Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3826) > Сторінка 16 з 64
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DB106 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; DB; THT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Case: DB Electrical mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DB106S | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Case: DBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 4047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DB106S | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Case: DBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4047 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DB107 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; DB; THT; tube Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Case: DB Electrical mounting: THT Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DB107S | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Case: DBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DB107S | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Case: DBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DB151 | YANGJIE TECHNOLOGY | DB151-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DB151S | YANGJIE TECHNOLOGY | DB151S-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
DB152 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT Kind of package: tube Type of bridge rectifier: single-phase Electrical mounting: THT Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 100V Case: DB |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DB152 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT Kind of package: tube Type of bridge rectifier: single-phase Electrical mounting: THT Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 100V Case: DB кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DB154 | YANGJIE TECHNOLOGY |
DB154-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 3829 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DB155 | YANGJIE TECHNOLOGY |
DB155-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 4170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DB155S | YANGJIE TECHNOLOGY |
DB155S-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DB156 | YANGJIE TECHNOLOGY |
DB156-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 3234 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
DB157 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 50A Case: DB Electrical mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DB157 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 50A Case: DB Electrical mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DB157S | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 50A Case: DBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DB157S | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 50A Case: DBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DB205 | Yangjie Technology |
Description: DB 600V 2.0A Diodes Bridge Rec Packaging: Tube Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB-1 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DB206 | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Bridge Rectifiers DB 2APackaging: Tube Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB-1 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DB206S | Yangjie Technology |
Description: DBS 800V 2.0A Diodes Bridge RePackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DBL207 | Yangjie Technology | Description: DBL 1000V 2.0A Diodes Bridge R |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DBL207S | Yangjie Technology | Description: DBLS 1000V 2.0A Diodes Bridge |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DDTA123YCA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DDTC113ZCA | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.5A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
DDTC113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.25W; SOT23; R1: 1kΩ Mounting: SMD Type of transistor: NPN Case: SOT23 Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.5A Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DDTC113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.25W; SOT23; R1: 1kΩ Mounting: SMD Type of transistor: NPN Case: SOT23 Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.5A Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DF25NA100 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Three phase diode bridge rectifiersDescription: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1kV; If: 25A; Ifsm: 400A; THT Leads: flat pin Version: flat Type of bridge rectifier: three-phase Electrical mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 25A Max. forward impulse current: 0.4kA Max. off-state voltage: 1kV Case: TSB-5 |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DF25NA100 | Yangjie Technology |
Description: TSB-5 1000V 25.0A Diodes BridgPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DF25NA100 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Three phase diode bridge rectifiersDescription: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1kV; If: 25A; Ifsm: 400A; THT Leads: flat pin Version: flat Type of bridge rectifier: three-phase Electrical mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 25A Max. forward impulse current: 0.4kA Max. off-state voltage: 1kV Case: TSB-5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DF25NA160 | Yangjie Technology |
