| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU9310PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251 Mounting: THT Case: IPAK; TO251 Kind of package: tube On-state resistance: 7Ω Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Gate charge: 13nC Power dissipation: 50W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2216 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFUC20PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251 Mounting: THT Case: IPAK; TO251 On-state resistance: 4.4Ω Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Power dissipation: 42W Drain current: 1.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ14PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ24PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 501 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 67nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 150W Drain current: 36A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 473 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48RPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 291A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 286 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 514 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL640PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL640SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Pulsed drain current: 68A Kind of package: tube Gate charge: 66nC On-state resistance: 0.27Ω Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRL640STRLPBF | VISHAY |
IRL640STRLPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 794 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLD024PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 1.3W Drain current: 1.8A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLI640GPBF | VISHAY |
IRLI640GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLIZ44GPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 39mΩ Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 120A Kind of package: tube Gate charge: 66nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLL110TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.93A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 799 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR014PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.28Ω Gate charge: 8.4nC Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR110PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 17A On-state resistance: 0.54Ω Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR120TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.27Ω Gate charge: 12nC Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU014PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2566 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU110PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.54Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 17A Gate charge: 6.1nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLZ14PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Kind of package: tube Gate charge: 66nC On-state resistance: 28mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 614 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K10X7RF5UH5 | VISHAY |
Category: Ceramic capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Dielectric: X7R кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9058 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K10X7RF5UL2 | VISHAY |
Category: Ceramic capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Terminal pitch: 2.5mm Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Dielectric: X7R кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K15X7RF5TH5 | VISHAY |
Category: MLCC THT capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Dielectric: X7R Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 5mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7709 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K20X7RH5TH5 | VISHAY |
Category: MLCC THT capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 100V Dielectric: X7R Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 5mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| KBL02-E4/51 | VISHAY |
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBL04-E4/51 | VISHAY |
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 407 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
KBL06-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 200A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: KBL Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBL08-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 200A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: KBL Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBL10-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 200A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: KBL Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| KBU4D-E4/51 | VISHAY |
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU4G-E4/51 | VISHAY |
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU4K-E4/51 | VISHAY |
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
KBU6M-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 250A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 250A Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 353 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8B-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 100V Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8D-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8G-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8J-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8K-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8M-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 300A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KMKP 900-2,2IA | VISHAY |
