Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1728) > Сторінка 18 з 29

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GSGC10CS GSGC10CS Good-Ark Semiconductor GSGC10CS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 206pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.62 грн
10+30.80 грн
100+19.85 грн
500+14.20 грн
1000+12.78 грн
2000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC151BS GSGC151BS Good-Ark Semiconductor GSGC151BS.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 100V,
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 1780pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC151BS GSGC151BS Good-Ark Semiconductor GSGC151BS.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 100V,
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 1780pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+48.65 грн
100+37.29 грн
500+27.66 грн
1000+22.13 грн
2000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1545SA GSGC1545SA Good-Ark Semiconductor GSGC1545SA.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 45V, E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1545SA GSGC1545SA Good-Ark Semiconductor GSGC1545SA.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 45V, E
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.10 грн
10+32.01 грн
100+23.89 грн
500+17.62 грн
1000+13.61 грн
2000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGG6504 GSGG6504 Good-Ark Semiconductor GSGG6504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 304 pF @ 50 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.57 грн
10+52.79 грн
25+49.55 грн
100+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGH7R515 GSGH7R515 Good-Ark Semiconductor GSGH7R515.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.63 грн
50+147.64 грн
100+135.41 грн
500+106.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGN0648 GSGN0648 Good-Ark Semiconductor GSGN0648.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 65V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.12 грн
6000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGN0648 GSGN0648 Good-Ark Semiconductor GSGN0648.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 65V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.26 грн
10+39.31 грн
25+32.59 грн
100+23.45 грн
250+19.93 грн
500+17.77 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0160SD GSGP0160SD Good-Ark Semiconductor GSGP0140SD-GSGP0160SD.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 1A,
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-323F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0160SD GSGP0160SD Good-Ark Semiconductor GSGP0140SD-GSGP0160SD.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 1A,
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-323F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.95 грн
41+7.46 грн
100+4.98 грн
500+3.55 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230S GSGP0230S Good-Ark Semiconductor GSGP0230S-GSGP0240S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230S GSGP0230S Good-Ark Semiconductor GSGP0230S-GSGP0240S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.42 грн
31+9.79 грн
100+6.11 грн
500+4.21 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230SD GSGP0230SD Good-Ark Semiconductor GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 30V, ES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230SD GSGP0230SD Good-Ark Semiconductor GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 30V, ES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.99 грн
29+10.39 грн
100+6.50 грн
500+4.48 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0240SD GSGP0240SD Good-Ark Semiconductor GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0240SD GSGP0240SD Good-Ark Semiconductor GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.99 грн
29+10.54 грн
100+6.57 грн
500+4.54 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0260SD GSGP0260SD Good-Ark Semiconductor GSGP0260SD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.99 грн
29+10.54 грн
100+6.57 грн
500+4.54 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0260SD GSGP0260SD Good-Ark Semiconductor GSGP0260SD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP06142 GSGP06142 Good-Ark Semiconductor GSGP06142.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP06142 GSGP06142 Good-Ark Semiconductor GSGP06142.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.77 грн
10+55.65 грн
25+50.37 грн
100+41.79 грн
250+39.18 грн
500+37.60 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0R703 GSGP0R703 Good-Ark Semiconductor GSGP0R703.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9045 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.66 грн
10+94.44 грн
100+73.44 грн
500+58.42 грн
1000+47.59 грн
2000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0R703 GSGP0R703 Good-Ark Semiconductor GSGP0R703.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9045 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R103 GSGP1R103 Good-Ark Semiconductor GSGP1R103.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R103 GSGP1R103 Good-Ark Semiconductor GSGP1R103.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.86 грн
10000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R404 GSGP1R404 Good-Ark Semiconductor GSGP1R404.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4822 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.02 грн
10000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R404 GSGP1R404 Good-Ark Semiconductor GSGP1R404.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160.00A, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4822 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.50 грн
10+72.00 грн
100+56.04 грн
500+44.58 грн
1000+36.31 грн
2000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R703 GSGP1R703 Good-Ark Semiconductor GSGP1R703.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3406 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.97 грн
10000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R703 GSGP1R703 Good-Ark Semiconductor GSGP1R703.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3406 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R403 GSGP2R403 Good-Ark Semiconductor GSGP2R403.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.48 грн
10000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R403 GSGP2R403 Good-Ark Semiconductor GSGP2R403.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R608 GSGP2R608 Good-Ark Semiconductor GSGP2R608.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6022 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R608 GSGP2R608 Good-Ark Semiconductor GSGP2R608.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6022 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R806 GSGP2R806 Good-Ark Semiconductor GSGP2R806.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.02 грн
10000+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R806 GSGP2R806 Good-Ark Semiconductor GSGP2R806.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP3R608 GSGP3R608 Good-Ark Semiconductor GSGP3R608.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4435 pF @ 40 V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.52 грн
10+82.99 грн
100+56.08 грн
500+41.83 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP3R608 GSGP3R608 Good-Ark Semiconductor GSGP3R608.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4435 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.72 грн