Description: TSB-5 1600V 25.0A Diodes BridgPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DF25NA80 | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Bridge Rectifiers TSB-5 Packaging: Bulk Package / Case: 5-SIP, TSB-5 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Three Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TSB-5 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DF35NA100 | YANGJIE TECHNOLOGY | DF35NA100-YAN Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
DF35NA80 | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Bridge Rectifiers TSB-5 Packaging: Bulk Package / Case: 5-SIP, TSB-5 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Three Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TSB-5 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DGW15N120CTL | Yangjie Technology |
Description: Transistors - IGBTs - Single TO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DGW25N120CTL | Yangjie Technology |
Description: Transistors - IGBTs - Single TO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 158ns/331ns Switching Energy: 1.8m (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 18Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DGW30N65BTH | Yangjie Technology |
Description: Transistors - IGBTs - Single TO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 37ns/113ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 300V, 30A, 33Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DGW40N120CTL | Yangjie Technology |
Description: Transistors - IGBTs - Single TO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 45ns/180ns Switching Energy: 3.8mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 330 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 428 W |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DGW50N65CTL1 | Yangjie Technology |
Description: Transistors - IGBTs - Single TO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247AB Td (on/off) @ 25°C: 55ns/319ns Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 300V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 450 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 326 W |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DGW75N65CTL1 | Yangjie Technology |
Description: Transistors - IGBTs - Single TO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247AB Td (on/off) @ 25°C: 75ns/468ns Switching Energy: 2.5mJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 300V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 580 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DS521-30L2 | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Rectifiers - Single DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: DFN1006-2L Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23 Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA113ZCA | Yangjie Technology | Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23 Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA113ZE | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA113ZUA | Yangjie Technology | Description: SOT-323 PNP 0.2W -0.1A Transist |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DTA113ZUA | YANGJIE TECHNOLOGY | DTA113ZUA-YAN PNP SMD transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
DTA114ECA | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA114ECA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23 Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA114ECA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23 Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DTA114EUA | Yangjie Technology |
Description: SOT-323 PNP 0.2W -0.1A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DTA114EUA | YANGJIE TECHNOLOGY | DTA114EUA-YAN PNP SMD transistors |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
DTA114YCA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23 Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA114YCA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23 Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA123ECA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Case: SOT23 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA123ECA | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA123ECA | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Case: SOT23 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA123JCA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTA123JE | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DTA123JUA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DB106 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; DB; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DB
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; DB; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DB
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.93 грн |
| 40+ | 7.86 грн |
| 100+ | 6.79 грн |
| 500+ | 6.11 грн |
| DB106S |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.58 грн |
| 65+ | 6.47 грн |
| 100+ | 5.82 грн |
| 500+ | 5.09 грн |
| 1500+ | 4.93 грн |
| DB106S |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 11.50 грн |
| 40+ | 8.06 грн |
| 100+ | 6.99 грн |
