Продукція > EPC SPACE, LLC > Всі товари виробника EPC SPACE, LLC (43) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CDA04N30X1C EPC Space, LLC Description: GANFET 40V 30A .004 OHM 4DAPT
Packaging: Tray
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11399.34 грн
10+9843.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDA10N30X1C CDA10N30X1C EPC Space, LLC CDA10N30X1-datasheet.pdf Description: GANFET 100V 30A .009 OHM 4DAPT
Packaging: Tray
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11232.74 грн
10+9064.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7001BC EPC7001BC EPC Space, LLC EPC7001BC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 50A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20658.27 грн
10+18400.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7001BSH EPC Space, LLC Description: GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30619.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7002AC EPC Space, LLC Description: GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A
Packaging: Bulk
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19583.05 грн
10+18739.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7002ASH EPC Space, LLC Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28302.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7003AC EPC7003AC EPC Space, LLC EPC7003AC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 10A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 50 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20143.03 грн
10+17941.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7003ASH EPC Space, LLC EPC7003A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 100V 10A.045OHM 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29734.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7004BC EPC7004BC EPC Space, LLC EPC7004BC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 46A 4FSMD-B
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 797 pF @ 50 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20143.03 грн
10+17941.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7007BC EPC7007BC EPC Space, LLC EPC7007BC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 24A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20658.27 грн
10+18400.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7007BSH EPC Space, LLC EPC7007B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 200V 18A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29576.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7011L7C EPC7011L7C EPC Space, LLC Description: IC GATE DRVR
Packaging: Bulk
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+44250.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7014UBC EPC7014UBC EPC Space, LLC EPC7014UBC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +7V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13380.86 грн
10+11135.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7014UBSH EPC7014UBSH EPC Space, LLC EPC7014UBSH-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018DC EPC Space, LLC EPC7018D-datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20204.73 грн
10+19244.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018GC EPC7018GC EPC Space, LLC EPC7018GC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 80A 5SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 40 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 50 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22409.17 грн
10+20205.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018GSH EPC7018GSH EPC Space, LLC EPC7018GSH-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: 5-SMD
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 40 A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27584.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7019DC EPC Space, LLC EPC7019D-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD
Packaging: Bulk
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21015.39 грн
10+20016.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7019GC EPC7019GC EPC Space, LLC EPC7019GC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 90A 5SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 50 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 20 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20658.27 грн
10+18400.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7020GSH EPC7020GSH EPC Space, LLC EPC7020GSH-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 51A 5SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29607.90 грн
10+27758.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C001 EPC7C001 EPC Space, LLC EPC7C001-application-guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR FBG04N30
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FBG04N30
Supplied Contents: Board(s)
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+113063.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C002 EPC7C002 EPC Space, LLC EPC7C002-Schematic.pdf Description: EVAL BOARD FOR FBG10N30
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG10N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+104122.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C003 EPC7C003 EPC Space, LLC EPC7C003-application-guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR FBG20N18
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FBG20N18
Supplied Contents: Board(s)
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+103695.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C005 EPC7C005 EPC Space, LLC Description: EVAL POL GAM02-PC50/GAM02A-P-C50
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBS-GAM02
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+148627.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N08AC FBG04N08AC EPC Space, LLC FBG04N08A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 8 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 20 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16779.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N08ASH FBG04N08ASH EPC Space, LLC FBG04N08A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 8 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N30BC FBG04N30BC EPC Space, LLC FBG04N30B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16487.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N30BSH FBG04N30BSH EPC Space, LLC FBG04N30B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26876.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N05AC FBG10N05AC EPC Space, LLC FBG10N05A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Current Rating (Amps): 250µA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 5 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 50 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17452.66 грн
10+16377.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N05ASH FBG10N05ASH EPC Space, LLC FBG10N05ASH-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 5A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Current Rating (Amps): 250µA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 5 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 50 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26174.75 грн
