Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1600) > Сторінка 26 з 27

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSF3913S SSF3913S Good-Ark Semiconductor SSF3913S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
6000+4.14 грн
9000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3913S SSF3913S Good-Ark Semiconductor SSF3913S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.26 грн
24+13.42 грн
100+8.40 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6007 SSF6007 Good-Ark Semiconductor SSF6007.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230mW (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6007 SSF6007 Good-Ark Semiconductor SSF6007.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230mW (Tc)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.84 грн
24+13.65 грн
25+12.96 грн
100+6.96 грн
250+5.16 грн
500+4.28 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6092G1 SSF6092G1 Good-Ark Semiconductor SSF6092G1.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.33 грн
15+22.47 грн
25+19.72 грн
100+11.96 грн
250+9.90 грн
500+7.92 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6092G1 SSF6092G1 Good-Ark Semiconductor SSF6092G1.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.84 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6602 SSF6602 Good-Ark Semiconductor SSF6602.pdf Description: MOSFET, N+P, DUAL, 3.5 -2.7A, 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V, 199pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.85 грн
19+16.99 грн
100+10.69 грн
500+7.48 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6602 SSF6602 Good-Ark Semiconductor SSF6602.pdf Description: MOSFET, N+P, DUAL, 3.5 -2.7A, 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V, 199pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6670 SSF6670 Good-Ark Semiconductor SSF6670.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6670 SSF6670 Good-Ark Semiconductor SSF6670.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.50 грн
13+25.01 грн
25+23.31 грн
100+17.51 грн
250+16.26 грн
500+13.76 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.31 грн
29+11.11 грн
33+9.81 грн
100+7.85 грн
250+7.22 грн
500+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6910 SSF6910 Good-Ark Semiconductor SSF6910.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.14 грн
27+12.15 грн
30+10.76 грн
100+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6910 SSF6910 Good-Ark Semiconductor SSF6910.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.50 грн
6000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6911S SSF6911S Good-Ark Semiconductor SSF6911S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 30 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.89 грн
50+6.43 грн
57+5.59 грн
100+4.43 грн
250+4.04 грн
500+3.81 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6911S SSF6911S Good-Ark Semiconductor SSF6911S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
6000+3.48 грн
9000+3.42 грн
15000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6912 SSF6912 Good-Ark Semiconductor SSF6912.pdf Description: MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
6000+5.11 грн
9000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6912 SSF6912 Good-Ark Semiconductor SSF6912.pdf Description: MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.01 грн
36+9.05 грн
40+8.00 грн
100+6.38 грн
250+5.86 грн
500+5.54 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120 Good-Ark Semiconductor SSF7120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.68 грн
15+21.27 грн
25+18.64 грн
100+11.32 грн
250+9.37 грн
500+7.49 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120 Good-Ark Semiconductor SSF7120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
6000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 Good-Ark Semiconductor SSF7320.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 15860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.55 грн
16+20.40 грн
25+17.11 грн
100+10.17 грн
250+7.85 грн
500+6.69 грн
1000+4.47 грн
2500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 Good-Ark Semiconductor SSF7320.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912 Good-Ark Semiconductor SSF7912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
6000+3.48 грн
9000+3.42 грн
15000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912 Good-Ark Semiconductor SSF7912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.89 грн
50+6.43 грн
57+5.59 грн
100+4.43 грн
250+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S Good-Ark Semiconductor SSF8309S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.20 грн
20+16.04 грн
25+13.27 грн
100+9.43 грн
250+7.94 грн
500+7.01 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S Good-Ark Semiconductor SSF8309S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
6000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8970 Good-Ark Semiconductor SSF8970.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200A, 80V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor SSFB12N05.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.92 грн
15+22.39 грн
25+18.58 грн
100+13.31 грн
250+11.27 грн
500+10.02 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor SSFB12N05.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L Good-Ark Semiconductor SSFB2309L.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.69 грн
6000+10.37 грн
9000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L Good-Ark Semiconductor SSFB2309L.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.46 грн
11+29.61 грн
25+24.61 грн
100+17.80 грн
250+15.19 грн
500+13.58 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L Good-Ark Semiconductor SSFB2310L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.70 грн
6000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L Good-Ark Semiconductor SSFB2310L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909 Good-Ark Semiconductor SSFB3909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.42 грн
6000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909 Good-Ark Semiconductor SSFB3909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
13+25.80 грн
25+23.62 грн
100+16.51 грн
250+14.96 грн
500+12.38 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08 Good-Ark Semiconductor SSFD20N08.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08 Good-Ark Semiconductor SSFD20N08.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
15+22.31 грн
25+19.88 грн
100+16.18 грн
250+15.00 грн
500+14.29 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N24 SSFD20N24 Good-Ark Semiconductor SSFD20N24.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.97 грн
5000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N24 SSFD20N24 Good-Ark Semiconductor SSFD20N24.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.98 грн
10+65.73 грн
25+59.60 грн
100+49.53 грн
250+46.49 грн
500+44.65 грн
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906 Good-Ark Semiconductor SSFD3906.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906 Good-Ark Semiconductor SSFD3906.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.50 грн
13+25.32 грн
25+23.62 грн
100+17.75 грн