| 500+ | 6.11 грн |
| 1500+ | 5.92 грн |
| DB107 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; DB; THT; tube
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DB
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; DB; THT; tube
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DB
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DB107S |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DB107S |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DB151 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
DB151-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
DB151-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 175+ | 6.50 грн |
| 480+ | 6.21 грн |
| 2500+ | 6.15 грн |
| DB151S |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
DB151S-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
DB151S-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.06 грн |
| 190+ | 6.10 грн |
| 520+ | 5.76 грн |
| 1500+ | 5.74 грн |
| DB152 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT
Kind of package: tube
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 100V
Case: DB
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT
Kind of package: tube
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 100V
Case: DB
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 11.84 грн |
| 70+ | 6.07 грн |
| 100+ | 5.50 грн |
| 500+ | 4.93 грн |
| DB152 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT
Kind of package: tube
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 100V
Case: DB
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT
Kind of package: tube
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 100V
Case: DB
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 14.21 грн |
| 40+ | 7.56 грн |
| 100+ | 6.60 грн |
| 500+ | 5.92 грн |
| DB154 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
DB154-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
DB154-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.99 грн |
| 190+ | 6.11 грн |
| 515+ | 5.82 грн |
| DB155 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
DB155-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
DB155-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 185+ | 6.21 грн |
| 510+ | 5.92 грн |
| 2500+ | 5.84 грн |
| DB155S |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
DB155S-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
DB155S-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.77 грн |
| 190+ | 6.21 грн |
| 510+ | 5.82 грн |
| DB156 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
DB156-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
DB156-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.85 грн |
| 190+ | 6.15 грн |
| 515+ | 5.81 грн |
| DB157 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DB
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DB
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 13.76 грн |
| 55+ | 7.44 грн |
| 100+ | 6.71 грн |
| 500+ | 5.90 грн |
| 2500+ | 5.42 грн |
| DB157 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DB
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DB; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DB
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.51 грн |
| 35+ | 9.27 грн |
| 100+ | 8.05 грн |
| 500+ | 7.08 грн |
| 2500+ | 6.50 грн |
| DB157S |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DB157S |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; DBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.70 грн |
| 25+ | 12.09 грн |
| 100+ | 8.93 грн |
| 500+ | 7.86 грн |
| 1500+ | 7.08 грн |
| DB205 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DB 600V 2.0A Diodes Bridge Rec
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DB 600V 2.0A Diodes Bridge Rec
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 9.66 грн |
| 12500+ | 8.77 грн |
| 25000+ | 8.25 грн |
| 50000+ | 7.31 грн |
| 100000+ | 6.53 грн |
| 250000+ | 6.10 грн |
| DB206 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Bridge Rectifiers DB 2A
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: Diodes - Bridge Rectifiers DB 2A
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 10.33 грн |
| 12500+ | 9.38 грн |
| 25000+ | 8.81 грн |
| 50000+ | 7.82 грн |
| 100000+ | 6.98 грн |
| 250000+ | 6.53 грн |
| DB206S |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DBS 800V 2.0A Diodes Bridge Re
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DBS 800V 2.0A Diodes Bridge Re
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 10.33 грн |
| 7500+ | 9.38 грн |
| 15000+ | 8.81 грн |
| 30000+ | 7.82 грн |
| 60000+ | 6.98 грн |
| 150000+ | 6.53 грн |
| DBL207 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DBL 1000V 2.0A Diodes Bridge R
Description: DBL 1000V 2.0A Diodes Bridge R
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 9.73 грн |
| 12500+ | 8.84 грн |
| 25000+ | 8.31 грн |
| 50000+ | 7.37 грн |
| 100000+ | 6.58 грн |
| 250000+ | 6.15 грн |
| DBL207S |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DBLS 1000V 2.0A Diodes Bridge
Description: DBLS 1000V 2.0A Diodes Bridge
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 9.73 грн |
| 7500+ | 8.84 грн |
| 15000+ | 8.31 грн |
| 30000+ | 7.37 грн |
| 60000+ | 6.58 грн |
| 150000+ | 6.15 грн |
