Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (2678) > Сторінка 44 з 45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
YJ7N60CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
YJ7N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
YJ7N80CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 49W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
YJA3134KA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJB150N06BQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD112010DG1 | Yangjie Technology |
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD120N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7575 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD15N10A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD180N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD20N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FEPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD20N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 12140 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD40N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD50N03A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
YJD50N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD60N02A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD60N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD80N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD80N03B | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD90N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG100N04A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG105N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG150N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG15GP10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG20N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG30N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A TransistorsPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG40G10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG40G10AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG40N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG40P03A | Yangjie Technology | Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG50N03B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJGD20G10A | Yangjie Technology | Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N06B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Power dissipation: 4W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 16nC Pulsed drain current: 12A |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N10A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH10N02A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJJ09N03A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 30V 9A TransistorsPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL02N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 5.3nC Pulsed drain current: 8A |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL03N04A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL03N06AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL03N06B | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FETPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL05N04AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL05N06AL | Yangjie Technology | Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301CQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301D | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -15V Drain current: -3A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301D | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301G | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301N | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2302A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors FPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2312A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2312A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC On-state resistance: 39mΩ Power dissipation: 1.2W Drain current: 5.4A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 27A |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2312AL | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2312AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| YJL3400B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
YJL3401AL | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL3401AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL3404AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJM04N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 16nC Pulsed drain current: 16A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| YJ7N60CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N80CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJA3134KA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.88 грн |
| 50000+ | 1.74 грн |
| 100000+ | 1.59 грн |
| 200000+ | 1.42 грн |
| 400000+ | 1.28 грн |
| 1000000+ | 1.21 грн |
| YJB150N06BQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 52.08 грн |
| 4000+ | 47.36 грн |
| 8000+ | 44.56 грн |
