Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74628) > Сторінка 1179 з 1244
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXLD1362ET5TA | DIODES INCORPORATED |
Category: LED driversDescription: Driver; DC/DC converter,LED driver; 1A; TSOT23-5; SMD; 625kHz Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver Output current: 1A Case: TSOT23-5 Mounting: SMD Frequency: 625kHz Topology: buck Number of channels: 1 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: linear dimming; PWM Operating voltage: 6...60V DC Efficiency: 95% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXLD1370EST16TC | DIODES INCORPORATED |
Category: LED driversDescription: Driver; DC/DC converter,LED driver; TSSOP16; SMD; Ch: 1; -40÷125°C Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver Case: TSSOP16 Mounting: SMD Topology: boost; buck; buck-boost Number of channels: 1 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: linear dimming; PWM Operating voltage: 6...60V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXM61N02FTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXM61N03FTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.1A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXM61P02FTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -700mA Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2089 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXM61P03FTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.9A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXM62P03E6TA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Power dissipation: 0.625W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMC3A17DN8TA | DIODES INCORPORATED |
ZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMC3AMCTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMC3AMCTA Multi channel transistors |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMC3F31DN8TA | DIODES INCORPORATED |
ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors |
на замовлення 444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXMC4559DN8TA | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 3.6/-2.6A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMHC10A07N8TC | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 0.9/-0.7A Power dissipation: 0.87W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9/1.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2058 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMHC6A07T8TA | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 1.4/-1.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMN10A07FTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN10A07F SMD N channel transistors |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMN10A07FTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN10A07FTA SMD N channel transistors |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMN10A07ZTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN10A07ZTA SMD N channel transistors |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMN10A11GTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN10A11GTA SMD N channel transistors |
на замовлення 303 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMN10A25GTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN10A25GTA SMD N channel transistors |
на замовлення 971 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXMN10B08E6TA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN2A01FTA SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXMN2B01FTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 11.8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 11.8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMN2F30FHTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors |
на замовлення 2898 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXMN2F34FHTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.9A; 0.95W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.9A Power dissipation: 0.95W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 738 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMN3A01FTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN3A01FTA SMD N channel transistors |
на замовлення 4665 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMN3A14FQTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN3A14FQTA SMD N channel transistors |
на замовлення 2748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMN3F30FHTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN3F30FHTA SMD N channel transistors |
на замовлення 745 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMN4A06GTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN4A06GTA SMD N channel transistors |
на замовлення 484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMN6A07FTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN6A07FTA SMD N channel transistors |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXMN6A07ZTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.1A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 672 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN6A09GTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT223 Polarisation: unipolar On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 6.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 662 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMN6A11DN8TA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN6A11DN8TA Multi channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMN7A11GTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMN7A11GTA SMD N channel transistors |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXMP10A13FQTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.7A Pulsed drain current: -3.1A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMP10A13FTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMP10A13FTA SMD P channel transistors |
