Продукція > EPC SPACE, LLC > Всі товари виробника EPC SPACE, LLC (43) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CDA04N30X1C EPC Space, LLC Description: GANFET 40V 30A .004 OHM 4DAPT
Packaging: Tray
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12063.79 грн
10+10416.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDA10N30X1C EPC Space, LLC Description: GANFET 100V 30A .009 OHM 4DAPT
Packaging: Tray
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12139.70 грн
10+10949.00 грн
25+10537.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7001BC EPC Space, LLC Description: GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21833.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7001BSH EPC Space, LLC Description: GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32404.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7002AC EPC Space, LLC Description: GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A
Packaging: Bulk
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20724.51 грн
10+19832.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7002ASH EPC Space, LLC Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30567.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7003AC EPC Space, LLC EPC7003A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 50 V
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 A
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21861.59 грн
10+20776.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7003ASH EPC Space, LLC EPC7003A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 100V 10A.045OHM 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31467.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7004BC EPC7004BC EPC Space, LLC EPC7004B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 797 pF @ 50 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20078.02 грн
10+19081.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7007BC EPC7007BC EPC Space, LLC EPC7007B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20078.02 грн
10+19081.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7007BSH EPC Space, LLC EPC7007B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 200V 18A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31300.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7011L7C EPC7011L7C EPC Space, LLC Description: IC GATE DRVR
Packaging: Bulk
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46829.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7014UBC EPC7014UBC EPC Space, LLC EPC7014UB-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +7V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
Packaging: Bulk
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13053.93 грн
10+11585.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7014UBSH EPC Space, LLC Description: GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21910.56 грн
10+20207.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018DC EPC Space, LLC EPC7018D-datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21382.43 грн
10+20366.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018GC EPC7018GC EPC Space, LLC EPC7018G-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 50 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21909.75 грн
10+20822.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7019DC EPC Space, LLC EPC7019D-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD
Packaging: Bulk
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22240.34 грн
10+21183.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7019GC EPC7019GC EPC Space, LLC EPC7019G-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 20 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21909.75 грн
10+20822.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7020GC EPC7020GC EPC Space, LLC EPC7020G-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 30 A
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20078.02 грн
10+19081.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7020GSH EPC Space, LLC EPC7020G-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 200V 80A 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30567.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C001 EPC7C001 EPC Space, LLC EPC7C001-application-guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR FBG04N30
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG04N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: On-Board Test Points
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+119654.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C002 EPC7C002 EPC Space, LLC Description: BD DEMO FBG10N30/GAM01P-C-PSE
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG10N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+112350.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C003 EPC7C003 EPC Space, LLC EPC7C003-application-guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR FBG20N18
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FBG20N18
Supplied Contents: Board(s)
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+115763.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C005 EPC7C005 EPC Space, LLC Description: EVAL POL GAM02-PC50/GAM02A-P-C50
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBS-GAM02
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+157290.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N08AC FBG04N08AC EPC Space, LLC FBG04N08A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 20 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 8 A
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17998.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N08ASH EPC Space, LLC FBG04N08A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 20 V
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N30BC FBG04N30BC EPC Space, LLC FBG04N30B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 30 A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19518.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N30BSH FBG04N30BSH EPC Space, LLC FBG04N30B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 30 A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28443.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N05AC FBG10N05AC EPC Space, LLC FBG10N05A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 50 V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 250µA
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 5 A
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18469.95 грн
10+17332.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N05ASH FBG10N05ASH EPC Space, LLC FBG10N05A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 50 V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 250µA
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 5 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27518.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N30BC FBG10N30BC EPC Space, LLC FBG10N30B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18469.95 грн
10+17332.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N30BSH FBG10N30BSH EPC Space, LLC FBG10N30B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26229.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N04AC EPC Space, LLC FBG20N04A-datasheet.pdf Description: MOSFET 200V 4A 4SMD
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19377.65 грн
10+18184.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N04ASH FBG20N04ASH EPC Space, LLC FBG20N04A-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 4 A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26229.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N18BC FBG20N18BC EPC Space, LLC FBG20N18B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19377.65 грн
10+18184.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N18BSH FBG20N18BSH EPC Space, LLC FBG20N18B-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26229.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG30N04CC FBG30N04CC EPC Space, LLC FBG30N04C-datasheet.pdf Description: GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 150 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 300 V
Voltage - Test: 150 V
Current - Test: 4 A
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20147.40 грн
10+19157.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG30N04CSH EPC Space, LLC FBG30N04C-datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 150V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 404mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02-P-C50 FBS-GAM02-P-C50 EPC Space, LLC FBSGAM02PC50-datasheet.pdf Description: 50V 10A HALF BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 50 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49693.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02P-C-PSE FBS-GAM02P-C-PSE EPC Space, LLC Description: DUAL HIGH & LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Phase
Part Status: Active
Voltage: 50 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51719.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02P-R-PSE EPC Space, LLC FBSGAM02PRPSE-datasheet.pdf Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 18SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 5V ~ 50V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 22ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55481.67 грн
10+51563.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM04-P-C100 FBS-GAM04-P-C100 EPC Space, LLC FBSGAM04PC100-datasheet.pdf Description: 100V 5A DUAL LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47183.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM04-P-C50 FBS-GAM04-P-C50 EPC Space, LLC FBSGAM04PC50-datasheet.pdf Description: 50V 10A DUAL LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47183.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDA04N30X1C
