Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1600) > Сторінка 12 з 27

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GSEZ5B159 GSEZ5B159 Good-Ark Semiconductor GSEZ5B159.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.24 грн
76+4.21 грн
113+2.83 грн
500+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5B302 GSEZ5B302 Good-Ark Semiconductor GSEZ5B302.pdf Description: TVS, ESD, SINGLE, BI-DIR, 5.0V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.45 грн
20000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5B302 GSEZ5B302 Good-Ark Semiconductor GSEZ5B302.pdf Description: TVS, ESD, SINGLE, BI-DIR, 5.0V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5U005 GSEZ5U005 Good-Ark Semiconductor GSEZ5U005.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 12VC DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.71 грн
20000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5U005 GSEZ5U005 Good-Ark Semiconductor GSEZ5U005.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 12VC DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5U045 GSEZ5U045 Good-Ark Semiconductor GSEZ5U045.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 20VC DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 120W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5U045 GSEZ5U045 Good-Ark Semiconductor GSEZ5U045.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 20VC DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 120W
Power Line Protection: No
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.66 грн
35+9.13 грн
100+5.64 грн
500+3.86 грн
1000+3.40 грн
2000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ8B450 GSEZ8B450 Good-Ark Semiconductor GSEZ8B450.pdf Description: TVS, ESD, SINGLE, BI-DIR, 8V, DF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power - Peak Pulse: 360W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ8B450 GSEZ8B450 Good-Ark Semiconductor GSEZ8B450.pdf Description: TVS, ESD, SINGLE, BI-DIR, 8V, DF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power - Peak Pulse: 360W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.31 грн
29+11.19 грн
100+5.46 грн
500+4.28 грн
1000+2.97 грн
2000+2.58 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSF0304 GSF0304 Good-Ark Semiconductor GSF0304.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.90 грн
6000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF0304 GSF0304 Good-Ark Semiconductor GSF0304.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.03 грн
15+22.07 грн
25+18.48 грн
100+10.98 грн
250+8.47 грн
500+7.22 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSF0500AT GSF0500AT Good-Ark Semiconductor GSF0500AT.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 360MA, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF0500AT GSF0500AT Good-Ark Semiconductor GSF0500AT.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 360MA, 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2301 GSF2301 Good-Ark Semiconductor GSF2301.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2301 GSF2301 Good-Ark Semiconductor GSF2301.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.31 грн
31+10.40 грн
38+8.57 грн
100+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2315 GSF2315 Good-Ark Semiconductor GSF2315.pdf Description: MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 312mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2315 GSF2315 Good-Ark Semiconductor GSF2315.pdf Description: MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 312mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.68 грн
15+21.51 грн
25+18.83 грн
100+11.44 грн
250+9.47 грн
500+7.58 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2TVS12A GSF2TVS12A Good-Ark Semiconductor GSF2TVS.pdf Description: TVS, UNI-DIR, 200W, 12V, ESGA (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: eSGA (SOD-123FL)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2TVS12A GSF2TVS12A Good-Ark Semiconductor GSF2TVS.pdf Description: TVS, UNI-DIR, 200W, 12V, ESGA (S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: eSGA (SOD-123FL)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.42 грн
6000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3400 GSF3400 Good-Ark Semiconductor GSF3400.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.6A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3400 GSF3400 Good-Ark Semiconductor GSF3400.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.6A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.42 грн
75+4.29 грн
86+3.72 грн
103+2.91 грн
250+2.64 грн
500+2.48 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404 GSF3404 Good-Ark Semiconductor GSF3404.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404 GSF3404 Good-Ark Semiconductor GSF3404.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.19 грн
36+8.89 грн
100+5.95 грн
500+4.26 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404B GSF3404B Good-Ark Semiconductor GSF3404B.pdf Description: MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404B GSF3404B Good-Ark Semiconductor GSF3404B.pdf Description: MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.96 грн
28+11.43 грн
34+9.43 грн
100+6.67 грн
250+5.58 грн
500+4.91 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3407 GSF3407 Good-Ark Semiconductor GSF3407.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.26 грн