10000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP5R GSGP5R Good-Ark Semiconductor GSGPxR.pdf Description: RECTIFIER, FAST RECOVERY, GLASS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
6000+3.14 грн
9000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP5R GSGP5R Good-Ark Semiconductor GSGPxR.pdf Description: RECTIFIER, FAST RECOVERY, GLASS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.12 грн
22+13.78 грн
100+6.74 грн
500+5.27 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP9R115 GSGP9R115 Good-Ark Semiconductor GSGP9R115.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.11 грн
10+105.28 грн
100+75.05 грн
500+57.87 грн
1000+53.78 грн
2000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP9R115 GSGP9R115 Good-Ark Semiconductor GSGP9R115.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGPD540S GSGPD540S Good-Ark Semiconductor GSGPD5xxS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGPD540S GSGPD540S Good-Ark Semiconductor GSGPD5xxS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT10240 GSGT10240 Good-Ark Semiconductor GSGT10240.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT10240 GSGT10240 Good-Ark Semiconductor GSGT10240.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.38 грн
10+138.65 грн
100+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT15140 GSGT15140 Good-Ark Semiconductor GSGT15140.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.27 грн
1600+91.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT15140 GSGT15140 Good-Ark Semiconductor GSGT15140.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.94 грн
10+172.84 грн
25+149.27 грн
100+115.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT5008 GSGT5008 Good-Ark Semiconductor GSGT5008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8.00A, 500
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT5008 GSGT5008 Good-Ark Semiconductor GSGT5008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8.00A, 500
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.89 грн
10+61.23 грн
100+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSH1MA16 GSH1MA16 Good-Ark Semiconductor GSH1MA16.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST/HIGH EFFIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1600 V
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.99 грн
29+10.69 грн
100+6.66 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
2000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSH1MA16 GSH1MA16 Good-Ark Semiconductor GSH1MA16.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST/HIGH EFFIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1600 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+3.21 грн
15000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSH3MB12 GSH3MB12 Good-Ark Semiconductor GSH3MB12.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSH3MB12 GSH3MB12 Good-Ark Semiconductor GSH3MB12.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
6000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1OB GSHS1OB Good-Ark Semiconductor GSHS1OB.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1OB GSHS1OB Good-Ark Semiconductor GSHS1OB.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.51 грн
38+8.13 грн
100+5.45 грн
500+3.90 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1Q GSHS1Q Good-Ark Semiconductor GSHS1Q.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1Q GSHS1Q Good-Ark Semiconductor GSHS1Q.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.77 грн
29+10.69 грн
100+6.70 грн
500+4.62 грн
1000+4.08 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSJA65R041 GSJA65R041 Good-Ark Semiconductor GSJA65R041.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 70.00A, 65
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7132 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.49 грн
30+473.02 грн
120+423.23 грн
510+350.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSJA65R041 Good-Ark Semiconductor GSJA65R041.pdf MOSFET, N-CH, SINGLE, 70.00A, 65 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSJD60R360 GSJD60R360 Good-Ark Semiconductor GSJD60R360.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.48 грн
10+78.02 грн
100+52.35 грн
500+38.80 грн
1000+35.48 грн
2500+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC10CS GSGC10CS.pdf
GSGC10CS
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 206pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.62 грн
10+30.80 грн
100+19.85 грн
500+14.20 грн
1000+12.78 грн
2000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC151BS GSGC151BS.pdf
GSGC151BS
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 100V,
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 1780pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC151BS GSGC151BS.pdf
GSGC151BS
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 100V,
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 1780pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.09 грн
10+48.65 грн
100+37.29 грн
500+27.66 грн
1000+22.13 грн
2000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1545SA GSGC1545SA.pdf
GSGC1545SA
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 45V, E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1545SA GSGC1545SA.pdf
GSGC1545SA
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 45V, E
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.10 грн
10+32.01 грн
100+23.89 грн
500+17.62 грн
1000+13.61 грн
2000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGG6504 GSGG6504.pdf
GSGG6504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 304 pF @ 50 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.57 грн
10+52.79 грн
25+49.55 грн
100+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGH7R515 GSGH7R515.pdf
GSGH7R515
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.63 грн
50+147.64 грн
100+135.41 грн
500+106.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGN0648 GSGN0648.pdf
GSGN0648
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 65V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.12 грн
6000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGN0648 GSGN0648.pdf
GSGN0648
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 65V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.26 грн
10+39.31 грн
25+32.59 грн
100+23.45 грн
250+19.93 грн
500+17.77 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0160SD GSGP0140SD-GSGP0160SD.pdf
GSGP0160SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 1A,
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-323F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.97 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0160SD GSGP0140SD-GSGP0160SD.pdf
GSGP0160SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 1A,
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-323F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.95 грн
41+7.46 грн
100+4.98 грн
500+3.55 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230S GSGP0230S-GSGP0240S.pdf
GSGP0230S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230S GSGP0230S-GSGP0240S.pdf
GSGP0230S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.42 грн
31+9.79 грн
100+6.11 грн
500+4.21 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230SD GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf
GSGP0230SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 30V, ES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230SD GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf
GSGP0230SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 30V, ES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.99 грн
29+10.39 грн
100+6.50 грн
