Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3031) > Сторінка 49 з 51
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UF5408 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
UG2DA | Yangjie Technology |
Description: SMA 200V 2.0A Diodes RectifierPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UG2DBF | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Rectifiers - Single SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMD22N | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMD3N | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMH3N | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMX1N | Yangjie Technology |
Description: SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMZ1N | Yangjie Technology |
Description: SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS2006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT Electrical mounting: SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. forward impulse current: 75A Load current: 2A Max. off-state voltage: 0.6kV Case: YBS Kind of package: reel; tape |
на замовлення 947 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS2008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT Electrical mounting: SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. forward impulse current: 75A Load current: 2A Max. off-state voltage: 0.8kV Case: YBS Kind of package: reel; tape |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
YBS2008 | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS2206 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS2208 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS2210 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2067 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS3006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Max. forward impulse current: 110A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS3008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Max. forward impulse current: 110A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 638 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS3010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT Case: YBS Kind of package: reel; tape Load current: 3A Max. off-state voltage: 1kV Max. forward impulse current: 110A Electrical mounting: SMT Type of bridge rectifier: single-phase |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YBSM4001 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.1kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4002 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 427 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM4006 | Yangjie Technology | Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM60005 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 50V Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2071 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6006 | Yangjie Technology |
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6010 | Yangjie Technology |
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes BridgePart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJ2N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N65CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N65CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N70CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N60CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N80CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 49W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJA3134KA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJB150N06BQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YJD112005PYG4 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ir: 5uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 40A Leakage current: 5µA Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
YJD112010DG1 | Yangjie Technology |
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD120N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD15N10A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD180N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD20N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9360 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD20N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FEPart Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD40N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD50N03A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
YJD50N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD60N02A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD60N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJD60N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD80N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD80N03B | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJD90N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG100N04A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG105N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG150N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG15GP10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJG20N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| UF5408 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UG2DA |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SMA 200V 2.0A Diodes Rectifier