26+12.38 грн
32+10.07 грн
100+7.01 грн
250+5.80 грн
500+5.05 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3407 GSF3407 Good-Ark Semiconductor GSF3407.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+3.45 грн
9000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3416 GSF3416 Good-Ark Semiconductor GSF3416.pdf Description: MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 6.5A, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.55 грн
21+15.32 грн
25+12.70 грн
100+9.03 грн
250+7.59 грн
500+6.70 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3416 GSF3416 Good-Ark Semiconductor GSF3416.pdf Description: MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 6.5A, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF7002DW GSF7002DW Good-Ark Semiconductor GSF7002DW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF7002DW GSF7002DW Good-Ark Semiconductor GSF7002DW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.78 грн
30+10.80 грн
37+8.80 грн
100+6.09 грн
250+5.03 грн
500+4.37 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
GSFA10200 GSFA10200 Good-Ark Semiconductor GSFA10200.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.29 грн
10+181.55 грн
30+150.51 грн
120+114.38 грн
270+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFA95R500 GSFA95R500 Good-Ark Semiconductor GSFA95R500.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 10.00A, 95
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+320.67 грн
10+259.26 грн
100+209.73 грн
500+174.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0205 GSFB0205 Good-Ark Semiconductor GSFB0205.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
12+27.23 грн
25+25.43 грн
100+19.09 грн
250+17.72 грн
500+14.99 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0205 GSFB0205 Good-Ark Semiconductor GSFB0205.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0206 GSFB0206 Good-Ark Semiconductor GSF0206.pdf Description: MOSFET, N-CH, 5.2A, 20V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0206 GSFB0206 Good-Ark Semiconductor GSF0206.pdf Description: MOSFET, N-CH, 5.2A, 20V, D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.64 грн
11+29.05 грн
25+24.20 грн
100+17.49 грн
250+14.91 грн
500+13.33 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0305 GSFB0305 Good-Ark Semiconductor GSFB0305.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 6PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.21 грн
6000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0305 GSFB0305 Good-Ark Semiconductor GSFB0305.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 6PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB2121 GSFB2121 Good-Ark Semiconductor GSFB2121.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
6000+5.54 грн
9000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB2121 GSFB2121 Good-Ark Semiconductor GSFB2121.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.08 грн
21+15.16 грн
100+10.17 грн
500+7.36 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123 GSFB3123 Good-Ark Semiconductor GSFB3123.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123 GSFB3123 Good-Ark Semiconductor GSFB3123.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201 GSFC0201 Good-Ark Semiconductor GSFC0201.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201 GSFC0201 Good-Ark Semiconductor GSFC0201.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.07 грн
58+5.56 грн
100+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202 GSFC0202 Good-Ark Semiconductor GSFC0202.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.42 грн
69+4.60 грн
80+4.00 грн
100+3.15 грн
250+2.87 грн
500+2.69 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202 GSFC0202 Good-Ark Semiconductor GSFC0202.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204 GSFC0204 Good-Ark Semiconductor GSFC0204.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
на замовлення 5737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.42 грн
69+4.60 грн
80+4.00 грн
100+3.15 грн
250+2.87 грн
500+2.69 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204 GSFC0204 Good-Ark Semiconductor GSFC0204.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213 GSFC0213 Good-Ark Semiconductor GSFC0213.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213 GSFC0213 Good-Ark Semiconductor GSFC0213.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.68 грн
19+17.54 грн
25+14.54 грн
100+10.38 грн
250+8.76 грн
500+7.76 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501 GSFC02501 Good-Ark Semiconductor GSFC02501.pdf Description: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.54 грн
46+6.91 грн
100+4.25 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501 GSFC02501 Good-Ark Semiconductor GSFC02501.pdf Description: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
6000+1.98 грн
9000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05 GSFC02A05 Good-Ark Semiconductor GSFC02A05.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05 GSFC02A05 Good-Ark Semiconductor GSFC02A05.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.03 грн
16+20.08 грн
25+18.10 грн
100+11.73 грн
250+9.88 грн
