Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (246270) > Сторінка 3857 з 4105

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 410 820 1230 1640 2050 2460 2870 3280 3690 3852 3853 3854 3855 3856 3857 3858 3859 3860 3861 3862 4100 4105  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2W10G-E4/51 2W10G-E4/51 VISHAY 2w005g.pdf Category: Round single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; round
Case: WOG
Max. forward impulse current: 60A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: glass passivated
Version: round
Leads: wire Ø 0.75mm
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.65 грн
13+34.16 грн
25+30.90 грн
100+26.73 грн
500+22.47 грн
1000+20.71 грн
3000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MAL214699111E3 MAL214699111E3 VISHAY 146cti.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 1mF; 50VDC; 16x16x21mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...125°C
Body dimensions: 16x16x21mm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+315.70 грн
5+246.38 грн
10+219.65 грн
40+159.52 грн
50+152.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204831102E3 MAL204831102E3 VISHAY 048rml.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1mF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 4000h
Operating temperature: -40...105°C
Terminal pitch: 7.5mm
Diameter: 16mm
Body dimensions: Ø16x25mm
Height: 25mm
Manufacturer series: MAL2048
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+211.36 грн
10+152.00 грн
50+122.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204861102E3 MAL204861102E3 VISHAY 048rml.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1mF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 4000h
Operating temperature: -40...105°C
Terminal pitch: 7.5mm
Diameter: 16mm
Body dimensions: Ø16x25mm
Height: 25mm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.88 грн
5+103.56 грн
10+97.72 грн
25+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JE1021H00L GRC00JE1021H00L VISHAY GRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Pitch: 7.5mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x20mm
Terminal pitch: 7.5mm
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.64 грн
11+38.08 грн
50+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215031102E3 MAL215031102E3 VISHAY 150rmi.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Diameter: 16mm
Body dimensions: Ø16x25mm
Terminal pitch: 7.5mm
Height: 25mm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.07 грн
5+130.29 грн
10+119.43 грн
25+111.91 грн
50+106.90 грн
100+103.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZRC00JG1021H00L ZRC00JG1021H00L VISHAY ZRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; ±20%; 10000h; 16x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 16x25mm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 16.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26-E3/52T SS26-E3/52T VISHAY SS24-E3-52T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 60V
Quantity in set/package: 750pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Case: SMB
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.08 грн
29+14.53 грн
50+11.86 грн
100+10.77 грн
250+9.52 грн
500+8.52 грн
750+8.02 грн
1500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SS26HE3_A/H SS26HE3_A/H VISHAY ss22.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 60V
Quantity in set/package: 750pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Case: SMB
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.28 грн
18+23.47 грн
25+20.46 грн
100+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/5AT SS26S-E3/5AT VISHAY ss26s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 60V
Quantity in set/package: 7500pcs.
Kind of package: 13 inch reel
Case: SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/61T SS26S-E3/61T VISHAY ss26s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 60V
Quantity in set/package: 1800pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Case: SMA
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.79 грн
30+14.28 грн
35+12.28 грн
50+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 VISHAY siss26dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 VISHAY siss26ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSSS2600 TSSS2600 VISHAY TSSS2600.pdf Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 950nm; transparent; 2.6mW; 25°; 1.25÷1.6VDC; THT
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 950nm
LED lens: transparent
Radiant power: 2.6mW
Viewing angle: 25°
Operating voltage: 1.25...1.6V DC
Mounting: THT
Dimensions: 3.6x2.2x5mm
LED current: 100mA
LED version: angular
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.47 грн
15+28.81 грн
25+25.31 грн
50+22.97 грн
100+20.96 грн
500+17.79 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY IRF840AL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF VISHAY irf840as_IRF840al.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.30 грн
10+119.43 грн
25+101.06 грн
50+87.69 грн
100+75.17 грн
250+64.31 грн
500+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.94 грн
10+74.33 грн
50+60.13 грн
100+57.63 грн
250+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-05-E3-08 VISHAY BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Features of semiconductor devices: small signal
Reverse recovery time: 5ns
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.69 грн
57+7.43 грн
100+4.24 грн
500+3.08 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 1.5KE27CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.28 грн
100+20.55 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1N5822-E3/54 VISHAY 1n5820-22.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 1400pcs.
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.79 грн
30+14.36 грн
100+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP BYV26C-TAP VISHAY byv26.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.17 грн
13+34.41 грн
100+27.48 грн
200+25.39 грн
500+22.55 грн
1000+20.63 грн
2000+18.54 грн
2500+17.79 грн
5000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR BYV26C-TR VISHAY byv26.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; 10 inch reel; Ifsm: 30A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
Quantity in set/package: 5000pcs.