Category: THT Film CapacitorsDescription: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10% Type of capacitor: polypropylene Capacitance: 2.2µF Operating voltage: 900V AC Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø35x72mm Max. operating current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LH1540AT | VISHAY |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V Relay variant: 1-phase Operating temperature: -40...85°C Release time: 50µs Operate time: 130µs Control current max.: 50mA On-state resistance: 22Ω Insulation voltage: 5.3kV Manufacturer series: LH Case: DIP6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL101A-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 60V; 30mA Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL101C-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 30mA; 1ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 2.2pF Reverse recovery time: 1ns Leakage current: 0.2µA Power dissipation: 0.4W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5065 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL103A-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 0.2A; 10ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 50pF Reverse recovery time: 10ns Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.4W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL103B-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 10ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 50pF Reverse recovery time: 10ns Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.4W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL103C-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 20V; 0.2A; 10ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 20V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 50pF Reverse recovery time: 10ns Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.4W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL41-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 100V; 0.1A; 200mW Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.75A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 2pF Leakage current: 20µA Power dissipation: 0.2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4148-GS08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A Kind of package: 7 inch reel Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Load current: 0.15A Max. load current: 0.5A Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Max. forward voltage: 0.86V Max. off-state voltage: 100V Quantity in set/package: 2500pcs. Semiconductor structure: single diode Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Type of diode: switching Capacitance: 4pF Reverse recovery time: 4ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 341894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4148-GS18 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A Kind of package: 13 inch reel Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Load current: 0.15A Max. load current: 0.5A Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Max. forward voltage: 0.86V Max. off-state voltage: 100V Quantity in set/package: 10000pcs. Semiconductor structure: single diode Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Type of diode: switching Capacitance: 4pF Reverse recovery time: 4ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24194 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4150GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 50V; 0.6A; 4ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.6A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 2.5pF Reverse recovery time: 4ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4151-GS08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 2ns; MiniMELF,SOD80; Ufmax: 1V Mounting: SMD Case: MiniMELF; SOD80 Leakage current: 50µA Load current: 0.3A Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 75V Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: 7 inch reel Application: automotive industry Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Type of diode: switching Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 2ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4747 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4154-M-18 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 35V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ufmax: 1V Capacitance: 4pF Mounting: SMD Case: MiniMELF; SOD80 Load current: 0.15A Max. load current: 0.5A Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 35V Quantity in set/package: 10000pcs. Kind of package: 13 inch reel Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Type of diode: switching Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL42-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.65V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL43-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.45V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 7pF Reverse recovery time: 5ns Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3188 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4448-GS08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 8ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: MiniMELF; SOD80 Max. forward voltage: 0.93V Max. load current: 0.5A Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL46-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 100V; 0.15A Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3539 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LS103A-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; QuadroMELF,SOD80; SMD; 40V; 10ns; 400mW Type of diode: Schottky switching Case: QuadroMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Semiconductor structure: single diode Capacitance: 50pF Max. forward impulse current: 15A Reverse recovery time: 10ns Kind of package: 7 inch reel Power dissipation: 0.4W Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 0.6V Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LS4148-GS08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; QuadroMELF,SOD80; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 8ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: QuadroMELF; SOD80 Max. forward voltage: 0.86V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: 7 inch reel Max. load current: 0.5A Leakage current: 5µA Quantity in set/package: 2500pcs. Power dissipation: 0.5W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LS4150GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; QuadroMELF,SOD80; SMD; 50V; 0.6A; 4ns Mounting: SMD Case: QuadroMELF; SOD80 Kind of package: 7 inch reel Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 2.5pF Reverse recovery time: 4ns Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.5W Load current: 0.6A Max. forward voltage: 1V Quantity in set/package: 2500pcs. Max. off-state voltage: 50V Max. forward impulse current: 4A Type of diode: Schottky switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IRFU9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 13nC