500+8.02 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301 GSFC0301 Good-Ark Semiconductor GSFC0301.pdf Description: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301 GSFC0301 Good-Ark Semiconductor GSFC0301.pdf Description: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
6000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304 Good-Ark Semiconductor GSFC0304.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
6000+3.48 грн
9000+3.42 грн
15000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304 Good-Ark Semiconductor GSFC0304.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.89 грн
50+6.43 грн
57+5.59 грн
100+4.43 грн
250+4.04 грн
500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306 Good-Ark Semiconductor GSFC0306.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5B159 GSEZ5B159.pdf
GSEZ5B159
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.24 грн
76+4.21 грн
113+2.83 грн
500+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5B302 GSEZ5B302.pdf
GSEZ5B302
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, ESD, SINGLE, BI-DIR, 5.0V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.45 грн
20000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5B302 GSEZ5B302.pdf
GSEZ5B302
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, ESD, SINGLE, BI-DIR, 5.0V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5U005 GSEZ5U005.pdf
GSEZ5U005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.71 грн
20000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5U005 GSEZ5U005.pdf
GSEZ5U005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5U045 GSEZ5U045.pdf
GSEZ5U045
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 120W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ5U045 GSEZ5U045.pdf
GSEZ5U045
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 120W
Power Line Protection: No
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.66 грн
35+9.13 грн
100+5.64 грн
500+3.86 грн
1000+3.40 грн
2000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ8B450 GSEZ8B450.pdf
GSEZ8B450
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, ESD, SINGLE, BI-DIR, 8V, DF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power - Peak Pulse: 360W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSEZ8B450 GSEZ8B450.pdf
GSEZ8B450
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, ESD, SINGLE, BI-DIR, 8V, DF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power - Peak Pulse: 360W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.31 грн
29+11.19 грн
100+5.46 грн
500+4.28 грн
1000+2.97 грн
2000+2.58 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSF0304 GSF0304.pdf
GSF0304
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.90 грн
6000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF0304 GSF0304.pdf
GSF0304
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.03 грн
15+22.07 грн
25+18.48 грн
100+10.98 грн
250+8.47 грн
500+7.22 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSF0500AT GSF0500AT.pdf
GSF0500AT
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 360MA, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF0500AT GSF0500AT.pdf
GSF0500AT
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 360MA, 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2301 GSF2301.pdf
GSF2301
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.61 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2301 GSF2301.pdf
GSF2301
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.31 грн
31+10.40 грн
38+8.57 грн
100+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2315 GSF2315.pdf
GSF2315
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 312mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2315 GSF2315.pdf
GSF2315
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 312mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.68 грн
15+21.51 грн
25+18.83 грн
100+11.44 грн
250+9.47 грн
500+7.58 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2TVS12A GSF2TVS.pdf
GSF2TVS12A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, UNI-DIR, 200W, 12V, ESGA (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: eSGA (SOD-123FL)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF2TVS12A GSF2TVS.pdf
GSF2TVS12A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, UNI-DIR, 200W, 12V, ESGA (S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: eSGA (SOD-123FL)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.42 грн
6000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3400 GSF3400.pdf
GSF3400
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.6A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3400 GSF3400.pdf
GSF3400
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.6A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.42 грн
75+4.29 грн
86+3.72 грн
103+2.91 грн
250+2.64 грн
500+2.48 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404 GSF3404.pdf
GSF3404
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404 GSF3404.pdf
GSF3404
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.19 грн
36+8.89 грн
100+5.95 грн
500+4.26 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404B GSF3404B.pdf
GSF3404B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404B GSF3404B.pdf
GSF3404B
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.96 грн
28+11.43 грн
34+9.43 грн
100+6.67 грн
250+5.58 грн
500+4.91 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3407 GSF3407.pdf
GSF3407
