Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1794) > Сторінка 14 з 30

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GSFC0304 GSFC0304 Good-Ark Semiconductor GSFC0304.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.70 грн
6000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304 Good-Ark Semiconductor GSFC0304.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.49 грн
49+6.25 грн
56+5.52 грн
100+4.38 грн
250+4.00 грн
500+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306 Good-Ark Semiconductor GSFC0306.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306 Good-Ark Semiconductor GSFC0306.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.49 грн
49+6.25 грн
56+5.52 грн
100+4.38 грн
250+4.00 грн
500+3.77 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403 GSFC0403 Good-Ark Semiconductor GSFC0403.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.11 грн
18+17.52 грн
100+8.85 грн
500+6.78 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403 GSFC0403 Good-Ark Semiconductor GSFC0403.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500 GSFC0500 Good-Ark Semiconductor GSFC0500.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.33 грн
6000+2.00 грн
9000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500 GSFC0500 Good-Ark Semiconductor GSFC0500.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.91 грн
59+5.18 грн
100+3.44 грн
500+2.45 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603 GSFC0603 Good-Ark Semiconductor GSFC0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
6000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603 GSFC0603 Good-Ark Semiconductor GSFC0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.24 грн
34+9.07 грн
39+8.01 грн
100+6.42 грн
250+5.89 грн
500+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110L GSFC10110L Good-Ark Semiconductor GSFC10110L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110L GSFC10110L Good-Ark Semiconductor GSFC10110L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
17+18.51 грн
100+11.71 грн
500+8.22 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208 GSFC1208 Good-Ark Semiconductor GSFC1208.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208 GSFC1208 Good-Ark Semiconductor GSFC1208.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312 GSFC2312 Good-Ark Semiconductor GSFC2312.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
6000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312 GSFC2312 Good-Ark Semiconductor GSFC2312.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110 GSFC28110 Good-Ark Semiconductor GSFC28110.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.23 грн
6000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110 GSFC28110 Good-Ark Semiconductor GSFC28110.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401 GSFC3401 Good-Ark Semiconductor GSFC3401.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
6000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401 GSFC3401 Good-Ark Semiconductor GSFC3401.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.91 грн
65+4.72 грн
73+4.17 грн
100+3.28 грн
250+2.99 грн
500+2.81 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415 GSFC3415 Good-Ark Semiconductor GSFC3415.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415 GSFC3415 Good-Ark Semiconductor GSFC3415.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
21+14.78 грн
25+12.19 грн
100+8.68 грн
250+7.30 грн
500+6.44 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415C GSFC3415C Good-Ark Semiconductor GSFC3415C.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.59 грн
6000+3.10 грн
9000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415C GSFC3415C Good-Ark Semiconductor GSFC3415C.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
39+7.92 грн
100+5.29 грн
500+3.78 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050 GSFC4050 Good-Ark Semiconductor GSFC4050.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050 GSFC4050 Good-Ark Semiconductor GSFC4050.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.41 грн
30+10.21 грн
100+6.36 грн
500+4.37 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212 GSFCP0212 Good-Ark Semiconductor GSFCP0212.pdf Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212 GSFCP0212 Good-Ark Semiconductor GSFCP0212.pdf Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303 GSFCR2303 Good-Ark Semiconductor GSFCR2303.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303 GSFCR2303 Good-Ark Semiconductor GSFCR2303.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.24 грн
37+8.46 грн
100+5.23 грн
500+3.59 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460 Good-Ark Semiconductor GSFD0460.pdf Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.45 грн
5000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460 Good-Ark Semiconductor GSFD0460.pdf Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.75 грн
10+49.22 грн
25+46.23 грн
100+35.40 грн
250+32.88 грн
500+27.98 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603 GSFD0603 Good-Ark Semiconductor GSFD0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603 GSFD0603 Good-Ark Semiconductor GSFD0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.50 грн
5000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625 GSFD0625 Good-Ark Semiconductor GSFD0625.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.53 грн
5000+11.87 грн
7500+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625 GSFD0625 Good-Ark Semiconductor GSFD0625.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.75 грн
10+34.36 грн
25+28.68 грн
100+20.86 грн
250+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646 Good-Ark Semiconductor GSFD0646.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646 Good-Ark Semiconductor GSFD0646.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+49.37 грн
25+41.51 грн
100+30.55 грн
250+26.44 грн
500+23.92 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650 Good-Ark Semiconductor GSFD0650.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650 Good-Ark Semiconductor GSFD0650.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+47.92 грн