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 13nC
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.48 грн |
| 10+ | 96.23 грн |
| 25+ | 69.71 грн |
| 31+ | 36.66 грн |
| 84+ | 34.66 грн |
| IRFUC20PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 10+ | 57.16 грн |
| 25+ | 52.76 грн |
| 26+ | 43.33 грн |
| 71+ | 41.05 грн |
| IRFZ14PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.66 грн |
| 50+ | 37.48 грн |
| 1000+ | 29.62 грн |
| IRFZ24PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.81 грн |
| 10+ | 65.67 грн |
| 50+ | 56.09 грн |
| 100+ | 53.14 грн |
| 250+ | 49.24 грн |
| 500+ | 46.28 грн |
| 1000+ | 43.33 грн |
| IRFZ44PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 150W
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 150W
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.30 грн |
| 5+ | 112.74 грн |
| 25+ | 81.90 грн |
| 50+ | 78.09 грн |
| IRFZ48RPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.55 грн |
| 11+ | 111.75 грн |
| 29+ | 101.90 грн |
| 2000+ | 98.09 грн |
| IRL510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.89 грн |
| 10+ | 63.79 грн |
| 50+ | 51.14 грн |
| 100+ | 47.33 грн |
| 250+ | 43.52 грн |
| 500+ | 41.33 грн |
| 1000+ | 39.62 грн |
| IRL640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.97 грн |
| 10+ | 131.53 грн |
| 15+ | 77.14 грн |
| 40+ | 72.38 грн |
| 1000+ | 71.42 грн |
| IRL640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 68A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 68A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.17 грн |
| 10+ | 116.70 грн |
| 12+ | 93.33 грн |
| 33+ | 88.57 грн |
| 500+ | 84.76 грн |
| IRL640STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRL640STRLPBF SMD N channel transistors
IRL640STRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.68 грн |
| 15+ | 78.09 грн |
| 40+ | 74.28 грн |
| IRLD024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 154.86 грн |
| 10+ | 113.43 грн |
| 28+ | 40.85 грн |
| 76+ | 38.66 грн |
| IRLI640GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLI640GPBF THT N channel transistors
IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.55 грн |
| 16+ | 75.23 грн |
| 42+ | 70.47 грн |
| IRLIZ44GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.88 грн |
| 10+ | 155.27 грн |
| 11+ | 110.47 грн |
| 28+ | 104.76 грн |
| 1000+ | 99.99 грн |
| IRLL110TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 61.53 грн |
| 50+ | 50.93 грн |
| 100+ | 45.90 грн |
| 250+ | 41.33 грн |
| 500+ | 37.71 грн |
| 1000+ | 33.90 грн |
| 2500+ | 28.95 грн |
| IRLR014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.79 грн |
| 10+ | 46.78 грн |
| 20+ | 39.90 грн |
| 44+ | 25.71 грн |
| 121+ | 24.28 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.38 грн |
| 10+ | 45.69 грн |
| 43+ | 26.28 грн |
| 118+ | 24.86 грн |
| IRLR120TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.00 грн |
| 8+ | 39.95 грн |
| 25+ | 34.00 грн |
| 39+ | 29.52 грн |
| 105+ | 27.91 грн |
| IRLU014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 37.18 грн |
| 75+ | 32.09 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.15 грн |
| 7+ | 45.69 грн |
| 25+ | 39.52 грн |
| 50+ | 37.62 грн |
| 75+ | 36.66 грн |
| 150+ | 34.76 грн |
| 525+ | 31.62 грн |
| IRLZ14PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.74 грн |
| 10+ | 57.26 грн |
| 50+ | 43.62 грн |
| 100+ | 39.24 грн |
| 250+ | 34.57 грн |
| 500+ | 31.81 грн |
| 1000+ | 29.81 грн |
| IRLZ44PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.56 грн |
| 10+ | 105.82 грн |
| 50+ | 91.42 грн |
| 100+ | 87.61 грн |
| 250+ | 81.90 грн |
| 500+ | 79.04 грн |
| 750+ | 76.19 грн |
| K104K10X7RF5UH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9058 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.46 грн |
| 31+ | 9.79 грн |
| 50+ | 6.70 грн |
| 100+ | 5.88 грн |
| 500+ | 4.51 грн |
| 1000+ | 4.10 грн |
| 2500+ | 3.77 грн |
| K104K10X7RF5UL2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 2.5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 2.5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.33 грн |
| 32+ | 9.40 грн |
| 50+ | 6.63 грн |
| 100+ | 5.82 грн |
| 500+ | 4.47 грн |
| 1000+ | 4.06 грн |
| 2500+ | 3.86 грн |
| K104K15X7RF5TH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.41 грн |
| 39+ | 7.71 грн |
| 50+ | 5.89 грн |
| 100+ | 5.30 грн |
| 250+ | 4.64 грн |
| 500+ | 4.18 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| K104K20X7RH5TH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.77 грн |
| 16+ | 19.48 грн |
| 50+ | 13.90 грн |
| 100+ | 12.38 грн |
| 116+ | 9.71 грн |
| 318+ | 9.24 грн |
| 1000+ | 9.05 грн |
| KBL02-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.47 грн |
| 8+ | 149.52 грн |
| 21+ | 140.94 грн |
| KBL04-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 300.50 грн |
| 8+ | 143.80 грн |
| 22+ | 136.18 грн |
| KBL06-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 282.03 грн |
| 6+ | 196.80 грн |
| 17+ | 179.04 грн |
| 300+ | 176.18 грн |
| KBL08-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 301.52 грн |
| 5+ | 249.22 грн |
| 9+ | 130.47 грн |
| 24+ | 123.80 грн |
| KBL10-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 341.52 грн |
