Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3305) > Сторінка 54 з 56
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
YJ7N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
YJ7N80CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 49W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
YJA3134KA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJB150N06BQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD112010DG1 | Yangjie Technology |
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD120N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 16nC Pulsed drain current: 60A |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD15N10A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 16nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD180N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD20N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 12140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD20N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FEPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD20N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 12140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD40N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD50N03A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD50N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
YJD60N02A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD60N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| YJD80G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJD80G06A-YAN SMD N channel transistors |
на замовлення 220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
YJD80N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD80N03B | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJD90N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG100N04A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG105N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG150N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG15GP10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG20N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG30N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A TransistorsPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG40G10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG40G10AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG40N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG40P03A | Yangjie Technology | Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJG50N03B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| YJG80G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJG80G06A-YAN SMD N channel transistors |
на замовлення 435 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
YJGD20G10A | Yangjie Technology | Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N06B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Power dissipation: 4W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 16nC Pulsed drain current: 12A |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N10A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Power dissipation: 4W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 16nC Pulsed drain current: 12A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJH10N02A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJJ09N03A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 30V 9A TransistorsPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL02N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 5.3nC Pulsed drain current: 8A |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL02N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 5.3nC Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| YJL03G10A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJL03G10A-YAN SMD N channel transistors |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
YJL03N04A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| YJL03N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
YJL03N06A-YAN SMD N channel transistors |
на замовлення 4560 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
YJL03N06AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL03N06B | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FETPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL05N04AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL05N06AL | Yangjie Technology | Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301C | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301C | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301CQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301D | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -15V Drain current: -3A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301D | Yangjie Technology |
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301D | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -15V Drain current: -3A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301F | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
YJL2301F | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| YJ7N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJ7N80CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJA3134KA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.84 грн |
