Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1541) > Сторінка 25 з 26

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSF3051G7 SSF3051G7 Good-Ark Semiconductor SSF3051G7.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3324 SSF3324 Good-Ark Semiconductor SSF3324.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3324 SSF3324 Good-Ark Semiconductor SSF3324.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 15 V
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.00 грн
30+10.79 грн
100+6.70 грн
500+4.61 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3341 SSF3341 Good-Ark Semiconductor SSF3341.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.2A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 15 V
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
22+14.42 грн
27+11.76 грн
100+8.20 грн
250+6.80 грн
500+5.94 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3341 SSF3341 Good-Ark Semiconductor SSF3341.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.2A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3365 SSF3365 Good-Ark Semiconductor SSF3365.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3365 SSF3365 Good-Ark Semiconductor SSF3365.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 5278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.27 грн
26+12.53 грн
31+10.31 грн
100+7.29 грн
250+6.11 грн
500+5.38 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3402 SSF3402 Good-Ark Semiconductor SSF3402.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3402 SSF3402 Good-Ark Semiconductor SSF3402.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
22+14.42 грн
27+11.76 грн
100+8.20 грн
250+6.80 грн
500+5.94 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3611E SSF3611E Good-Ark Semiconductor SSF3611E.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 15 V
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.09 грн
11+29.00 грн
25+24.14 грн
100+17.47 грн
250+14.93 грн
500+13.36 грн
1000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3611E SSF3611E Good-Ark Semiconductor SSF3611E.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.53 грн
8000+9.26 грн
12000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3714 SSF3714 Good-Ark Semiconductor SSF3714.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V, 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3714 SSF3714 Good-Ark Semiconductor SSF3714.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V, 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
17+18.91 грн
25+15.66 грн
100+11.18 грн
250+9.44 грн
500+8.37 грн
1000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3913S SSF3913S Good-Ark Semiconductor SSF3913S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3913S SSF3913S Good-Ark Semiconductor SSF3913S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
21+15.21 грн
25+12.61 грн
100+8.96 грн
250+7.53 грн
500+6.65 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6007 SSF6007 Good-Ark Semiconductor SSF6007.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230mW (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6007 SSF6007 Good-Ark Semiconductor SSF6007.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230mW (Tc)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.73 грн
24+13.55 грн
25+12.86 грн
100+6.91 грн
250+5.12 грн
500+4.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6092G1 SSF6092G1 Good-Ark Semiconductor SSF6092G1.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.80 грн
6000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6092G1 SSF6092G1 Good-Ark Semiconductor SSF6092G1.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.09 грн
15+22.30 грн
25+19.57 грн
100+11.88 грн
250+9.83 грн
500+7.86 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6670 SSF6670 Good-Ark Semiconductor SSF6670.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6670 SSF6670 Good-Ark Semiconductor SSF6670.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.27 грн
13+24.82 грн
25+23.13 грн
100+17.38 грн
250+16.13 грн
500+13.65 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.00 грн
13+26.08 грн
25+21.40 грн
100+15.13 грн
250+12.70 грн
500+11.20 грн
1000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120 Good-Ark Semiconductor SSF7120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
6000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120 Good-Ark Semiconductor SSF7120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.46 грн
15+21.12 грн
25+18.50 грн
100+11.23 грн
250+9.30 грн
500+7.44 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 Good-Ark Semiconductor SSF7320.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 Good-Ark Semiconductor SSF7320.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 15860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
16+20.25 грн
25+16.99 грн
100+10.09 грн
250+7.79 грн
500+6.64 грн
1000+4.44 грн
2500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912 Good-Ark Semiconductor SSF7912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912 Good-Ark Semiconductor SSF7912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.46 грн
19+16.94 грн
25+13.87 грн
100+9.69 грн
250+8.06 грн
500+7.05 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S Good-Ark Semiconductor SSF8309S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.51 грн
6000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S Good-Ark Semiconductor SSF8309S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.00 грн
20+15.92 грн
25+13.17 грн
100+9.36 грн
250+7.88 грн
500+6.96 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8970 Good-Ark Semiconductor SSF8970.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200A, 80V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor SSFB12N05.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor SSFB12N05.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.64 грн
15+22.22 грн
25+18.44 грн
100+13.21 грн
250+11.19 грн
500+9.95 грн
1000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L Good-Ark Semiconductor SSFB2309L.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.60 грн
6000+10.29 грн
9000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L Good-Ark Semiconductor SSFB2309L.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.09 грн
11+29.39 грн
25+24.43 грн
100+17.67 грн
250+15.07 грн
500+13.48 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L Good-Ark Semiconductor SSFB2310L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.61 грн
6000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L Good-Ark Semiconductor SSFB2310L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909 Good-Ark Semiconductor SSFB3909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.35 грн
6000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909 Good-Ark Semiconductor SSFB3909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.73 грн