25+39.83 грн
100+28.77 грн
250+24.54 грн
500+21.94 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 20.1W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 20.1W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.10 грн
10+57.60 грн
25+48.06 грн
100+34.94 грн
250+29.95 грн
500+26.87 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982 GSFD0982 Good-Ark Semiconductor GSFD0982.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982 GSFD0982 Good-Ark Semiconductor GSFD0982.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.69 грн
10+60.49 грн
50+45.03 грн
100+37.57 грн
500+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD10110 GSFD10110 Good-Ark Semiconductor GSFD10110.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 15.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD10110 GSFD10110 Good-Ark Semiconductor GSFD10110.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 15.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.14 грн
13+24.23 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028 GSFD1028 Good-Ark Semiconductor GSFD1028.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+148.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028 GSFD1028 Good-Ark Semiconductor GSFD1028.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550 GSFD1550 Good-Ark Semiconductor GSFD1550.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550 GSFD1550 Good-Ark Semiconductor GSFD1550.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.04 грн
10+121.14 грн
25+114.28 грн
100+91.37 грн
250+85.80 грн
500+75.08 грн
1000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD2506 GSFD2506 Good-Ark Semiconductor GSFD2506.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 250
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD2506 GSFD2506 Good-Ark Semiconductor GSFD2506.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 250
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.13 грн
10+35.96 грн
50+26.36 грн
100+21.81 грн
500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003 GSFD4003 Good-Ark Semiconductor GSFD4003.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003 GSFD4003 Good-Ark Semiconductor GSFD4003.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.00 грн
10+43.12 грн
100+28.09 грн
500+20.28 грн
1000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005 GSFD4005 Good-Ark Semiconductor GSFD4005.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+54.47 грн
100+37.85 грн
500+28.48 грн
1000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005 GSFD4005 Good-Ark Semiconductor GSFD4005.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.38 грн
5000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015 GSFD4015 Good-Ark Semiconductor GSFD4015.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015 GSFD4015 Good-Ark Semiconductor GSFD4015.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.51 грн
11+28.11 грн
100+19.12 грн
500+14.07 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4N65 GSFD4N65 Good-Ark Semiconductor GSFD4N65.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.63 грн
11+30.40 грн
50+22.17 грн
100+18.31 грн
500+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD500P10 GSFD500P10 Good-Ark Semiconductor GSFD500P10.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
10+40.45 грн
100+27.99 грн
500+21.95 грн
1000+18.68 грн
2500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304.pdf
GSFC0304
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.70 грн
6000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304.pdf
GSFC0304
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.49 грн
49+6.25 грн
56+5.52 грн
100+4.38 грн
250+4.00 грн
500+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306.pdf
GSFC0306
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306.pdf
GSFC0306
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.49 грн
49+6.25 грн
56+5.52 грн
100+4.38 грн
250+4.00 грн
500+3.77 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403 GSFC0403.pdf
GSFC0403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.11 грн
18+17.52 грн
100+8.85 грн
500+6.78 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403 GSFC0403.pdf
GSFC0403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.68 грн
6000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500 GSFC0500.pdf
GSFC0500
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.33 грн
6000+2.00 грн
9000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500 GSFC0500.pdf
GSFC0500
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.91 грн
59+5.18 грн
100+3.44 грн
500+2.45 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603 GSFC0603.pdf
GSFC0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.52 грн
6000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603 GSFC0603.pdf
GSFC0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.24 грн
34+9.07 грн
39+8.01 грн
100+6.42 грн
250+5.89 грн
500+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110L GSFC10110L.pdf
GSFC10110L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110L GSFC10110L.pdf
GSFC10110L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.65 грн
17+18.51 грн
100+11.71 грн
500+8.22 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208 GSFC1208.pdf
GSFC1208
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208 GSFC1208.pdf
GSFC1208
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312 GSFC2312.pdf
GSFC2312
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.33 грн
6000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312 GSFC2312.pdf
GSFC2312
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110 GSFC28110.pdf
GSFC28110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.23 грн
6000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110 GSFC28110.pdf
GSFC28110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401 GSFC3401.pdf
GSFC3401
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.74 грн
