Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (358933) > Сторінка 1137 з 5983

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 598 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1196 1794 2392 2990 3588 4186 4784 5382 5980 5983  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF720PBF IRF720PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.10 грн
10+65.47 грн
50+55.14 грн
100+52.00 грн
500+45.14 грн
1000+42.38 грн
2000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D9896F530469&compId=IRF730PBF.pdf?ci_sign=0365c12e613830b1076728adbf422a894775896c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.51 грн
50+49.65 грн
1000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.56 грн
10+123.62 грн
50+104.76 грн
250+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.50 грн
10+130.54 грн
50+93.33 грн
100+84.76 грн
500+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.35 грн
10+133.51 грн
50+92.38 грн
100+81.90 грн
500+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.22 грн
10+174.06 грн
25+136.18 грн
100+101.90 грн
250+92.38 грн
500+85.71 грн
800+80.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.84 грн
10+127.58 грн
25+103.80 грн
50+86.66 грн
100+73.33 грн
500+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.71 грн
10+91.97 грн
40+80.00 грн
50+79.04 грн
100+73.33 грн
150+71.42 грн
200+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.43 грн
10+87.03 грн
25+80.00 грн
50+76.19 грн
100+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89EA8BA3102469&compId=IRF740SPBF.pdf?ci_sign=b402fade255c0903eec9d8c12f2c21148065852d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.63 грн
10+116.70 грн
50+103.80 грн
250+96.18 грн
1000+90.47 грн
2000+87.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F187F06442143&compId=IRF820A.pdf?ci_sign=b1305f8472951e1ca082b6bf125e71843cdefed2 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.43 грн
10+81.69 грн
30+38.00 грн
81+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF IRF820ASPBF VISHAY sihf820a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.63 грн
23+51.23 грн
63+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF IRF820PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A064616B8E469&compId=IRF820PBF.pdf?ci_sign=3a3c47cff93513faa2fb73c4d6ecc1400c593917 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.61 грн
10+54.39 грн
31+36.38 грн
85+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.43 грн
5+119.66 грн
10+109.52 грн
16+72.38 грн
43+68.57 грн
5000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.20 грн
10+91.48 грн
27+41.90 грн
74+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.09 грн
50+92.96 грн
100+76.19 грн
500+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.69 грн
50+94.94 грн
100+87.61 грн
250+80.95 грн
500+76.19 грн
750+73.33 грн
1000+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.22 грн
10+106.81 грн
25+91.42 грн
50+84.76 грн
100+79.04 грн
250+73.33 грн
500+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.66 грн
4+94.94 грн
5+87.61 грн
10+82.85 грн
50+73.33 грн
100+69.52 грн
150+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.89 грн
5+96.92 грн
10+85.71 грн
50+70.47 грн
100+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF IRF9510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.38 грн
10+44.60 грн
40+28.09 грн
110+26.57 грн
25000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.56 грн
10+91.77 грн
28+40.57 грн
76+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90EB43D5688143&compId=IRF9520S.pdf?ci_sign=7e95886687fe520691b01205c1beb0973525ade9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.50 грн
10+119.66 грн
22+52.38 грн
60+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7F14AFF74B7474A&compId=irf9530.pdf?ci_sign=2ba2e3117e35c8bd9c7be2bbf5da5b781477414f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.17 грн
5+96.92 грн
10+80.95 грн
50+61.90 грн
100+58.09 грн
200+54.28 грн
500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90DC395A3C2143&compId=IRF9530S.pdf?ci_sign=a8b20d5f79ae6355528120896633ec85d2abe779 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.12 грн
10+65.27 грн
25+54.47 грн
50+52.76 грн
100+49.43 грн
250+47.81 грн
500+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3AFBEDF38469&compId=IRF9540PBF.pdf?ci_sign=b17eec85b3645bb6eac13fb05b0fb72054ced7d1 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.07 грн
10+84.06 грн
50+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90B92B461FE143&compId=IRF9540S.pdf?ci_sign=2754fdd6caded63da1a82268f46511c2306090d0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.81 грн
10+112.74 грн
50+93.33 грн
100+87.61 грн
200+80.95 грн
250+79.04 грн
500+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.30 грн