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET 40V 30A .004 OHM 4DAPT
Packaging: Tray
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12063.79 грн
10+10416.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDA10N30X1C
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GANFET 100V 30A .009 OHM 4DAPT
Packaging: Tray
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12139.70 грн
10+10949.00 грн
25+10537.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7001BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21833.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7001BSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Packaging: Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+32404.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7002AC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A
Packaging: Bulk
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20724.51 грн
10+19832.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7002ASH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+30567.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7003AC EPC7003A-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 50 V
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 A
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21861.59 грн
10+20776.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7003ASH EPC7003A-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 100V 10A.045OHM 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+31467.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7004BC EPC7004B-datasheet.pdf
EPC7004BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 797 pF @ 50 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20078.02 грн
10+19081.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7007BC EPC7007B-datasheet.pdf
EPC7007BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20078.02 грн
10+19081.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7007BSH EPC7007B-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 200V 18A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+31300.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7011L7C
EPC7011L7C
Виробник: EPC Space, LLC
Description: IC GATE DRVR
Packaging: Bulk
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+46829.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7014UBC EPC7014UB-datasheet.pdf
EPC7014UBC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +7V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
Packaging: Bulk
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13053.93 грн
10+11585.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7014UBSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21910.56 грн
10+20207.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018DC EPC7018D-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21382.43 грн
10+20366.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7018GC EPC7018G-datasheet.pdf
EPC7018GC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 50 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21909.75 грн
10+20822.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7019DC EPC7019D-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD
Packaging: Bulk
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22240.34 грн
10+21183.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7019GC EPC7019G-datasheet.pdf
EPC7019GC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 20 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21909.75 грн
10+20822.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7020GC EPC7020G-datasheet.pdf
EPC7020GC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 30 A
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20078.02 грн
10+19081.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7020GSH EPC7020G-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 200V 80A 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+30567.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C001 EPC7C001-application-guide.pdf
EPC7C001
Виробник: EPC Space, LLC
Description: EVAL BOARD FOR FBG04N30
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG04N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: On-Board Test Points
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+119654.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C002
EPC7C002
Виробник: EPC Space, LLC
Description: BD DEMO FBG10N30/GAM01P-C-PSE
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG10N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+112350.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C003 EPC7C003-application-guide.pdf
EPC7C003
Виробник: EPC Space, LLC
Description: EVAL BOARD FOR FBG20N18
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FBG20N18
Supplied Contents: Board(s)
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+115763.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC7C005
EPC7C005
Виробник: EPC Space, LLC
Description: EVAL POL GAM02-PC50/GAM02A-P-C50
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBS-GAM02
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+157290.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N08AC FBG04N08A-datasheet.pdf
FBG04N08AC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 20 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 8 A
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17998.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N08ASH FBG04N08A-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 20 V
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N30BC FBG04N30B-datasheet.pdf
FBG04N30BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 30 A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19518.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG04N30BSH FBG04N30B-datasheet.pdf
FBG04N30BSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 20 V
Current - Test: 30 A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28443.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N05AC FBG10N05A-datasheet.pdf
FBG10N05AC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 50 V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 250µA
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 5 A
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18469.95 грн
10+17332.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N05ASH FBG10N05A-datasheet.pdf
FBG10N05ASH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 50 V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 250µA
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 5 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27518.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N30BC FBG10N30B-datasheet.pdf
FBG10N30BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18469.95 грн
10+17332.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG10N30BSH FBG10N30B-datasheet.pdf
FBG10N30BSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26229.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N04AC FBG20N04A-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: MOSFET 200V 4A 4SMD
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19377.65 грн
10+18184.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N04ASH FBG20N04A-datasheet.pdf
FBG20N04ASH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 4 A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26229.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N18BC FBG20N18B-datasheet.pdf
FBG20N18BC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19377.65 грн
10+18184.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG20N18BSH FBG20N18B-datasheet.pdf
FBG20N18BSH
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 200 V
Voltage - Test: 100 V
Current - Test: 18 A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26229.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG30N04CC FBG30N04C-datasheet.pdf
FBG30N04CC
Виробник: EPC Space, LLC
Description: GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaN HEMT
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 150 V
Packaging: Bulk
Configuration: N-Channel
Voltage - Rated: 300 V
Voltage - Test: 150 V
Current - Test: 4 A
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20147.40 грн
10+19157.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBG30N04CSH FBG30N04C-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 150V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 404mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02-P-C50 FBSGAM02PC50-datasheet.pdf
FBS-GAM02-P-C50
Виробник: EPC Space, LLC
Description: 50V 10A HALF BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 50 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+49693.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02P-C-PSE
FBS-GAM02P-C-PSE
Виробник: EPC Space, LLC
Description: DUAL HIGH & LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Phase
Part Status: Active
Voltage: 50 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+51719.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM02P-R-PSE FBSGAM02PRPSE-datasheet.pdf
Виробник: EPC Space, LLC
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 18SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 5V ~ 50V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 22ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55481.67 грн
10+51563.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM04-P-C100 FBSGAM04PC100-datasheet.pdf
FBS-GAM04-P-C100
Виробник: EPC Space, LLC
Description: 100V 5A DUAL LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+47183.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBS-GAM04-P-C50 FBSGAM04PC50-datasheet.pdf
FBS-GAM04-P-C50
Виробник: EPC Space, LLC
Description: 50V 10A DUAL LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase
Current: 10 A
Voltage: 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+47183.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.