| 5+ | 284.82 грн |
| 10+ | 254.27 грн |
| 50+ | 213.32 грн |
| 120+ | 194.27 грн |
| 300+ | 178.08 грн |
| 600+ | 167.61 грн |
| KBU4D-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 309.73 грн |
| 8+ | 159.99 грн |
| 20+ | 151.42 грн |
| KBU4G-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 372.29 грн |
| 7+ | 179.04 грн |
| 18+ | 169.51 грн |
| KBU4K-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 333.31 грн |
| 8+ | 159.04 грн |
| 20+ | 150.47 грн |
| KBU6M-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 250A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 250A
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 250A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 250A
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 358.95 грн |
| 10+ | 263.06 грн |
| 50+ | 219.99 грн |
| 100+ | 206.65 грн |
| 250+ | 190.47 грн |
| KBU8B-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.47 грн |
| 10+ | 250.21 грн |
| 50+ | 232.37 грн |
| KBU8D-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 353.83 грн |
| 2+ | 326.35 грн |
| 10+ | 251.41 грн |
| 20+ | 219.99 грн |
| 50+ | 205.70 грн |
| KBU8G-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.16 грн |
| 5+ | 249.22 грн |
| 10+ | 237.13 грн |
| KBU8J-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.34 грн |
| 10+ | 272.95 грн |
| 25+ | 240.94 грн |
| 100+ | 209.51 грн |
| 250+ | 187.61 грн |
| 500+ | 177.13 грн |
| KBU8K-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.29 грн |
| 5+ | 255.15 грн |
| 10+ | 229.51 грн |
| 25+ | 205.70 грн |
| KBU8M-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 300A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 300A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.31 грн |
| 10+ | 291.74 грн |
| 100+ | 238.08 грн |
| 250+ | 222.84 грн |
| 500+ | 210.46 грн |
| 1000+ | 198.08 грн |
| 2500+ | 181.89 грн |
| KMKP 900-2,2IA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10%
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 2.2µF
Operating voltage: 900V AC
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø35x72mm
Max. operating current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10%
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 2.2µF
Operating voltage: 900V AC
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø35x72mm
Max. operating current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4872.54 грн |
| 5+ | 4328.65 грн |
| 10+ | 3926.44 грн |
| 20+ | 3796.92 грн |
| 50+ | 3719.78 грн |
| LH1540AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V
Relay variant: 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 50µs
Operate time: 130µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 22Ω
Insulation voltage: 5.3kV
Manufacturer series: LH
Case: DIP6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V
Relay variant: 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 50µs
Operate time: 130µs
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 22Ω
Insulation voltage: 5.3kV
Manufacturer series: LH
Case: DIP6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.47 грн |
| 10+ | 122.63 грн |
| 27+ | 111.42 грн |
| LL101A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 60V; 30mA
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 60V; 30mA
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.61 грн |
| 19+ | 15.92 грн |
| 100+ | 9.03 грн |
| 500+ | 6.09 грн |
| 1000+ | 5.11 грн |
| 2500+ | 4.05 грн |
| 5000+ | 3.37 грн |
| LL101C-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 30mA; 1ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2.2pF
Reverse recovery time: 1ns
Leakage current: 0.2µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 30mA; 1ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2.2pF
Reverse recovery time: 1ns
Leakage current: 0.2µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.13 грн |
| 67+ | 4.45 грн |
| 73+ | 3.96 грн |
| 100+ | 3.75 грн |
| 250+ | 3.38 грн |
| 500+ | 3.33 грн |
| LL103A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.36 грн |
| 33+ | 9.00 грн |
| 50+ | 6.42 грн |
| 100+ | 5.64 грн |
| 500+ | 4.24 грн |
| 1000+ | 3.76 грн |
| 2500+ | 3.26 грн |
| LL103B-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.59 грн |
| 18+ | 17.21 грн |
| 20+ | 14.28 грн |
| 100+ | 8.61 грн |
| 500+ | 5.80 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| 2500+ | 3.71 грн |
| LL103C-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 20V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 20V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.38 грн |
| 30+ | 9.89 грн |
| 100+ | 6.55 грн |
| 2500+ | 4.15 грн |
| 5000+ | 3.81 грн |
| 7500+ | 3.63 грн |
| 12500+ | 3.42 грн |
| LL41-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 100V; 0.1A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.75A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2pF
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 100V; 0.1A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.75A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2pF
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.49 грн |
| 33+ | 9.00 грн |
| 50+ | 6.78 грн |
| 100+ | 6.07 грн |
| 250+ | 5.18 грн |
| 500+ | 4.55 грн |
| LL4148-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.86V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.86V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 341894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 4.10 грн |
| 116+ | 2.57 грн |
| 228+ | 1.26 грн |
| 500+ | 0.61 грн |
| 1000+ | 0.48 грн |
| 2500+ | 0.40 грн |
| 5000+ | 0.39 грн |
| LL4148-GS18 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Kind of package: 13 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.86V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 10000pcs.
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Kind of package: 13 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.86V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 10000pcs.