10+72.98 грн
33+34.09 грн
50+34.00 грн
91+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.46 грн
10+82.08 грн
26+43.81 грн
71+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.30 грн
10+118.67 грн
20+58.09 грн
53+55.23 грн
1000+54.28 грн
2000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.30 грн
10+118.67 грн
21+55.23 грн
57+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.35 грн
50+76.35 грн
100+68.28 грн
250+60.57 грн
500+54.47 грн
750+50.76 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.81 грн
5+80.11 грн
10+71.42 грн
50+63.81 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3DCC7682A00C7&compId=irf9z34.pdf?ci_sign=426febe0a30d9734ff79e0dd1ec09ece99d6f9b5 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.66 грн
10+82.78 грн
25+45.71 грн
68+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910510D612A143&compId=IRF9Z34S.pdf?ci_sign=2fa22ef4867f659ce8fdcebbf32f67f1c67a2f43 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.66 грн
25+47.47 грн
68+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.73 грн
10+161.20 грн
13+88.57 грн
35+83.80 грн
1000+80.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.49 грн
9+141.42 грн
23+128.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.35 грн
3+185.92 грн
10+158.09 грн
50+142.85 грн
250+141.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.73 грн
50+118.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.20 грн
25+46.98 грн
68+42.76 грн
1000+41.81 грн
2000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.72 грн
10+98.09 грн
50+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.63 грн
10+102.85 грн
15+77.14 грн
41+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.51 грн
10+84.06 грн
20+59.04 грн
53+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3F7C028F760C7&compId=IRFBE20.pdf?ci_sign=e50d3f6680978554c2460c053e905c8201585866 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.84 грн
10+90.98 грн
19+60.00 грн
51+57.14 грн
2000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.84 грн
10+129.55 грн
17+69.52 грн
45+65.71 грн
2000+64.76 грн
2500+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.42 грн
11+107.80 грн
30+98.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.03 грн
10+74.28 грн
18+63.81 грн
49+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.68 грн
10+160.21 грн
17+69.52 грн
45+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.81 грн
10+107.80 грн
20+59.04 грн
53+55.23 грн
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.89 грн
10+120.65 грн
50+107.61 грн
100+102.85 грн
250+97.14 грн
500+93.33 грн
1000+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.69 грн
6+58.55 грн
25+44.76 грн
69+42.85 грн
500+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA1CA9DBB2469&compId=IRFD9014PBF.pdf?ci_sign=8c8420f06cb86b7a81ab39bc7a688f557b5768a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.56 грн
10+54.79 грн
25+50.09 грн
30+37.62 грн
83+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF IRFD9020PBF VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.91 грн
3+127.58 грн
10+97.14 грн
28+40.95 грн
75+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.30 грн
10+73.78 грн
34+33.43 грн
93+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF IRFD9210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -250mA
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.66 грн
5+85.84 грн
10+71.61 грн
25+55.23 грн
35+32.76 грн
94+30.95 грн
500+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF IRFD9220PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Drain current: -0.36A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.09 грн
10+91.97 грн
24+46.66 грн
66+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.14 грн
10+112.35 грн
28+40.57 грн
76+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ED44C28028143&compId=IRFI540G.pdf?ci_sign=a6e672a226915ac5e42a5860cafd9959f002946b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.35 грн
10+82.08 грн
19+60.00 грн
51+57.14 грн
500+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.84 грн
23+51.43 грн
62+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.27 грн
10+117.69 грн
15+75.23 грн
41+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af
IRF720PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.10 грн
10+65.47 грн
50+55.14 грн
100+52.00 грн
500+45.14 грн
1000+42.38 грн
2000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D9896F530469&compId=IRF730PBF.pdf?ci_sign=0365c12e613830b1076728adbf422a894775896c
IRF730PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.51 грн
50+49.65 грн
1000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.56 грн
10+123.62 грн
50+104.76 грн
250+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.50 грн
