Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73719) > Сторінка 523 з 1229

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 518 519 520 521 522 523 524 525 526 527 528 610 732 854 976 1098 1220 1229  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP3098LQ-7-52 DMP3098LQ-7-52 Diodes Incorporated DMP3098LQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZR431F01-7 ZR431F01-7 Diodes Incorporated ZR431_Oct2011.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ 1% SOT23
Tolerance: ±1%
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 55ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 50 µA
Current - Output: 100 mA
Voltage - Output (Max): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZR431LF01-7 ZR431LF01-7 Diodes Incorporated Description: IC VREF SHUNT ADJ 1% SOT23
Tolerance: ±1%
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 50ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 100 µA
Current - Output: 25 mA
Voltage - Output (Max): 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZR431F005-7 ZR431F005-7 Diodes Incorporated ZR431_Oct2011.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ 0.5% SOT23
Voltage - Output (Max): 20 V
Current - Output: 100 mA
Current - Cathode: 50 µA
Part Status: Obsolete
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Temperature Coefficient: 55ppm/°C
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±0.5%
Packaging: Strip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDQ-13 DMPH6050SPDQ-13 Diodes Incorporated DMPH6050SPDQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDQ-13 DMPH6050SPDQ-13 Diodes Incorporated DMPH6050SPDQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+75.93 грн
100+49.60 грн
500+37.78 грн
1000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated DMN3009SK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated DMN3009SK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+40.00 грн
100+26.04 грн
500+18.78 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LK3-13 DMTH43M8LK3-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LK3-13 DMTH43M8LK3-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+63.93 грн
100+42.51 грн
500+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HK3-13 DMP45H4D9HK3-13 Diodes Incorporated DMP45H4D9HK3.pdf Description: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HK3-13 DMP45H4D9HK3-13 Diodes Incorporated DMP45H4D9HK3.pdf Description: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated DMN6017SK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated DMN6017SK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.83 грн
100+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13 DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13 DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+98.05 грн
100+69.59 грн
500+55.57 грн
1000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13 DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH6023SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.47 грн
5000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13 DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH6023SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.35 грн
100+55.36 грн
500+41.12 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13 DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3028LK3Q.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13 DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3028LK3Q.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+44.91 грн
100+29.34 грн
500+21.24 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L5.0AQ-7 SMF4L5.0AQ-7 Diodes Incorporated SMF4L5.0CAQ-SMF4L200CAQ.pdf Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 43.5A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBL3045CT-LS Diodes Incorporated SBL3030CT%20-%20SBL3060CT.pdf Description: SCHOTTKY RECTIFIER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPTR-E1 MBR5200VPTR-E1 Diodes Incorporated MBR5200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO201
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPBTR-E1 MBR5200VPBTR-E1 Diodes Incorporated MBR5200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO201
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VP-E1 Diodes Incorporated MBR5200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPC-G1 Diodes Incorporated Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-27
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPC-E1 Diodes Incorporated MBR5200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-27
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPTR-G1 Diodes Incorporated MBR5200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPBTR-G1 Diodes Incorporated MBR5200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VP-G1 Diodes Incorporated MBR5200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPB-E1 Diodes Incorporated MBR5200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPB-G1 Diodes Incorporated MBR5200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70T-7-G BAS70T-7-G Diodes Incorporated Description: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOT-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116T-7-G Diodes Incorporated Description: DIODE GEN PURP 85V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW156TQ-7-F-52 Diodes Incorporated BAW156TQ.pdf Description: Switching Standard Diode SOT523
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-523
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PI7C9X2G606PRDNJAE PI7C9X2G606PRDNJAE Diodes Incorporated PI7C9X2G606PR.pdf Description: IC INTFACE SPECIALIZED 196LBGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 196-LBGA (15x15)
Applications: Packet Switch, 6-Port/6-Lane
Interface: PCI Express
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 196-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 3809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1514.33 грн
10+1035.56 грн
25+925.55 грн
126+785.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AP22653AFDZ-7 AP22653AFDZ-7 Diodes Incorporated AP22652_53_52A_53A.pdf Description: LOAD SWITCH DFN2020
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 65mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: W-DFN2020-6 (Type A1)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.65 грн
6000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP22653AFDZ-7 AP22653AFDZ-7 Diodes Incorporated AP22652_53_52A_53A.pdf Description: LOAD SWITCH DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 65mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: W-DFN2020-6 (Type A1)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
18+16.83 грн
25+14.97 грн
100+12.12 грн
250+11.20 грн
500+10.64 грн
1000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2170U-7 DMP2170U-7 Diodes Incorporated DMP2170U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4641000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
6000+5.83 грн
9000+5.16 грн
30000+4.78 грн
75000+4.06 грн
150000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2170U-7 DMP2170U-7 Diodes Incorporated DMP2170U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4642470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
16+19.17 грн
100+9.65 грн
500+8.03 грн
1000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13 DMN10H700S-13 Diodes Incorporated DMN10H700S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13 DMN10H700S-13 Diodes Incorporated DMN10H700S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
13+24.00 грн
100+13.57 грн
500+8.43 грн
1000+6.47 грн
2000+5.62 грн
