Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73018) > Сторінка 525 з 1217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 520 521 522 523 524 525 526 527 528 529 530 605 726 847 968 1089 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AP7173-SPG-13 AP7173-SPG-13 Diodes Incorporated AP7173.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 1.5A 8-SO-EP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SO-EP
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable, Power Good, Soft Start
Part Status: Active
PSRR: 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 300kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 1.5A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.23 грн
14+22.70 грн
25+20.24 грн
100+16.51 грн
250+15.32 грн
500+14.60 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2191DSG-13 AP2191DSG-13 Diodes Incorporated AP2181D_91D.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHANNEL 1:1 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: 8-SO
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 95mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: USB Switch
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2191DSG-13 AP2191DSG-13 Diodes Incorporated AP2181D_91D.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHANNEL 1:1 8SO
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: 8-SO
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 95mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: USB Switch
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
11+28.95 грн
25+25.96 грн
100+21.27 грн
250+19.79 грн
500+18.90 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2161DWG-7 AP2161DWG-7 Diodes Incorporated AP2161D_71D.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SOT25
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 95mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-25
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.41 грн
6000+9.38 грн
15000+8.73 грн
30000+7.77 грн
75000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2161DWG-7 AP2161DWG-7 Diodes Incorporated AP2161D_71D.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SOT25
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 95mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-25
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 286962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.06 грн
13+24.23 грн
25+22.64 грн
100+17.00 грн
250+15.78 грн
500+13.36 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-7 BAS16-7 Diodes Incorporated BAS16_MMBD4148_MMBD914.pdf Description: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-7 BAS16-7 Diodes Incorporated BAS16_MMBD4148_MMBD914.pdf Description: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-7-G Diodes Incorporated Description: DIODE GEN PURP SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L24A-7 SMF4L24A-7 Diodes Incorporated ds43394.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO219AA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L24A-7 SMF4L24A-7 Diodes Incorporated ds43394.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO219AA
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L70A-7 SMF4L70A-7 Diodes Incorporated SMF4L5.0CA-SMF4L200CA.pdf Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L70A-7 SMF4L70A-7 Diodes Incorporated SMF4L5.0CA-SMF4L200CA.pdf Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.23 грн
13+23.92 грн
100+14.91 грн
500+9.57 грн
1000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ26AQ 3.0SMCJ26AQ Diodes Incorporated ds40742.pdf Description: TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 71.3A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ26AQ 3.0SMCJ26AQ Diodes Incorporated ds40742.pdf Description: TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 71.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.45 грн
10+85.18 грн
100+57.41 грн
500+42.68 грн
1000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US3840017 US3840017 Diodes Incorporated US-USQ.pdf Description: CRYSTAL CERAMIC SEAM1612 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.063" L x 0.047" W (1.60mm x 1.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -30°C ~ 105°C
Frequency Stability: ±35ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (1.6x1.2)
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 54 Ohms
Frequency: 38.4 MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7 Diodes Incorporated DMT3009UDT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type KS)
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.40 грн
3000+18.92 грн
4500+18.06 грн
7500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2060CT-LS Diodes Incorporated MBR2060CT_LS.pdf Description: SCHOTTKY RECTIFIER
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2060CT_HF Diodes Incorporated MBR2060CT_LS.pdf Description: SCHOTTKY RECTIFIER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 10 A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP64100SP-EVM Diodes Incorporated Description: EVAL BOARD FOR AP64100
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V or 12V
Voltage - Input: 3.8V ~ 40V
Current - Output: 1A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP64100
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP64102QSP-EVM Diodes Incorporated Description: EVAL BOARD FOR AP64102Q
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V or 12V
Voltage - Input: 3.8V ~ 40V
Current - Output: 1A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP64102Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PT7C4363BZEEX PT7C4363BZEEX Diodes Incorporated PT7C4363B.pdf Description: IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8TDFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Timekeeping (Max): 0.85µA ~ 0.9µA @ 3V ~ 5V
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Date Format: YY-MM-DD-dd
Time Format: HH:MM:SS (24 hr)
Voltage - Supply: 1.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Clock/Calendar
Interface: I2C, 2-Wire Serial
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Alarm, Leap Year, Square Wave Output
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PT7C4363BZEEX PT7C4363BZEEX Diodes Incorporated PT7C4363B.pdf Description: IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8TDFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Timekeeping (Max): 0.85µA ~ 0.9µA @ 3V ~ 5V
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Date Format: YY-MM-DD-dd
Time Format: HH:MM:SS (24 hr)
Voltage - Supply: 1.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Clock/Calendar
Interface: I2C, 2-Wire Serial
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Alarm, Leap Year, Square Wave Output
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP62200WU-7-52 Diodes Incorporated AP62200_AP62201_AP62200T.pdf Description: DCDC Conv HV Buck TSOT26(STD) T&
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Voltage - Input (Min): 4.2V