| 50000+ | 1.69 грн |
| 100000+ | 1.55 грн |
| 200000+ | 1.38 грн |
| 400000+ | 1.24 грн |
| 1000000+ | 1.17 грн |
| YJB150N06BQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 50.77 грн |
| 4000+ | 46.17 грн |
| 8000+ | 43.44 грн |
| 16000+ | 38.21 грн |
| 32000+ | 34.41 грн |
| 80000+ | 31.85 грн |
| YJD112010DG1 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 406.01 грн |
| 12500+ | 369.25 грн |
| 25000+ | 347.53 грн |
| 50000+ | 305.76 грн |
| 100000+ | 275.15 грн |
| 250000+ | 254.77 грн |
| YJD120N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.00 грн |
| 12500+ | 23.64 грн |
| 25000+ | 22.24 грн |
| 50000+ | 19.55 грн |
| 100000+ | 17.62 грн |
| 250000+ | 16.31 грн |
| YJD15N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 60A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 11.28 грн |
| 100+ | 9.57 грн |
| 500+ | 8.51 грн |
| 2500+ | 8.26 грн |
| YJD15N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.53 грн |
| 12500+ | 13.18 грн |
| 25000+ | 12.37 грн |
| 50000+ | 10.92 грн |
| 100000+ | 9.81 грн |
| 250000+ | 9.12 грн |
| YJD15N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.53 грн |
| 100+ | 11.93 грн |
| 500+ | 10.21 грн |
| 2500+ | 9.92 грн |
| YJD180N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.00 грн |
| 12500+ | 23.64 грн |
| 25000+ | 22.24 грн |
| 50000+ | 19.55 грн |
| 100000+ | 17.62 грн |
| 250000+ | 16.31 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 17.62 грн |
| 30+ | 13.74 грн |
| 100+ | 12.35 грн |
| 500+ | 10.88 грн |
| 2500+ | 9.90 грн |
| 10000+ | 9.24 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.30 грн |
| 12500+ | 13.03 грн |
| 25000+ | 12.22 грн |
| 50000+ | 10.78 грн |
| 100000+ | 9.67 грн |
| 250000+ | 8.98 грн |
| YJD20N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.14 грн |
| 25+ | 17.13 грн |
| 100+ | 14.82 грн |
| 500+ | 13.06 грн |
| 2500+ | 11.88 грн |
| 10000+ | 11.09 грн |
| YJD40N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 10.69 грн |
| 12500+ | 9.73 грн |
| 25000+ | 9.16 грн |
| 50000+ | 8.06 грн |
| 100000+ | 7.26 грн |
| 250000+ | 6.73 грн |
| YJD50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.07 грн |
| 12500+ | 12.81 грн |
| 25000+ | 12.08 грн |
| 50000+ | 10.57 грн |
| 100000+ | 9.54 грн |
| 250000+ | 8.84 грн |
| YJD50N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.81 грн |
| 12500+ | 17.08 грн |
| 25000+ | 16.12 грн |
| 50000+ | 14.17 грн |
| 100000+ | 12.78 грн |
| 250000+ | 11.82 грн |
| YJD50N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJD60N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.77 грн |
| 12500+ | 11.63 грн |
| 25000+ | 10.97 грн |
| 50000+ | 9.60 грн |
| 100000+ | 8.64 грн |
| 250000+ | 8.02 грн |
| YJD60N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.22 грн |
| 12500+ | 12.96 грн |
| 25000+ | 12.22 грн |
| 50000+ | 10.71 грн |
| 100000+ | 9.67 грн |
| 250000+ | 8.91 грн |
| YJD80G06A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJD80G06A-YAN SMD N channel transistors
YJD80G06A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.46 грн |
| 65+ | 17.87 грн |
| 177+ | 16.89 грн |
| YJD80N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.89 грн |
| 12500+ | 16.27 грн |
| 25000+ | 15.31 грн |
| 50000+ | 13.47 грн |
| 100000+ | 12.16 грн |
| 250000+ | 11.26 грн |
| YJD80N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.77 грн |
| 12500+ | 11.63 грн |
| 25000+ | 10.97 грн |
| 50000+ | 9.60 грн |
| 100000+ | 8.64 грн |
| 250000+ | 8.02 грн |
| YJD90N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.93 грн |
| 12500+ | 22.68 грн |
| 25000+ | 21.35 грн |
| 50000+ | 18.79 грн |
| 100000+ | 16.93 грн |
| 250000+ | 15.69 грн |
| YJG100N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 21.71 грн |
| 25000+ | 19.81 грн |
| 50000+ | 18.63 грн |
| 100000+ | 16.38 грн |
| 200000+ | 14.72 грн |
| 500000+ | 13.61 грн |
| YJG105N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 18.00 грн |
| 25000+ | 16.37 грн |
| 50000+ | 15.40 грн |
| 100000+ | 13.54 грн |
| 200000+ | 12.18 грн |
| 500000+ | 11.28 грн |
| YJG150N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 22.48 грн |
| 25000+ | 20.47 грн |
| 50000+ | 19.29 грн |
| 100000+ | 16.93 грн |
| 200000+ | 15.27 грн |
| 500000+ | 14.10 грн |
| YJG15GP10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 20.87 грн |
| 25000+ | 19.00 грн |
| 50000+ | 17.89 грн |
| 100000+ | 15.75 грн |
| 200000+ | 14.17 грн |
| 500000+ | 13.13 грн |
| YJG20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 10.86 грн |
| 25000+ | 9.87 грн |
| 50000+ | 9.28 грн |
| 100000+ | 8.22 грн |
| 200000+ | 7.39 грн |
| 500000+ | 6.84 грн |
| YJG30N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 14.07 грн |
| 25000+ | 12.81 грн |
| 50000+ | 12.08 грн |
| 100000+ | 10.57 грн |
| 200000+ | 9.54 грн |
| 500000+ | 8.84 грн |
| YJG40G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 19.42 грн |
| 25000+ | 17.67 грн |
| 50000+ | 16.64 грн |
| 100000+ | 14.65 грн |
| 200000+ | 13.13 грн |
| 500000+ | 12.16 грн |
| YJG40G10AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 38.38 грн |
| 25000+ | 34.90 грн |
| 50000+ | 32.84 грн |
| 100000+ | 28.88 грн |
| 200000+ | 25.98 грн |
| 500000+ | 24.05 грн |
| YJG40N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 11.32 грн |