| DDTA123YCA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DDTC113ZCA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.36 грн |
| 15000+ | 3.07 грн |
| 30000+ | 2.91 грн |
| 60000+ | 2.50 грн |
| 120000+ | 2.28 грн |
| 300000+ | 2.12 грн |
| DDTC113ZCA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.25W; SOT23; R1: 1kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.25W; SOT23; R1: 1kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 175+ | 2.75 грн |
| 200+ | 2.29 грн |
| 500+ | 2.03 грн |
| DDTC113ZCA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.25W; SOT23; R1: 1kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.25W; SOT23; R1: 1kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 3.30 грн |
| 125+ | 2.85 грн |
| 500+ | 2.44 грн |
| 3000+ | 2.18 грн |
| 15000+ | 2.07 грн |
| DF25NA100 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1kV; If: 25A; Ifsm: 400A; THT
Leads: flat pin
Version: flat
Type of bridge rectifier: three-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 1kV
Case: TSB-5
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1kV; If: 25A; Ifsm: 400A; THT
Leads: flat pin
Version: flat
Type of bridge rectifier: three-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 1kV
Case: TSB-5
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 128.89 грн |
| 5+ | 108.36 грн |
| 25+ | 96.23 грн |
| DF25NA100 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TSB-5 1000V 25.0A Diodes Bridg
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: TSB-5 1000V 25.0A Diodes Bridg
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 157.21 грн |
| 480+ | 142.97 грн |
| 960+ | 134.56 грн |
| 1920+ | 118.39 грн |
| 3840+ | 106.55 грн |
| 9600+ | 98.66 грн |
| DF25NA100 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1kV; If: 25A; Ifsm: 400A; THT
Leads: flat pin
Version: flat
Type of bridge rectifier: three-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 1kV
Case: TSB-5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1kV; If: 25A; Ifsm: 400A; THT
Leads: flat pin
Version: flat
Type of bridge rectifier: three-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 1kV
Case: TSB-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.67 грн |
| 5+ | 135.04 грн |
| 25+ | 115.48 грн |
| 96+ | 106.75 грн |
| DF25NA160 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TSB-5 1600V 25.0A Diodes Bridg
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: TSB-5 1600V 25.0A Diodes Bridg
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 191.98 грн |
| 480+ | 174.59 грн |
| 960+ | 164.32 грн |
| 1920+ | 144.57 грн |
| 3840+ | 130.08 грн |
| 9600+ | 120.44 грн |
| DF25NA80 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Bridge Rectifiers TSB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SIP, TSB-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TSB-5
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: Diodes - Bridge Rectifiers TSB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SIP, TSB-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TSB-5
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 157.21 грн |
| 480+ | 142.97 грн |
| 960+ | 134.56 грн |
| 1920+ | 118.39 грн |
| 3840+ | 106.55 грн |
| 9600+ | 98.66 грн |
| DF35NA100 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
DF35NA100-YAN Three phase diode bridge rectifiers
DF35NA100-YAN Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 250.81 грн |
| 7+ | 179.53 грн |
| 18+ | 169.82 грн |
| DF35NA80 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Bridge Rectifiers TSB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SIP, TSB-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TSB-5
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: Diodes - Bridge Rectifiers TSB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SIP, TSB-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TSB-5
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 244.63 грн |
| 480+ | 222.47 грн |
| 960+ | 209.37 грн |
| 1920+ | 184.26 грн |
| 3840+ | 165.82 грн |
| 9600+ | 153.53 грн |
| DGW15N120CTL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 187.94 грн |
| 9000+ | 170.95 грн |
| 18000+ | 160.85 грн |
| 36000+ | 141.54 грн |
| 72000+ | 127.42 грн |
| 180000+ | 117.93 грн |
| DGW25N120CTL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 158ns/331ns
Switching Energy: 1.8m (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 158ns/331ns
Switching Energy: 1.8m (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 270.91 грн |
| 9000+ | 246.32 грн |
| 18000+ | 231.85 грн |
| 36000+ | 204.00 грн |
| 72000+ | 183.58 грн |
| 180000+ | 170.00 грн |
| DGW30N65BTH |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/113ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/113ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 187.77 грн |
| 9000+ | 170.79 грн |
| 18000+ | 160.76 грн |
| 36000+ | 141.46 грн |
| 72000+ | 127.27 грн |
| 180000+ | 117.86 грн |
| DGW40N120CTL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 428 W
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 361.19 грн |
| 9000+ | 328.48 грн |
| 18000+ | 309.16 грн |
| 36000+ | 271.99 грн |
| 72000+ | 244.82 грн |
| 180000+ | 226.69 грн |
| DGW50N65CTL1 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AB
