Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1600) > Сторінка 16 з 27

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GSFP3984 GSFP3984 Good-Ark Semiconductor GSFP3984.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.48 грн
10+53.74 грн
25+50.49 грн
100+38.66 грн
250+35.91 грн
500+30.56 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310 Good-Ark Semiconductor GSFP4R310.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.11 грн
10000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310 Good-Ark Semiconductor GSFP4R310.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.48 грн
10+99.70 грн
100+79.38 грн
500+63.04 грн
1000+53.49 грн
2000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015 Good-Ark Semiconductor GSFP68015.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.64 грн
10000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015 Good-Ark Semiconductor GSFP68015.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886 Good-Ark Semiconductor GSFP6886.pdf Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886 Good-Ark Semiconductor GSFP6886.pdf Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.48 грн
10+53.74 грн
25+50.49 грн
100+38.66 грн
250+35.91 грн
500+30.56 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901 Good-Ark Semiconductor GSFP6901.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.45 грн
10+82.95 грн
25+78.78 грн
100+60.71 грн
250+56.75 грн
500+50.15 грн
1000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901 Good-Ark Semiconductor GSFP6901.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.89 грн
6000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPB0976 GSFPB0976 Good-Ark Semiconductor GSFPB0976.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 50 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.03 грн
10+54.06 грн
100+35.62 грн
500+26.01 грн
1000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPB0976 GSFPB0976 Good-Ark Semiconductor GSFPB0976.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504 Good-Ark Semiconductor GSFPR8504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.91 грн
10000+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504 Good-Ark Semiconductor GSFPR8504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008 Good-Ark Semiconductor GSFQ1008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008 Good-Ark Semiconductor GSFQ1008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
10+36.28 грн
25+34.07 грн
100+26.10 грн
250+24.24 грн
500+20.63 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504 Good-Ark Semiconductor GSFQ1504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504 Good-Ark Semiconductor GSFQ1504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.66 грн
10+64.78 грн
25+60.84 грн
100+46.59 грн
250+43.28 грн
500+36.83 грн
1000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305 Good-Ark Semiconductor GSFQ2305.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.48 грн
6000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305 Good-Ark Semiconductor GSFQ2305.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.22 грн
10+33.74 грн
25+31.47 грн
100+23.63 грн
250+21.94 грн
500+18.57 грн
1000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307 Good-Ark Semiconductor GSFQ2307.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307 Good-Ark Semiconductor GSFQ2307.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
17+19.29 грн
100+12.17 грн
500+8.53 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025 Good-Ark Semiconductor GSFQ3025.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.11 грн
6000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025 Good-Ark Semiconductor GSFQ3025.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616 Good-Ark Semiconductor GSFQ4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616 Good-Ark Semiconductor GSFQ4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.68 грн
17+19.53 грн
100+13.20 грн
500+9.61 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701 Good-Ark Semiconductor GSFQ4701.pdf Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.90 грн
6000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701 Good-Ark Semiconductor GSFQ4701.pdf Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.22 грн
10+34.05 грн
25+31.78 грн
100+23.86 грн
250+22.16 грн
500+18.75 грн
1000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953 Good-Ark Semiconductor GSFQ4953.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953 Good-Ark Semiconductor GSFQ4953.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.27 грн
15+21.20 грн
100+13.44 грн
500+9.46 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.74 грн
13+26.35 грн
25+23.56 грн
100+19.26 грн
250+17.90 грн
500+17.07 грн
1000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808 Good-Ark Semiconductor GSFQ6808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.69 грн
10+37.15 грн
25+34.90 грн
100+26.74 грн
250+24.83 грн
500+21.13 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808 Good-Ark Semiconductor GSFQ6808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6R803 GSFQ6R803 Good-Ark Semiconductor GSFQ6R803.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6R803 GSFQ6R803 Good-Ark Semiconductor GSFQ6R803.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.45 грн
16+20.80 грн
100+13.16 грн
500+9.27 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308 Good-Ark Semiconductor GSFR0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.20 грн
20+15.96 грн
25+13.18 грн
100+9.39 грн
250+7.91 грн
500+7.00 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308 Good-Ark Semiconductor GSFR0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603 Good-Ark Semiconductor GSFR0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
6000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603 Good-Ark Semiconductor GSFR0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.10 грн
12+26.99 грн
25+24.35 грн
100+15.79 грн
250+13.30 грн
500+10.81 грн
1000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130 Good-Ark Semiconductor GSFT06130.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.35 грн
1600+99.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130 Good-Ark Semiconductor GSFT06130.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.12 грн
