Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (2892) > Сторінка 48 з 49
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
YJG80G06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 38W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 435 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJGD20G10A | Yangjie Technology | Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N06B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N10A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 4W Gate charge: 16nC Technology: TRENCH POWER MV Drain current: 2.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω |
на замовлення 6860 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH10N02A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJJ09N03A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 30V 9A TransistorsPart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL02N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 440 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL03G10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4.3nC |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL03N04A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL03N06AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL03N06B | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FETPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL05N04AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL05N06AL | Yangjie Technology | Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301CQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301D | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301G | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301N | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2302A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
YJL2302A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors FPart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2312A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2312AL | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2312AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| YJL3400B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
YJL3401AL | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL3401AL | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL3401AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL3404AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL3407A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL3407AL | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJM04N10A | Yangjie Technology | Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJM05N06A | Yangjie Technology | Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ13N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ2012A | Yangjie Technology |
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ20N04A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ20P03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ2301A | Yangjie Technology | Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ35N04A | Yangjie Technology | Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ4606A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ50N03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ50P03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJQ60N03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| YJQD12N03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
YJQD25N04A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJR20N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 495000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS03N10A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER HV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
YJS05N06A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS12G06D | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS12G10A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS12N03A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS12N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 3.3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
YJS18N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS2301A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS3404A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS4407J | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS4409A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJS4435A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| YJG80G06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 85.05 грн |
| 11+ | 39.19 грн |
| 25+ | 35.21 грн |
| 100+ | 31.15 грн |
| YJGD20G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 37.85 грн |
| 25000+ | 34.46 грн |
| 50000+ | 32.40 грн |
| 100000+ | 28.48 грн |
| 200000+ | 25.65 грн |
| 500000+ | 23.79 грн |
| YJH03N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 4.14 грн |