13+25.61 грн
25+23.45 грн
100+16.39 грн
250+14.85 грн
500+12.29 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 Good-Ark Semiconductor SSFD20N08_Jun2023.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 Good-Ark Semiconductor SSFD20N08_Jun2023.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.64 грн
10+38.06 грн
25+35.55 грн
100+26.69 грн
250+24.78 грн
500+20.97 грн
1000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906 Good-Ark Semiconductor SSFD3906.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906 Good-Ark Semiconductor SSFD3906.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.27 грн
13+25.14 грн
25+23.45 грн
100+17.62 грн
250+16.36 грн
500+13.85 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B Good-Ark Semiconductor SSFD6025B.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 60V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 60V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7456 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B Good-Ark Semiconductor SSFD6025B.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 60V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 60V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7456 pF @ 25 V
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.46 грн
10+42.39 грн
100+29.14 грн
500+21.71 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 Good-Ark Semiconductor SSFD6035.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 Good-Ark Semiconductor SSFD6035.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.73 грн
10+43.10 грн
25+40.50 грн
100+31.01 грн
250+28.80 грн
500+24.51 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909 Good-Ark Semiconductor SSFD6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909 Good-Ark Semiconductor SSFD6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.91 грн
10+33.96 грн
25+28.02 грн
100+19.97 грн
250+16.86 грн
500+14.95 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSFH6538 SSFH6538 Good-Ark Semiconductor SSFH6538.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 38A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.20 грн
10+186.19 грн
25+176.02 грн
100+143.18 грн
250+135.83 грн
500+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219 Good-Ark Semiconductor SSFK2219.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 278mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219 Good-Ark Semiconductor SSFK2219.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 278mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.37 грн
13+24.58 грн
25+21.53 грн
100+13.09 грн
250+10.83 грн
500+8.67 грн
1000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B Good-Ark Semiconductor SSFK3220B.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.46 грн
14+23.24 грн
25+19.45 грн
100+11.56 грн
250+8.92 грн
500+7.60 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B Good-Ark Semiconductor SSFK3220B.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120 Good-Ark Semiconductor SSFK9120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Configuration: N and P-Channel Complementary
Power - Max: 275mW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120 Good-Ark Semiconductor SSFK9120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Configuration: N and P-Channel Complementary
Power - Max: 275mW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.00 грн
13+25.29 грн
25+22.13 грн
100+13.45 грн
250+11.13 грн
500+8.91 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912 Good-Ark Semiconductor SSFL6912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
13+24.82 грн
25+22.69 грн
100+15.84 грн
250+14.36 грн
500+11.88 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912 Good-Ark Semiconductor SSFL6912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603 Good-Ark Semiconductor SSFN2603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3051G7 SSF3051G7.pdf
SSF3051G7
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3324 SSF3324.pdf
SSF3324
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3324 SSF3324.pdf
SSF3324
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 15 V
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.00 грн
30+10.79 грн
100+6.70 грн
500+4.61 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3341 SSF3341.pdf
SSF3341
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.2A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 15 V
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.37 грн
22+14.42 грн
27+11.76 грн
100+8.20 грн
250+6.80 грн
500+5.94 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3341 SSF3341.pdf
SSF3341
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.2A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3365 SSF3365.pdf
SSF3365
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3365 SSF3365.pdf
SSF3365
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 5278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.27 грн
26+12.53 грн
31+10.31 грн
100+7.29 грн
250+6.11 грн
500+5.38 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3402 SSF3402.pdf
SSF3402
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3402 SSF3402.pdf
SSF3402
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.37 грн
22+14.42 грн
27+11.76 грн
100+8.20 грн
250+6.80 грн
500+5.94 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3611E SSF3611E.pdf
SSF3611E
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 15 V
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.09 грн
11+29.00 грн
25+24.14 грн
100+17.47 грн
250+14.93 грн
500+13.36 грн
1000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3611E SSF3611E.pdf
SSF3611E
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.53 грн
8000+9.26 грн
12000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3714 SSF3714.pdf
SSF3714
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V, 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3714 SSF3714.pdf
SSF3714
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V, 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
17+18.91 грн
25+15.66 грн
100+11.18 грн
250+9.44 грн
500+8.37 грн
1000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3913S SSF3913S.pdf
SSF3913S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3913S SSF3913S.pdf
SSF3913S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.37 грн
21+15.21 грн
25+12.61 грн
100+8.96 грн
250+7.53 грн
500+6.65 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6007 SSF6007.pdf
SSF6007
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230mW (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6007 SSF6007.pdf
SSF6007
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230mW (Tc)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.73 грн
24+13.55 грн
25+12.86 грн
100+6.91 грн
250+5.12 грн
500+4.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6092G1 SSF6092G1.pdf