500+4.48 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0240SD GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf
GSGP0240SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0240SD GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf
GSGP0240SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.99 грн
29+10.54 грн
100+6.57 грн
500+4.54 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0260SD GSGP0260SD.pdf
GSGP0260SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.99 грн
29+10.54 грн
100+6.57 грн
500+4.54 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0260SD GSGP0260SD.pdf
GSGP0260SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP06142 GSGP06142.pdf
GSGP06142
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP06142 GSGP06142.pdf
GSGP06142
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.77 грн
10+55.65 грн
25+50.37 грн
100+41.79 грн
250+39.18 грн
500+37.60 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0R703 GSGP0R703.pdf
GSGP0R703
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9045 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.66 грн
10+94.44 грн
100+73.44 грн
500+58.42 грн
1000+47.59 грн
2000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0R703 GSGP0R703.pdf
GSGP0R703
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9045 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R103 GSGP1R103.pdf
GSGP1R103
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R103 GSGP1R103.pdf
GSGP1R103
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.86 грн
10000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R404 GSGP1R404.pdf
GSGP1R404
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4822 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.02 грн
10000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R404 GSGP1R404.pdf
GSGP1R404
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160.00A, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4822 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.50 грн
10+72.00 грн
100+56.04 грн
500+44.58 грн
1000+36.31 грн
2000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R703 GSGP1R703.pdf
GSGP1R703
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3406 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.97 грн
10000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R703 GSGP1R703.pdf
GSGP1R703
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3406 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R403 GSGP2R403.pdf
GSGP2R403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.48 грн
10000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R403 GSGP2R403.pdf
GSGP2R403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R608 GSGP2R608.pdf
GSGP2R608
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6022 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R608 GSGP2R608.pdf
GSGP2R608
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6022 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R806 GSGP2R806.pdf
GSGP2R806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+31.02 грн
10000+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R806 GSGP2R806.pdf
GSGP2R806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP3R608 GSGP3R608.pdf
GSGP3R608
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4435 pF @ 40 V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.52 грн
10+82.99 грн
100+56.08 грн
500+41.83 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP3R608 GSGP3R608.pdf
GSGP3R608
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4435 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+35.72 грн
10000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP5R GSGPxR.pdf
GSGP5R
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, FAST RECOVERY, GLASS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.51 грн
6000+3.14 грн
9000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP5R GSGPxR.pdf
GSGP5R
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, FAST RECOVERY, GLASS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.12 грн
22+13.78 грн
100+6.74 грн
500+5.27 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP9R115 GSGP9R115.pdf
GSGP9R115
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.11 грн
10+105.28 грн
100+75.05 грн
500+57.87 грн
1000+53.78 грн
2000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP9R115 GSGP9R115.pdf
GSGP9R115
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGPD540S GSGPD5xxS.pdf
GSGPD540S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGPD540S GSGPD5xxS.pdf
GSGPD540S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT10240 GSGT10240.pdf
GSGT10240
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT10240 GSGT10240.pdf
GSGT10240
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.38 грн
10+138.65 грн
100+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT15140 GSGT15140.pdf
GSGT15140
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+101.27 грн
1600+91.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT15140 GSGT15140.pdf
GSGT15140
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.94 грн
10+172.84 грн
25+149.27 грн
100+115.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT5008 GSGT5008.pdf
GSGT5008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8.00A, 500
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT5008 GSGT5008.pdf
GSGT5008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8.00A, 500
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.89 грн
10+61.23 грн
100+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSH1MA16 GSH1MA16.pdf
GSH1MA16
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST/HIGH EFFIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1600 V
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.99 грн
29+10.69 грн
100+6.66 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
2000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSH1MA16 GSH1MA16.pdf
GSH1MA16
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST/HIGH EFFIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1600 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+3.21 грн
15000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSH3MB12 GSH3MB12.pdf
GSH3MB12
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSH3MB12 GSH3MB12.pdf
GSH3MB12
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.85 грн
6000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1OB GSHS1OB.pdf
GSHS1OB
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1OB GSHS1OB.pdf
GSHS1OB
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.51 грн
38+8.13 грн
100+5.45 грн
500+3.90 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1Q GSHS1Q.pdf
GSHS1Q
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1Q GSHS1Q.pdf
GSHS1Q
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.77 грн
29+10.69 грн
100+6.70 грн
500+4.62 грн
1000+4.08 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSJA65R041 GSJA65R041.pdf
GSJA65R041
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 70.00A, 65
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7132 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+615.49 грн
30+473.02 грн
120+423.23 грн
510+350.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSJA65R041 GSJA65R041.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
MOSFET, N-CH, SINGLE, 70.00A, 65 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSJD60R360 GSJD60R360.pdf
GSJD60R360
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.48 грн
10+78.02 грн
100+52.35 грн
500+38.80 грн
1000+35.48 грн
2500+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]