Voltage - Output (Max): 7V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: TSOT-26
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 18V
Frequency - Switching: 740kHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD24CQ-7 SD24CQ-7 Diodes Incorporated SD24CQ.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 45VC SOD323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 24pF @ 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 315W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45V
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFLZ3V3-7 Diodes Incorporated Description: DIODE ZENER 1W POWERDI123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT3M30LP-7 SBRT3M30LP-7 Diodes Incorporated SBRT3M30LP.pdf Description: DIODE SBR 30V 3A U-DFN3030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Super Barrier
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 30V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.86 грн
6000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT3M30LP-7 SBRT3M30LP-7 Diodes Incorporated SBRT3M30LP.pdf Description: DIODE SBR 30V 3A U-DFN3030-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Super Barrier
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 30V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 7866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+32.84 грн
100+25.84 грн
500+18.62 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DLLFSD01LPH4-7B DLLFSD01LPH4-7B Diodes Incorporated DLLFSD01LPH4.pdf Description: DIODE STD 80V 100MA X2DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.39 грн
20000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DLLFSD01LPH4-7B DLLFSD01LPH4-7B Diodes Incorporated DLLFSD01LPH4.pdf Description: DIODE STD 80V 100MA X2DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 21320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.12 грн
69+4.42 грн
79+3.87 грн
100+3.05 грн
250+2.77 грн
500+2.61 грн
1000+2.43 грн
2500+2.28 грн
5000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903QM8-13 LM2903QM8-13 Diodes Incorporated LM2901Q_03Q.pdf Description: IC COMPARATOR 2 DIFF 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Current - Quiescent (Max): 1.7mA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903QM8-13 LM2903QM8-13 Diodes Incorporated LM2901Q_03Q.pdf Description: IC COMPARATOR 2 DIFF 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Current - Quiescent (Max): 1.7mA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
43+7.24 грн
48+6.40 грн
100+5.10 грн
250+4.67 грн
500+4.41 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13 DMN10H220L-13 Diodes Incorporated DMN10H220L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI6C5921512ZDIEX PI6C5921512ZDIEX Diodes Incorporated PI6C5921512.pdf Description: IC CLK BUFFER 2:12 1.5GHZ 40TQFN
Input: Differential or Single-Ended
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Output: LVDS
Mounting Type: Surface Mount
Number of Circuits: 1
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency - Max: 1.5 GHz
Part Status: Active
Supplier Device Package: 40-TQFN (6x6)
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 2:12
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+246.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PI6C5921512ZDIEX PI6C5921512ZDIEX Diodes Incorporated PI6C5921512.pdf Description: IC CLK BUFFER 2:12 1.5GHZ 40TQFN
Frequency - Max: 1.5 GHz
Part Status: Active
Supplier Device Package: 40-TQFN (6x6)
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 2:12
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Input: Differential or Single-Ended
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Output: LVDS
Mounting Type: Surface Mount
Number of Circuits: 1
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.72 грн
10+323.41 грн
25+299.14 грн
100+255.64 грн
250+243.68 грн
500+236.47 грн
1000+226.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FH.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 112155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
12+26.59 грн
100+18.09 грн
500+12.74 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 Diodes Incorporated DMG3414UQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
6000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 Diodes Incorporated DMG3414UQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
14+22.70 грн
100+14.48 грн
500+10.24 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H015LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H015LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.45 грн
10+56.00 грн
100+36.84 грн
500+30.36 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.02 грн
10+64.38 грн
100+42.80 грн
500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.05 грн
10+74.13 грн
100+49.75 грн
500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H014LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.39 грн
5000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H014LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
на замовлення 111690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.10 грн
10+66.13 грн
100+49.52 грн
500+36.71 грн
1000+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H009LK3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1935612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.17 грн
10+78.32 грн
100+52.50 грн
500+38.89 грн
1000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13 DMT10H072LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H072LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13 DMT10H072LFDFQ-13 Diodes Incorporated DMT10H072LFDFQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-13 DMT10H052LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13 DMT10H025LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H025LSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7 DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009SCG.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.13 грн
4000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13 Diodes Incorporated DMT10H003SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H009SK3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.00 грн
5000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13 DMT10H032LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H032LSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7 DMT10H032LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H032LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-13 DMT10H032LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H032LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13 DMT10H032SFVW-13 Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.40 грн
6000+13.65 грн
9000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13 DMT10H015SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H015SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.09 грн
5000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H015SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP7173-SPG-13 AP7173.pdf
