Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72977) > Сторінка 132 з 1217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 242 363 484 605 726 847 968 1089 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXM41N10FTC ZXM41N10FTC Diodes Incorporated ZXM41N10F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTC ZXM61N03FTC Diodes Incorporated ZXM61N03F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTC ZXM61P02FTC Diodes Incorporated ZXM61P02F.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTC ZXM61P03FTC Diodes Incorporated ZXM61P03F.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTA ZXM62N03GTA Diodes Incorporated ZXM62N03G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GTA ZXM62P03GTA Diodes Incorporated ZXM62P03G.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTC ZXM64N02XTC Diodes Incorporated ZXM64N02X.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTC ZXM64N03XTC Diodes Incorporated ZXM64N03X.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTC ZXM64P02XTC Diodes Incorporated ZXM64P02X.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTC ZXM64P03XTC Diodes Incorporated ZXM64P03X.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TC ZXM66P02N8TC Diodes Incorporated ZXM66P02N8.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TC ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.65 грн
5000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TA ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated ZXMC3A17DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.93 грн
10+69.33 грн
100+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TC ZXMC3A17DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A17DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8TA ZXMC3A18DN8TA Diodes Incorporated ZXMC3A18DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Diodes Incorporated ZXMC4559DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.54 грн
10+80.00 грн
100+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TA ZXMC4A16DN8TA Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TC ZXMC4A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTC ZXMD63C02XTC Diodes Incorporated ZXMD63C02X.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTC ZXMD63C03XTC Diodes Incorporated ZXMD63C03X.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTC ZXMD63N02XTC Diodes Incorporated ZXMD63N02X.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTC ZXMD63N03XTC Diodes Incorporated ZXMD63N03X.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTC ZXMD63P02XTC Diodes Incorporated ZXMD63P02X.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.04W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTC ZXMD63P03XTC Diodes Incorporated ZXMD63P03X.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TC ZXMD65P02N8TC Diodes Incorporated ZXMD65P02N8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TA ZXMHC3A01T8TA Diodes Incorporated ZXMHC3A01T8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TA ZXMHN6A07T8TA Diodes Incorporated ZXMHN6A07T8.pdf Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-223-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTC ZXMN10A07FTC Diodes Incorporated ZXMN10A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TC ZXMN10A08DN8TC Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08E6TC Diodes Incorporated ZXMN10A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTC ZXMN10A11GTC Diodes Incorporated ZXMN10A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TC ZXMN10B08E6TC Diodes Incorporated ZXMN10B08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TC ZXMN2A01E6TC Diodes Incorporated ZXMN2A01E6.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTC ZXMN2A01FTC Diodes Incorporated ZXMN2A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TC ZXMN2A02X8TC Diodes Incorporated ZXMN2A02X8.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TC ZXMN2A03E6TC Diodes Incorporated ZXMN2A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A04DN8TC Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TA ZXMN2AM832TA Diodes Incorporated Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TC ZXMN3A01E6TC Diodes Incorporated ZXMN3A01E6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTC ZXMN3A01FTC Diodes Incorporated ZXMN3A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TC ZXMN3A02X8TC Diodes Incorporated ZXMN3A02X8.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TC ZXMN3A03E6TC Diodes Incorporated ZXMN3A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TC ZXMN3A04DN8TC Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TC ZXMN3A06DN8TC Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06N8TA ZXMN3A06N8TA Diodes Incorporated Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TA ZXMN3AM832TA Diodes Incorporated ZXMN3AM832.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTA ZXMN3B01FTA Diodes Incorporated ZXMN3B01F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.33 грн
6000+12.18 грн
9000+11.31 грн
30000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TC ZXMN3B04N8TC Diodes Incorporated ZXMN3B04N8.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated ZXMN3B14F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.25 грн
6000+14.55 грн
9000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTC ZXMN6A07FTC Diodes Incorporated ZXMN6A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TC ZXMN6A08E6TC Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TC ZXMN6A09DN8TC Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8_Rev5.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TC ZXMN6A11DN8TC Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTC ZXMN6A11GTC Diodes Incorporated ZXMN6A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TA ZXMNS3BM832TA Diodes Incorporated ZXMNS3BM832.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTC ZXMP4A16KTC Diodes Incorporated ZXMP4A16K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.29 грн
5000+37.09 грн
7500+35.73 грн
12500+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTC ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated ZXMP6A18K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.64 грн
