Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1716) > Сторінка 28 з 29

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SSF6909 SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
29+10.47 грн
33+9.24 грн
100+7.40 грн
250+6.81 грн
500+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6910 SSF6910 Good-Ark Semiconductor SSF6910.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
27+11.44 грн
30+10.14 грн
100+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6910 SSF6910 Good-Ark Semiconductor SSF6910.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
6000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6911S SSF6911S Good-Ark Semiconductor SSF6911S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 30 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
50+6.06 грн
57+5.26 грн
100+4.18 грн
250+3.81 грн
500+3.59 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6911S SSF6911S Good-Ark Semiconductor SSF6911S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
6000+3.28 грн
9000+3.22 грн
15000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6912 SSF6912 Good-Ark Semiconductor SSF6912.pdf Description: MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.16 грн
6000+4.81 грн
9000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6912 SSF6912 Good-Ark Semiconductor SSF6912.pdf Description: MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
36+8.53 грн
40+7.54 грн
100+6.01 грн
250+5.52 грн
500+5.22 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120 Good-Ark Semiconductor SSF7120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
15+20.04 грн
25+17.56 грн
100+10.66 грн
250+8.82 грн
500+7.06 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120 Good-Ark Semiconductor SSF7120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 Good-Ark Semiconductor SSF7320.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
16+19.22 грн
25+16.12 грн
100+9.58 грн
250+7.40 грн
500+6.30 грн
1000+4.22 грн
2500+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 Good-Ark Semiconductor SSF7320.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912 Good-Ark Semiconductor SSF7912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
6000+3.28 грн
9000+3.22 грн
15000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912 Good-Ark Semiconductor SSF7912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
50+6.06 грн
57+5.26 грн
100+4.18 грн
250+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S Good-Ark Semiconductor SSF8309S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.23 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S Good-Ark Semiconductor SSF8309S.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.11 грн
25+12.50 грн
100+8.89 грн
250+7.48 грн
500+6.61 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8970 Good-Ark Semiconductor SSF8970.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200A, 80V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor SSFB12N05.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor SSFB12N05.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
15+21.09 грн
25+17.50 грн
100+12.53 грн
250+10.62 грн
500+9.44 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L Good-Ark Semiconductor SSFB2309L.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
6000+9.77 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L Good-Ark Semiconductor SSFB2309L.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+27.90 грн
25+23.18 грн
100+16.77 грн
250+14.31 грн
500+12.80 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L Good-Ark Semiconductor SSFB2310L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.08 грн
6000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L Good-Ark Semiconductor SSFB2310L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909 Good-Ark Semiconductor SSFB3909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
13+24.31 грн
25+22.26 грн
100+15.55 грн
250+14.09 грн
500+11.66 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909 Good-Ark Semiconductor SSFB3909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.87 грн
6000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD0959 SSFD0959 Good-Ark Semiconductor SSFD0959.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD0959 SSFD0959 Good-Ark Semiconductor SSFD0959.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.23 грн
5000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08 Good-Ark Semiconductor SSFD20N08.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08 Good-Ark Semiconductor SSFD20N08.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
15+20.49 грн
25+18.31 грн
100+14.90 грн
250+13.82 грн
500+13.16 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N24 SSFD20N24 Good-Ark Semiconductor SSFD20N24.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.31 грн
5000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N24 SSFD20N24 Good-Ark Semiconductor SSFD20N24.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+61.92 грн
25+56.15 грн
100+46.67 грн
250+43.80 грн
500+42.07 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906 Good-Ark Semiconductor SSFD3906.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906 Good-Ark Semiconductor SSFD3906.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
13+23.86 грн
25+22.26 грн
100+16.73 грн
250+15.53 грн
500+13.14 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B Good-Ark Semiconductor SSFD6025B.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.85 грн
100+28.08 грн
500+20.38 грн
1000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B Good-Ark Semiconductor SSFD6025B.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 Good-Ark Semiconductor SSFD6035.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 Good-Ark Semiconductor SSFD6035.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
10+40.91 грн
25+38.44 грн
100+29.44 грн
250+27.34 грн
500+23.27 грн
1000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909 Good-Ark Semiconductor SSFD6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909 Good-Ark Semiconductor SSFD6909.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+32.23 грн