5000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13 DMN3042L-13 Diodes Incorporated DMN3042L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13 DMN3042L-13 Diodes Incorporated DMN3042L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WX5012D0125.000000 Diodes Incorporated Description: XO OSCILLATOR SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI7C9X3G816GPBHFCE PI7C9X3G816GPBHFCE Diodes Incorporated PI7C9X3G816GP.pdf Description: PACKET SWITCH H-FCBGA190190-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-BFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, JTAG, PCI Express, Serial, SMBus
Voltage - Supply: 0.9V ~ 0.99V
Applications: Packet Switch, 8-Port/16-Lane
Supplier Device Package: 324-HFCBGA (19x19)
Part Status: Active
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3834.42 грн
10+2794.29 грн
25+2756.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DML3012LDC-7A DML3012LDC-7A Diodes Incorporated DML3012LDC.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V V-DFN3030-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 4.8mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.5V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: V-DFN3030-12 (Type B)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DML3012LDC-7A DML3012LDC-7A Diodes Incorporated DML3012LDC.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V V-DFN3030-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 4.8mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.5V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: V-DFN3030-12 (Type B)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DML1008LDS-7 DML1008LDS-7 Diodes Incorporated DML1008LDS.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type R)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 6A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 3.2V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 8mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DML1008LDS-7 DML1008LDS-7 Diodes Incorporated DML1008LDS.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type R)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 6A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 3.2V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 8mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+36.00 грн
100+25.07 грн
500+18.37 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7 DMP3007SCG-7 Diodes Incorporated DMP3007SCG.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7 DMP3007SCG-7 Diodes Incorporated DMP3007SCG.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.61 грн
100+34.67 грн
500+25.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTA-52 ZXMP6A17GQTA-52 Diodes Incorporated ZXMP6A17GQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA-52 Diodes Incorporated ZXMP6A17G.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13 DMN6068SEQ-13 Diodes Incorporated ds32033.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D2V5L1BS2LP3-7 D2V5L1BS2LP3-7 Diodes Incorporated D2V5L1BS2LP3.pdf Description: TVS DIODE 2.5VWM 6V X3DFN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V (Max)
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 2.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 6V (Typ)
Power - Peak Pulse: 90W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.51 грн
100+8.42 грн
500+5.84 грн
1000+5.17 грн
2000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GDZ15LP3-7 GDZ15LP3-7 Diodes Incorporated GDZxVxLP3.pdf Description: DIODE ZENER 15V 250MW 2DFN
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GDZ15LP3-7 GDZ15LP3-7 Diodes Incorporated GDZxVxLP3.pdf Description: DIODE ZENER 15V 250MW 2DFN
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
46+6.64 грн
107+2.85 грн
500+2.55 грн
1000+2.30 грн
2000+2.27 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GDZ6V2LP3-7 GDZ6V2LP3-7 Diodes Incorporated GDZxVxLP3.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 250MW 2DFN
Tolerance: ±5.4%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3430000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.93 грн
20000+2.60 грн
30000+2.58 грн
50000+2.39 грн
70000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GDZ6V2LP3-7 GDZ6V2LP3-7 Diodes Incorporated GDZxVxLP3.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 250MW 2DFN
Tolerance: ±5.4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3439270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
35+8.76 грн
100+3.76 грн
500+3.32 грн
1000+3.12 грн
2000+3.05 грн
5000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3098LQ-7-52 DMP3098LQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZR431F01-7 ZR431_Oct2011.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC VREF SHUNT ADJ 1% SOT23
Tolerance: ±1%
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 55ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 50 µA
Current - Output: 100 mA
Voltage - Output (Max): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZR431LF01-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC VREF SHUNT ADJ 1% SOT23
Tolerance: ±1%
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 50ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 100 µA
Current - Output: 25 mA
Voltage - Output (Max): 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZR431F005-7 ZR431_Oct2011.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC VREF SHUNT ADJ 0.5% SOT23
Voltage - Output (Max): 20 V
Current - Output: 100 mA
Current - Cathode: 50 µA
Part Status: Obsolete
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Temperature Coefficient: 55ppm/°C
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±0.5%
Packaging: Strip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDQ-13 DMPH6050SPDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDQ-13 DMPH6050SPDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.63 грн
10+75.93 грн
100+49.60 грн
500+37.78 грн
1000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.62 грн
10+40.00 грн
100+26.04 грн
500+18.78 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LK3-13 DMTH43M8LK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LK3-13 DMTH43M8LK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.81 грн
10+63.93 грн
100+42.51 грн
500+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HK3-13 DMP45H4D9HK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HK3-13 DMP45H4D9HK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+40.83 грн
100+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13 DMNH10H028SK3Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13 DMNH10H028SK3Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.41 грн
10+98.05 грн
100+69.59 грн
500+55.57 грн
1000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13 DMPH6023SK3Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.47 грн
5000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13 DMPH6023SK3Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.82 грн
10+82.35 грн
100+55.36 грн
500+41.12 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13 DMP3028LK3Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LK3Q-13 DMP3028LK3Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.25 грн
10+44.91 грн
100+29.34 грн
500+21.24 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L5.0AQ-7 SMF4L5.0CAQ-SMF4L200CAQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 43.5A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBL3045CT-LS SBL3030CT%20-%20SBL3060CT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SCHOTTKY RECTIFIER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPTR-E1 MBR5200.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO201