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.49 грн
27+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 1.5KE400A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.47 грн
12+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.98 грн
10+140.31 грн
50+100.22 грн
100+88.53 грн
200+79.34 грн
250+76.84 грн
500+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.27 грн
5+164.53 грн
10+150.33 грн
25+123.61 грн
50+101.89 грн
100+83.52 грн
500+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.26 грн
10+105.23 грн
25+93.54 грн
50+86.02 грн
100+78.51 грн
250+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.42 грн
10+77.67 грн
40+65.98 грн
50+64.31 грн
100+60.13 грн
250+55.12 грн
500+51.78 грн
1000+48.44 грн
2000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 1.5KE18CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.38 грн
25+26.64 грн
50+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 1.5KE180CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.37 грн
12+36.16 грн
100+26.56 грн
500+21.55 грн
1000+19.71 грн
1400+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 1.5KE18A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 P6KE200A-E3/54 VISHAY p6ke.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 200V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Technology: TransZorb®
Max. off-state voltage: 171V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 2.2A
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1N5817-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.99 грн
30+14.36 грн
33+13.03 грн
100+9.52 грн
250+8.18 грн
500+7.27 грн
1000+6.35 грн
2000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1N5817-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.99 грн
36+11.69 грн
100+9.35 грн
500+7.85 грн
1000+7.10 грн
3000+6.01 грн
6000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1N5819-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.49 грн
28+15.03 грн
32+13.11 грн
100+9.27 грн
500+7.02 грн
1000+6.35 грн
2000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1N5819-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.89 грн
33+12.95 грн
100+8.94 грн
500+7.10 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08
+1
 		BAV99-E3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.89 грн
48+8.77 грн
100+5.74 грн
500+3.32 грн
1000+2.63 грн
3000+1.88 грн
6000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 BAV99-HE3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1N4007GP-E3/54 VISHAY 1n4001gp.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 6329 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.59 грн
50+16.79 грн
100+15.20 грн
250+12.78 грн
500+10.69 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
357B0102MXB251S22 357B0102MXB251S22 VISHAY 357.pdf Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Mechanical durability: 10000000 cycles
Shaft surface: smooth
Potentiometer features: without limiters
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Linearity tolerance: ±2%
Manufacturer series: 357
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2732.43 грн
3+2212.38 грн
10+2016.95 грн
25+1913.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
357B2102MAB251S22 357B2102MAB251S22 VISHAY 357.pdf Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Electrical rotation angle: 340°
Mechanical durability: 10000000 cycles
Shaft surface: smooth
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Linearity tolerance: ±2%
Manufacturer series: 357
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2591.22 грн
3+2123.01 грн
10+2082.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC VJ1206A100KXAAC VISHAY vjcommercialseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Capacitance: 10pF
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 50V
Case - mm: 3216
Type of capacitor: ceramic
Case - inch: 1206
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+10.16 грн
70+6.18 грн
100+5.43 грн
250+4.93 грн
500+4.59 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 BAS85-GS08 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.24V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Max. load current: 0.3A
на замовлення 53909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.99 грн
35+12.11 грн
100+6.66 грн
500+4.43 грн
1000+3.98 грн
2500+3.55 грн
5000+3.32 грн
7500+3.20 грн
12500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 BAS85-GS18 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 10000pcs.
