Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3031) > Сторінка 50 з 51

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 46 47 48 49 50 51  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJG30N06A YJG30N06A Yangjie Technology YJG30N06A.pdf Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.42 грн
25000+13.13 грн
50000+12.38 грн
100000+10.84 грн
200000+9.78 грн
500000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG40G10A YJG40G10A Yangjie Technology Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.91 грн
25000+18.11 грн
50000+17.06 грн
100000+15.02 грн
200000+13.46 грн
500000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG40G10AQ YJG40G10AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.35 грн
25000+35.78 грн
50000+33.66 грн
100000+29.61 грн
200000+26.63 грн
500000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG40N03A YJG40N03A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.60 грн
25000+10.57 грн
50000+9.89 грн
100000+8.71 грн
200000+7.86 грн
500000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG40P03A YJG40P03A Yangjie Technology Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.83 грн
25000+12.63 грн
50000+11.87 грн
100000+10.42 грн
200000+9.39 грн
500000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03B YJG50N03B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.09 грн
25000+11.93 грн
50000+11.25 грн
100000+9.85 грн
200000+8.85 грн
500000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJGD20G10A YJGD20G10A Yangjie Technology Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.50 грн
25000+34.14 грн
50000+32.10 грн
100000+28.22 грн
200000+25.41 грн
500000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N06A YJH03N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+4.11 грн
5000+3.74 грн
10000+3.53 грн
20000+3.11 грн
40000+2.78 грн
100000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N06B YJH03N06B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+4.11 грн
5000+3.74 грн
10000+3.53 грн
20000+3.11 грн
40000+2.78 грн
100000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N10A YJH03N10A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.98 грн
5000+6.34 грн
10000+5.96 грн
20000+5.24 грн
40000+4.75 грн
100000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N10A YJH03N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJH03N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+11.20 грн
100+7.30 грн
500+6.54 грн
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
YJH10N02A YJH10N02A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.98 грн
5000+6.34 грн
10000+5.96 грн
20000+5.24 грн
40000+4.75 грн
100000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A Yangjie Technology YJJ09N03A.pdf Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
15000+6.19 грн
30000+5.81 грн
60000+5.10 грн
120000+4.60 грн
300000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03G10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04A YJL03N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.35 грн
15000+2.11 грн
30000+1.96 грн
60000+1.77 грн
120000+1.56 грн
300000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQ YJL03N06AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.02 грн
15000+4.53 грн
30000+4.30 грн
60000+3.75 грн
120000+3.40 грн
300000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B Yangjie Technology YJL03N06B.pdf Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.64 грн
15000+2.40 грн
30000+2.26 грн
60000+1.99 грн
120000+1.79 грн
300000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQ YJL05N04AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.78 грн
15000+3.49 грн
30000+3.28 грн
60000+2.87 грн
120000+2.60 грн
300000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06AL YJL05N06AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.90 грн
15000+5.39 грн
30000+5.02 грн
60000+4.44 грн
120000+4.03 грн
300000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300A YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2300A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C YJL2301C YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
110+4.47 грн
160+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQ YJL2301CQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
15000+4.15 грн
30000+3.92 грн
60000+3.47 грн
120000+3.12 грн
300000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
140+3.31 грн
160+2.77 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
15000+2.42 грн
30000+2.26 грн
60000+1.98 грн
120000+1.77 грн
300000+1.63 грн
600000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
120+4.19 грн
200+2.11 грн
500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G YJL2301G YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G YJL2301G Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.88 грн
15000+1.74 грн
30000+1.59 грн
60000+1.42 грн
120000+1.28 грн
300000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301N YJL2301N Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
15000+1.59 грн
30000+1.43 грн
60000+1.28 грн
120000+1.13 грн
300000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2302A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A Yangjie Technology YJL2302A.pdf Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.12 грн
15000+1.89 грн
30000+1.81 грн
60000+1.56 грн
120000+1.42 грн
300000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2304A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
110+4.16 грн
150+2.92 грн
500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2312A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
120+3.87 грн
130+3.24 грн
500+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
15000+2.49 грн
30000+2.34 грн
60000+2.05 грн
120000+1.84 грн
300000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL YJL2312AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
15000+3.17 грн
30000+3.02 грн
60000+2.62 грн
120000+2.34 грн
300000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ YJL2312AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.02 грн
15000+4.53 грн
30000+4.30 грн
60000+3.75 грн
120000+3.40 грн
300000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B YANGJIE TECHNOLOGY YJL3400B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
120+4.03 грн
140+3.37 грн
500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401AL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.06 грн
115+3.74 грн
500+3.33 грн
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.92 грн
15000+3.55 грн
30000+3.40 грн
60000+2.98 грн
120000+2.69 грн
