Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (2886) > Сторінка 49 з 49
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
YJS8205B | Yangjie Technology | Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS9435A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJSD12N03A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7235 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJSD12N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ZMM55C3V3 | Yangjie Technology |
Стабілітрон SMD, Uz, В = 3,3, Точн., % = 5, Тексп, °C = до 175,... Діоди Корпус: SOD-80 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| YJS8205B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.75 грн |
| 15000+ | 4.30 грн |
| 30000+ | 4.02 грн |
| 60000+ | 3.58 грн |
| 120000+ | 3.20 грн |
| 300000+ | 2.94 грн |
| YJS9435A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.12 грн |
| 20000+ | 5.60 грн |
| 40000+ | 5.30 грн |
| 80000+ | 4.62 грн |
| 160000+ | 4.20 грн |
| 400000+ | 3.85 грн |
| YJS9435A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| YJSD12N03A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 18.13 грн |
| 35+ | 12.27 грн |
| 100+ | 10.86 грн |
| 500+ | 9.62 грн |
| YJSD12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 11.66 грн |
| 20000+ | 10.58 грн |
| 40000+ | 10.00 грн |
| 80000+ | 8.78 грн |
| 160000+ | 7.90 грн |
| 400000+ | 7.29 грн |
| ZMM55C3V3 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Стабілітрон SMD, Uz, В = 3,3, Точн., % = 5, Тексп, °C = до 175,... Діоди Корпус: SOD-80 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Стабілітрон SMD, Uz, В = 3,3, Точн., % = 5, Тексп, °C = до 175,... Діоди Корпус: SOD-80 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.96 грн |
| 5000+ | 0.91 грн |







