392DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.57 грн
11+27.79 грн
50+20.05 грн
80+13.52 грн
218+12.78 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2399DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3127DV-T1-GE3 si3127dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3127DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 si3129dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3129DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3 si3407dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 SI3407DV.pdf
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.65 грн
25+28.46 грн
50+24.92 грн
51+21.33 грн
139+20.14 грн
500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3 si3410dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A; 4.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 si3417dv.pdf
SI3417DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
8+38.39 грн
50+26.94 грн
57+19.40 грн
157+18.30 грн
500+17.66 грн
3000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-BE3 si3424cdv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
SI3424CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 si3429edv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3 si3430dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3 si3430dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3 si3433cdv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 si3433cdv.pdf
SI3433CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3 si3437dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 si3437dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3 si3438dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3 si3438dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 si3440adv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 432mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 si3440dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.14W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 si3440dv.pdf
SI3440DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.59W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 si3442bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-GE3 si3442bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description SI3443BDV.pdf
SI3443BDV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.74 грн
25+22.35 грн
66+16.45 грн
180+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-GE3 72749.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-E3 si3443cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.97A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.97A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 2.05W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.05W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 si3443ddv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-GE3 SI3443DDV.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5825  [ Наступна Сторінка >> ]