10+186.63 грн
25+161.18 грн
100+124.43 грн
250+111.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150 Good-Ark Semiconductor GSFT06150.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.84 грн
10+83.67 грн
25+70.94 грн
100+53.06 грн
250+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150 Good-Ark Semiconductor GSFT06150.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT10020 GSFT10020 Good-Ark Semiconductor GSFT10020.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.30 грн
10+225.76 грн
100+159.81 грн
800+117.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060 Good-Ark Semiconductor GSFT1060.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.51 грн
1600+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060 Good-Ark Semiconductor GSFT1060.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.45 грн
10+82.95 грн
25+78.78 грн
100+60.72 грн
250+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT3R110 GSFT3R110 Good-Ark Semiconductor GSFT3R110.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.63 грн
10+143.28 грн
100+103.43 грн
800+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010 Good-Ark Semiconductor GSFT4R010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.88 грн
10+94.31 грн
100+75.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010 Good-Ark Semiconductor GSFT4R010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.95 грн
1600+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R099 GSFT60R099 Good-Ark Semiconductor GSFT60R099.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 36.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 261W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3231 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.34 грн
10+271.80 грн
100+219.88 грн
500+183.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R190 GSFT60R190 Good-Ark Semiconductor GSFT60R190.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.86 грн
10+132.33 грн
100+91.04 грн
800+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT7R515 GSFT7R515 Good-Ark Semiconductor GSFT7R515.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.29 грн
10+196.07 грн
100+143.69 грн
800+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT9R706 GSFT9R706 Good-Ark Semiconductor GSFT9R706.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.16 грн
10+38.50 грн
100+26.65 грн
800+20.89 грн
1600+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710 Good-Ark Semiconductor GSFTL2R710.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+93.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710 Good-Ark Semiconductor GSFTL2R710.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU2016 GSFU2016 Good-Ark Semiconductor GSFU2016.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 18.00A, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.69 грн
50+47.52 грн
100+42.24 грн
500+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06 Good-Ark Semiconductor GSFU250N06.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.70 грн
50+25.35 грн
100+22.36 грн
500+16.03 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU6008 GSFU6008 Good-Ark Semiconductor GSFU6008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.06 грн
50+53.79 грн
100+47.96 грн
500+35.42 грн
1000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R190 GSFU60R190 Good-Ark Semiconductor GSFU60R190.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.05 грн
50+107.66 грн
100+97.04 грн
500+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R360 GSFU60R360 Good-Ark Semiconductor GSFU60R360.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.95 грн
50+58.19 грн
100+51.97 грн
500+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3984 GSFP3984.pdf
GSFP3984
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.48 грн
10+53.74 грн
25+50.49 грн
100+38.66 грн
250+35.91 грн
500+30.56 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310.pdf
GSFP4R310
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+54.11 грн
10000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310.pdf
GSFP4R310
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.48 грн
10+99.70 грн
100+79.38 грн
500+63.04 грн
1000+53.49 грн
2000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015.pdf
GSFP68015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.64 грн
10000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015.pdf
GSFP68015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886.pdf
GSFP6886
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886.pdf
GSFP6886
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.48 грн
10+53.74 грн
25+50.49 грн
100+38.66 грн
250+35.91 грн
500+30.56 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901.pdf
GSFP6901
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.45 грн
10+82.95 грн
25+78.78 грн
100+60.71 грн
250+56.75 грн
500+50.15 грн
1000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901.pdf
GSFP6901
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.89 грн
6000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPB0976 GSFPB0976.pdf
GSFPB0976
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 50 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.03 грн
10+54.06 грн
100+35.62 грн
500+26.01 грн
1000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPB0976 GSFPB0976.pdf
GSFPB0976
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504.pdf
GSFPR8504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+54.91 грн
10000+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504.pdf
GSFPR8504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008.pdf
GSFQ1008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008.pdf
GSFQ1008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
10+36.28 грн
25+34.07 грн
100+26.10 грн
250+24.24 грн
500+20.63 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504.pdf
GSFQ1504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504.pdf
GSFQ1504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.66 грн
10+64.78 грн
25+60.84 грн
100+46.59 грн
250+43.28 грн
500+36.83 грн
1000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305.pdf
GSFQ2305
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.48 грн
6000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305.pdf
GSFQ2305
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.22 грн