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.99 грн
77+5.43 грн
100+4.27 грн
500+3.46 грн
1000+3.14 грн
2500+2.99 грн
5000+2.73 грн
10000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 NTCLE100E3472JB0 VISHAY ntcle100.pdf Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Type of sensor: NTC thermistor
Resistance: 4.7kΩ
Mounting: THT
Material constant B: 3977K
Operating temperature: -40...125°C
Power: 0.5W
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.68 грн
18+24.22 грн
19+22.30 грн
25+19.71 грн
50+17.96 грн
100+16.54 грн
200+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 1.5KE47CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.27 грн
13+33.57 грн
14+30.90 грн
50+26.48 грн
100+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 VISHAY siha25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 VISHAY sihb25n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 VISHAY sihg25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 VISHAY tf-sihp25n50e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3/4W VISHAY MBR10100-E3-4W.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.37 грн
10+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C12-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 6413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.79 грн
68+6.18 грн
100+4.18 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C5V1-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.59 грн
40+10.52 грн
44+9.52 грн
100+6.32 грн
500+4.84 грн
1000+4.20 грн
2500+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY IRF540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10G-E4/51 2w005g.pdf
2W10G-E4/51
Виробник: VISHAY
Category: Round single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; round
Case: WOG
Max. forward impulse current: 60A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: glass passivated
Version: round
Leads: wire Ø 0.75mm
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.65 грн
13+34.16 грн
25+30.90 грн
100+26.73 грн
500+22.47 грн
1000+20.71 грн
3000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MAL214699111E3 146cti.pdf
MAL214699111E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 1mF; 50VDC; 16x16x21mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...125°C
Body dimensions: 16x16x21mm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.70 грн
5+246.38 грн
10+219.65 грн
40+159.52 грн
50+152.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204831102E3 048rml.pdf
MAL204831102E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1mF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 4000h
Operating temperature: -40...105°C
Terminal pitch: 7.5mm
Diameter: 16mm
Body dimensions: Ø16x25mm
Height: 25mm
Manufacturer series: MAL2048
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.36 грн
10+152.00 грн
50+122.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204861102E3 048rml.pdf
MAL204861102E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1mF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 4000h
Operating temperature: -40...105°C
Terminal pitch: 7.5mm
Diameter: 16mm
Body dimensions: Ø16x25mm
Height: 25mm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.88 грн
5+103.56 грн
10+97.72 грн
25+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JE1021H00L GRC.pdf
GRC00JE1021H00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Pitch: 7.5mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x20mm
Terminal pitch: 7.5mm
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.64 грн
11+38.08 грн
50+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215031102E3 150rmi.pdf
MAL215031102E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Diameter: 16mm
Body dimensions: Ø16x25mm
Terminal pitch: 7.5mm
Height: 25mm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+196.07 грн
5+130.29 грн
10+119.43 грн
25+111.91 грн
50+106.90 грн
100+103.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZRC00JG1021H00L ZRC.pdf
ZRC00JG1021H00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; ±20%; 10000h; 16x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 16x25mm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3 si7852dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 16.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26-E3/52T SS24-E3-52T.pdf
SS26-E3/52T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 60V
Quantity in set/package: 750pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Case: SMB
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.08 грн
29+14.53 грн
50+11.86 грн
100+10.77 грн
250+9.52 грн
500+8.52 грн
750+8.02 грн
1500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SS26HE3_A/H ss22.pdf
SS26HE3_A/H
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 60V
Quantity in set/package: 750pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Case: SMB
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.28 грн
18+23.47 грн
25+20.46 грн
100+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/5AT ss26s.pdf
SS26S-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 60V
Quantity in set/package: 7500pcs.
Kind of package: 13 inch reel
Case: SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/61T ss26s.pdf
SS26S-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 60V
Quantity in set/package: 1800pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Case: SMA
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.79 грн
30+14.28 грн
35+12.28 грн
50+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 siss26dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 siss26ldn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSSS2600 TSSS2600.pdf
TSSS2600
Виробник: VISHAY
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 950nm; transparent; 2.6mW; 25°; 1.25÷1.6VDC; THT
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 950nm
LED lens: transparent
Radiant power: 2.6mW
Viewing angle: 25°
Operating voltage: 1.25...1.6V DC
Mounting: THT
Dimensions: 3.6x2.2x5mm
LED current: 100mA
LED version: angular
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+40.47 грн
15+28.81 грн
25+25.31 грн
50+22.97 грн
100+20.96 грн
500+17.79 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840AL.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF irf840as_IRF840al.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.30 грн
10+119.43 грн
25+101.06 грн
50+87.69 грн
100+75.17 грн
250+64.31 грн
500+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.94 грн
10+74.33 грн
50+60.13 грн
100+57.63 грн
250+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf
BAS40-05-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Features of semiconductor devices: small signal
Reverse recovery time: 5ns
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.69 грн
57+7.43 грн
100+4.24 грн
500+3.08 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE27CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.28 грн
100+20.55 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1n5820-22.pdf
1N5822-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 1400pcs.
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.79 грн
30+14.36 грн
100+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP byv26.pdf
BYV26C-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.17 грн
13+34.41 грн
100+27.48 грн
200+25.39 грн
500+22.55 грн
1000+20.63 грн
2000+18.54 грн
2500+17.79 грн
5000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR description byv26.pdf
BYV26C-TR
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; 10 inch reel; Ifsm: 30A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
Quantity in set/package: 5000pcs.