AP7173-SPG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LIN POS ADJ 1.5A 8-SO-EP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SO-EP
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable, Power Good, Soft Start
Part Status: Active
PSRR: 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 300kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 1.5A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.23 грн
14+22.70 грн
25+20.24 грн
100+16.51 грн
250+15.32 грн
500+14.60 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2191DSG-13 AP2181D_91D.pdf
AP2191DSG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH P-CHANNEL 1:1 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: 8-SO
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 95mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: USB Switch
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2191DSG-13 AP2181D_91D.pdf
AP2191DSG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH P-CHANNEL 1:1 8SO
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: 8-SO
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.5A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 95mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: USB Switch
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.72 грн
11+28.95 грн
25+25.96 грн
100+21.27 грн
250+19.79 грн
500+18.90 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2161DWG-7 AP2161D_71D.pdf
AP2161DWG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SOT25
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 95mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-25
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.41 грн
6000+9.38 грн
15000+8.73 грн
30000+7.77 грн
75000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2161DWG-7 AP2161D_71D.pdf
AP2161DWG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SOT25
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 95mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-25
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 286962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.06 грн
13+24.23 грн
25+22.64 грн
100+17.00 грн
250+15.78 грн
500+13.36 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-7 BAS16_MMBD4148_MMBD914.pdf
BAS16-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-7 BAS16_MMBD4148_MMBD914.pdf
BAS16-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-7-G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GEN PURP SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L24A-7 ds43394.pdf
SMF4L24A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO219AA
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L24A-7 ds43394.pdf
SMF4L24A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO219AA
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L70A-7 SMF4L5.0CA-SMF4L200CA.pdf
SMF4L70A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L70A-7 SMF4L5.0CA-SMF4L200CA.pdf
SMF4L70A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.23 грн
13+23.92 грн
100+14.91 грн
500+9.57 грн
1000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ26AQ ds40742.pdf
3.0SMCJ26AQ
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMC
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 71.3A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ26AQ ds40742.pdf
3.0SMCJ26AQ
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 71.3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.45 грн
10+85.18 грн
100+57.41 грн
500+42.68 грн
1000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US3840017 US-USQ.pdf
US3840017
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL CERAMIC SEAM1612 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.063" L x 0.047" W (1.60mm x 1.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -30°C ~ 105°C
Frequency Stability: ±35ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (1.6x1.2)
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 54 Ohms
Frequency: 38.4 MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7 DMT3009UDT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type KS)
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+21.40 грн
3000+18.92 грн
4500+18.06 грн
7500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2060CT-LS MBR2060CT_LS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SCHOTTKY RECTIFIER
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2060CT_HF MBR2060CT_LS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SCHOTTKY RECTIFIER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 10 A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP64100SP-EVM
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AP64100
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V or 12V
Voltage - Input: 3.8V ~ 40V
Current - Output: 1A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP64100
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP64102QSP-EVM
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AP64102Q
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V or 12V
Voltage - Input: 3.8V ~ 40V
Current - Output: 1A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: AP64102Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PT7C4363BZEEX PT7C4363B.pdf
PT7C4363BZEEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8TDFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Timekeeping (Max): 0.85µA ~ 0.9µA @ 3V ~ 5V
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Date Format: YY-MM-DD-dd
Time Format: HH:MM:SS (24 hr)
Voltage - Supply: 1.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Clock/Calendar
Interface: I2C, 2-Wire Serial
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Alarm, Leap Year, Square Wave Output
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PT7C4363BZEEX PT7C4363B.pdf
PT7C4363BZEEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8TDFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Timekeeping (Max): 0.85µA ~ 0.9µA @ 3V ~ 5V
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Date Format: YY-MM-DD-dd
Time Format: HH:MM:SS (24 hr)
Voltage - Supply: 1.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Clock/Calendar
Interface: I2C, 2-Wire Serial
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Alarm, Leap Year, Square Wave Output
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP62200WU-7-52 AP62200_AP62201_AP62200T.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DCDC Conv HV Buck TSOT26(STD) T&
Part Status: Active
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Voltage - Input (Min): 4.2V
Voltage - Output (Max): 7V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: TSOT-26
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 18V
Frequency - Switching: 740kHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD24CQ-7 SD24CQ.pdf
SD24CQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 24VWM 45VC SOD323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 24pF @ 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 315W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45V