| 16000+ | 39.20 грн |
| 32000+ | 35.30 грн |
| 80000+ | 32.68 грн |
| YJD112010DG1 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 416.51 грн |
| 12500+ | 378.80 грн |
| 25000+ | 356.52 грн |
| 50000+ | 313.67 грн |
| 100000+ | 282.27 грн |
| 250000+ | 261.36 грн |
| YJD120N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.67 грн |
| 12500+ | 24.25 грн |
| 25000+ | 22.81 грн |
| 50000+ | 20.06 грн |
| 100000+ | 18.08 грн |
| 250000+ | 16.73 грн |
| YJD15N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 11.75 грн |
| 100+ | 9.90 грн |
| 500+ | 8.81 грн |
| 2500+ | 8.39 грн |
| YJD15N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.90 грн |
| 12500+ | 13.52 грн |
| 25000+ | 12.69 грн |
| 50000+ | 11.20 грн |
| 100000+ | 10.07 грн |
| 250000+ | 9.36 грн |
| YJD180N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.67 грн |
| 12500+ | 24.25 грн |
| 25000+ | 22.81 грн |
| 50000+ | 20.06 грн |
| 100000+ | 18.08 грн |
| 250000+ | 16.73 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.67 грн |
| 12500+ | 13.37 грн |
| 25000+ | 12.54 грн |
| 50000+ | 11.06 грн |
| 100000+ | 9.92 грн |
| 250000+ | 9.22 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 18.08 грн |
| 30+ | 14.10 грн |
| 100+ | 12.67 грн |
| 500+ | 11.16 грн |
| 2500+ | 10.16 грн |
| 10000+ | 9.48 грн |
| YJD40N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 10.97 грн |
| 12500+ | 9.98 грн |
| 25000+ | 9.40 грн |
| 50000+ | 8.27 грн |
| 100000+ | 7.45 грн |
| 250000+ | 6.90 грн |
| YJD50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.43 грн |
| 12500+ | 13.14 грн |
| 25000+ | 12.39 грн |
| 50000+ | 10.85 грн |
| 100000+ | 9.78 грн |
| 250000+ | 9.07 грн |
| YJD50N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJD50N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.30 грн |
| 12500+ | 17.52 грн |
| 25000+ | 16.54 грн |
| 50000+ | 14.53 грн |
| 100000+ | 13.11 грн |
| 250000+ | 12.12 грн |
| YJD60N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.10 грн |
| 12500+ | 11.93 грн |
| 25000+ | 11.25 грн |
| 50000+ | 9.85 грн |
| 100000+ | 8.86 грн |
| 250000+ | 8.22 грн |
| YJD60N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.59 грн |
| 12500+ | 13.29 грн |
| 25000+ | 12.54 грн |
| 50000+ | 10.99 грн |
| 100000+ | 9.92 грн |
| 250000+ | 9.14 грн |
| YJD80N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.35 грн |
| 12500+ | 16.69 грн |
| 25000+ | 15.71 грн |
| 50000+ | 13.82 грн |
| 100000+ | 12.48 грн |
| 250000+ | 11.55 грн |
| YJD80N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.10 грн |
| 12500+ | 11.93 грн |
| 25000+ | 11.25 грн |
| 50000+ | 9.85 грн |
| 100000+ | 8.86 грн |
| 250000+ | 8.22 грн |
| YJD90N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.57 грн |
| 12500+ | 23.26 грн |
| 25000+ | 21.90 грн |
| 50000+ | 19.28 грн |
| 100000+ | 17.37 грн |
| 250000+ | 16.09 грн |
| YJG100N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 22.28 грн |
| 25000+ | 20.32 грн |
| 50000+ | 19.11 грн |
| 100000+ | 16.80 грн |
| 200000+ | 15.10 грн |
| 500000+ | 13.96 грн |
| YJG105N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 18.47 грн |
| 25000+ | 16.79 грн |
| 50000+ | 15.80 грн |
| 100000+ | 13.89 грн |
| 200000+ | 12.50 грн |
| 500000+ | 11.57 грн |
| YJG150N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 23.06 грн |
| 25000+ | 21.00 грн |
| 50000+ | 19.79 грн |
| 100000+ | 17.37 грн |
| 200000+ | 15.67 грн |
| 500000+ | 14.46 грн |
| YJG15GP10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 21.41 грн |
| 25000+ | 19.49 грн |
| 50000+ | 18.35 грн |
| 100000+ | 16.16 грн |
| 200000+ | 14.53 грн |
| 500000+ | 13.47 грн |
| YJG20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 11.14 грн |
| 25000+ | 10.12 грн |
| 50000+ | 9.52 грн |
| 100000+ | 8.44 грн |
| 200000+ | 7.58 грн |
| 500000+ | 7.02 грн |
| YJG30N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 14.43 грн |
| 25000+ | 13.14 грн |
| 50000+ | 12.39 грн |
| 100000+ | 10.85 грн |
| 200000+ | 9.78 грн |
| 500000+ | 9.07 грн |
| YJG40G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 19.92 грн |
| 25000+ | 18.13 грн |
| 50000+ | 17.07 грн |
| 100000+ | 15.03 грн |
| 200000+ | 13.47 грн |
| 500000+ | 12.48 грн |
| YJG40G10AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 39.38 грн |
| 25000+ | 35.80 грн |
| 50000+ | 33.69 грн |
| 100000+ | 29.63 грн |
| 200000+ | 26.65 грн |
| 500000+ | 24.67 грн |
| YJG40N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 11.61 грн |
| 25000+ | 10.57 грн |
| 50000+ | 9.89 грн |
| 100000+ | 8.72 грн |
| 200000+ | 7.87 грн |
| 500000+ | 7.30 грн |
| YJG40P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 13.84 грн |
| 25000+ | 12.64 грн |
| 50000+ | 11.88 грн |
| 100000+ | 10.43 грн |
| 200000+ | 9.40 грн |
| 500000+ | 8.68 грн |
| YJG50N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 13.10 грн |
| 25000+ | 11.93 грн |
| 50000+ | 11.25 грн |
| 100000+ | 9.85 грн |
| 200000+ | 8.86 грн |
| 500000+ | 8.22 грн |
| YJGD20G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 37.52 грн |
| 25000+ | 34.17 грн |