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPBTR-E1 MBR5200.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO201
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VP-E1 MBR5200.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPC-G1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-27
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPC-E1 MBR5200.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-27
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPTR-G1 MBR5200.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPBTR-G1 MBR5200.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VP-G1 MBR5200.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPB-E1 MBR5200.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5200VPB-G1 MBR5200.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70T-7-G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOT-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116T-7-G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GEN PURP 85V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW156TQ-7-F-52 BAW156TQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: Switching Standard Diode SOT523
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-523
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PI7C9X2G606PRDNJAE PI7C9X2G606PR.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC INTFACE SPECIALIZED 196LBGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 196-LBGA (15x15)
Applications: Packet Switch, 6-Port/6-Lane
Interface: PCI Express
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 196-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 3809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1514.33 грн
10+1035.56 грн
25+925.55 грн
126+785.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AP22653AFDZ-7 AP22652_53_52A_53A.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: LOAD SWITCH DFN2020
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 65mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: W-DFN2020-6 (Type A1)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.65 грн
6000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP22653AFDZ-7 AP22652_53_52A_53A.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: LOAD SWITCH DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 65mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: W-DFN2020-6 (Type A1)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
18+16.83 грн
25+14.97 грн
100+12.12 грн
250+11.20 грн
500+10.64 грн
1000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2170U-7 DMP2170U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4641000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.19 грн
6000+5.83 грн
9000+5.16 грн
30000+4.78 грн
75000+4.06 грн
150000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2170U-7 DMP2170U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4642470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
16+19.17 грн
100+9.65 грн
500+8.03 грн
1000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13 DMN10H700S.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13 DMN10H700S.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.70 грн
13+24.00 грн
100+13.57 грн
500+8.43 грн
1000+6.47 грн
2000+5.62 грн
5000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13 DMN3042L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13 DMN3042L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WX5012D0125.000000
Виробник: Diodes Incorporated
Description: XO OSCILLATOR SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI7C9X3G816GPBHFCE PI7C9X3G816GP.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PACKET SWITCH H-FCBGA190190-324
Packaging: Tray
Package / Case: 324-BFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, JTAG, PCI Express, Serial, SMBus
Voltage - Supply: 0.9V ~ 0.99V
Applications: Packet Switch, 8-Port/16-Lane
Supplier Device Package: 324-HFCBGA (19x19)
Part Status: Active
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3834.42 грн
10+2794.29 грн
25+2756.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DML3012LDC-7A DML3012LDC.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V V-DFN3030-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 4.8mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.5V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: V-DFN3030-12 (Type B)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DML3012LDC-7A DML3012LDC.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V V-DFN3030-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 4.8mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.5V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: V-DFN3030-12 (Type B)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DML1008LDS-7 DML1008LDS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type R)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 6A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 3.2V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 8mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DML1008LDS-7 DML1008LDS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type R)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 6A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 3.2V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 8mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.89 грн
10+36.00 грн
100+25.07 грн
500+18.37 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7 DMP3007SCG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7 DMP3007SCG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.00 грн
10+52.61 грн
100+34.67 грн
500+25.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GQTA-52 ZXMP6A17GQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17GTA-52 ZXMP6A17G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13 ds32033.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D2V5L1BS2LP3-7 D2V5L1BS2LP3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 2.5VWM 6V X3DFN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V (Max)
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 2.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 6V (Typ)
Power - Peak Pulse: 90W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.73 грн
23+13.51 грн
100+8.42 грн
500+5.84 грн
1000+5.17 грн
2000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GDZ15LP3-7 GDZxVxLP3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 15V 250MW 2DFN
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GDZ15LP3-7 GDZxVxLP3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 15V 250MW 2DFN
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.19 грн
46+6.64 грн
107+2.85 грн
500+2.55 грн
1000+2.30 грн
2000+2.27 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GDZ6V2LP3-7 GDZxVxLP3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 6.2V 250MW 2DFN
Tolerance: ±5.4%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3430000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.93 грн
20000+2.60 грн
30000+2.58 грн
50000+2.39 грн
70000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GDZ6V2LP3-7 GDZxVxLP3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 6.2V 250MW 2DFN
Tolerance: ±5.4%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Supplier Device Package: X3-DFN0603-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3439270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
35+8.76 грн
100+3.76 грн
500+3.32 грн
1000+3.12 грн
2000+3.05 грн
5000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 518 519 520 521 522 523 524 525 526 527 528 610 732 854 976 1098 1220 1229  Наступна Сторінка >> ]