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SMA 200V 2.0A Diodes Rectifier
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 6.51 грн |
| 25000+ | 5.89 грн |
| 50000+ | 5.59 грн |
| 100000+ | 4.89 грн |
| 200000+ | 4.39 грн |
| 500000+ | 4.11 грн |
| UG2DBF |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Rectifiers - Single SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Diodes - Rectifiers - Single SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 8.31 грн |
| 25000+ | 7.55 грн |
| 50000+ | 7.09 грн |
| 100000+ | 6.23 грн |
| 200000+ | 5.60 грн |
| 500000+ | 5.24 грн |
| UMD22N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.15 грн |
| 15000+ | 1.93 грн |
| 30000+ | 1.86 грн |
| 60000+ | 1.62 грн |
| 120000+ | 1.49 грн |
| 300000+ | 1.36 грн |
| UMD3N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.35 грн |
| 15000+ | 2.11 грн |
| 30000+ | 2.04 грн |
| 60000+ | 1.77 грн |
| 120000+ | 1.63 грн |
| 300000+ | 1.49 грн |
| UMH3N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.35 грн |
| 15000+ | 2.11 грн |
| 30000+ | 2.04 грн |
| 60000+ | 1.77 грн |
| 120000+ | 1.63 грн |
| 300000+ | 1.49 грн |
| UMX1N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.27 грн |
| 15000+ | 2.04 грн |
| 30000+ | 1.89 грн |
| 60000+ | 1.70 грн |
| 120000+ | 1.56 грн |
| 300000+ | 1.42 грн |
| UMZ1N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Description: SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.27 грн |
| 15000+ | 2.04 грн |
| 30000+ | 1.89 грн |
| 60000+ | 1.70 грн |
| 120000+ | 1.56 грн |
| 300000+ | 1.42 грн |
| YBS2006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 75A
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: YBS
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 75A
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: YBS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 947 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 7.41 грн |
| 110+ | 3.86 грн |
| 125+ | 3.35 грн |
| 300+ | 3.01 грн |
| YBS2008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 75A
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Case: YBS
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 75A
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Case: YBS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| YBS2008 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.78 грн |
| 15000+ | 8.00 грн |
| 30000+ | 7.47 грн |
| 60000+ | 6.59 грн |
| 120000+ | 5.95 грн |
| 300000+ | 5.53 грн |
| YBS2206 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.75 грн |
| 80+ | 5.37 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| YBS2208 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.75 грн |
| 80+ | 5.37 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| YBS2210 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.93 грн |
| 80+ | 5.37 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| YBS3006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 13.91 грн |
| 55+ | 7.63 грн |
| 100+ | 6.79 грн |
| 300+ | 6.04 грн |
| YBS3008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.75 грн |
| 80+ | 5.45 грн |
| 100+ | 4.86 грн |
| YBS3010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Case: YBS
Kind of package: reel; tape
Load current: 3A
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward impulse current: 110A
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Case: YBS
Kind of package: reel; tape
Load current: 3A
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward impulse current: 110A
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| YBSM4001 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 16.89 грн |
| 46+ | 9.23 грн |
| 100+ | 8.13 грн |
| YBSM4002 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 16.89 грн |
| 46+ | 9.23 грн |
| 100+ | 8.13 грн |
| YBSM4006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 30.98 грн |
| 25+ | 17.78 грн |
| 100+ | 15.68 грн |
| YBSM4006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 14.62 грн |
| 9000+ | 13.30 грн |
| 18000+ | 12.52 грн |
| 36000+ | 11.01 грн |
| 72000+ | 9.88 грн |
| 180000+ | 9.14 грн |
| YBSM60005 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 22.85 грн |
| 28+ | 15.52 грн |
| 100+ | 13.67 грн |
| 500+ | 12.33 грн |
| 1800+ | 12.08 грн |
| YBSM6006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 25.65 грн |
| 25+ | 17.86 грн |
| 100+ | 15.77 грн |
| 500+ | 14.17 грн |
| YBSM6006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 19.13 грн |
| 9000+ | 17.36 грн |
| 18000+ | 16.38 грн |
| 36000+ | 14.38 грн |
| 72000+ | 12.96 грн |
| 180000+ | 11.97 грн |
| YBSM6008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 18.70 грн |
