Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (2898) > Сторінка 48 з 49

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 43 44 45 46 47 48 49  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJH10N02A YJH10N02A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.00 грн
5000+6.36 грн
10000+5.98 грн
20000+5.26 грн
40000+4.76 грн
100000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A Yangjie Technology YJJ09N03A.pdf Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.84 грн
15000+6.21 грн
30000+5.83 грн
60000+5.12 грн
120000+4.62 грн
300000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03G10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
77+5.91 грн
100+4.93 грн
250+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04A YJL03N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.36 грн
15000+2.12 грн
30000+1.97 грн
60000+1.78 грн
120000+1.56 грн
300000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQ YJL03N06AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
15000+4.54 грн
30000+4.32 грн
60000+3.77 грн
120000+3.41 грн
300000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B Yangjie Technology YJL03N06B.pdf Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.65 грн
15000+2.41 грн
30000+2.27 грн
60000+1.99 грн
120000+1.79 грн
300000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQ YJL05N04AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
15000+3.51 грн
30000+3.29 грн
60000+2.88 грн
120000+2.60 грн
300000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06AL YJL05N06AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.91 грн
15000+5.40 грн
30000+5.04 грн
60000+4.45 грн
120000+4.04 грн
300000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300A YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2300A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C YJL2301C YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
110+4.48 грн
160+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQ YJL2301CQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.56 грн
15000+4.16 грн
30000+3.94 грн
60000+3.48 грн
120000+3.13 грн
300000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
15000+2.42 грн
30000+2.27 грн
60000+1.99 грн
120000+1.78 грн
300000+1.63 грн
600000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
140+3.32 грн
160+2.78 грн
500+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
120+4.20 грн
200+2.11 грн
500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G YJL2301G Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.89 грн
15000+1.74 грн
30000+1.59 грн
60000+1.42 грн
120000+1.28 грн
300000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G YJL2301G YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301N YJL2301N Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.73 грн
15000+1.59 грн
30000+1.44 грн
60000+1.28 грн
120000+1.14 грн
300000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2302A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A Yangjie Technology YJL2302A.pdf Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.12 грн
15000+1.89 грн
30000+1.82 грн
60000+1.56 грн
120000+1.42 грн
300000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2304A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
110+4.18 грн
150+2.93 грн
500+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2312A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
120+3.88 грн
130+3.25 грн
500+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
15000+2.50 грн
30000+2.35 грн
60000+2.06 грн
120000+1.85 грн
300000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL YJL2312AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
15000+3.18 грн
30000+3.03 грн
60000+2.63 грн
120000+2.34 грн
300000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ YJL2312AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
15000+4.54 грн
30000+4.32 грн
60000+3.77 грн
120000+3.41 грн
300000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
120+4.04 грн
140+3.38 грн
500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
15000+3.56 грн
30000+3.41 грн
60000+2.98 грн
120000+2.70 грн
300000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401AL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.09 грн
115+3.75 грн
500+3.34 грн
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ YJL3401AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
15000+4.54 грн
30000+4.32 грн
60000+3.77 грн
120000+3.41 грн
300000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ YJL3404AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
15000+4.77 грн
30000+4.47 грн
60000+3.91 грн
120000+3.55 грн
300000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404B YANGJIE TECHNOLOGY YJL3404B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3407A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.48 грн
28+15.08 грн
56+7.54 грн
100+5.27 грн
250+4.22 грн
500+3.77 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY YJL3407AL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
90+5.16 грн
140+3.02 грн
500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YJM04N10A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YJM04N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJM04N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.61 грн
100+6.73 грн
500+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A YJM05N06A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.87 грн
12500+8.11 грн
25000+7.59 грн
50000+6.72 грн
100000+6.03 грн
250000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A YJQ13N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
15000+5.96 грн
30000+5.61 грн
60000+4.93 грн
120000+4.46 грн
300000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A YJQ2012A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
15000+4.77 грн
30000+4.47 грн
60000+3.98 грн
120000+3.55 грн
300000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A YJQ20N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.14 грн
25000+9.24 грн
50000+8.71 грн
100000+7.67 грн
200000+6.89 грн
500000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A YJQ20P03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.13 грн
25000+10.08 грн
50000+9.51 грн
100000+8.33 грн
200000+7.53 грн
500000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A YJQ2301A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
15000+5.91 грн
30000+5.61 грн
60000+4.90 грн
120000+4.47 грн
300000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY YJQ3400A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.24 грн
100+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A YANGJIE TECHNOLOGY YJQ35N04A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+16.58 грн
35+13.96 грн
100+12.37 грн
500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.95 грн
25000+12.70 грн
50000+11.98 грн
100000+10.48 грн
200000+9.46 грн
500000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4606A YJQ4606A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.11 грн
25000+8.28 грн
50000+7.78 грн
100000+6.83 грн
200000+6.16 грн
500000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4666B YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY YJQ4666B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.98 грн
120+3.57 грн
500+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50N03A YJQ50N03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.60 грн
25000+12.34 грн
50000+11.66 грн
100000+10.23 грн
200000+9.24 грн
500000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50P03A YJQ50P03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.73 грн
25000+24.30 грн
50000+22.86 грн
100000+20.11 грн
200000+18.12 грн
500000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ60N03A YJQ60N03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.70 грн
25000+19.76 грн
50000+18.55 грн
100000+16.34 грн
200000+14.71 грн
500000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD12N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD25N04A YJQD25N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.95 грн
25000+12.70 грн
50000+11.98 грн
100000+10.48 грн
200000+9.46 грн
500000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJR20N06A YJR20N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4950+11.24 грн
24750+10.22 грн
49500+9.61 грн
99000+8.45 грн
198000+7.67 грн
495000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 4950
В кошику  од. на суму  грн.