25+26.59 грн
100+18.95 грн
250+16.00 грн
500+14.19 грн
1000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFH6538 SSFH6538 Good-Ark Semiconductor SSFH6538.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 38A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+176.72 грн
25+167.07 грн
100+135.90 грн
250+128.93 грн
500+115.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219 Good-Ark Semiconductor SSFK2219.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 278mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219 Good-Ark Semiconductor SSFK2219.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 278mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
13+23.33 грн
25+20.43 грн
100+12.42 грн
250+10.28 грн
500+8.23 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B Good-Ark Semiconductor SSFK3220B.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B Good-Ark Semiconductor SSFK3220B.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
59+5.09 грн
68+4.46 грн
100+3.54 грн
250+3.22 грн
500+3.03 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220C SSFK3220C Good-Ark Semiconductor SSFK3220C.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 275mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220C SSFK3220C Good-Ark Semiconductor SSFK3220C.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Power - Max: 275mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.67 грн
100+7.28 грн
500+5.04 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120 Good-Ark Semiconductor SSFK9120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
13+24.01 грн
25+21.00 грн
100+12.77 грн
250+10.57 грн
500+8.45 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120 Good-Ark Semiconductor SSFK9120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912 Good-Ark Semiconductor SSFL6912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912 Good-Ark Semiconductor SSFL6912.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
13+23.56 грн
25+21.54 грн
100+15.03 грн
250+13.63 грн
500+11.28 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603 Good-Ark Semiconductor SSFN2603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603 Good-Ark Semiconductor SSFN2603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+22.36 грн
25+19.95 грн
100+16.26 грн
250+15.09 грн
500+14.38 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3010H SSFN3010H Good-Ark Semiconductor SSFN3010H.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 19.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.73 грн
6000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3010H SSFN3010H Good-Ark Semiconductor SSFN3010H.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 19.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+34.63 грн
100+22.35 грн
500+16.03 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3907 SSFN3907 Good-Ark Semiconductor SSFN3907.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3907 SSFN3907 Good-Ark Semiconductor SSFN3907.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.41 грн
25+32.97 грн
100+24.07 грн
250+20.70 грн
500+18.63 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN6907 SSFN6907 Good-Ark Semiconductor SSFN6907.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+33.58 грн
25+27.70 грн
100+19.76 грн
250+16.70 грн
500+14.82 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN6907 SSFN6907 Good-Ark Semiconductor SSFN6907.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFP3806 SSFP3806 Good-Ark Semiconductor SSFP3806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PPAK
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x5.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+30.29 грн
25+27.19 грн
100+22.30 грн
250+20.76 грн
500+19.83 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFP3806 SSFP3806 Good-Ark Semiconductor SSFP3806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x5.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6909 SSF6909.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.31 грн
29+10.47 грн
33+9.24 грн
100+7.40 грн
250+6.81 грн
500+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6910 SSF6910.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.09 грн
27+11.44 грн
30+10.14 грн
100+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6910 SSF6910.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.06 грн
6000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6911S SSF6911S.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 30 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.32 грн
50+6.06 грн
57+5.26 грн
100+4.18 грн
250+3.81 грн
500+3.59 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6911S SSF6911S.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.53 грн
6000+3.28 грн
9000+3.22 грн
15000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6912 SSF6912.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.16 грн
6000+4.81 грн
9000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF6912 SSF6912.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.20 грн
36+8.53 грн
40+7.54 грн
100+6.01 грн
250+5.52 грн
500+5.22 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.96 грн
15+20.04 грн
25+17.56 грн
100+10.66 грн
250+8.82 грн
500+7.06 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7120 SSF7120.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 312mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.21 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 SSF7320.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.08 грн
16+19.22 грн
25+16.12 грн
100+9.58 грн
250+7.40 грн
500+6.30 грн
1000+4.22 грн
2500+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7320 SSF7320.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.53 грн
6000+3.28 грн
9000+3.22 грн
15000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF7912 SSF7912.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 15 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.32 грн
50+6.06 грн
57+5.26 грн
100+4.18 грн
250+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.23 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8309S SSF8309S.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.63 грн