| 5000+ | 3.78 грн |
| 10000+ | 3.56 грн |
| 20000+ | 3.14 грн |
| 40000+ | 2.81 грн |
| 100000+ | 2.61 грн |
| YJH03N06B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 4.14 грн |
| 5000+ | 3.78 грн |
| 10000+ | 3.56 грн |
| 20000+ | 3.14 грн |
| 40000+ | 2.81 грн |
| 100000+ | 2.61 грн |
| YJH03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 7.04 грн |
| 5000+ | 6.40 грн |
| 10000+ | 6.02 грн |
| 20000+ | 5.29 грн |
| 40000+ | 4.79 грн |
| 100000+ | 4.43 грн |
| YJH03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Gate charge: 16nC
Technology: TRENCH POWER MV
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Gate charge: 16nC
Technology: TRENCH POWER MV
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 11.49 грн |
| 100+ | 7.53 грн |
| 500+ | 6.77 грн |
| 3000+ | 5.93 грн |
| YJH10N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 7.04 грн |
| 5000+ | 6.40 грн |
| 10000+ | 6.02 грн |
| 20000+ | 5.29 грн |
| 40000+ | 4.79 грн |
| 100000+ | 4.43 грн |
| YJJ09N03A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.88 грн |
| 15000+ | 6.25 грн |
| 30000+ | 5.87 грн |
| 60000+ | 5.15 грн |
| 120000+ | 4.65 грн |
| 300000+ | 4.29 грн |
| YJL02N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 6.33 грн |
| 130+ | 3.34 грн |
| YJL03G10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 18.23 грн |
| YJL03N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.37 грн |
| 15000+ | 2.13 грн |
| 30000+ | 1.98 грн |
| 60000+ | 1.79 грн |
| 120000+ | 1.57 грн |
| 300000+ | 1.50 грн |
| YJL03N06AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.06 грн |
| 15000+ | 4.57 грн |
| 30000+ | 4.34 грн |
| 60000+ | 3.79 грн |
| 120000+ | 3.43 грн |
| 300000+ | 3.15 грн |
| YJL03N06B |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.66 грн |
| 15000+ | 2.42 грн |
| 30000+ | 2.28 грн |
| 60000+ | 2.01 грн |
| 120000+ | 1.81 грн |
| 300000+ | 1.67 грн |
| YJL05N04AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.82 грн |
| 15000+ | 3.53 грн |
| 30000+ | 3.31 грн |
| 60000+ | 2.90 грн |
| 120000+ | 2.62 грн |
| 300000+ | 2.41 грн |
| YJL05N06AL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.95 грн |
| 15000+ | 5.44 грн |
| 30000+ | 5.07 грн |
| 60000+ | 4.48 грн |
| 120000+ | 4.07 грн |
| 300000+ | 3.72 грн |
| YJL2301CQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.59 грн |
| 15000+ | 4.19 грн |
| 30000+ | 3.96 грн |
| 60000+ | 3.50 грн |
| 120000+ | 3.15 грн |
| 300000+ | 2.93 грн |
| YJL2301D |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.61 грн |
| 15000+ | 2.44 грн |
| 30000+ | 2.29 грн |
| 60000+ | 2.00 грн |
| 120000+ | 1.79 грн |
| 300000+ | 1.64 грн |
| 600000+ | 1.34 грн |
| YJL2301G |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.90 грн |
| 15000+ | 1.75 грн |
| 30000+ | 1.60 грн |
| 60000+ | 1.43 грн |
| 120000+ | 1.29 грн |
| 300000+ | 1.22 грн |
| YJL2301N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.74 грн |
| 15000+ | 1.60 грн |
| 30000+ | 1.45 грн |
| 60000+ | 1.29 грн |
| 120000+ | 1.14 грн |
| 300000+ | 1.07 грн |
| YJL2302A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJL2302A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.14 грн |
| 15000+ | 1.90 грн |
| 30000+ | 1.83 грн |
| 60000+ | 1.57 грн |
| 120000+ | 1.43 грн |
| 300000+ | 1.36 грн |
| YJL2312A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.77 грн |
| 15000+ | 2.51 грн |
| 30000+ | 2.36 грн |
| 60000+ | 2.07 грн |
| 120000+ | 1.86 грн |
| 300000+ | 1.79 грн |
| YJL2312AL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.56 грн |
| 15000+ | 3.20 грн |
| 30000+ | 3.05 грн |
| 60000+ | 2.65 грн |
| 120000+ | 2.36 грн |
| 300000+ | 2.22 грн |
| YJL2312AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.06 грн |
| 15000+ | 4.57 грн |
| 30000+ | 4.34 грн |
| 60000+ | 3.79 грн |
| 120000+ | 3.43 грн |
| 300000+ | 3.15 грн |
| YJL3400B |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJL3401AL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.96 грн |
| 15000+ | 3.58 грн |
| 30000+ | 3.43 грн |
| 60000+ | 3.00 грн |
| 120000+ | 2.72 грн |
| 300000+ | 2.50 грн |
| YJL3401AL |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 9.28 грн |
| 115+ | 3.83 грн |
| YJL3401AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.06 грн |
| 15000+ | 4.57 грн |
| 30000+ | 4.34 грн |
| 60000+ | 3.79 грн |
| 120000+ | 3.43 грн |
| 300000+ | 3.15 грн |
| YJL3404AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.22 грн |
| 15000+ | 4.80 грн |
| 30000+ | 4.49 грн |
| 60000+ | 3.93 грн |
| 120000+ | 3.57 грн |
| 300000+ | 3.29 грн |
| YJL3407A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 33.18 грн |
| 28+ | 15.41 грн |
| 55+ | 7.70 грн |
| 100+ | 5.39 грн |
| 250+ | 4.32 грн |
| 500+ | 3.85 грн |
| 1000+ | 3.23 грн |
| YJL3407AL |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 6.38 грн |