YJS03N10A YJS03N10A Yangjie Technology Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
15000+6.59 грн
30000+6.21 грн
60000+5.47 грн
120000+4.90 грн
300000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS05N06A YJS05N06A Yangjie Technology Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.60 грн
20000+10.59 грн
40000+9.93 грн
80000+8.77 грн
160000+7.88 грн
400000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12G06D YJS12G06D Yangjie Technology Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.07 грн
20000+19.15 грн
40000+18.02 грн
80000+15.84 грн
160000+14.28 грн
400000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12G10A YJS12G10A Yangjie Technology Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.26 грн
20000+17.56 грн
40000+16.50 грн
80000+14.49 грн
160000+13.07 грн
400000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12N03A YJS12N03A Yangjie Technology Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.70 грн
20000+6.96 грн
40000+6.59 грн
80000+5.75 грн
160000+5.19 грн
400000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12N10A YJS12N10A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJS18N03A YJS18N03A Yangjie Technology Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH10N02A
YJH10N02A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.00 грн
5000+6.36 грн
10000+5.98 грн
20000+5.26 грн
40000+4.76 грн
100000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A.pdf
YJJ09N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.84 грн
15000+6.21 грн
30000+5.83 грн
60000+5.12 грн
120000+4.62 грн
300000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A YJL03G10A.pdf
YJL03G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
77+5.91 грн
100+4.93 грн
250+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04A
YJL03N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.36 грн
15000+2.12 грн
30000+1.97 грн
60000+1.78 грн
120000+1.56 грн
300000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQ
YJL03N06AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.03 грн
15000+4.54 грн
30000+4.32 грн
60000+3.77 грн
120000+3.41 грн
300000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B.pdf
YJL03N06B
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.65 грн
15000+2.41 грн
30000+2.27 грн
60000+1.99 грн
120000+1.79 грн
300000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQ
YJL05N04AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.79 грн
15000+3.51 грн
30000+3.29 грн
60000+2.88 грн
120000+2.60 грн
300000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06AL
YJL05N06AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.91 грн
15000+5.40 грн
30000+5.04 грн
60000+4.45 грн
120000+4.04 грн
300000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300A YJL2300A.pdf
YJL2300A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C YJL2301C.pdf
YJL2301C
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
110+4.48 грн
160+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQ
YJL2301CQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.56 грн
15000+4.16 грн
30000+3.94 грн
60000+3.48 грн
120000+3.13 грн
300000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D
YJL2301D
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.59 грн
15000+2.42 грн
30000+2.27 грн
60000+1.99 грн
120000+1.78 грн
300000+1.63 грн
600000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D.pdf
YJL2301D
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
140+3.32 грн
160+2.78 грн
500+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F YJL2301F.pdf
YJL2301F
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+4.20 грн
200+2.11 грн
500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G
YJL2301G
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.89 грн
15000+1.74 грн
30000+1.59 грн
60000+1.42 грн
120000+1.28 грн
300000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G YJL2301G.pdf
YJL2301G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301N
YJL2301N
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.73 грн
15000+1.59 грн
30000+1.44 грн
60000+1.28 грн
120000+1.14 грн
300000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.12 грн
15000+1.89 грн
30000+1.82 грн
60000+1.56 грн
120000+1.42 грн
300000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A YJL2304A.pdf
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A YJL2305A.pdf
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
110+4.18 грн
150+2.93 грн
500+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B YJL2305B.pdf
YJL2305B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A.pdf
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.88 грн
130+3.25 грн
500+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A
YJL2312A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.75 грн
15000+2.50 грн
30000+2.35 грн
60000+2.06 грн
120000+1.85 грн
300000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL
YJL2312AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.54 грн
15000+3.18 грн
30000+3.03 грн
60000+2.63 грн
120000+2.34 грн
300000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ
YJL2312AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.03 грн
15000+4.54 грн
30000+4.32 грн
60000+3.77 грн
120000+3.41 грн
300000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A.pdf
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+4.04 грн
140+3.38 грн
500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL
YJL3401AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.93 грн
15000+3.56 грн