на замовлення 5693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXMP10A17E6TA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMP10A17GQTA SMD P channel transistors |
на замовлення 990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMP10A18GTA SMD P channel transistors |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMP3A13FTA SMD P channel transistors |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMP3A16GTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMP3A16GTA SMD P channel transistors |
на замовлення 496 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMP3A17E6TA | DIODES INCORPORATED |
ZXMP3A17E6TA SMD P channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXMP6A13FQTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.9A; Idm: -4A; 0.806W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -900mA Power dissipation: 0.806W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -4A Gate charge: 2.9nC Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1878 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A13GTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.595Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -7.8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 131 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A16KTC | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.75A; 4.24W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.75A Power dissipation: 4.24W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6QTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.6A; 1.92W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 1.92W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -13.6A Gate charge: 17.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17E6TA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17GQTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.5A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.5A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A17GTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -13.7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMP6A18KTC | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10.4A; 4.3W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -10.4A Power dissipation: 4.3W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMP7A17GTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMP7A17GTA SMD P channel transistors |
на замовлення 362 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMS6004DGTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMS6004DGTA Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMS6004DN8-13 | DIODES INCORPORATED |
ZXMS6004DN8-13 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXMS6004FFQTA | DIODES INCORPORATED |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT23F Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 1.3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT23F On-state resistance: 0.5Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: 0...5.5V DC Control voltage: 60V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMS6004FFTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMS6004FFTA Power switches - integrated circuits |
на замовлення 4263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXMS6005DGTA | DIODES INCORPORATED |
ZXMS6005DGTA SMD N channel transistors |
на замовлення 1264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ZXRE4041CFTA | DIODES INCORPORATED |
ZXRE4041CFTA Reference voltage sources - circuits |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ZXTC2045E6TA | DIODES INCORPORATED |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 30V; 1.5A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.7W Case: SOT26 Pulsed collector current: 5A Current gain: 180...500 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 195MHz; 265MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTC2063E6TA | DIODES INCORPORATED |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3.5/3A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3.5/3A Power dissipation: 1.7W Case: SOT26 Current gain: 20...900 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTD4591E6TA | DIODES INCORPORATED |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1A; 1.1W Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTD718MCTA | DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 3.5A; 2.45W; DFN3020B-8 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 3.5A Power dissipation: 2.45W Case: DFN3020B-8 Pulsed collector current: 6A Current gain: 15...475 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 150...180MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2676 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXTD720MCTA | DIODES INCORPORATED |
ZXTD720MCTA PNP SMD transistors |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| ZXLD1362ET5TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: Driver; DC/DC converter,LED driver; 1A; TSOT23-5; SMD; 625kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver
Output current: 1A
Case: TSOT23-5
Mounting: SMD
Frequency: 625kHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 6...60V DC
Efficiency: 95%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: Driver; DC/DC converter,LED driver; 1A; TSOT23-5; SMD; 625kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver
Output current: 1A
Case: TSOT23-5
Mounting: SMD
Frequency: 625kHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 6...60V DC
