Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3301) > Сторінка 53 з 56
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UF5402 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5402 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5403 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 300V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5403 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 300V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5404 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5404 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5406 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5406 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5407 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5407 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 455 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5408 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UF5408 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UG2DA | Yangjie Technology |
Description: SMA 200V 2.0A Diodes RectifierPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UG2DBF | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Rectifiers - Single SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMD22N | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMD3N | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMH3N | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMX1N | Yangjie Technology |
Description: SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UMZ1N | Yangjie Technology |
Description: SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YBS2006 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBS2006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 947 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
YBS2008 | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YBS2008 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBS2008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBS2010 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBS2010-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 2677 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
YBS2206 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS2206 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2846 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YBS2208 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBS2208-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 2956 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBS2210 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBS2210-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 2072 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBS3006 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBS3006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBS3008 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBS3008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 686 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBS3010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
YBS3010-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 731 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM40005 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM40005-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 298 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM4001 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM4001-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM4002 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM4002-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM4004 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM4004-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
YBSM4006 | Yangjie Technology | Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YBSM4006 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM4006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 427 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM4008 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM4008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 2192 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM4010 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM4010-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM60005 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM60005-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM6001 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM6001-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 243 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM6002 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM6002-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM6004 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM6004-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 2374 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
YBSM6006 | Yangjie Technology |
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YBSM6006 | YANGJIE TECHNOLOGY | YBSM6006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 1751 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YBSM6008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
YBSM6008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
YBSM6010 | Yangjie Technology |
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes BridgePackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBSM6010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJ2N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ2N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ2N65CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ2N65CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N65CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ4N65CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N60CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJ7N80CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 49W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJA3134KA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJB150N06BQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| UF5402 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 16.90 грн |
| 70+ | 6.18 грн |
| 100+ | 5.42 грн |
| 250+ | 4.86 грн |
| UF5402 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 20.28 грн |
| 45+ | 7.70 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 250+ | 5.84 грн |
| 1250+ | 5.72 грн |
| UF5403 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 14.76 грн |
| 80+ | 5.38 грн |
| 100+ | 4.76 грн |
| 250+ | 4.28 грн |
| UF5403 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 17.72 грн |
| 50+ | 6.71 грн |
| 100+ | 5.71 грн |
| 250+ | 5.13 грн |
| 1250+ | 5.07 грн |
| UF5404 | ![]() |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 13.52 грн |
| 90+ | 4.86 грн |
| 100+ | 4.29 грн |
| 250+ | 3.93 грн |
| UF5404 | ![]() |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.22 грн |
| 55+ | 6.05 грн |
| 100+ | 5.15 грн |
| 250+ | 4.72 грн |
| UF5406 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 14.23 грн |
| 85+ | 5.15 грн |
| 100+ | 4.56 грн |
| UF5406 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 17.08 грн |
| 50+ | 6.42 грн |
| 100+ | 5.47 грн |
| 250+ | 4.93 грн |
| 1250+ | 4.88 грн |
| UF5407 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 13.52 грн |
| 85+ | 4.92 грн |
| 100+ | 4.36 грн |
| 250+ | 3.91 грн |
| UF5407 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.22 грн |
| 55+ | 6.13 грн |
| 100+ | 5.23 грн |
| 250+ | 4.70 грн |
| 1250+ | 4.66 грн |
| UF5408 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 11.56 грн |
| 90+ | 4.72 грн |
| 100+ | 4.15 грн |
| 250+ | 3.73 грн |
| UF5408 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.87 грн |
| 55+ | 5.89 грн |
| 100+ | 4.98 грн |
| 250+ | 4.48 грн |
| 1250+ | 4.47 грн |
| UG2DA |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SMA 200V 2.0A Diodes Rectifier
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SMA 200V 2.0A Diodes Rectifier
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 7.12 грн |
| 25000+ | 6.44 грн |
| 50000+ | 6.11 грн |
| 100000+ | 5.35 грн |
| 200000+ | 4.81 грн |
| 500000+ | 4.50 грн |
| UG2DBF |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Rectifiers - Single SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Diodes - Rectifiers - Single SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 9.09 грн |
| 25000+ | 8.26 грн |
| 50000+ | 7.76 грн |
| 100000+ | 6.82 грн |