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 3.31 грн |
| 150+ | 1.98 грн |
| 160+ | 1.79 грн |
| 177+ | 1.62 грн |
| 193+ | 1.49 грн |
| 500+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.81 грн |
| LL4150GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 50V; 0.6A; 4ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2.5pF
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 50V; 0.6A; 4ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2.5pF
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.20 грн |
| 46+ | 6.53 грн |
| 50+ | 5.71 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 500+ | 2.82 грн |
| 1000+ | 2.45 грн |
| 2500+ | 2.04 грн |
| LL4151-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 2ns; MiniMELF,SOD80; Ufmax: 1V
Mounting: SMD
Case: MiniMELF; SOD80
Leakage current: 50µA
Load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 75V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 2ns; MiniMELF,SOD80; Ufmax: 1V
Mounting: SMD
Case: MiniMELF; SOD80
Leakage current: 50µA
Load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 75V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 8.76 грн |
| 43+ | 6.92 грн |
| 47+ | 6.09 грн |
| 100+ | 3.94 грн |
| 250+ | 3.30 грн |
| 500+ | 2.90 грн |
| 612+ | 1.84 грн |
| LL4154-M-18 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 35V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ufmax: 1V
Capacitance: 4pF
Mounting: SMD
Case: MiniMELF; SOD80
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Quantity in set/package: 10000pcs.
Kind of package: 13 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 35V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ufmax: 1V
Capacitance: 4pF
Mounting: SMD
Case: MiniMELF; SOD80
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Quantity in set/package: 10000pcs.
Kind of package: 13 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.73 грн |
| 250000+ | 1.61 грн |
| LL42-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.54 грн |
| 19+ | 16.22 грн |
| 21+ | 13.71 грн |
| 100+ | 8.59 грн |
| 500+ | 6.47 грн |
| 1000+ | 5.81 грн |
| 2500+ | 5.10 грн |
| LL43-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 7pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 7pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.51 грн |
| 18+ | 17.01 грн |
| 20+ | 14.38 грн |
| 100+ | 8.61 грн |
| 500+ | 6.18 грн |
| 1000+ | 5.45 грн |
| 2500+ | 4.71 грн |
| LL4448-GS08 | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.93V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.93V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.12 грн |
| 55+ | 5.44 грн |
| 100+ | 3.70 грн |
| 250+ | 3.18 грн |
| 500+ | 2.83 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| 1099+ | 1.02 грн |
| LL46-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 100V; 0.15A
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 100V; 0.15A
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.51 грн |
| 24+ | 12.56 грн |
| 50+ | 8.95 грн |
| 100+ | 7.95 грн |
| 250+ | 6.87 грн |
| 500+ | 6.19 грн |
| 1000+ | 5.64 грн |
| LS103A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; QuadroMELF,SOD80; SMD; 40V; 10ns; 400mW
Type of diode: Schottky switching
Case: QuadroMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 50pF
Max. forward impulse current: 15A
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.4W
Leakage current: 5µA
Max. forward voltage: 0.6V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; QuadroMELF,SOD80; SMD; 40V; 10ns; 400mW
Type of diode: Schottky switching
Case: QuadroMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 50pF
Max. forward impulse current: 15A
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.4W
Leakage current: 5µA
Max. forward voltage: 0.6V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.49 грн |
| 23+ | 13.25 грн |
| 50+ | 10.29 грн |
| 100+ | 9.33 грн |
| 500+ | 7.14 грн |
| 1000+ | 6.29 грн |
| 2500+ | 5.43 грн |
| LS4148-GS08 | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; QuadroMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: QuadroMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Max. load current: 0.5A
Leakage current: 5µA
Quantity in set/package: 2500pcs.
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; QuadroMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: QuadroMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Max. load current: 0.5A
Leakage current: 5µA
Quantity in set/package: 2500pcs.
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 8.78 грн |
| 58+ | 5.14 грн |
| 75+ | 3.83 грн |
| 100+ | 3.44 грн |
| 250+ | 2.99 грн |
| 500+ | 2.68 грн |
| 1083+ | 1.04 грн |
| LS4150GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; QuadroMELF,SOD80; SMD; 50V; 0.6A; 4ns
Mounting: SMD
Case: QuadroMELF; SOD80
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2.5pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.5W
Load current: 0.6A
Max. forward voltage: 1V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward impulse current: 4A
Type of diode: Schottky switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; QuadroMELF,SOD80; SMD; 50V; 0.6A; 4ns
Mounting: SMD
Case: QuadroMELF; SOD80
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2.5pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.5W
Load current: 0.6A
Max. forward voltage: 1V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward impulse current: 4A
Type of diode: Schottky switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 9.67 грн |
| 43+ | 7.02 грн |
| 100+ | 4.51 грн |
| 488+ | 2.30 грн |
| 1341+ | 2.17 грн |
| 7500+ | 2.10 грн |









