Efficiency: 95%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.37 грн |
| 10+ | 157.21 грн |
| 25+ | 144.59 грн |
| ZXLD1370EST16TC |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: Driver; DC/DC converter,LED driver; TSSOP16; SMD; Ch: 1; -40÷125°C
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver
Case: TSSOP16
Mounting: SMD
Topology: boost; buck; buck-boost
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 6...60V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: Driver; DC/DC converter,LED driver; TSSOP16; SMD; Ch: 1; -40÷125°C
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver
Case: TSSOP16
Mounting: SMD
Topology: boost; buck; buck-boost
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 6...60V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.04 грн |
| 10+ | 126.15 грн |
| 25+ | 121.30 грн |
| 100+ | 116.45 грн |
| 250+ | 110.63 грн |
| ZXM61N02FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.98 грн |
| 11+ | 28.92 грн |
| 100+ | 17.47 грн |
| 150+ | 16.21 грн |
| 500+ | 13.49 грн |
| 750+ | 12.81 грн |
| 1000+ | 12.42 грн |
| ZXM61N03FTA | ![]() |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 27+ | 11.49 грн |
| 100+ | 9.90 грн |
| 500+ | 9.80 грн |
| ZXM61P02FTA | ![]() |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.13 грн |
| 17+ | 17.94 грн |
| 75+ | 13.39 грн |
| ZXM61P03FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.22 грн |
| 16+ | 18.95 грн |
| 100+ | 13.49 грн |
| 500+ | 10.97 грн |
| 750+ | 10.29 грн |
| 1000+ | 10.00 грн |
| 1500+ | 9.51 грн |
| ZXM62P03E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.79 грн |
| 10+ | 53.91 грн |
| 100+ | 37.65 грн |
| 500+ | 29.69 грн |
| 1000+ | 26.98 грн |
| 3000+ | 26.78 грн |
| ZXMC3A17DN8TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors
ZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.10 грн |
| 23+ | 51.24 грн |
| 62+ | 48.52 грн |
| 1000+ | 48.37 грн |
| ZXMC3AMCTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMC3AMCTA Multi channel transistors
ZXMC3AMCTA Multi channel transistors
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.04 грн |
| 31+ | 37.94 грн |
| 84+ | 35.81 грн |
| ZXMC3F31DN8TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors
ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors
на замовлення 444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.95 грн |
| 39+ | 29.40 грн |
| 108+ | 27.75 грн |
| ZXMC4559DN8TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.81 грн |
| 10+ | 87.77 грн |
| 25+ | 69.97 грн |
| 100+ | 53.47 грн |
| 250+ | 45.90 грн |
| 500+ | 41.44 грн |
| 1000+ | 37.85 грн |
| ZXMHC10A07N8TC |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.88 грн |
| 10+ | 72.46 грн |
| 50+ | 59.00 грн |
| 100+ | 54.25 грн |
| 500+ | 52.01 грн |
| ZXMHC6A07T8TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.11 грн |
| 10+ | 117.91 грн |
| 50+ | 89.28 грн |
| 100+ | 88.31 грн |
| ZXMN10A07FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN10A07F SMD N channel transistors
ZXMN10A07F SMD N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.38 грн |
| 76+ | 15.25 грн |
| 207+ | 14.42 грн |
| ZXMN10A07FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN10A07FTA SMD N channel transistors
ZXMN10A07FTA SMD N channel transistors
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.97 грн |
| 75+ | 15.33 грн |
| 206+ | 14.56 грн |
| ZXMN10A07ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN10A07ZTA SMD N channel transistors
ZXMN10A07ZTA SMD N channel transistors
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.51 грн |
| 54+ | 21.45 грн |
| 147+ | 20.28 грн |
| ZXMN10A11GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN10A11GTA SMD N channel transistors
ZXMN10A11GTA SMD N channel transistors
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.28 грн |
| 39+ | 29.40 грн |
| 108+ | 27.75 грн |
| ZXMN10A25GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN10A25GTA SMD N channel transistors
ZXMN10A25GTA SMD N channel transistors
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.27 грн |
| 20+ | 59.20 грн |
| 50+ | 57.44 грн |
| 53+ | 56.28 грн |
| ZXMN10B08E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.42 грн |
| 10+ | 55.63 грн |
| 25+ | 44.54 грн |
| 50+ | 38.62 грн |
| 100+ | 33.77 грн |
| 500+ | 26.69 грн |
| ZXMN2A01FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN2A01FTA SMD N channel transistors
ZXMN2A01FTA SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.24 грн |
| 132+ | 8.64 грн |
| 363+ | 8.25 грн |
| ZXMN2B01FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 11.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 11.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.94 грн |
| 12+ | 26.81 грн |
| 100+ | 16.89 грн |
| 200+ | 15.04 грн |
| 500+ | 14.65 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors
ZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.79 грн |
| 94+ | 12.23 грн |
| 257+ | 11.64 грн |
| ZXMN2F34FHTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.9A; 0.95W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 0.95W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.9A; 0.95W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 0.95W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.13 грн |
| 17+ | 18.54 грн |
| 19+ | 15.43 грн |
| 50+ | 12.23 грн |
| ZXMN3A01FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN3A01FTA SMD N channel transistors
ZXMN3A01FTA SMD N channel transistors
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.64 грн |
| 71+ | 16.21 грн |
| 195+ | 15.33 грн |
| 3000+ | 15.22 грн |
| ZXMN3A14FQTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN3A14FQTA SMD N channel transistors