| 25000+ | 10.31 грн |
| 50000+ | 9.65 грн |
| 100000+ | 8.50 грн |
| 200000+ | 7.67 грн |
| 500000+ | 7.12 грн |
| YJG40P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 13.49 грн |
| 25000+ | 12.32 грн |
| 50000+ | 11.58 грн |
| 100000+ | 10.17 грн |
| 200000+ | 9.16 грн |
| 500000+ | 8.46 грн |
| YJG50N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 12.77 грн |
| 25000+ | 11.63 грн |
| 50000+ | 10.97 грн |
| 100000+ | 9.60 грн |
| 200000+ | 8.64 грн |
| 500000+ | 8.02 грн |
| YJG80G06A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A-YAN SMD N channel transistors
YJG80G06A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 435 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.27 грн |
| 39+ | 29.94 грн |
| 106+ | 28.27 грн |
| YJGD20G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 36.58 грн |
| 25000+ | 33.31 грн |
| 50000+ | 31.32 грн |
| 100000+ | 27.52 грн |
| 200000+ | 24.79 грн |
| 500000+ | 22.99 грн |
| YJH03N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 4.01 грн |
| 5000+ | 3.65 грн |
| 10000+ | 3.44 грн |
| 20000+ | 3.04 грн |
| 40000+ | 2.71 грн |
| 100000+ | 2.52 грн |
| YJH03N06B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 4.01 грн |
| 5000+ | 3.65 грн |
| 10000+ | 3.44 грн |
| 20000+ | 3.04 грн |
| 40000+ | 2.71 грн |
| 100000+ | 2.52 грн |
| YJH03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 12A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 12A
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.43 грн |
| 100+ | 6.14 грн |
| 500+ | 5.56 грн |
| 3000+ | 4.91 грн |
| YJH03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 6.81 грн |
| 5000+ | 6.18 грн |
| 10000+ | 5.82 грн |
| 20000+ | 5.11 грн |
| 40000+ | 4.63 грн |
| 100000+ | 4.28 грн |
| YJH03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 12A
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 12A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 11.31 грн |
| 100+ | 7.65 грн |
| 500+ | 6.68 грн |
| 3000+ | 5.89 грн |
| 10000+ | 5.30 грн |
| YJH10N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 6.81 грн |
| 5000+ | 6.18 грн |
| 10000+ | 5.82 грн |
| 20000+ | 5.11 грн |
| 40000+ | 4.63 грн |
| 100000+ | 4.28 грн |
| YJJ09N03A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.65 грн |
| 15000+ | 6.04 грн |
| 30000+ | 5.67 грн |
| 60000+ | 4.98 грн |
| 120000+ | 4.49 грн |
| 300000+ | 4.15 грн |
| YJL02N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 90+ | 5.29 грн |
| 150+ | 2.77 грн |
| 500+ | 2.45 грн |
| YJL02N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.34 грн |
| 100+ | 3.45 грн |
| 500+ | 2.95 грн |
| 3000+ | 2.63 грн |
| YJL03G10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJL03G10A-YAN SMD N channel transistors
YJL03G10A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 7.05 грн |
| 258+ | 4.45 грн |
| 709+ | 4.21 грн |
| YJL03N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.29 грн |
| 15000+ | 2.06 грн |
| 30000+ | 1.91 грн |
| 60000+ | 1.73 грн |
| 120000+ | 1.52 грн |
| 300000+ | 1.45 грн |
| YJL03N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJL03N06A-YAN SMD N channel transistors
YJL03N06A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.63 грн |
| 420+ | 2.75 грн |
| 1150+ | 2.60 грн |
| YJL03N06AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.89 грн |
| 15000+ | 4.42 грн |
| 30000+ | 4.20 грн |
| 60000+ | 3.66 грн |
| 120000+ | 3.32 грн |
| 300000+ | 3.04 грн |
| YJL03N06B |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.57 грн |
| 15000+ | 2.34 грн |
| 30000+ | 2.20 грн |
| 60000+ | 1.94 грн |
| 120000+ | 1.75 грн |
| 300000+ | 1.62 грн |
| YJL05N04AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.69 грн |
| 15000+ | 3.41 грн |
| 30000+ | 3.20 грн |
| 60000+ | 2.80 грн |
| 120000+ | 2.53 грн |
| 300000+ | 2.33 грн |
| YJL05N06AL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.75 грн |
| 15000+ | 5.25 грн |
| 30000+ | 4.90 грн |
| 60000+ | 4.33 грн |
| 120000+ | 3.93 грн |
| 300000+ | 3.60 грн |
| YJL2301C |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 110+ | 4.36 грн |
| 160+ | 2.56 грн |
| 500+ | 2.28 грн |
| 3000+ | 2.04 грн |
| YJL2301C |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 5.23 грн |
| 100+ | 3.19 грн |
| 500+ | 2.74 грн |
| 3000+ | 2.44 грн |
| YJL2301CQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.43 грн |
| 15000+ | 4.05 грн |
| 30000+ | 3.83 грн |
| 60000+ | 3.39 грн |
| 120000+ | 3.04 грн |
| 300000+ | 2.83 грн |
| YJL2301D |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 160+ | 2.82 грн |
| 180+ | 2.36 грн |
| 500+ | 2.09 грн |
| YJL2301D |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.52 грн |
| 15000+ | 2.36 грн |
| 30000+ | 2.21 грн |
| 60000+ | 1.93 грн |
| 120000+ | 1.73 грн |
| 300000+ | 1.59 грн |
| 600000+ | 1.29 грн |
| YJL2301D |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 3.38 грн |
| 120+ | 2.95 грн |
| 500+ | 2.51 грн |
| 3000+ | 2.25 грн |
| 12000+ | 2.21 грн |
| YJL2301F |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 140+ | 3.57 грн |
| 240+ | 1.80 грн |
| 500+ | 1.60 грн |
| YJL2301F |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 4.28 грн |
| 140+ | 2.24 грн |
| 500+ | 1.91 грн |
| 3000+ | 1.71 грн |