250+16.48 грн
500+13.95 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B Good-Ark Semiconductor SSFD6025B.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 60V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 60V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7456 pF @ 25 V
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.95 грн
10+42.71 грн
100+29.36 грн
500+21.87 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B Good-Ark Semiconductor SSFD6025B.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 60V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 60V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7456 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 Good-Ark Semiconductor SSFD6035.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.11 грн
10+43.42 грн
25+40.80 грн
100+31.24 грн
250+29.02 грн
500+24.70 грн
1000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 Good-Ark Semiconductor SSFD6035.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909 Good-Ark Semiconductor SSFD6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909 Good-Ark Semiconductor SSFD6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.35 грн
10+34.21 грн
25+28.23 грн
100+20.11 грн
250+16.99 грн
500+15.06 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSFH6538 SSFH6538 Good-Ark Semiconductor SSFH6538.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 38A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.80 грн
10+187.58 грн
25+177.34 грн
100+144.25 грн
250+136.85 грн
500+122.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219 Good-Ark Semiconductor SSFK2219.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 278mW (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219 Good-Ark Semiconductor SSFK2219.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 278mW (Ta)
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.62 грн
13+24.77 грн
25+21.69 грн
100+13.19 грн
250+10.92 грн
500+8.73 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B Good-Ark Semiconductor SSFK3220B.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 275mW (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B Good-Ark Semiconductor SSFK3220B.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 275mW (Tc)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.68 грн
14+23.42 грн
25+19.59 грн
100+11.65 грн
250+8.99 грн
500+7.66 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120 Good-Ark Semiconductor SSFK9120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Configuration: N and P-Channel Complementary
Power - Max: 275mW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120 Good-Ark Semiconductor SSFK9120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Configuration: N and P-Channel Complementary
Power - Max: 275mW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.27 грн
13+25.48 грн
25+22.29 грн
100+13.55 грн
250+11.22 грн
500+8.97 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912 Good-Ark Semiconductor SSFL6912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912 Good-Ark Semiconductor SSFL6912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.15 грн
13+25.01 грн
25+22.86 грн
100+15.96 грн
250+14.46 грн
500+11.97 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603 Good-Ark Semiconductor SSFN2603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.62 грн
14+23.74 грн
25+21.18 грн
100+17.26 грн
250+16.02 грн
500+15.27 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603 Good-Ark Semiconductor SSFN2603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3010H SSFN3010H Good-Ark Semiconductor SSFN3010H.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 19.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.88 грн
10+34.29 грн
100+22.20 грн
500+15.92 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3010H SSFN3010H Good-Ark Semiconductor SSFN3010H.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 19.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.64 грн
6000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3913S SSF3913S.pdf
SSF3913S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.77 грн
6000+4.14 грн
9000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF3913S SSF3913S.pdf
SSF3913S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.26 грн
24+13.42 грн
100+8.40 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6007 SSF6007.pdf
SSF6007
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230mW (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6007 SSF6007.pdf
SSF6007
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230mW (Tc)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.84 грн
24+13.65 грн
25+12.96 грн
100+6.96 грн
250+5.16 грн
500+4.28 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6092G1 SSF6092G1.pdf
SSF6092G1
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.33 грн
15+22.47 грн
25+19.72 грн
100+11.96 грн
250+9.90 грн
500+7.92 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6092G1 SSF6092G1.pdf
SSF6092G1
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.84 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6602 SSF6602.pdf
SSF6602
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N+P, DUAL, 3.5 -2.7A, 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V, 199pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.85 грн
19+16.99 грн
100+10.69 грн
500+7.48 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6602 SSF6602.pdf
SSF6602
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N+P, DUAL, 3.5 -2.7A, 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V, 199pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6670 SSF6670.pdf
SSF6670
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6670 SSF6670.pdf
SSF6670
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.50 грн
13+25.01 грн
25+23.31 грн
100+17.51 грн
250+16.26 грн
500+13.76 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909.pdf
SSF6909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909.pdf
SSF6909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.31 грн
29+11.11 грн
33+9.81 грн
100+7.85 грн
250+7.22 грн
500+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6910 SSF6910.pdf
SSF6910
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.14 грн
27+12.15 грн
30+10.76 грн
100+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6910 SSF6910.pdf
SSF6910
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.50 грн
6000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6911S SSF6911S.pdf
SSF6911S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 30 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.89 грн
50+6.43 грн
57+5.59 грн
100+4.43 грн
250+4.04 грн
500+3.81 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6911S SSF6911S.pdf
SSF6911S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.74 грн
6000+3.48 грн
9000+3.42 грн
15000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6912 SSF6912.pdf
SSF6912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.48 грн
6000+5.11 грн
9000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6912 SSF6912.pdf
SSF6912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.01 грн
36+9.05 грн
40+8.00 грн
100+6.38 грн
250+5.86 грн