10+130.54 грн
50+93.33 грн
100+84.76 грн
500+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.35 грн
10+133.51 грн
50+92.38 грн
100+81.90 грн
500+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.22 грн
10+174.06 грн
25+136.18 грн
100+101.90 грн
250+92.38 грн
500+85.71 грн
800+80.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.84 грн
10+127.58 грн
25+103.80 грн
50+86.66 грн
100+73.33 грн
500+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.71 грн
10+91.97 грн
40+80.00 грн
50+79.04 грн
100+73.33 грн
150+71.42 грн
200+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.43 грн
10+87.03 грн
25+80.00 грн
50+76.19 грн
100+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89EA8BA3102469&compId=IRF740SPBF.pdf?ci_sign=b402fade255c0903eec9d8c12f2c21148065852d
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.63 грн
10+116.70 грн
50+103.80 грн
250+96.18 грн
1000+90.47 грн
2000+87.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F187F06442143&compId=IRF820A.pdf?ci_sign=b1305f8472951e1ca082b6bf125e71843cdefed2
IRF820APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.43 грн
10+81.69 грн
30+38.00 грн
81+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF sihf820a.pdf
IRF820ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.63 грн
23+51.23 грн
63+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A064616B8E469&compId=IRF820PBF.pdf?ci_sign=3a3c47cff93513faa2fb73c4d6ecc1400c593917
IRF820PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.61 грн
10+54.39 грн
31+36.38 грн
85+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.43 грн
5+119.66 грн
10+109.52 грн
16+72.38 грн
43+68.57 грн
5000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff
IRF830APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.20 грн
10+91.48 грн
27+41.90 грн
74+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.09 грн
50+92.96 грн
100+76.19 грн
500+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.69 грн
50+94.94 грн
100+87.61 грн
250+80.95 грн
500+76.19 грн
750+73.33 грн
1000+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.22 грн
10+106.81 грн
25+91.42 грн
50+84.76 грн
100+79.04 грн
250+73.33 грн
500+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.66 грн
4+94.94 грн
5+87.61 грн
10+82.85 грн
50+73.33 грн
100+69.52 грн
150+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.89 грн
5+96.92 грн
10+85.71 грн
50+70.47 грн
100+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6
IRF9510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.38 грн
10+44.60 грн
40+28.09 грн
110+26.57 грн
25000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627
IRF9510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.56 грн
10+91.77 грн
28+40.57 грн
76+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90EB43D5688143&compId=IRF9520S.pdf?ci_sign=7e95886687fe520691b01205c1beb0973525ade9
IRF9520SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.50 грн
10+119.66 грн
22+52.38 грн
60+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7F14AFF74B7474A&compId=irf9530.pdf?ci_sign=2ba2e3117e35c8bd9c7be2bbf5da5b781477414f
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.17 грн
5+96.92 грн
10+80.95 грн
50+61.90 грн
100+58.09 грн
200+54.28 грн
500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90DC395A3C2143&compId=IRF9530S.pdf?ci_sign=a8b20d5f79ae6355528120896633ec85d2abe779
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.12 грн
10+65.27 грн
25+54.47 грн
50+52.76 грн
100+49.43 грн
250+47.81 грн
500+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3AFBEDF38469&compId=IRF9540PBF.pdf?ci_sign=b17eec85b3645bb6eac13fb05b0fb72054ced7d1
IRF9540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.07 грн
10+84.06 грн
50+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90B92B461FE143&compId=IRF9540S.pdf?ci_sign=2754fdd6caded63da1a82268f46511c2306090d0
IRF9540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.81 грн
10+112.74 грн
50+93.33 грн
100+87.61 грн
200+80.95 грн
250+79.04 грн
500+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46
IRF9610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.30 грн
10+72.98 грн
33+34.09 грн
50+34.00 грн
91+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61
IRF9620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.46 грн
10+82.08 грн
26+43.81 грн
71+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7
IRF9630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.30 грн
10+118.67 грн
20+58.09 грн
53+55.23 грн
1000+54.28 грн
2000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.30 грн
10+118.67 грн
21+55.23 грн
57+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f
IRF9Z24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.35 грн
50+76.35 грн
100+68.28 грн