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.26 грн
26+12.38 грн
32+10.07 грн
100+7.01 грн
250+5.80 грн
500+5.05 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3407 GSF3407.pdf
GSF3407
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.03 грн
6000+3.45 грн
9000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3416 GSF3416.pdf
GSF3416
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 6.5A, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.55 грн
21+15.32 грн
25+12.70 грн
100+9.03 грн
250+7.59 грн
500+6.70 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3416 GSF3416.pdf
GSF3416
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 6.5A, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSF7002DW GSF7002DW.pdf
GSF7002DW
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF7002DW GSF7002DW.pdf
GSF7002DW
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.78 грн
30+10.80 грн
37+8.80 грн
100+6.09 грн
250+5.03 грн
500+4.37 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
GSFA10200 GSFA10200.pdf
GSFA10200
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.29 грн
10+181.55 грн
30+150.51 грн
120+114.38 грн
270+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFA95R500 GSFA95R500.pdf
GSFA95R500
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 10.00A, 95
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.67 грн
10+259.26 грн
100+209.73 грн
500+174.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0205 GSFB0205.pdf
GSFB0205
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
12+27.23 грн
25+25.43 грн
100+19.09 грн
250+17.72 грн
500+14.99 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0205 GSFB0205.pdf
GSFB0205
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0206 GSF0206.pdf
GSFB0206
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 5.2A, 20V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0206 GSF0206.pdf
GSFB0206
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 5.2A, 20V, D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.64 грн
11+29.05 грн
25+24.20 грн
100+17.49 грн
250+14.91 грн
500+13.33 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0305 GSFB0305.pdf
GSFB0305
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 6PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.21 грн
6000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0305 GSFB0305.pdf
GSFB0305
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 6PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB2121 GSFB2121.pdf
GSFB2121
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.29 грн
6000+5.54 грн
9000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB2121 GSFB2121.pdf
GSFB2121
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.08 грн
21+15.16 грн
100+10.17 грн
500+7.36 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123 GSFB3123.pdf
GSFB3123
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123 GSFB3123.pdf
GSFB3123
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201 GSFC0201.pdf
GSFC0201
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201 GSFC0201.pdf
GSFC0201
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.07 грн
58+5.56 грн
100+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202 GSFC0202.pdf
GSFC0202
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.42 грн
69+4.60 грн
80+4.00 грн
100+3.15 грн
250+2.87 грн
500+2.69 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202 GSFC0202.pdf
GSFC0202
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204 GSFC0204.pdf
GSFC0204
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
на замовлення 5737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.42 грн
69+4.60 грн
80+4.00 грн
100+3.15 грн
250+2.87 грн
500+2.69 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204 GSFC0204.pdf
GSFC0204
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213 GSFC0213.pdf
GSFC0213
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213 GSFC0213.pdf
GSFC0213
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.68 грн
19+17.54 грн
25+14.54 грн
100+10.38 грн
250+8.76 грн
500+7.76 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501 GSFC02501.pdf
GSFC02501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.54 грн
46+6.91 грн
100+4.25 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501 GSFC02501.pdf
GSFC02501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
6000+1.98 грн
9000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05 GSFC02A05.pdf
GSFC02A05
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05 GSFC02A05.pdf
GSFC02A05
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.03 грн
16+20.08 грн
25+18.10 грн
100+11.73 грн
250+9.88 грн
500+8.02 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301 GSFC0301.pdf
GSFC0301
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301 GSFC0301.pdf
GSFC0301
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.74 грн
6000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304.pdf
GSFC0304
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.74 грн
6000+3.48 грн
9000+3.42 грн
15000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304.pdf
GSFC0304
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.89 грн
50+6.43 грн
57+5.59 грн
100+4.43 грн
250+4.04 грн
500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306.pdf
GSFC0306
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]