5000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXRE1004CFTC ZXRE1004CFTC Diodes Incorporated ZXRE1004.pdf Description: IC VREF SHUNT 1.22V SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXRE1004DFTC ZXRE1004DFTC Diodes Incorporated ZXRE1004.pdf Description: IC VREF SHUNT 1.22V SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXRE1004DRSTOA ZXRE1004DRSTOA Diodes Incorporated ZXRE1004.pdf Description: IC VREF SHUNT 1.22V TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM41N10FTC ZXM41N10F.pdf
ZXM41N10FTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTC ZXM61N03F.pdf
ZXM61N03FTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTC ZXM61P02F.pdf
ZXM61P02FTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTC ZXM61P03F.pdf
ZXM61P03FTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62N03GTA ZXM62N03G.pdf
ZXM62N03GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03GTA ZXM62P03G.pdf
ZXM62P03GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTC ZXM64N02X.pdf
ZXM64N02XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N03XTC ZXM64N03X.pdf
ZXM64N03XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTC ZXM64P02X.pdf
ZXM64P02XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTC ZXM64P03X.pdf
ZXM64P03XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TC ZXM66P02N8.pdf
ZXM66P02N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TC ZXMC3A16DN8.pdf
ZXMC3A16DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.65 грн
5000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TA ZXMC3A17DN8.pdf
ZXMC3A17DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.93 грн
10+69.33 грн
100+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TC ZXMC3A17DN8.pdf
ZXMC3A17DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8TA ZXMC3A18DN8.pdf
ZXMC3A18DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8.pdf
ZXMC4559DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.54 грн
10+80.00 грн
100+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TA ZXMC4A16DN8.pdf
ZXMC4A16DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TC ZXMC4A16DN8.pdf
ZXMC4A16DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTC ZXMD63C02X.pdf
ZXMD63C02XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTC ZXMD63C03X.pdf
ZXMD63C03XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTC ZXMD63N02X.pdf
ZXMD63N02XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTC ZXMD63N03X.pdf
ZXMD63N03XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTC ZXMD63P02X.pdf
ZXMD63P02XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.04W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTC ZXMD63P03X.pdf
ZXMD63P03XTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TC ZXMD65P02N8.pdf
ZXMD65P02N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TA ZXMHC3A01T8.pdf
ZXMHC3A01T8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TA ZXMHN6A07T8.pdf
ZXMHN6A07T8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-223-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTC ZXMN10A07F.pdf
ZXMN10A07FTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TC ZXMN10A08DN8.pdf
ZXMN10A08DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08E6.pdf
ZXMN10A08E6TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTC ZXMN10A11G.pdf
ZXMN10A11GTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TC ZXMN10B08E6.pdf
ZXMN10B08E6TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01E6TC ZXMN2A01E6.pdf
ZXMN2A01E6TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTC ZXMN2A01F.pdf
ZXMN2A01FTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TC ZXMN2A02X8.pdf
ZXMN2A02X8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TC ZXMN2A03E6.pdf
ZXMN2A03E6TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A04DN8.pdf
ZXMN2A04DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2AM832TA
ZXMN2AM832TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TC ZXMN3A01E6.pdf
ZXMN3A01E6TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTC ZXMN3A01F.pdf
ZXMN3A01FTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TC ZXMN3A02X8.pdf
ZXMN3A02X8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TC ZXMN3A03E6.pdf
ZXMN3A03E6TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TC ZXMN3A04DN8.pdf
ZXMN3A04DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TC ZXMN3A06DN8.pdf
ZXMN3A06DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06N8TA
ZXMN3A06N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TA ZXMN3AM832.pdf
ZXMN3AM832TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTA ZXMN3B01F.pdf
ZXMN3B01FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.33 грн
6000+12.18 грн
9000+11.31 грн
30000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TC ZXMN3B04N8.pdf
ZXMN3B04N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14F.pdf
ZXMN3B14FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.25 грн
6000+14.55 грн
9000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTC ZXMN6A07F.pdf
ZXMN6A07FTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TC
ZXMN6A08E6TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TC ZXMN6A09DN8_Rev5.pdf
ZXMN6A09DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TC ZXMN6A11DN8.pdf
ZXMN6A11DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTC ZXMN6A11G.pdf
ZXMN6A11GTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TA ZXMNS3BM832.pdf
ZXMNS3BM832TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTC ZXMP4A16K.pdf
ZXMP4A16KTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.29 грн
5000+37.09 грн
7500+35.73 грн
12500+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A18KTC ZXMP6A18K.pdf
ZXMP6A18KTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.64 грн
5000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXRE1004CFTC ZXRE1004.pdf
ZXRE1004CFTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC VREF SHUNT 1.22V SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXRE1004DFTC ZXRE1004.pdf
ZXRE1004DFTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC VREF SHUNT 1.22V SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXRE1004DRSTOA ZXRE1004.pdf
ZXRE1004DRSTOA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC VREF SHUNT 1.22V TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 242 363 484 605 726 847 968 1089 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]