250+60.57 грн
500+54.47 грн
750+50.76 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.81 грн
5+80.11 грн
10+71.42 грн
50+63.81 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3DCC7682A00C7&compId=irf9z34.pdf?ci_sign=426febe0a30d9734ff79e0dd1ec09ece99d6f9b5
IRF9Z34PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.66 грн
10+82.78 грн
25+45.71 грн
68+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910510D612A143&compId=IRF9Z34S.pdf?ci_sign=2fa22ef4867f659ce8fdcebbf32f67f1c67a2f43
IRF9Z34SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.66 грн
25+47.47 грн
68+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0
IRFB11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.73 грн
10+161.20 грн
13+88.57 грн
35+83.80 грн
1000+80.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70
IRFB17N50LPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.49 грн
9+141.42 грн
23+128.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5
IRFB18N50KPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.35 грн
3+185.92 грн
10+158.09 грн
50+142.85 грн
250+141.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.73 грн
50+118.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.20 грн
25+46.98 грн
68+42.76 грн
1000+41.81 грн
2000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.72 грн
10+98.09 грн
50+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060
IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.63 грн
10+102.85 грн
15+77.14 грн
41+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.51 грн
10+84.06 грн
20+59.04 грн
53+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3F7C028F760C7&compId=IRFBE20.pdf?ci_sign=e50d3f6680978554c2460c053e905c8201585866
IRFBE20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.84 грн
10+90.98 грн
19+60.00 грн
51+57.14 грн
2000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.84 грн
10+129.55 грн
17+69.52 грн
45+65.71 грн
2000+64.76 грн
2500+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc
IRFBE30SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.42 грн
11+107.80 грн
30+98.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55
IRFBF20SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.03 грн
10+74.28 грн
18+63.81 грн
49+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33
IRFBF30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.68 грн
10+160.21 грн
17+69.52 грн
45+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.81 грн
10+107.80 грн
20+59.04 грн
53+55.23 грн
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+155.89 грн
10+120.65 грн
50+107.61 грн
100+102.85 грн
250+97.14 грн
500+93.33 грн
1000+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646
IRFD420PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.69 грн
6+58.55 грн
25+44.76 грн
69+42.85 грн
500+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA1CA9DBB2469&compId=IRFD9014PBF.pdf?ci_sign=8c8420f06cb86b7a81ab39bc7a688f557b5768a3
IRFD9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.56 грн
10+54.79 грн
25+50.09 грн
30+37.62 грн
83+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF sihfd902.pdf
IRFD9020PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.91 грн
3+127.58 грн
10+97.14 грн
28+40.95 грн
75+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c
IRFD9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.30 грн
10+73.78 грн
34+33.43 грн
93+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422
IRFD9210PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -250mA
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.66 грн
5+85.84 грн
10+71.61 грн
25+55.23 грн
35+32.76 грн
94+30.95 грн
500+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4
IRFD9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Drain current: -0.36A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.09 грн
10+91.97 грн
24+46.66 грн
66+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
IRFI510GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.14 грн
10+112.35 грн
28+40.57 грн
76+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ED44C28028143&compId=IRFI540G.pdf?ci_sign=a6e672a226915ac5e42a5860cafd9959f002946b
IRFI540GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.35 грн
10+82.08 грн
19+60.00 грн
51+57.14 грн
500+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df
IRFI630GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.84 грн
23+51.43 грн
62+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb
IRFI640GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.27 грн
10+117.69 грн
15+75.23 грн
41+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 598 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1196 1794 2392 2990 3588 4186 4784 5382 5980 5983  [ Наступна Сторінка >> ]