10+24207.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N30BC FBG10N30BC EPC Space, LLC FBG10N30BC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19016.13 грн
10+16727.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N30BSH FBG10N30BSH EPC Space, LLC FBG10N30BSH-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N04AC FBG20N04AC EPC Space, LLC FBG20N04AC-datasheet.pdf Description: MOSFET 200V 4A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18541.77 грн
10+16310.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N04ASH FBG20N04ASH EPC Space, LLC FBG20N04ASH-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 4A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 4 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N18BC FBG20N18BC EPC Space, LLC FBG20N18BC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 18A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18541.77 грн
10+16310.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N18BSH FBG20N18BSH EPC Space, LLC FBG20N18BSH-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 18A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26733.96 грн
10+24725.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG30N04CC FBG30N04CC EPC Space, LLC FBG30N04CC-datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 300V 4A 4FSMD-C
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Voltage - Rated: 300 V
Voltage - Test: 150 V
Current - Test: 4 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 150 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19807.50 грн
10+17597.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG30N04CSH FBG30N04CSH EPC Space, LLC FBG30N04C-datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 150V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 404mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-SMD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27394.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02-P-C50 FBS-GAM02-P-C50 EPC Space, LLC FBSGAM02PC50-datasheet.pdf Description: 50V 10A HALF BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 50 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46956.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02P-C-PSE FBS-GAM02P-C-PSE EPC Space, LLC Description: DUAL HIGH & LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Phase
Part Status: Active
Voltage: 50 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48870.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02P-R-PSE EPC Space, LLC FBSGAM02PRPSE-datasheet.pdf Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 18SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 5V ~ 50V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 22ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52425.86 грн
10+48723.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM04-P-C100 FBS-GAM04-P-C100 EPC Space, LLC FBSGAM04PC100-datasheet.pdf Description: MOSFET IPM 100V 10A 18-SMD MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+44603.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM04-P-C50 FBS-GAM04-P-C50 EPC Space, LLC FBSGAM04PC50-datasheet.pdf Description: MOSFET IPM 50V 10A 18-SMD MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+45634.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDA04N30X1C
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET 40V 30A .004 OHM 4DAPT
Packaging: Tray
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11399.34 грн
10+9843.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDA10N30X1C CDA10N30X1-datasheet.pdf
CDA10N30X1C
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET 100V 30A .009 OHM 4DAPT
Packaging: Tray
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11232.74 грн
10+9064.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7001BC EPC7001BC-datasheet.pdf
EPC7001BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 40V 50A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20658.27 грн
10+18400.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7001BSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+30619.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7002AC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A
Packaging: Bulk
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19583.05 грн
10+18739.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7002ASH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28302.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7003AC EPC7003AC-datasheet.pdf
EPC7003AC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 100V 10A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 50 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20143.03 грн
10+17941.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7003ASH EPC7003A-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 100V 10A.045OHM 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+29734.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7004BC EPC7004BC-datasheet.pdf
EPC7004BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 100V 46A 4FSMD-B
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 797 pF @ 50 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20143.03 грн
10+17941.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7007BC EPC7007BC-datasheet.pdf
EPC7007BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 200V 24A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20658.27 грн
10+18400.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7007BSH EPC7007B-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 200V 18A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+29576.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7011L7C
EPC7011L7C
Виробник: EPC Space, LLC
Description: IC GATE DRVR
Packaging: Bulk
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+44250.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7014UBC EPC7014UBC-datasheet.pdf
EPC7014UBC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 60V 1A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +7V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13380.86 грн
10+11135.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7014UBSH EPC7014UBSH-datasheet.pdf
EPC7014UBSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 60V 1A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018DC EPC7018D-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20204.73 грн
10+19244.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018GC EPC7018GC-datasheet.pdf
EPC7018GC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 100V 80A 5SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 40 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 50 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22409.17 грн
10+20205.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018GSH EPC7018GSH-datasheet.pdf