ZXMN3A14FQTA SMD N channel transistors
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.45 грн |
| 39+ | 29.79 грн |
| 106+ | 28.14 грн |
| 3000+ | 28.12 грн |
| ZXMN3F30FHTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN3F30FHTA SMD N channel transistors
ZXMN3F30FHTA SMD N channel transistors
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.68 грн |
| 81+ | 14.27 грн |
| 221+ | 13.49 грн |
| ZXMN4A06GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN4A06GTA SMD N channel transistors
ZXMN4A06GTA SMD N channel transistors
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.72 грн |
| 21+ | 56.58 грн |
| 56+ | 53.47 грн |
| 100+ | 53.41 грн |
| ZXMN6A07FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN6A07FTA SMD N channel transistors
ZXMN6A07FTA SMD N channel transistors
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.64 грн |
| 108+ | 10.67 грн |
| 295+ | 10.09 грн |
| ZXMN6A07ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.1A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.1A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.34 грн |
| 10+ | 38.80 грн |
| 50+ | 29.21 грн |
| 100+ | 26.30 грн |
| 500+ | 23.87 грн |
| ZXMN6A09GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.63 грн |
| 10+ | 90.49 грн |
| 15+ | 80.25 грн |
| 50+ | 64.05 грн |
| 100+ | 57.25 грн |
| 200+ | 52.21 грн |
| ZXMN6A11DN8TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN6A11DN8TA Multi channel transistors
ZXMN6A11DN8TA Multi channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.22 грн |
| 41+ | 28.53 грн |
| 111+ | 26.98 грн |
| ZXMN7A11GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMN7A11GTA SMD N channel transistors
ZXMN7A11GTA SMD N channel transistors
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.03 грн |
| 34+ | 34.16 грн |
| 93+ | 32.31 грн |
| ZXMP10A13FQTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.49 грн |
| 50+ | 28.92 грн |
| 100+ | 26.20 грн |
| 250+ | 24.07 грн |
| 500+ | 22.51 грн |
| 1000+ | 22.22 грн |
| ZXMP10A13FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMP10A13FTA SMD P channel transistors
ZXMP10A13FTA SMD P channel transistors
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.66 грн |
| 66+ | 17.37 грн |
| 182+ | 16.40 грн |
| ZXMP10A17E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.15 грн |
| 10+ | 56.33 грн |
| 50+ | 40.18 грн |
| 100+ | 35.13 грн |
| 250+ | 29.60 грн |
| 500+ | 28.14 грн |
| ZXMP10A17GQTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMP10A17GQTA SMD P channel transistors
ZXMP10A17GQTA SMD P channel transistors
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.91 грн |
| 31+ | 37.65 грн |
| 84+ | 35.61 грн |
| 5000+ | 35.57 грн |
| ZXMP10A18GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMP10A18GTA SMD P channel transistors
ZXMP10A18GTA SMD P channel transistors
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.46 грн |
| 15+ | 79.57 грн |
| 40+ | 75.69 грн |
| ZXMP3A13FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMP3A13FTA SMD P channel transistors
ZXMP3A13FTA SMD P channel transistors
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.85 грн |
| 120+ | 9.61 грн |
| 328+ | 9.12 грн |
| ZXMP3A16GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMP3A16GTA SMD P channel transistors
ZXMP3A16GTA SMD P channel transistors
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.02 грн |
| 26+ | 44.06 грн |
| 72+ | 41.63 грн |
| 1000+ | 41.62 грн |
| ZXMP3A17E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMP3A17E6TA SMD P channel transistors
ZXMP3A17E6TA SMD P channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.85 грн |
| 40+ | 29.31 грн |
| 108+ | 27.66 грн |
| ZXMP6A13FQTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.9A; Idm: -4A; 0.806W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.806W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -4A
Gate charge: 2.9nC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.9A; Idm: -4A; 0.806W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.806W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -4A
Gate charge: 2.9nC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.99 грн |
| 16+ | 19.55 грн |
| 50+ | 16.69 грн |
| 100+ | 16.50 грн |
| ZXMP6A13GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.595Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -7.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.595Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -7.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.16 грн |
| 10+ | 38.90 грн |
| 50+ | 27.46 грн |
| 100+ | 23.97 грн |
| 200+ | 21.15 грн |
| 500+ | 20.77 грн |
| ZXMP6A16KTC |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.75A; 4.24W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.75A
Power dissipation: 4.24W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.75A; 4.24W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.75A
Power dissipation: 4.24W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.06 грн |
| 10+ | 61.87 грн |
| 25+ | 52.69 грн |
| 100+ | 43.38 грн |
| 225+ | 38.33 грн |
| 500+ | 33.77 грн |
| 1000+ | 29.89 грн |
| ZXMP6A17E6QTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.6A; 1.92W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.92W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.6A
Gate charge: 17.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.6A; 1.92W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.92W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.6A
Gate charge: 17.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.52 грн |
| 10+ | 37.29 грн |
| 100+ | 26.30 грн |
| 500+ | 26.01 грн |
| ZXMP6A17E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.76 грн |