10+33.74 грн
25+31.47 грн
100+23.63 грн
250+21.94 грн
500+18.57 грн
1000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307.pdf
GSFQ2307
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307.pdf
GSFQ2307
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
17+19.29 грн
100+12.17 грн
500+8.53 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025.pdf
GSFQ3025
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.11 грн
6000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025.pdf
GSFQ3025
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616.pdf
GSFQ4616
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616.pdf
GSFQ4616
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.68 грн
17+19.53 грн
100+13.20 грн
500+9.61 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701.pdf
GSFQ4701
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.90 грн
6000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701.pdf
GSFQ4701
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.22 грн
10+34.05 грн
25+31.78 грн
100+23.86 грн
250+22.16 грн
500+18.75 грн
1000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953.pdf
GSFQ4953
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953.pdf
GSFQ4953
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.27 грн
15+21.20 грн
100+13.44 грн
500+9.46 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806.pdf
GSFQ6806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806.pdf
GSFQ6806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.74 грн
13+26.35 грн
25+23.56 грн
100+19.26 грн
250+17.90 грн
500+17.07 грн
1000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808.pdf
GSFQ6808
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.69 грн
10+37.15 грн
25+34.90 грн
100+26.74 грн
250+24.83 грн
500+21.13 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808.pdf
GSFQ6808
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6R803 GSFQ6R803.pdf
GSFQ6R803
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6R803 GSFQ6R803.pdf
GSFQ6R803
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.45 грн
16+20.80 грн
100+13.16 грн
500+9.27 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308.pdf
GSFR0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.20 грн
20+15.96 грн
25+13.18 грн
100+9.39 грн
250+7.91 грн
500+7.00 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308.pdf
GSFR0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603.pdf
GSFR0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.28 грн
6000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603.pdf
GSFR0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.10 грн
12+26.99 грн
25+24.35 грн
100+15.79 грн
250+13.30 грн
500+10.81 грн
1000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130.pdf
GSFT06130
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.35 грн
1600+99.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130.pdf
GSFT06130
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.12 грн
10+186.63 грн
25+161.18 грн
100+124.43 грн
250+111.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150.pdf
GSFT06150
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.84 грн
10+83.67 грн
25+70.94 грн
100+53.06 грн
250+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150.pdf
GSFT06150
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT10020 GSFT10020.pdf
GSFT10020
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.30 грн
10+225.76 грн
100+159.81 грн
800+117.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060.pdf
GSFT1060
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.51 грн
1600+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060.pdf
GSFT1060
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.45 грн
10+82.95 грн
25+78.78 грн
100+60.72 грн
250+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT3R110 GSFT3R110.pdf
GSFT3R110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.63 грн
10+143.28 грн
100+103.43 грн
800+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010.pdf
GSFT4R010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.88 грн
10+94.31 грн
100+75.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010.pdf
GSFT4R010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.95 грн
1600+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R099 GSFT60R099.pdf
GSFT60R099
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 36.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 261W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3231 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.34 грн
10+271.80 грн
100+219.88 грн
500+183.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R190 GSFT60R190.pdf
GSFT60R190
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.86 грн
10+132.33 грн
100+91.04 грн
800+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT7R515 GSFT7R515.pdf
GSFT7R515
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.29 грн
10+196.07 грн
100+143.69 грн
800+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT9R706 GSFT9R706.pdf
GSFT9R706
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.16 грн
10+38.50 грн
100+26.65 грн
800+20.89 грн
1600+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710.pdf
GSFTL2R710
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+93.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710.pdf
GSFTL2R710
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU2016 GSFU2016.pdf
GSFU2016
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 18.00A, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.69 грн
50+47.52 грн
100+42.24 грн
500+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06.pdf
GSFU250N06
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.70 грн
50+25.35 грн
100+22.36 грн
500+16.03 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU6008 GSFU6008.pdf
GSFU6008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.06 грн
50+53.79 грн
100+47.96 грн
500+35.42 грн
1000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R190 GSFU60R190.pdf
GSFU60R190
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.05 грн
50+107.66 грн
100+97.04 грн
500+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R360 GSFU60R360.pdf
GSFU60R360
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.95 грн
50+58.19 грн
100+51.97 грн
500+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]