SSF6092G1
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.80 грн
6000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6092G1 SSF6092G1.pdf
SSF6092G1
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.09 грн
15+22.30 грн
25+19.57 грн
100+11.88 грн
250+9.83 грн
500+7.86 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6670 SSF6670.pdf
SSF6670
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6670 SSF6670.pdf
SSF6670
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.27 грн
13+24.82 грн
25+23.13 грн
100+17.38 грн
250+16.13 грн
500+13.65 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909.pdf
SSF6909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909.pdf
SSF6909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.00 грн
13+26.08 грн
25+21.40 грн
100+15.13 грн
250+12.70 грн
500+11.20 грн
1000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120.pdf
SSF7120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
6000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120.pdf
SSF7120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.46 грн
15+21.12 грн
25+18.50 грн
100+11.23 грн
250+9.30 грн
500+7.44 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 SSF7320.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 SSF7320.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 15860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.37 грн
16+20.25 грн
25+16.99 грн
100+10.09 грн
250+7.79 грн
500+6.64 грн
1000+4.44 грн
2500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912.pdf
SSF7912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912.pdf
SSF7912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.46 грн
19+16.94 грн
25+13.87 грн
100+9.69 грн
250+8.06 грн
500+7.05 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S.pdf
SSF8309S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.51 грн
6000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S.pdf
SSF8309S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.00 грн
20+15.92 грн
25+13.17 грн
100+9.36 грн
250+7.88 грн
500+6.96 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8970 SSF8970.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200A, 80V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05.pdf
SSFB12N05
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05.pdf
SSFB12N05
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.64 грн
15+22.22 грн
25+18.44 грн
100+13.21 грн
250+11.19 грн
500+9.95 грн
1000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L.pdf
SSFB2309L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.60 грн
6000+10.29 грн
9000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L.pdf
SSFB2309L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.09 грн
11+29.39 грн
25+24.43 грн
100+17.67 грн
250+15.07 грн
500+13.48 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L.pdf
SSFB2310L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.61 грн
6000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L.pdf
SSFB2310L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909.pdf
SSFB3909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.35 грн
6000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909.pdf
SSFB3909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.73 грн
13+25.61 грн
25+23.45 грн
100+16.39 грн
250+14.85 грн
500+12.29 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08_Jun2023.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08_Jun2023.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.64 грн
10+38.06 грн
25+35.55 грн
100+26.69 грн
250+24.78 грн
500+20.97 грн
1000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906.pdf
SSFD3906
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906.pdf
SSFD3906
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.27 грн
13+25.14 грн
25+23.45 грн
100+17.62 грн
250+16.36 грн
500+13.85 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B.pdf
SSFD6025B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 60V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 60V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7456 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B.pdf
SSFD6025B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 60V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 60V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7456 pF @ 25 V
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.46 грн
10+42.39 грн
100+29.14 грн
500+21.71 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 SSFD6035.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 SSFD6035.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.73 грн
10+43.10 грн
25+40.50 грн
100+31.01 грн
250+28.80 грн
500+24.51 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909.pdf
SSFD6909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909.pdf
SSFD6909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.91 грн
10+33.96 грн
25+28.02 грн
100+19.97 грн
250+16.86 грн
500+14.95 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSFH6538 SSFH6538.pdf
SSFH6538
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 38A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.20 грн
10+186.19 грн
25+176.02 грн
100+143.18 грн
250+135.83 грн
500+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219.pdf
SSFK2219
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 278mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219.pdf
SSFK2219
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 278mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.37 грн
13+24.58 грн
25+21.53 грн
100+13.09 грн
250+10.83 грн
500+8.67 грн
1000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B.pdf
SSFK3220B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2 N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.46 грн
14+23.24 грн
25+19.45 грн
100+11.56 грн
250+8.92 грн
500+7.60 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B.pdf
SSFK3220B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2 N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120.pdf
SSFK9120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Configuration: N and P-Channel Complementary
Power - Max: 275mW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120.pdf
SSFK9120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Configuration: N and P-Channel Complementary
Power - Max: 275mW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.00 грн
13+25.29 грн
25+22.13 грн
100+13.45 грн
250+11.13 грн
500+8.91 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912.pdf
SSFL6912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
13+24.82 грн
25+22.69 грн
100+15.84 грн
250+14.36 грн
500+11.88 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912.pdf
SSFL6912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603.pdf
SSFN2603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26  [ Наступна Сторінка >> ]