| 200000+ | 6.12 грн |
| 500000+ | 5.74 грн |
| UMD22N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.35 грн |
| 15000+ | 2.11 грн |
| 30000+ | 2.04 грн |
| 60000+ | 1.77 грн |
| 120000+ | 1.63 грн |
| 300000+ | 1.49 грн |
| UMD3N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.57 грн |
| 15000+ | 2.31 грн |
| 30000+ | 2.23 грн |
| 60000+ | 1.94 грн |
| 120000+ | 1.78 грн |
| 300000+ | 1.63 грн |
| UMH3N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.57 грн |
| 15000+ | 2.31 грн |
| 30000+ | 2.23 грн |
| 60000+ | 1.94 грн |
| 120000+ | 1.78 грн |
| 300000+ | 1.63 грн |
| UMX1N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.49 грн |
| 15000+ | 2.23 грн |
| 30000+ | 2.06 грн |
| 60000+ | 1.86 грн |
| 120000+ | 1.71 грн |
| 300000+ | 1.55 грн |
| UMZ1N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.49 грн |
| 15000+ | 2.23 грн |
| 30000+ | 2.06 грн |
| 60000+ | 1.86 грн |
| 120000+ | 1.71 грн |
| 300000+ | 1.55 грн |
| YBS2006 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBS2006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBS2006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 947 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.70 грн |
| 310+ | 3.82 грн |
| 850+ | 3.61 грн |
| 3000+ | 3.60 грн |
| YBS2008 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.61 грн |
| 15000+ | 8.75 грн |
| 30000+ | 8.18 грн |
| 60000+ | 7.21 грн |
| 120000+ | 6.51 грн |
| 300000+ | 6.05 грн |
| YBS2008 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBS2008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBS2008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.14 грн |
| 200+ | 5.93 грн |
| 550+ | 5.60 грн |
| 3000+ | 5.59 грн |
| YBS2010 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBS2010-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBS2010-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.58 грн |
| 200+ | 5.93 грн |
| 545+ | 5.60 грн |
| 3000+ | 5.59 грн |
| YBS2206 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 10.50 грн |
| 75+ | 5.62 грн |
| 100+ | 4.96 грн |
| 300+ | 4.62 грн |
| YBS2206 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 12.59 грн |
| 45+ | 7.00 грн |
| 100+ | 5.95 грн |
| 300+ | 5.55 грн |
| YBS2208 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBS2208-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBS2208-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.53 грн |
| 190+ | 6.24 грн |
| 520+ | 5.85 грн |
| YBS2210 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBS2210-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBS2210-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.53 грн |
| 190+ | 6.24 грн |
| 520+ | 5.85 грн |
| YBS3006 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBS3006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBS3006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.33 грн |
| 165+ | 7.23 грн |
| 450+ | 6.84 грн |
| YBS3008 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBS3008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBS3008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 686 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.53 грн |
| 190+ | 6.34 грн |
| 510+ | 5.95 грн |
| YBS3010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBS3010-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBS3010-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 731 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.78 грн |
| 160+ | 7.53 грн |
| 435+ | 7.14 грн |
| YBSM40005 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM40005-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM40005-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.64 грн |
| 106+ | 11.10 грн |
| 290+ | 10.51 грн |
| YBSM4001 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM4001-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM4001-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.53 грн |
| 110+ | 10.70 грн |
| 302+ | 10.11 грн |
| 1800+ | 10.09 грн |
| YBSM4002 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM4002-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM4002-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.53 грн |
| 110+ | 10.70 грн |
| 302+ | 10.11 грн |
| 1800+ | 10.09 грн |
| YBSM4004 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM4004-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM4004-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.64 грн |
| 106+ | 11.10 грн |
| 290+ | 10.51 грн |
| YBSM4006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 16.00 грн |
| 9000+ | 14.55 грн |
| 18000+ | 13.70 грн |
| 36000+ | 12.05 грн |
| 72000+ | 10.81 грн |
| 180000+ | 10.01 грн |
| YBSM4006 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM4006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM4006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.07 грн |
| 78+ | 15.26 грн |
| 212+ | 14.37 грн |
| YBSM4008 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM4008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM4008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.20 грн |
| 103+ | 11.40 грн |
| 284+ | 10.80 грн |
| YBSM4010 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM4010-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM4010-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.43 грн |
| 80+ | 14.77 грн |
| 218+ | 13.97 грн |
| YBSM60005 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM60005-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM60005-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.70 грн |
| 75+ | 15.86 грн |
| 205+ | 14.96 грн |
| YBSM6001 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM6001-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM6001-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 243 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.32 грн |
| 87+ | 13.58 грн |
| 239+ | 12.78 грн |
| YBSM6002 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM6002-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM6002-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.32 грн |
| 91+ | 12.98 грн |
| 249+ | 12.29 грн |
| 1800+ | 12.25 грн |
| YBSM6004 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM6004-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM6004-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.32 грн |
| 91+ | 12.98 грн |
| 249+ | 12.29 грн |
| 1800+ | 12.25 грн |
| YBSM6006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 20.93 грн |
| 9000+ | 19.00 грн |
| 18000+ | 17.92 грн |
| 36000+ | 15.73 грн |
| 72000+ | 14.18 грн |
| 180000+ | 13.10 грн |
| YBSM6006 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM6006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM6006-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 78+ | 15.26 грн |
| 212+ | 14.37 грн |
| YBSM6008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YBSM6008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
YBSM6008-YAN SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.77 грн |
| 73+ | 16.15 грн |
| 200+ | 15.36 грн |
| 1800+ | 15.33 грн |
| YBSM6010 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 19.57 грн |
| 9000+ | 17.77 грн |
| 18000+ | 16.76 грн |
| 36000+ | 14.72 грн |
| 72000+ | 13.27 грн |
| 180000+ | 12.25 грн |
| YBSM6010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 52.48 грн |
| 17+ | 24.61 грн |
| 29+ | 14.70 грн |
| 100+ | 13.21 грн |
| 500+ | 12.22 грн |
| YBSM6010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.97 грн |
| 11+ | 30.67 грн |
| 25+ | 17.64 грн |
| 100+ | 15.86 грн |
| 500+ | 14.67 грн |
| YJ2N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ2N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ2N65CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ2N65CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N65CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ4N65CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N60CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N80CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJA3134KA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.06 грн |
| 50000+ | 1.90 грн |
| 100000+ | 1.73 грн |
| 200000+ | 1.55 грн |
| 400000+ | 1.40 грн |
| 1000000+ | 1.32 грн |
| YJB150N06BQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 56.95 грн |
| 4000+ | 51.78 грн |
| 8000+ | 48.73 грн |
| 16000+ | 42.86 грн |
| 32000+ | 38.60 грн |
| 80000+ | 35.73 грн |







-Limited/MFG_4024_SOT-363.jpg)