| 50000+ | 32.13 грн |
| 100000+ | 28.24 грн |
| 200000+ | 25.43 грн |
| 500000+ | 23.59 грн |
| YJH03N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 4.11 грн |
| 5000+ | 3.74 грн |
| 10000+ | 3.53 грн |
| 20000+ | 3.12 грн |
| 40000+ | 2.79 грн |
| 100000+ | 2.59 грн |
| YJH03N06B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 4.11 грн |
| 5000+ | 3.74 грн |
| 10000+ | 3.53 грн |
| 20000+ | 3.12 грн |
| 40000+ | 2.79 грн |
| 100000+ | 2.59 грн |
| YJH03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 12A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 12A
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.67 грн |
| 100+ | 6.29 грн |
| 500+ | 5.71 грн |
| 3000+ | 5.04 грн |
| YJH03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 6.98 грн |
| 5000+ | 6.34 грн |
| 10000+ | 5.97 грн |
| 20000+ | 5.25 грн |
| 40000+ | 4.75 грн |
| 100000+ | 4.39 грн |
| YJH10N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 6.98 грн |
| 5000+ | 6.34 грн |
| 10000+ | 5.97 грн |
| 20000+ | 5.25 грн |
| 40000+ | 4.75 грн |
| 100000+ | 4.39 грн |
| YJJ09N03A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.82 грн |
| 15000+ | 6.19 грн |
| 30000+ | 5.82 грн |
| 60000+ | 5.10 грн |
| 120000+ | 4.61 грн |
| 300000+ | 4.25 грн |
| YJL02N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 90+ | 5.42 грн |
| 150+ | 2.84 грн |
| 500+ | 2.52 грн |
| YJL03N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.35 грн |
| 15000+ | 2.11 грн |
| 30000+ | 1.96 грн |
| 60000+ | 1.77 грн |
| 120000+ | 1.56 грн |
| 300000+ | 1.49 грн |
| YJL03N06AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.02 грн |
| 15000+ | 4.53 грн |
| 30000+ | 4.31 грн |
| 60000+ | 3.76 грн |
| 120000+ | 3.40 грн |
| 300000+ | 3.12 грн |
| YJL03N06B |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.64 грн |
| 15000+ | 2.40 грн |
| 30000+ | 2.26 грн |
| 60000+ | 1.99 грн |
| 120000+ | 1.79 грн |
| 300000+ | 1.66 грн |
| YJL05N04AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.78 грн |
| 15000+ | 3.50 грн |
| 30000+ | 3.28 грн |
| 60000+ | 2.87 грн |
| 120000+ | 2.60 грн |
| 300000+ | 2.39 грн |
| YJL05N06AL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.90 грн |
| 15000+ | 5.39 грн |
| 30000+ | 5.03 грн |
| 60000+ | 4.44 грн |
| 120000+ | 4.03 грн |
| 300000+ | 3.69 грн |
| YJL2301CQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.55 грн |
| 15000+ | 4.15 грн |
| 30000+ | 3.93 грн |
| 60000+ | 3.47 грн |
| 120000+ | 3.12 грн |
| 300000+ | 2.91 грн |
| YJL2301D |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 160+ | 2.89 грн |
| 180+ | 2.44 грн |
| 500+ | 2.17 грн |
| YJL2301D |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.59 грн |
| 15000+ | 2.42 грн |
| 30000+ | 2.27 грн |
| 60000+ | 1.98 грн |
| 120000+ | 1.77 грн |
| 300000+ | 1.63 грн |
| 600000+ | 1.32 грн |
| YJL2301G |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.88 грн |
| 15000+ | 1.74 грн |
| 30000+ | 1.59 грн |
| 60000+ | 1.42 грн |
| 120000+ | 1.28 грн |
| 300000+ | 1.21 грн |
| YJL2301N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.73 грн |
| 15000+ | 1.59 грн |
| 30000+ | 1.44 грн |
| 60000+ | 1.28 грн |
| 120000+ | 1.13 грн |
| 300000+ | 1.06 грн |
| YJL2302A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.12 грн |
| 15000+ | 1.89 грн |
| 30000+ | 1.81 грн |
| 60000+ | 1.56 грн |
| 120000+ | 1.42 грн |
| 300000+ | 1.35 грн |
| YJL2312A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.75 грн |
| 15000+ | 2.49 грн |
| 30000+ | 2.34 грн |
| 60000+ | 2.06 грн |
| 120000+ | 1.84 грн |
| 300000+ | 1.77 грн |
| YJL2312A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 5.4A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 5.4A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27A
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 140+ | 3.43 грн |
| 150+ | 2.86 грн |
| 500+ | 2.53 грн |
| YJL2312AL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.53 грн |
| 15000+ | 3.17 грн |
| 30000+ | 3.02 грн |
| 60000+ | 2.62 грн |
| 120000+ | 2.34 грн |
| 300000+ | 2.20 грн |
| YJL2312AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.02 грн |
| 15000+ | 4.53 грн |
| 30000+ | 4.31 грн |
| 60000+ | 3.76 грн |
| 120000+ | 3.40 грн |
| 300000+ | 3.12 грн |
| YJL3400B |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJL3401AL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.92 грн |
| 15000+ | 3.55 грн |
| 30000+ | 3.40 грн |
| 60000+ | 2.98 грн |
| 120000+ | 2.69 грн |
| 300000+ | 2.48 грн |
| YJL3401AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.02 грн |
| 15000+ | 4.53 грн |
| 30000+ | 4.31 грн |
| 60000+ | 3.76 грн |
| 120000+ | 3.40 грн |
| 300000+ | 3.12 грн |
| YJL3404AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.18 грн |
| 15000+ | 4.76 грн |
| 30000+ | 4.46 грн |
| 60000+ | 3.90 грн |
| 120000+ | 3.54 грн |
| 300000+ | 3.26 грн |
| YJM04N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 16A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 16A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

