| 26+ | 16.19 грн |
| 100+ | 14.26 грн |
| 500+ | 12.83 грн |
| YBSM6010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 64.12 грн |
| 15+ | 29.77 грн |
| 25+ | 17.86 грн |
| 100+ | 16.10 грн |
| 500+ | 14.17 грн |
| YBSM6010 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 17.89 грн |
| 9000+ | 16.24 грн |
| 18000+ | 15.32 грн |
| 36000+ | 13.45 грн |
| 72000+ | 12.13 грн |
| 180000+ | 11.20 грн |
| YJ2N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N65CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N65CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N70CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N60CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N80CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJA3134KA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.88 грн |
| 50000+ | 1.74 грн |
| 100000+ | 1.59 грн |
| 200000+ | 1.42 грн |
| 400000+ | 1.28 грн |
| 1000000+ | 1.20 грн |
| YJB150N06BQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 52.05 грн |
| 4000+ | 47.32 грн |
| 8000+ | 44.53 грн |
| 16000+ | 39.17 грн |
| 32000+ | 35.28 грн |
| 80000+ | 32.65 грн |
| YJD112005PYG4 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJD112010DG1 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 416.21 грн |
| 12500+ | 378.52 грн |
| 25000+ | 356.26 грн |
| 50000+ | 313.44 грн |
| 100000+ | 282.06 грн |
| 250000+ | 261.16 грн |
| YJD120N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.65 грн |
| 12500+ | 24.23 грн |
| 25000+ | 22.79 грн |
| 50000+ | 20.05 грн |
| 100000+ | 18.06 грн |
| 250000+ | 16.72 грн |
| YJD15N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.89 грн |
| 12500+ | 13.51 грн |
| 25000+ | 12.68 грн |
| 50000+ | 11.19 грн |
| 100000+ | 10.06 грн |
| 250000+ | 9.35 грн |
| YJD15N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 13.46 грн |
| YJD180N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.65 грн |
| 12500+ | 24.23 грн |
| 25000+ | 22.79 грн |
| 50000+ | 20.05 грн |
| 100000+ | 18.06 грн |
| 250000+ | 16.72 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 20.86 грн |
| 30+ | 16.27 грн |
| 100+ | 14.68 грн |
| 500+ | 12.92 грн |
| 2500+ | 11.66 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.66 грн |
| 12500+ | 13.36 грн |
| 25000+ | 12.53 грн |
| 50000+ | 11.05 грн |
| 100000+ | 9.92 грн |
| 250000+ | 9.21 грн |
| YJD40N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 10.96 грн |
| 12500+ | 9.97 грн |
| 25000+ | 9.39 грн |
| 50000+ | 8.27 грн |
| 100000+ | 7.45 грн |
| 250000+ | 6.90 грн |
| YJD50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.42 грн |
| 12500+ | 13.13 грн |
| 25000+ | 12.38 грн |
| 50000+ | 10.84 грн |
| 100000+ | 9.78 грн |
| 250000+ | 9.07 грн |
| YJD50N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJD50N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.28 грн |
| 12500+ | 17.51 грн |
| 25000+ | 16.53 грн |
| 50000+ | 14.52 грн |
| 100000+ | 13.10 грн |
| 250000+ | 12.11 грн |
| YJD60N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.09 грн |
| 12500+ | 11.93 грн |
| 25000+ | 11.25 грн |
| 50000+ | 9.85 грн |
| 100000+ | 8.85 грн |
| 250000+ | 8.22 грн |
| YJD60N04A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJD60N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.58 грн |
| 12500+ | 13.28 грн |
| 25000+ | 12.53 грн |
| 50000+ | 10.98 грн |
| 100000+ | 9.92 грн |
| 250000+ | 9.14 грн |
| YJD80N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.34 грн |
| 12500+ | 16.68 грн |
| 25000+ | 15.70 грн |
| 50000+ | 13.81 грн |
| 100000+ | 12.47 грн |
| 250000+ | 11.55 грн |
| YJD80N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.09 грн |
| 12500+ | 11.93 грн |
| 25000+ | 11.25 грн |
| 50000+ | 9.85 грн |
| 100000+ | 8.85 грн |
| 250000+ | 8.22 грн |
| YJD90N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.55 грн |
| 12500+ | 23.25 грн |
| 25000+ | 21.89 грн |
| 50000+ | 19.27 грн |
| 100000+ | 17.35 грн |
| 250000+ | 16.08 грн |
| YJG100N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 22.26 грн |
| 25000+ | 20.30 грн |
| 50000+ | 19.10 грн |
| 100000+ | 16.79 грн |
| 200000+ | 15.09 грн |
| 500000+ | 13.95 грн |
| YJG105N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 18.45 грн |
| 25000+ | 16.78 грн |
| 50000+ | 15.79 грн |
| 100000+ | 13.88 грн |
| 200000+ | 12.49 грн |
| 500000+ | 11.56 грн |
| YJG150N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 23.04 грн |
| 25000+ | 20.98 грн |
| 50000+ | 19.78 грн |
| 100000+ | 17.35 грн |
| 200000+ | 15.65 грн |
| 500000+ | 14.45 грн |
| YJG15GP10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 21.40 грн |
| 25000+ | 19.47 грн |
| 50000+ | 18.34 грн |
| 100000+ | 16.15 грн |
| 200000+ | 14.52 грн |
| 500000+ | 13.46 грн |
| YJG20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 11.13 грн |
| 25000+ | 10.11 грн |
| 50000+ | 9.51 грн |
| 100000+ | 8.43 грн |
| 200000+ | 7.58 грн |
| 500000+ | 7.01 грн |






-Limited/MFG_4024_SOT-363.jpg)
