300000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ YJL3401AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.02 грн
15000+4.53 грн
30000+4.30 грн
60000+3.75 грн
120000+3.40 грн
300000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ YJL3404AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.17 грн
15000+4.76 грн
30000+4.45 грн
60000+3.90 грн
120000+3.54 грн
300000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404B YANGJIE TECHNOLOGY YJL3404B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3407A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.38 грн
28+15.04 грн
56+7.51 грн
100+5.26 грн
250+4.21 грн
500+3.76 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY YJL3407AL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
90+5.15 грн
140+3.01 грн
500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YJM04N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJM04N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.59 грн
100+6.71 грн
500+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YJM04N10A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A YJM05N06A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.85 грн
12500+8.08 грн
25000+7.57 грн
50000+6.70 грн
100000+6.01 грн
250000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A YJQ13N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
15000+5.95 грн
30000+5.59 грн
60000+4.92 грн
120000+4.45 грн
300000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A YJQ2012A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
15000+4.76 грн
30000+4.45 грн
60000+3.97 грн
120000+3.54 грн
300000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A YJQ20N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.11 грн
25000+9.21 грн
50000+8.68 грн
100000+7.65 грн
200000+6.87 грн
500000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A YJQ20P03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.10 грн
25000+10.05 грн
50000+9.49 грн
100000+8.30 грн
200000+7.51 грн
500000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A YJQ2301A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
15000+5.89 грн
30000+5.59 грн
60000+4.89 грн
120000+4.45 грн
300000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY YJQ3400A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.21 грн
100+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A YANGJIE TECHNOLOGY YJQ35N04A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+16.53 грн
35+13.92 грн
100+12.33 грн
500+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.91 грн
25000+12.67 грн
50000+11.94 грн
100000+10.45 грн
200000+9.43 грн
500000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4606A YJQ4606A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.08 грн
25000+8.25 грн
50000+7.75 грн
100000+6.81 грн
200000+6.14 грн
500000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4666B YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY YJQ4666B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.97 грн
120+3.56 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50N03A YJQ50N03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.56 грн
25000+12.30 грн
50000+11.62 грн
100000+10.20 грн
200000+9.21 грн
500000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG30N06A YJG30N06A.pdf
YJG30N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.42 грн
25000+13.13 грн
50000+12.38 грн
100000+10.84 грн
200000+9.78 грн
500000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG40G10A
YJG40G10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.91 грн
25000+18.11 грн
50000+17.06 грн
100000+15.02 грн
200000+13.46 грн
500000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG40G10AQ
YJG40G10AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.35 грн
25000+35.78 грн
50000+33.66 грн
100000+29.61 грн
200000+26.63 грн
500000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG40N03A
YJG40N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.60 грн
25000+10.57 грн
50000+9.89 грн
100000+8.71 грн
200000+7.86 грн
500000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG40P03A
YJG40P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.83 грн
25000+12.63 грн
50000+11.87 грн
100000+10.42 грн
200000+9.39 грн
500000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03B
YJG50N03B
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.09 грн
25000+11.93 грн
50000+11.25 грн
100000+9.85 грн
200000+8.85 грн
500000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJGD20G10A
YJGD20G10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.50 грн
25000+34.14 грн
50000+32.10 грн
100000+28.22 грн
200000+25.41 грн
500000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N06A
YJH03N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+4.11 грн
5000+3.74 грн
10000+3.53 грн
20000+3.11 грн
40000+2.78 грн
100000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N06B
YJH03N06B
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+4.11 грн
5000+3.74 грн
10000+3.53 грн
20000+3.11 грн
40000+2.78 грн
100000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N10A
YJH03N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+6.98 грн
5000+6.34 грн
10000+5.96 грн
20000+5.24 грн
40000+4.75 грн
100000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N10A YJH03N10A.pdf
YJH03N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+11.20 грн
100+7.30 грн
500+6.54 грн
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
YJH10N02A
YJH10N02A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+6.98 грн
5000+6.34 грн
10000+5.96 грн
20000+5.24 грн
40000+4.75 грн
100000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A.pdf
YJJ09N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.82 грн
15000+6.19 грн
30000+5.81 грн
60000+5.10 грн
120000+4.60 грн
300000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A YJL03G10A.pdf
YJL03G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04A
YJL03N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.35 грн
15000+2.11 грн
30000+1.96 грн
60000+1.77 грн
120000+1.56 грн
300000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQ
YJL03N06AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.02 грн
15000+4.53 грн
30000+4.30 грн
60000+3.75 грн
120000+3.40 грн
300000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B.pdf
YJL03N06B
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.64 грн
15000+2.40 грн
30000+2.26 грн
60000+1.99 грн
120000+1.79 грн
300000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQ
YJL05N04AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.78 грн
15000+3.49 грн
30000+3.28 грн
60000+2.87 грн