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.49 грн
27+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE400A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.47 грн
12+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.98 грн
10+140.31 грн
50+100.22 грн
100+88.53 грн
200+79.34 грн
250+76.84 грн
500+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.27 грн
5+164.53 грн
10+150.33 грн
25+123.61 грн
50+101.89 грн
100+83.52 грн
500+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+221.26 грн
10+105.23 грн
25+93.54 грн
50+86.02 грн
100+78.51 грн
250+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.42 грн
10+77.67 грн
40+65.98 грн
50+64.31 грн
100+60.13 грн
250+55.12 грн
500+51.78 грн
1000+48.44 грн
2000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE18CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.38 грн
25+26.64 грн
50+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE180CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.37 грн
12+36.16 грн
100+26.56 грн
500+21.55 грн
1000+19.71 грн
1400+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE18A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 p6ke.pdf
P6KE200A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 200V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Technology: TransZorb®
Max. off-state voltage: 171V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 2.2A
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1n5817-19.pdf
1N5817-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.99 грн
30+14.36 грн
33+13.03 грн
100+9.52 грн
250+8.18 грн
500+7.27 грн
1000+6.35 грн
2000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1n5817-19.pdf
1N5817-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.99 грн
36+11.69 грн
100+9.35 грн
500+7.85 грн
1000+7.10 грн
3000+6.01 грн
6000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1n5817-19.pdf
1N5819-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.49 грн
28+15.03 грн
32+13.11 грн
100+9.27 грн
500+7.02 грн
1000+6.35 грн
2000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1n5817-19.pdf
1N5819-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.89 грн
33+12.95 грн
100+8.94 грн
500+7.10 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08 bav99.pdf
BAV99-E3-08
+1
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.89 грн
48+8.77 грн
100+5.74 грн
500+3.32 грн
1000+2.63 грн
3000+1.88 грн
6000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 bav99.pdf
BAV99-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1n4001gp.pdf
1N4007GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 6329 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.59 грн
50+16.79 грн
100+15.20 грн
250+12.78 грн
500+10.69 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
357B0102MXB251S22 357.pdf
357B0102MXB251S22
Виробник: VISHAY
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Mechanical durability: 10000000 cycles
Shaft surface: smooth
Potentiometer features: without limiters
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Linearity tolerance: ±2%
Manufacturer series: 357
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2732.43 грн
3+2212.38 грн
10+2016.95 грн
25+1913.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
357B2102MAB251S22 357.pdf
357B2102MAB251S22
Виробник: VISHAY
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Electrical rotation angle: 340°
Mechanical durability: 10000000 cycles
Shaft surface: smooth
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Linearity tolerance: ±2%
Manufacturer series: 357
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2591.22 грн
3+2123.01 грн
10+2082.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC vjcommercialseries.pdf
VJ1206A100KXAAC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Capacitance: 10pF
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 50V
Case - mm: 3216
Type of capacitor: ceramic
Case - inch: 1206
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+10.16 грн
70+6.18 грн
100+5.43 грн
250+4.93 грн
500+4.59 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 bas85.pdf
BAS85-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.24V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Max. load current: 0.3A
на замовлення 53909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.99 грн
35+12.11 грн
100+6.66 грн
500+4.43 грн
1000+3.98 грн
2500+3.55 грн
5000+3.32 грн
7500+3.20 грн
12500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 bas85.pdf
BAS85-GS18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 10000pcs.
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.99 грн
77+5.43 грн
100+4.27 грн
500+3.46 грн
1000+3.14 грн
2500+2.99 грн
5000+2.73 грн
10000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 ntcle100.pdf
NTCLE100E3472JB0
Виробник: VISHAY
Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Type of sensor: NTC thermistor
Resistance: 4.7kΩ
Mounting: THT
Material constant B: 3977K
Operating temperature: -40...125°C
Power: 0.5W
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.68 грн
18+24.22 грн
19+22.30 грн
25+19.71 грн
50+17.96 грн
100+16.54 грн
200+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE47CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.27 грн
13+33.57 грн
14+30.90 грн
50+26.48 грн
100+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 sihb25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3-4W.pdf
MBR10100-E3/4W
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.37 грн
10+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C10-TAP.pdf
BZX85C12-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 6413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.79 грн
68+6.18 грн
100+4.18 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C10-TAP.pdf
BZX85C5V1-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.59 грн
40+10.52 грн
44+9.52 грн
100+6.32 грн
500+4.84 грн
1000+4.20 грн
2500+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF.pdf
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 410 820 1230 1640 2050 2460 2870 3280 3690 3852 3853 3854 3855 3856 3857 3858 3859 3860 3861 3862 4100 4105  [ Наступна Сторінка >> ]