20+15.11 грн
25+12.50 грн
100+8.89 грн
250+7.48 грн
500+6.61 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSF8970 SSF8970.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200A, 80V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB12N05 SSFB12N05.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.73 грн
15+21.09 грн
25+17.50 грн
100+12.53 грн
250+10.62 грн
500+9.44 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.01 грн
6000+9.77 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2309L SSFB2309L.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.60 грн
11+27.90 грн
25+23.18 грн
100+16.77 грн
250+14.31 грн
500+12.80 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.08 грн
6000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB2310L SSFB2310L.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.9A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.01W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.07 грн
13+24.31 грн
25+22.26 грн
100+15.55 грн
250+14.09 грн
500+11.66 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFB3909 SSFB3909.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.87 грн
6000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD0959 SSFD0959.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD0959 SSFD0959.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.23 грн
5000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N08 SSFD20N08.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 200V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.29 грн
15+20.49 грн
25+18.31 грн
100+14.90 грн
250+13.82 грн
500+13.16 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N24 SSFD20N24.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+43.31 грн
5000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD20N24 SSFD20N24.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.54 грн
10+61.92 грн
25+56.15 грн
100+46.67 грн
250+43.80 грн
500+42.07 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD3906 SSFD3906.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+28.74 грн
13+23.86 грн
25+22.26 грн
100+16.73 грн
250+15.53 грн
500+13.14 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.45 грн
10+42.85 грн
100+28.08 грн
500+20.38 грн
1000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6025B SSFD6025B.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 SSFD6035.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6035 SSFD6035.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 30 V
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.15 грн
10+40.91 грн
25+38.44 грн
100+29.44 грн
250+27.34 грн
500+23.27 грн
1000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFD6909 SSFD6909.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.92 грн
10+32.23 грн
25+26.59 грн
100+18.95 грн
250+16.00 грн
500+14.19 грн
1000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFH6538 SSFH6538.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 38A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.25 грн
10+176.72 грн
25+167.07 грн
100+135.90 грн
250+128.93 грн
500+115.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 278mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK2219 SSFK2219.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 278mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.62 грн
13+23.33 грн
25+20.43 грн
100+12.42 грн
250+10.28 грн
500+8.23 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.97 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220B SSFK3220B.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+7.77 грн
59+5.09 грн
68+4.46 грн
100+3.54 грн
250+3.22 грн
500+3.03 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220C SSFK3220C.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 275mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK3220C SSFK3220C.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Power - Max: 275mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.19 грн
26+11.67 грн
100+7.28 грн
500+5.04 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.17 грн
13+24.01 грн
25+21.00 грн
100+12.77 грн
250+10.57 грн
500+8.45 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFK9120 SSFK9120.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFL6912 SSFL6912.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.29 грн
13+23.56 грн
25+21.54 грн
100+15.03 грн
250+13.63 грн
500+11.28 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN2603 SSFN2603.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.62 грн
14+22.36 грн
25+19.95 грн
100+16.26 грн
250+15.09 грн
500+14.38 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3010H SSFN3010H.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 19.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.73 грн
6000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3010H SSFN3010H.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 19.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.25 грн
10+34.63 грн
100+22.35 грн
500+16.03 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3907 SSFN3907.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN3907 SSFN3907.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+66.01 грн
10+39.41 грн
25+32.97 грн
100+24.07 грн
250+20.70 грн
500+18.63 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN6907 SSFN6907.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.25 грн
10+33.58 грн
25+27.70 грн
100+19.76 грн
250+16.70 грн
500+14.82 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFN6907 SSFN6907.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFP3806 SSFP3806.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PPAK
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x5.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.27 грн
10+30.29 грн
25+27.19 грн
100+22.30 грн
250+20.76 грн
500+19.83 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSFP3806 SSFP3806.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x5.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  Наступна Сторінка >> ]