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/319ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 450 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 326 W
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AB
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/319ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 450 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 314.25 грн |
| 9000+ | 285.79 грн |
| 18000+ | 268.97 грн |
| 36000+ | 236.63 грн |
| 72000+ | 212.95 грн |
| 180000+ | 197.17 грн |
| DGW75N65CTL1 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247AB
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/468ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 580 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
Description: Transistors - IGBTs - Single TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247AB
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/468ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 580 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 541.74 грн |
| 9000+ | 492.73 грн |
| 18000+ | 463.78 грн |
| 36000+ | 407.99 грн |
| 72000+ | 367.16 грн |
| 180000+ | 339.99 грн |
| DS521-30L2 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Rectifiers - Single DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DFN1006-2L
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Description: Diodes - Rectifiers - Single DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DFN1006-2L
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.68 грн |
| 50000+ | 1.54 грн |
| 100000+ | 1.46 грн |
| 200000+ | 1.29 грн |
| 400000+ | 1.14 грн |
| 1000000+ | 1.06 грн |
| DTA113ZCA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 2.30 грн |
| 375+ | 1.11 грн |
| 500+ | 1.00 грн |
| DTA113ZCA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.54 грн |
| 15000+ | 1.40 грн |
| 30000+ | 1.33 грн |
| 60000+ | 1.18 грн |
| 120000+ | 1.04 грн |
| 300000+ | 0.97 грн |
| DTA113ZCA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 25 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 125+ | 2.76 грн |
| 225+ | 1.38 грн |
| 500+ | 1.20 грн |
| 3000+ | 1.19 грн |
| DTA113ZE |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.61 грн |
| 15000+ | 1.48 грн |
| 30000+ | 1.40 грн |
| 60000+ | 1.25 грн |
| 120000+ | 1.11 грн |
| 300000+ | 1.04 грн |
| DTA113ZUA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-323 PNP 0.2W -0.1A Transist
Description: SOT-323 PNP 0.2W -0.1A Transist
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.54 грн |
| 15000+ | 1.40 грн |
| 30000+ | 1.33 грн |
| 60000+ | 1.18 грн |
| 120000+ | 1.04 грн |
| 300000+ | 0.97 грн |
| DTA113ZUA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
DTA113ZUA-YAN PNP SMD transistors
DTA113ZUA-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 1125+ | 1.03 грн |
| 3075+ | 0.97 грн |
| DTA114ECA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.68 грн |
| 15000+ | 1.54 грн |
| 30000+ | 1.46 грн |
| 60000+ | 1.29 грн |
| 120000+ | 1.14 грн |
| 300000+ | 1.06 грн |
| DTA114ECA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 225+ | 2.12 грн |
| 400+ | 1.01 грн |
| 500+ | 0.91 грн |
| DTA114ECA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 25 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 125+ | 2.55 грн |
| 250+ | 1.26 грн |
| 500+ | 1.09 грн |
| DTA114EUA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-323 PNP 0.2W -0.1A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Description: SOT-323 PNP 0.2W -0.1A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.68 грн |
| 15000+ | 1.54 грн |
| 30000+ | 1.46 грн |
| 60000+ | 1.29 грн |
| 120000+ | 1.14 грн |
| 300000+ | 1.06 грн |
| DTA114EUA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
DTA114EUA-YAN PNP SMD transistors
DTA114EUA-YAN PNP SMD transistors
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 110+ | 2.87 грн |
| 875+ | 1.32 грн |
| 2400+ | 1.25 грн |
| DTA114YCA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 225+ | 2.12 грн |
| 375+ | 1.11 грн |
| 500+ | 0.98 грн |
| DTA114YCA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 25 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 125+ | 2.55 грн |
| 225+ | 1.38 грн |
| 500+ | 1.17 грн |
| 3000+ | 1.06 грн |
| 15000+ | 1.01 грн |
| DTA123ECA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 1.92 грн |
| 425+ | 0.99 грн |
| 500+ | 0.96 грн |
| DTA123ECA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.68 грн |
| 15000+ | 1.54 грн |
| 30000+ | 1.46 грн |
| 60000+ | 1.29 грн |
| 120000+ | 1.14 грн |
| 300000+ | 1.06 грн |
| DTA123ECA |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 25 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 2.30 грн |
| 250+ | 1.24 грн |
| 500+ | 1.15 грн |
| DTA123JCA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.02 грн |
| 15000+ | 1.86 грн |
| 30000+ | 1.70 грн |
| 60000+ | 1.52 грн |
| 120000+ | 1.37 грн |
| 300000+ | 1.29 грн |
| DTA123JE |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.76 грн |
| 15000+ | 1.62 грн |
| 30000+ | 1.54 грн |
| 60000+ | 1.37 грн |
| 120000+ | 1.21 грн |
| 300000+ | 1.14 грн |
| DTA123JUA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.02 грн |
| 15000+ | 1.86 грн |
| 30000+ | 1.70 грн |
| 60000+ | 1.52 грн |
| 120000+ | 1.37 грн |
| 300000+ | 1.29 грн |
