| 10+ | 33.46 грн |
| 50+ | 26.88 грн |
| 100+ | 24.45 грн |
| 250+ | 21.15 грн |
| 500+ | 19.02 грн |
| ZXMP6A17GQTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.57 грн |
| 10+ | 36.28 грн |
| 100+ | 27.17 грн |
| ZXMP6A17GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.66 грн |
| 10+ | 42.12 грн |
| 50+ | 30.96 грн |
| 100+ | 27.66 грн |
| 500+ | 21.64 грн |
| 1000+ | 19.99 грн |
| ZXMP6A18KTC |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10.4A; 4.3W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10.4A
Power dissipation: 4.3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10.4A; 4.3W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10.4A
Power dissipation: 4.3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.42 грн |
| 5+ | 65.00 грн |
| 10+ | 56.09 грн |
| 25+ | 53.37 грн |
| 100+ | 49.78 грн |
| 500+ | 46.00 грн |
| 2500+ | 42.80 грн |
| ZXMP7A17GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMP7A17GTA SMD P channel transistors
ZXMP7A17GTA SMD P channel transistors
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.20 грн |
| 35+ | 33.67 грн |
| 94+ | 31.73 грн |
| ZXMS6004DGTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMS6004DGTA Power switches - integrated circuits
ZXMS6004DGTA Power switches - integrated circuits
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.05 грн |
| 23+ | 50.07 грн |
| 63+ | 47.36 грн |
| ZXMS6004DN8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMS6004DN8-13 Power switches - integrated circuits
ZXMS6004DN8-13 Power switches - integrated circuits
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.04 грн |
| 29+ | 39.69 грн |
| 80+ | 37.46 грн |
| ZXMS6004FFQTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT23F
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT23F
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...5.5V DC
Control voltage: 60V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT23F
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT23F
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...5.5V DC
Control voltage: 60V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.15 грн |
| 10+ | 70.04 грн |
| 25+ | 56.19 грн |
| 50+ | 48.71 грн |
| 100+ | 42.41 грн |
| 250+ | 35.91 грн |
| 500+ | 32.41 грн |
| ZXMS6004FFTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMS6004FFTA Power switches - integrated circuits
ZXMS6004FFTA Power switches - integrated circuits
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.42 грн |
| 24+ | 49.01 грн |
| 65+ | 46.29 грн |
| 250+ | 46.26 грн |
| ZXMS6005DGTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXMS6005DGTA SMD N channel transistors
ZXMS6005DGTA SMD N channel transistors
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.18 грн |
| 26+ | 45.42 грн |
| 70+ | 42.99 грн |
| ZXRE4041CFTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXRE4041CFTA Reference voltage sources - circuits
ZXRE4041CFTA Reference voltage sources - circuits
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.77 грн |
| 31+ | 37.65 грн |
| 84+ | 35.61 грн |
| 1000+ | 35.57 грн |
| ZXTC2045E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 30V; 1.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT26
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 180...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 195MHz; 265MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 30V; 1.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT26
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 180...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 195MHz; 265MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.34 грн |
| 10+ | 37.49 грн |
| 100+ | 24.84 грн |
| 150+ | 23.29 грн |
| 250+ | 21.74 грн |
| ZXTC2063E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3.5/3A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3.5/3A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT26
Current gain: 20...900
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3.5/3A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3.5/3A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT26
Current gain: 20...900
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.78 грн |
| 10+ | 54.32 грн |
| 25+ | 44.25 грн |
| 100+ | 34.26 грн |
| 250+ | 29.21 грн |
| ZXTD4591E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1A; 1.1W
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1A; 1.1W
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.47 грн |
| 10+ | 54.01 грн |
| 30+ | 38.14 грн |
| 50+ | 32.80 грн |
| 100+ | 27.37 грн |
| 150+ | 24.84 грн |
| 500+ | 19.99 грн |
| ZXTD718MCTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 3.5A; 2.45W; DFN3020B-8
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 3.5A
Power dissipation: 2.45W
Case: DFN3020B-8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 15...475
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150...180MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 3.5A; 2.45W; DFN3020B-8
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 3.5A
Power dissipation: 2.45W
Case: DFN3020B-8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 15...475
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150...180MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.93 грн |
| 10+ | 57.94 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| 500+ | 30.67 грн |
| 1000+ | 30.28 грн |
| ZXTD720MCTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
ZXTD720MCTA PNP SMD transistors
ZXTD720MCTA PNP SMD transistors
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.60 грн |
| 33+ | 34.84 грн |
| 91+ | 32.90 грн |
| 3000+ | 32.85 грн |


















