Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349217) > Сторінка 1122 з 5821

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1117 1118 1119 1120 1121 1122 1123 1124 1125 1126 1127 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG47N60AEL-GE3 SIHG47N60AEL-GE3 VISHAY SIHG47N60AEL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1016.09 грн
2+676.12 грн
5+615.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60EF-GE3 VISHAY sihg47n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO247AC
Power dissipation: 379W
Gate charge: 228nC
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 138A
Drain current: 29A
On-state resistance: 65mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 VISHAY tf-sihg47n65e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 139A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 273nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG61N65EF-GE3 VISHAY sihg61n65ef.pdf SIHG61N65EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG64N65E-GE3 VISHAY sihg64n65e.pdf SIHG64N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY sihg70n60aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 394nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 173A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60EF-GE3 VISHAY sihg70n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 229A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AE-GE3 VISHAY sihg73n60ae.pdf SIHG73N60AE-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY SIHG73N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1095.32 грн
2+775.44 грн
4+705.33 грн
50+678.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60E-GE3 VISHAY sihg80n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 VISHAY sihg80n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 VISHAY sihh068n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 100A; 202W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH070N60EF-T1GE3 VISHAY sihh070n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 93A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 93A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH080N60E-T1-GE3 VISHAY sihh080n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 96A; 184W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 184W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH100N60E-T1-GE3 VISHAY sihh100n60e.pdf SIHH100N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY sihh105n60ef.pdf SIHH105N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 VISHAY sihh11n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 357mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 27A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N65E-T1-GE3 VISHAY sihh11n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 363mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh11n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 382mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 70nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH120N60E-T1-GE3 VISHAY sihh120n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 57A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 57A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N60EF-T1GE3 VISHAY sihh125n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 VISHAY sihh14n60e.pdf SIHH14N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 VISHAY sihh14n60ef.pdf SIHH14N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N65E-T1-GE3 VISHAY sihh14n65e.pdf SIHH14N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh14n65ef.pdf SIHH14N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH180N60E-T1-GE3 VISHAY sihh180n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH20N50E-T1-GE3 VISHAY sihh20n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 174W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH21N60E-T1-GE3 VISHAY sihh21n60e.pdf SIHH21N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH21N65E-T1-GE3 VISHAY sihh21n65e.pdf SIHH21N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH21N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh21n65ef.pdf SIHH21N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH24N65E-T1-GE3 VISHAY sihh24n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 58A; 202W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 58A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh24n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
On-state resistance: 158mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH26N60E-T1-GE3 VISHAY sihh26n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 50A; 202W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 VISHAY sihh27n60ef.pdf SIHH27N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH28N60E-T1-GE3 VISHAY sihh28n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 202W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 129nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 76A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ10N60E-T1-GE3 VISHAY SIHJ10N60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 313mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ240N60E-T1-GE3 VISHAY sihj240n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 VISHAY sihj690n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 11A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ6N65E-T1-GE3 VISHAY sihj6n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 74W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 868mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 VISHAY sihj7n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 598mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 VISHAY sihj8n60e.pdf SIHJ8N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY sihk045n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 138A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 VISHAY sihk045n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 133A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK055N60EF-T1GE3 VISHAY sihk055n60ef.pdf SIHK055N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60EF-T1GE3 VISHAY sihk075n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 97A; 192W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 97A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N60EF-T1GE3 VISHAY sihk125n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 54A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL510STRL-GE3 VISHAY SIHL510STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL530STRR-GE3 VISHAY SIHL530STRR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL620S-GE3 VISHAY sihl620s.pdf SIHL620S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL630STRL-GE3 VISHAY sihl630s.pdf SIHL630STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL640STRL-GE3 VISHAY SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL014TR-GE3 VISHAY SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3 SIHLL110TR-GE3 VISHAY sihll110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR024TRL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR110TR-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU014-GE3 VISHAY SIHLU014-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU024-GE3 VISHAY sihlr024.pdf SIHLU024-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU120-GE3 VISHAY SIHLU120-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ24L-GE3 VISHAY SIHLZ24L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEL-GE3 SIHG47N60AEL.pdf
SIHG47N60AEL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E.pdf
SIHG47N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.09 грн
2+676.12 грн
5+615.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60EF-GE3 sihg47n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO247AC
Power dissipation: 379W
Gate charge: 228nC
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 138A
Drain current: 29A
On-state resistance: 65mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 tf-sihg47n65e-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 139A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 273nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG61N65EF-GE3 sihg61n65ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG61N65EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG64N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 sihg70n60aef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 394nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 173A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60EF-GE3 sihg70n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 229A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AE-GE3 sihg73n60ae.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG73N60AE-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E.pdf
SIHG73N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1095.32 грн
2+775.44 грн
4+705.33 грн
50+678.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 100A; 202W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH070N60EF-T1GE3 sihh070n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 93A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 93A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH080N60E-T1-GE3 sihh080n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 96A; 184W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 184W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH100N60E-T1-GE3 sihh100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH100N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 sihh105n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH105N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 357mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 27A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N65E-T1-GE3 sihh11n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 363mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N65EF-T1-GE3 sihh11n65ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 382mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 70nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH120N60E-T1-GE3 sihh120n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 57A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 57A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N60EF-T1GE3 sihh125n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 sihh14n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH14N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 sihh14n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH14N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH14N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N65EF-T1-GE3 sihh14n65ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH14N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH180N60E-T1-GE3 sihh180n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH20N50E-T1-GE3 sihh20n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 174W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH21N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH21N65E-T1-GE3 sihh21n65e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH21N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH21N65EF-T1-GE3 sihh21n65ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH21N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH24N65E-T1-GE3 sihh24n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 58A; 202W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 58A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
On-state resistance: 158mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH26N60E-T1-GE3 sihh26n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 50A; 202W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH27N60EF-T1-GE3 sihh27n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHH27N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH28N60E-T1-GE3 sihh28n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 202W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 202W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 129nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 76A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ10N60E-T1-GE3 SIHJ10N60E.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 313mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ240N60E-T1-GE3 sihj240n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 sihj690n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 11A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ6N65E-T1-GE3 sihj6n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 74W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 868mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 598mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 sihj8n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHJ8N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 138A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 sihk045n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 133A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK055N60EF-T1GE3 sihk055n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHK055N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60EF-T1GE3 sihk075n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 97A; 192W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 97A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N60EF-T1GE3 sihk125n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 54A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL510STRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHL510STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL530STRR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHL530STRR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL620S-GE3 sihl620s.pdf
Виробник: VISHAY
SIHL620S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL630STRL-GE3 sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
SIHL630STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL640STRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL014TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3 sihll110.pdf
SIHLL110TR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR024TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR110TR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU014-GE3
Виробник: VISHAY
SIHLU014-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU024-GE3 sihlr024.pdf
Виробник: VISHAY
SIHLU024-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU120-GE3
Виробник: VISHAY
SIHLU120-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ24L-GE3
Виробник: VISHAY
SIHLZ24L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1117 1118 1119 1120 1121 1122 1123 1124 1125 1126 1127 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]