30000+3.41 грн
60000+2.98 грн
120000+2.70 грн
300000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL.pdf
YJL3401AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.09 грн
115+3.75 грн
500+3.34 грн
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ
YJL3401AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.03 грн
15000+4.54 грн
30000+4.32 грн
60000+3.77 грн
120000+3.41 грн
300000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ
YJL3404AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.19 грн
15000+4.77 грн
30000+4.47 грн
60000+3.91 грн
120000+3.55 грн
300000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404B YJL3404B.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A YJL3407A.pdf
YJL3407A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.48 грн
28+15.08 грн
56+7.54 грн
100+5.27 грн
250+4.22 грн
500+3.77 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL YJL3407AL.pdf
YJL3407AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
90+5.16 грн
140+3.02 грн
500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A
YJM04N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YJM04N10A.pdf
YJM04N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
60+7.61 грн
100+6.73 грн
500+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A
YJM05N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.87 грн
12500+8.11 грн
25000+7.59 грн
50000+6.72 грн
100000+6.03 грн
250000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A
YJQ13N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.56 грн
15000+5.96 грн
30000+5.61 грн
60000+4.93 грн
120000+4.46 грн
300000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A
YJQ2012A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.27 грн
15000+4.77 грн
30000+4.47 грн
60000+3.98 грн
120000+3.55 грн
300000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A
YJQ20N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.14 грн
25000+9.24 грн
50000+8.71 грн
100000+7.67 грн
200000+6.89 грн
500000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A
YJQ20P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.13 грн
25000+10.08 грн
50000+9.51 грн
100000+8.33 грн
200000+7.53 грн
500000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A
YJQ2301A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.54 грн
15000+5.91 грн
30000+5.61 грн
60000+4.90 грн
120000+4.47 грн
300000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A YJQ3400A.pdf
YJQ3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.24 грн
100+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A.pdf
YJQ35N04A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+16.58 грн
35+13.96 грн
100+12.37 грн
500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A
YJQ35N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.95 грн
25000+12.70 грн
50000+11.98 грн
100000+10.48 грн
200000+9.46 грн
500000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4606A
YJQ4606A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.11 грн
25000+8.28 грн
50000+7.78 грн
100000+6.83 грн
200000+6.16 грн
500000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4666B YJQ4666B.pdf
YJQ4666B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.98 грн
120+3.57 грн
500+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50N03A
YJQ50N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.60 грн
25000+12.34 грн
50000+11.66 грн
100000+10.23 грн
200000+9.24 грн
500000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50P03A
YJQ50P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.73 грн
25000+24.30 грн
50000+22.86 грн
100000+20.11 грн
200000+18.12 грн
500000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ60N03A
YJQ60N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.70 грн
25000+19.76 грн
50000+18.55 грн
100000+16.34 грн
200000+14.71 грн
500000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD12N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD25N04A
YJQD25N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.95 грн
25000+12.70 грн
50000+11.98 грн
100000+10.48 грн
200000+9.46 грн
500000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJR20N06A
YJR20N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4950+11.24 грн
24750+10.22 грн
49500+9.61 грн
99000+8.45 грн
198000+7.67 грн
495000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 4950
В кошику  од. на суму  грн.
YJS03N10A
YJS03N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.23 грн
15000+6.59 грн
30000+6.21 грн
60000+5.47 грн
120000+4.90 грн
300000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS05N06A
YJS05N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.60 грн
20000+10.59 грн
40000+9.93 грн
80000+8.77 грн
160000+7.88 грн
400000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12G06D
YJS12G06D
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.07 грн
20000+19.15 грн
40000+18.02 грн
80000+15.84 грн
160000+14.28 грн
400000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12G10A
YJS12G10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.26 грн
20000+17.56 грн
40000+16.50 грн
80000+14.49 грн
160000+13.07 грн
400000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12N03A
YJS12N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.70 грн
20000+6.96 грн
40000+6.59 грн
80000+5.75 грн
160000+5.19 грн
400000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12N10A
YJS12N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJS18N03A
YJS18N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 43 44 45 46 47 48 49  Наступна Сторінка >> ]