120000+2.60 грн
300000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06AL
YJL05N06AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.90 грн
15000+5.39 грн
30000+5.02 грн
60000+4.44 грн
120000+4.03 грн
300000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300A YJL2300A.pdf
YJL2300A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C YJL2301C.pdf
YJL2301C
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
110+4.47 грн
160+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQ
YJL2301CQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.55 грн
15000+4.15 грн
30000+3.92 грн
60000+3.47 грн
120000+3.12 грн
300000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D.pdf
YJL2301D
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
140+3.31 грн
160+2.77 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D
YJL2301D
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.59 грн
15000+2.42 грн
30000+2.26 грн
60000+1.98 грн
120000+1.77 грн
300000+1.63 грн
600000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F YJL2301F.pdf
YJL2301F
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+4.19 грн
200+2.11 грн
500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G YJL2301G.pdf
YJL2301G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G
YJL2301G
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.88 грн
15000+1.74 грн
30000+1.59 грн
60000+1.42 грн
120000+1.28 грн
300000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301N
YJL2301N
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.72 грн
15000+1.59 грн
30000+1.43 грн
60000+1.28 грн
120000+1.13 грн
300000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.12 грн
15000+1.89 грн
30000+1.81 грн
60000+1.56 грн
120000+1.42 грн
300000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A YJL2304A.pdf
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A YJL2305A.pdf
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
110+4.16 грн
150+2.92 грн
500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B YJL2305B.pdf
YJL2305B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A.pdf
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.87 грн
130+3.24 грн
500+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A
YJL2312A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.74 грн
15000+2.49 грн
30000+2.34 грн
60000+2.05 грн
120000+1.84 грн
300000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL
YJL2312AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.53 грн
15000+3.17 грн
30000+3.02 грн
60000+2.62 грн
120000+2.34 грн
300000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ
YJL2312AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.02 грн
15000+4.53 грн
30000+4.30 грн
60000+3.75 грн
120000+3.40 грн
300000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B YJL3400B.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A.pdf
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+4.03 грн
140+3.37 грн
500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL.pdf
YJL3401AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.06 грн
115+3.74 грн
500+3.33 грн
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL
YJL3401AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.92 грн
15000+3.55 грн
30000+3.40 грн
60000+2.98 грн
120000+2.69 грн
300000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ
YJL3401AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.02 грн
15000+4.53 грн
30000+4.30 грн
60000+3.75 грн
120000+3.40 грн
300000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ
YJL3404AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.17 грн
15000+4.76 грн
30000+4.45 грн
60000+3.90 грн
120000+3.54 грн
300000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404B YJL3404B.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A YJL3407A.pdf
YJL3407A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.38 грн
28+15.04 грн
56+7.51 грн
100+5.26 грн
250+4.21 грн
500+3.76 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL YJL3407AL.pdf
YJL3407AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
90+5.15 грн
140+3.01 грн
500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YJM04N10A.pdf
YJM04N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
60+7.59 грн
100+6.71 грн
500+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A
YJM04N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A
YJM05N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.85 грн
12500+8.08 грн
25000+7.57 грн
50000+6.70 грн
100000+6.01 грн
250000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A
YJQ13N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.54 грн
15000+5.95 грн
30000+5.59 грн
60000+4.92 грн
120000+4.45 грн
300000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A
YJQ2012A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.25 грн
15000+4.76 грн
30000+4.45 грн
60000+3.97 грн
120000+3.54 грн
300000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A
YJQ20N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.11 грн
25000+9.21 грн
50000+8.68 грн
100000+7.65 грн
200000+6.87 грн
500000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A
YJQ20P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.10 грн
25000+10.05 грн
50000+9.49 грн
100000+8.30 грн
200000+7.51 грн
500000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A
YJQ2301A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.52 грн
15000+5.89 грн
30000+5.59 грн
60000+4.89 грн
120000+4.45 грн
300000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A YJQ3400A.pdf
YJQ3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.21 грн
100+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A.pdf
YJQ35N04A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+16.53 грн
35+13.92 грн
100+12.33 грн
500+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A
YJQ35N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.91 грн
25000+12.67 грн
50000+11.94 грн
100000+10.45 грн
200000+9.43 грн
500000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4606A
YJQ4606A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.08 грн
25000+8.25 грн
50000+7.75 грн
100000+6.81 грн
200000+6.14 грн
500000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4666B YJQ4666B.pdf
YJQ4666B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.97 грн
120+3.56 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50N03A
YJQ50N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.56 грн
25000+12.30 грн
50000+11.62 грн
100000+10.20 грн
200000+9.21 грн
500000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 46 47 48 49 50 51  [ Наступна Сторінка >> ]