EPC7018GSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: 5-SMD
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 40 A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27584.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7019DC EPC7019D-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD
Packaging: Bulk
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21015.39 грн
10+20016.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7019GC EPC7019GC-datasheet.pdf
EPC7019GC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 40V 90A 5SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 50 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 20 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20658.27 грн
10+18400.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7020GSH EPC7020GSH-datasheet.pdf
EPC7020GSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 200V 51A 5SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+29607.90 грн
10+27758.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C001 EPC7C001-application-guide.pdf
EPC7C001
Виробник: EPC Space, LLC
Description: EVAL BOARD FOR FBG04N30
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FBG04N30
Supplied Contents: Board(s)
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+113063.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C002 EPC7C002-Schematic.pdf
EPC7C002
Виробник: EPC Space, LLC
Description: EVAL BOARD FOR FBG10N30
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG10N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+104122.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C003 EPC7C003-application-guide.pdf
EPC7C003
Виробник: EPC Space, LLC
Description: EVAL BOARD FOR FBG20N18
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FBG20N18
Supplied Contents: Board(s)
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+103695.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C005
EPC7C005
Виробник: EPC Space, LLC
Description: EVAL POL GAM02-PC50/GAM02A-P-C50
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBS-GAM02
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+148627.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N08AC FBG04N08A-datasheet.pdf
FBG04N08AC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 8 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 20 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+16779.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N08ASH FBG04N08A-datasheet.pdf
FBG04N08ASH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 8 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N30BC FBG04N30B-datasheet.pdf
FBG04N30BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+16487.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N30BSH FBG04N30B-datasheet.pdf
FBG04N30BSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26876.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N05AC FBG10N05A-datasheet.pdf
FBG10N05AC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Current Rating (Amps): 250µA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 5 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 50 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17452.66 грн
10+16377.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N05ASH FBG10N05ASH-datasheet.pdf
FBG10N05ASH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 100V 5A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Current Rating (Amps): 250µA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 5 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 50 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26174.75 грн
10+24207.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N30BC FBG10N30BC-datasheet.pdf
FBG10N30BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 100V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19016.13 грн
10+16727.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N30BSH FBG10N30BSH-datasheet.pdf
FBG10N30BSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 100V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N04AC FBG20N04AC-datasheet.pdf
FBG20N04AC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: MOSFET 200V 4A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18541.77 грн
10+16310.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N04ASH FBG20N04ASH-datasheet.pdf
FBG20N04ASH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 200V 4A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 4 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N18BC FBG20N18BC-datasheet.pdf
FBG20N18BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 200V 18A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18541.77 грн
10+16310.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N18BSH FBG20N18BSH-datasheet.pdf
FBG20N18BSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 200V 18A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26733.96 грн
10+24725.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG30N04CC FBG30N04CC-datasheet.pdf
FBG30N04CC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET N-CH 300V 4A 4FSMD-C
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Voltage - Rated: 300 V
Voltage - Test: 150 V
Current - Test: 4 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 150 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19807.50 грн
10+17597.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG30N04CSH FBG30N04C-datasheet.pdf
FBG30N04CSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 150V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 404mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-SMD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27394.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02-P-C50 FBSGAM02PC50-datasheet.pdf
FBS-GAM02-P-C50
Виробник: EPC Space, LLC
Description: 50V 10A HALF BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 50 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+46956.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02P-C-PSE
FBS-GAM02P-C-PSE
Виробник: EPC Space, LLC
Description: DUAL HIGH & LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Phase
Part Status: Active
Voltage: 50 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+48870.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02P-R-PSE FBSGAM02PRPSE-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 18SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 5V ~ 50V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 22ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+52425.86 грн
10+48723.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM04-P-C100 FBSGAM04PC100-datasheet.pdf
FBS-GAM04-P-C100
Виробник: EPC Space, LLC
Description: MOSFET IPM 100V 10A 18-SMD MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+44603.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM04-P-C50 FBSGAM04PC50-datasheet.pdf
FBS-GAM04-P-C50
Виробник: EPC Space, LLC
Description: MOSFET IPM 50V 10A 18-SMD MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+45634.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.