| 120+ | 3.73 грн |
| 500+ | 3.32 грн |
| YJM04N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 7.46 грн |
| YJM05N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 8.93 грн |
| 12500+ | 8.16 грн |
| 25000+ | 7.64 грн |
| 50000+ | 6.76 грн |
| 100000+ | 6.07 грн |
| 250000+ | 5.59 грн |
| YJQ13N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.60 грн |
| 15000+ | 6.00 грн |
| 30000+ | 5.64 грн |
| 60000+ | 4.96 грн |
| 120000+ | 4.49 грн |
| 300000+ | 4.16 грн |
| YJQ2012A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.30 грн |
| 15000+ | 4.80 грн |
| 30000+ | 4.49 грн |
| 60000+ | 4.00 грн |
| 120000+ | 3.57 грн |
| 300000+ | 3.29 грн |
| YJQ20N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 10.21 грн |
| 25000+ | 9.29 грн |
| 50000+ | 8.76 грн |
| 100000+ | 7.72 грн |
| 200000+ | 6.94 грн |
| 500000+ | 6.43 грн |
| YJQ20P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 11.20 грн |
| 25000+ | 10.15 грн |
| 50000+ | 9.58 грн |
| 100000+ | 8.38 грн |
| 200000+ | 7.58 грн |
| 500000+ | 7.04 грн |
| YJQ2301A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.58 грн |
| 15000+ | 5.95 грн |
| 30000+ | 5.64 грн |
| 60000+ | 4.93 грн |
| 120000+ | 4.50 грн |
| 300000+ | 4.13 грн |
| YJQ35N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.04 грн |
| 25000+ | 12.79 грн |
| 50000+ | 12.05 грн |
| 100000+ | 10.55 грн |
| 200000+ | 9.52 грн |
| 500000+ | 8.83 грн |
| YJQ4606A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 9.17 грн |
| 25000+ | 8.33 грн |
| 50000+ | 7.83 грн |
| 100000+ | 6.87 грн |
| 200000+ | 6.20 грн |
| 500000+ | 5.73 грн |
| YJQ50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 13.69 грн |
| 25000+ | 12.42 грн |
| 50000+ | 11.73 грн |
| 100000+ | 10.30 грн |
| 200000+ | 9.29 грн |
| 500000+ | 8.58 грн |
| YJQ50P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 26.90 грн |
| 25000+ | 24.46 грн |
| 50000+ | 23.01 грн |
| 100000+ | 20.23 грн |
| 200000+ | 18.23 грн |
| 500000+ | 16.87 грн |
| YJQ60N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 21.84 грн |
| 25000+ | 19.88 грн |
| 50000+ | 18.67 грн |
| 100000+ | 16.44 грн |
| 200000+ | 14.80 грн |
| 500000+ | 13.73 грн |
| YJQD12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJQD25N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.04 грн |
| 25000+ | 12.79 грн |
| 50000+ | 12.05 грн |
| 100000+ | 10.55 грн |
| 200000+ | 9.52 грн |
| 500000+ | 8.83 грн |
| YJR20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4950+ | 11.31 грн |
| 24750+ | 10.29 грн |
| 49500+ | 9.68 грн |
| 99000+ | 8.51 грн |
| 198000+ | 7.72 грн |
| 495000+ | 7.15 грн |
| YJS03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.28 грн |
| 15000+ | 6.63 грн |
| 30000+ | 6.25 грн |
| 60000+ | 5.51 грн |
| 120000+ | 4.93 грн |
| 300000+ | 4.58 грн |
| YJS03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJS05N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 11.68 грн |
| 20000+ | 10.65 грн |
| 40000+ | 9.99 грн |
| 80000+ | 8.83 грн |
| 160000+ | 7.93 грн |
| 400000+ | 7.38 грн |
| YJS12G06D |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.20 грн |
| 20000+ | 19.28 грн |
| 40000+ | 18.13 грн |
| 80000+ | 15.94 грн |
| 160000+ | 14.37 грн |
| 400000+ | 13.30 грн |
| YJS12G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 19.38 грн |
| 20000+ | 17.68 грн |
| 40000+ | 16.61 грн |
| 80000+ | 14.59 грн |
| 160000+ | 13.16 грн |
| 400000+ | 12.15 грн |
| YJS12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 7.75 грн |
| 20000+ | 7.01 грн |
| 40000+ | 6.63 грн |
| 80000+ | 5.79 грн |
| 160000+ | 5.22 грн |
| 400000+ | 4.86 грн |
| YJS12N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJS18N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 8.75 грн |
| YJS2301A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.30 грн |
| 15000+ | 4.80 грн |
| 30000+ | 4.49 грн |
| 60000+ | 4.00 грн |
| 120000+ | 3.57 грн |
| 300000+ | 3.29 грн |
| YJS2301A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 5.42 грн |
| 100+ | 4.54 грн |
| 500+ | 4.03 грн |
| YJS3404A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.65 грн |
| 20000+ | 6.02 грн |
| 40000+ | 5.64 грн |
| 80000+ | 5.00 грн |
| 160000+ | 4.50 грн |
| 400000+ | 4.15 грн |
| YJS4407J |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 11.95 грн |
| 20000+ | 10.82 грн |
| 40000+ | 10.21 грн |
| 80000+ | 8.94 грн |
| 160000+ | 8.08 грн |
| 400000+ | 7.51 грн |
| YJS4409A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 22.39 грн |
| 20000+ | 20.32 грн |
| 40000+ | 19.16 грн |
| 80000+ | 16.82 грн |
| 160000+ | 15.16 грн |
| 400000+ | 14.07 грн |
| YJS4435A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 7.48 грн |
| 20000+ | 6.76 грн |
| 40000+ | 6.39 грн |
| 80000+ | 5.59 грн |
| 160000+ | 5.03 грн |
| 400000+ | 4.69 грн |















.jpg)