500+5.54 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120.pdf
SSF7120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.68 грн
15+21.27 грн
25+18.64 грн
100+11.32 грн
250+9.37 грн
500+7.49 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120.pdf
SSF7120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.53 грн
6000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 SSF7320.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 15860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.55 грн
16+20.40 грн
25+17.11 грн
100+10.17 грн
250+7.85 грн
500+6.69 грн
1000+4.47 грн
2500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 SSF7320.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912.pdf
SSF7912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.74 грн
6000+3.48 грн
9000+3.42 грн
15000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912.pdf
SSF7912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.89 грн
50+6.43 грн
57+5.59 грн
100+4.43 грн
250+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S.pdf
SSF8309S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.20 грн
20+16.04 грн
25+13.27 грн
100+9.43 грн
250+7.94 грн
500+7.01 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S.pdf
SSF8309S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.55 грн
6000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8970 SSF8970.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200A, 80V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05.pdf
SSFB12N05
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.92 грн
15+22.39 грн
25+18.58 грн
100+13.31 грн
250+11.27 грн
500+10.02 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05.pdf
SSFB12N05
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L.pdf
SSFB2309L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.69 грн
6000+10.37 грн
9000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L.pdf
SSFB2309L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.46 грн
11+29.61 грн
25+24.61 грн
100+17.80 грн
250+15.19 грн
500+13.58 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L.pdf
SSFB2310L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.70 грн
6000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L.pdf
SSFB2310L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909.pdf
SSFB3909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.42 грн
6000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909.pdf
SSFB3909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
13+25.80 грн
25+23.62 грн
100+16.51 грн
250+14.96 грн
500+12.38 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08.pdf
SSFD20N08
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08.pdf
SSFD20N08
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
15+22.31 грн
25+19.88 грн
100+16.18 грн
250+15.00 грн
500+14.29 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N24 SSFD20N24.pdf
SSFD20N24
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.97 грн
5000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N24 SSFD20N24.pdf
SSFD20N24
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.98 грн
10+65.73 грн
25+59.60 грн
100+49.53 грн
250+46.49 грн
500+44.65 грн
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906.pdf
SSFD3906
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906.pdf
SSFD3906
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.50 грн
13+25.32 грн
25+23.62 грн
100+17.75 грн
250+16.48 грн
500+13.95 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B.pdf
SSFD6025B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 60V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 60V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7456 pF @ 25 V
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.95 грн
10+42.71 грн
100+29.36 грн
500+21.87 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B.pdf
SSFD6025B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 60V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 60V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7456 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 SSFD6035.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.11 грн
10+43.42 грн
25+40.80 грн
100+31.24 грн
250+29.02 грн
500+24.70 грн
1000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 SSFD6035.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909.pdf
SSFD6909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909.pdf
SSFD6909
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.35 грн
10+34.21 грн
25+28.23 грн
100+20.11 грн
250+16.99 грн
500+15.06 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSFH6538 SSFH6538.pdf
SSFH6538
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 38A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.80 грн
10+187.58 грн
25+177.34 грн
100+144.25 грн
250+136.85 грн
500+122.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219.pdf
SSFK2219
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 278mW (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219.pdf
SSFK2219
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 278mW (Ta)
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.62 грн
13+24.77 грн
25+21.69 грн
100+13.19 грн
250+10.92 грн
500+8.73 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B.pdf
SSFK3220B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2 N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 275mW (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B.pdf
SSFK3220B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2 N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 275mW (Tc)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.68 грн
14+23.42 грн
25+19.59 грн
100+11.65 грн
250+8.99 грн
500+7.66 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120.pdf
SSFK9120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Configuration: N and P-Channel Complementary
Power - Max: 275mW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120.pdf
SSFK9120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Configuration: N and P-Channel Complementary
Power - Max: 275mW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.27 грн
13+25.48 грн
25+22.29 грн
100+13.55 грн
250+11.22 грн
500+8.97 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912.pdf
SSFL6912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912.pdf
SSFL6912
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.15 грн
13+25.01 грн
25+22.86 грн
100+15.96 грн
250+14.46 грн
500+11.97 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603.pdf
SSFN2603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.62 грн
14+23.74 грн
25+21.18 грн
100+17.26 грн
250+16.02 грн
500+15.27 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603.pdf
SSFN2603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3010H SSFN3010H.pdf
SSFN3010H
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 19.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.88 грн
10+34.29 грн
100+22.20 грн
500+15.92 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3010H SSFN3010H.pdf
SSFN3010H
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 19.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.64 грн
6000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]