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFLZ3V3-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 1W POWERDI123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT3M30LP-7 SBRT3M30LP.pdf
SBRT3M30LP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 3A U-DFN3030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Super Barrier
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 30V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.86 грн
6000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT3M30LP-7 SBRT3M30LP.pdf
SBRT3M30LP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 3A U-DFN3030-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Super Barrier
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 30V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 7866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.43 грн
10+32.84 грн
100+25.84 грн
500+18.62 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DLLFSD01LPH4-7B DLLFSD01LPH4.pdf
DLLFSD01LPH4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STD 80V 100MA X2DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+2.39 грн
20000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DLLFSD01LPH4-7B DLLFSD01LPH4.pdf
DLLFSD01LPH4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STD 80V 100MA X2DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 21320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
45+7.12 грн
69+4.42 грн
79+3.87 грн
100+3.05 грн
250+2.77 грн
500+2.61 грн
1000+2.43 грн
2500+2.28 грн
5000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903QM8-13 LM2901Q_03Q.pdf
LM2903QM8-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC COMPARATOR 2 DIFF 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Current - Quiescent (Max): 1.7mA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903QM8-13 LM2901Q_03Q.pdf
LM2903QM8-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC COMPARATOR 2 DIFF 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Current - Quiescent (Max): 1.7mA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.08 грн
43+7.24 грн
48+6.40 грн
100+5.10 грн
250+4.67 грн
500+4.41 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13 DMN10H220L.pdf
DMN10H220L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI6C5921512ZDIEX PI6C5921512.pdf
PI6C5921512ZDIEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC CLK BUFFER 2:12 1.5GHZ 40TQFN
Input: Differential or Single-Ended
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Output: LVDS
Mounting Type: Surface Mount
Number of Circuits: 1
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency - Max: 1.5 GHz
Part Status: Active
Supplier Device Package: 40-TQFN (6x6)
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 2:12
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+246.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PI6C5921512ZDIEX PI6C5921512.pdf
PI6C5921512ZDIEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC CLK BUFFER 2:12 1.5GHZ 40TQFN
Frequency - Max: 1.5 GHz
Part Status: Active
Supplier Device Package: 40-TQFN (6x6)
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 2:12
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Input: Differential or Single-Ended
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Output: LVDS
Mounting Type: Surface Mount
Number of Circuits: 1
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+436.72 грн
10+323.41 грн
25+299.14 грн
100+255.64 грн
250+243.68 грн
500+236.47 грн
1000+226.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FH.pdf
ZXMN2F34FHTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 112155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.02 грн
12+26.59 грн
100+18.09 грн
500+12.74 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ.pdf
DMG3414UQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.36 грн
6000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ.pdf
DMG3414UQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.98 грн
14+22.70 грн
100+14.48 грн
500+10.24 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG.pdf
DMT10H015LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG.pdf
DMT10H015LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.45 грн
10+56.00 грн
100+36.84 грн
500+30.36 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS.pdf
DMT10H009SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS.pdf
DMT10H009SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.02 грн
10+64.38 грн
100+42.80 грн
500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG.pdf
DMT10H009LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG.pdf
DMT10H009LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.05 грн
10+74.13 грн
100+49.75 грн
500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS.pdf
DMT10H014LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+32.39 грн
5000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS.pdf
DMT10H014LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
на замовлення 111690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.10 грн
10+66.13 грн
100+49.52 грн
500+36.71 грн
1000+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3.pdf
DMT10H009LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1935612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.17 грн
10+78.32 грн
100+52.50 грн
500+38.89 грн
1000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13 DMT10H072LFDF.pdf
DMT10H072LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13 DMT10H072LFDFQ.pdf
DMT10H072LFDFQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-13 DMT10H052LFDF.pdf
DMT10H052LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13 DMT10H025LSS.pdf
DMT10H025LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7 DMT10H009SCG.pdf
DMT10H009SCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+26.13 грн
4000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13 DMT10H003SPSW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW.pdf
DMT10H032SFVW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3.pdf
DMT10H009SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+34.00 грн
5000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13 DMT10H032LSS.pdf
DMT10H032LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7 DMT10H032LFDF.pdf
DMT10H032LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-13 DMT10H032LFDF.pdf
DMT10H032LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13 DMT10H032SFVW.pdf
DMT10H032SFVW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.40 грн
6000+13.65 грн
9000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13 DMT10H015SPS.pdf
DMT10H015SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+25.09 грн
5000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3.pdf
DMT10H015SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 520 521 522 523 524 525 526 527 528 529 530 605 726 847 968 1089 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]