6000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401 GSFC3401.pdf
GSFC3401
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.91 грн
65+4.72 грн
73+4.17 грн
100+3.28 грн
250+2.99 грн
500+2.81 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415 GSFC3415.pdf
GSFC3415
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415 GSFC3415.pdf
GSFC3415
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.53 грн
21+14.78 грн
25+12.19 грн
100+8.68 грн
250+7.30 грн
500+6.44 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415C GSFC3415C.pdf
GSFC3415C
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.59 грн
6000+3.10 грн
9000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415C GSFC3415C.pdf
GSFC3415C
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.87 грн
39+7.92 грн
100+5.29 грн
500+3.78 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050 GSFC4050.pdf
GSFC4050
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050 GSFC4050.pdf
GSFC4050
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.41 грн
30+10.21 грн
100+6.36 грн
500+4.37 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212 GSFCP0212.pdf
GSFCP0212
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212 GSFCP0212.pdf
GSFCP0212
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303 GSFCR2303.pdf
GSFCR2303
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303 GSFCR2303.pdf
GSFCR2303
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.24 грн
37+8.46 грн
100+5.23 грн
500+3.59 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460 GSFD0460.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.45 грн
5000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460 GSFD0460.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.75 грн
10+49.22 грн
25+46.23 грн
100+35.40 грн
250+32.88 грн
500+27.98 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603 GSFD0603.pdf
GSFD0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603 GSFD0603.pdf
GSFD0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.50 грн
5000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625 GSFD0625.pdf
GSFD0625
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.53 грн
5000+11.87 грн
7500+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625 GSFD0625.pdf
GSFD0625
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.75 грн
10+34.36 грн
25+28.68 грн
100+20.86 грн
250+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646.pdf
GSFD0646
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646.pdf
GSFD0646
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.49 грн
10+49.37 грн
25+41.51 грн
100+30.55 грн
250+26.44 грн
500+23.92 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650.pdf
GSFD0650
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650.pdf
GSFD0650
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.49 грн
10+47.92 грн
25+39.83 грн
100+28.77 грн
250+24.54 грн
500+21.94 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20.pdf
GSFD06C20
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 20.1W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20.pdf
GSFD06C20
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 20.1W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.10 грн
10+57.60 грн
25+48.06 грн
100+34.94 грн
250+29.95 грн
500+26.87 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982 GSFD0982.pdf
GSFD0982
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982 GSFD0982.pdf
GSFD0982
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.69 грн
10+60.49 грн
50+45.03 грн
100+37.57 грн
500+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD10110 GSFD10110.pdf
GSFD10110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 15.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD10110 GSFD10110.pdf
GSFD10110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 15.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.14 грн
13+24.23 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028 GSFD1028.pdf
GSFD1028
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+148.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028 GSFD1028.pdf
GSFD1028
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550 GSFD1550.pdf
GSFD1550
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550 GSFD1550.pdf
GSFD1550
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.04 грн
10+121.14 грн
25+114.28 грн
100+91.37 грн
250+85.80 грн
500+75.08 грн
1000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD2506 GSFD2506.pdf
GSFD2506
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 250
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD2506 GSFD2506.pdf
GSFD2506
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 250
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.13 грн
10+35.96 грн
50+26.36 грн
100+21.81 грн
500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003 GSFD4003.pdf
GSFD4003
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003 GSFD4003.pdf
GSFD4003
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.00 грн
10+43.12 грн
100+28.09 грн
500+20.28 грн
1000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005 GSFD4005.pdf
GSFD4005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.65 грн
10+54.47 грн
100+37.85 грн
500+28.48 грн
1000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005 GSFD4005.pdf
GSFD4005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.38 грн
5000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015 GSFD4015.pdf
GSFD4015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015 GSFD4015.pdf
GSFD4015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.51 грн
11+28.11 грн
100+19.12 грн
500+14.07 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4N65 GSFD4N65.pdf
GSFD4N65
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.63 грн
11+30.40 грн
50+22.17 грн
100+18.31 грн
500+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD500P10 GSFD500P10.pdf
GSFD500P10
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.26 грн
10+40.45 грн
100+27.99 грн
500+21.95 грн
1000+18.68 грн
2500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]