| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CD5668CB | HUAJING | 09+ HSOP32 |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| CD9088CB | HUAJING | 01+ SOP16 |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| CEFGCJ1.8432 | HUAJING | 04+ |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| CEFGCJ1.8432 | HUAJING | 0515 |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
HFGM100D12V1 | HUAJING |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V1 Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
HFGM150D12V3 | HUAJING |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
HFGM150D12V3 | HUAJING |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
HFGM200D12V3 | HUAJING |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
HFGM200D12V3 | HUAJING |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
HFGM300D12V3 | HUAJING |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
HFGM300D12V3 | HUAJING |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
HFGM75D12V1 | HUAJING |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1 Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V1 Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 75A Pulsed collector current: 200A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
HFGM75D12V1 | HUAJING |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1 Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: V1 Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 75A Pulsed collector current: 200A Technology: PT Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| HSKKD110/16 | HUAJING |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 110A; 21MM; Ufmax: 1.42V Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 110A Case: 21MM Max. forward voltage: 1.42V Max. forward impulse current: 2.6kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. load current: 173A |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| KP1100A 600V | HUAJING | KP1100A06V-HUA Button thyristors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
KP25A 1200V | HUAJING |
Category: Stud mounting thyristorsDescription: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw Type of thyristor: stud Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 40A Load current: 25A Gate current: 90mA Case: TO208AA Mounting: screw Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 380A Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
KP25A 1600V | HUAJING |
Category: Stud mounting thyristorsDescription: Thyristor: stud; 1.6kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw Type of thyristor: stud Max. off-state voltage: 1.6kV Max. load current: 40A Load current: 25A Gate current: 90mA Case: TO208AA Mounting: screw Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 380A Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
KP25A 1200V | HUAJING |
Category: Stud mounting thyristorsDescription: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw Type of thyristor: stud Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 40A Load current: 25A Gate current: 90mA Case: TO208AA Mounting: screw Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 380A Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
KP25A 1600V | HUAJING |
Category: Stud mounting thyristorsDescription: Thyristor: stud; 1.6kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw Type of thyristor: stud Max. off-state voltage: 1.6kV Max. load current: 40A Load current: 25A Gate current: 90mA Case: TO208AA Mounting: screw Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 380A Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| KP50A 1600V | HUAJING | KP50A16V-HUA Stud mounting thyristors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| ST600C12C | HUAJING | ST600C12C-HUA Button thyristors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
ZB25A 1200V | HUAJING |
Category: Stud mounting universal diodesDescription: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; anode to stud; DO5; M5; screw type Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 25A Semiconductor structure: anode to stud Case: DO5 Fastening thread: M5 Mounting: screw type Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 370A Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: bulk |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZB25A 1200V | HUAJING |
Category: Stud mounting universal diodesDescription: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; anode to stud; DO5; M5; screw type Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 25A Semiconductor structure: anode to stud Case: DO5 Fastening thread: M5 Mounting: screw type Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 370A Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZB25AR 1200V | HUAJING |
Category: Stud mounting universal diodesDescription: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; cathode to stud; DO5; M5; screw type Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 25A Semiconductor structure: cathode to stud Case: DO5 Fastening thread: M5 Mounting: screw type Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 370A Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: bulk |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZB25AR 1200V | HUAJING |
Category: Stud mounting universal diodesDescription: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; cathode to stud; DO5; M5; screw type Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 25A Semiconductor structure: cathode to stud Case: DO5 Fastening thread: M5 Mounting: screw type Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 370A Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 106 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| ZB25AR 1600V | HUAJING | ZB25AR16V-HUA Stud mounting universal diodes |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| ZP70A 600V | HUAJING | ZP70A06V-HUA Stud mounting universal diodes |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| ZP70A 800V | HUAJING | ZP70A08V-HUA Stud mounting universal diodes |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| ZP70AR 600V | HUAJING | ZP70AR06V-HUA Stud mounting universal diodes |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| ZP70AR 800V | HUAJING | ZP70AR08V-HUA Stud mounting universal diodes |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| CD5668CB |
Виробник: HUAJING
09+ HSOP32
09+ HSOP32
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CD9088CB |
Виробник: HUAJING
01+ SOP16
01+ SOP16
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CEFGCJ1.8432 |
Виробник: HUAJING
04+
04+
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CEFGCJ1.8432 |
Виробник: HUAJING
0515
0515
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| HFGM100D12V1 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3699.47 грн |
| 3+ | 3089.16 грн |
| 12+ | 2730.79 грн |
| HFGM150D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5834.02 грн |
| HFGM150D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7000.82 грн |
| 3+ | 6076.33 грн |
| 10+ | 5171.29 грн |
| HFGM200D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6118.39 грн |
| 3+ | 5114.70 грн |
| HFGM200D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7342.07 грн |
| 3+ | 6373.71 грн |
| 10+ | 5420.26 грн |
| HFGM300D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10163.17 грн |
| 3+ | 8493.34 грн |
| HFGM300D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12195.80 грн |
| 3+ | 10584.01 грн |
| 10+ | 9059.35 грн |
| HFGM75D12V1 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3272.03 грн |
| 3+ | 2736.53 грн |
| HFGM75D12V1 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3926.44 грн |
| 3+ | 3410.14 грн |
| 10+ | 2899.07 грн |
| HSKKD110/16 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 110A; 21MM; Ufmax: 1.42V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 110A
Case: 21MM
Max. forward voltage: 1.42V
Max. forward impulse current: 2.6kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 173A
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 110A; 21MM; Ufmax: 1.42V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 110A
Case: 21MM
Max. forward voltage: 1.42V
Max. forward impulse current: 2.6kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 173A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1417.44 грн |
| 3+ | 1184.16 грн |
| 6+ | 1097.24 грн |
| KP1100A 600V |
Виробник: HUAJING
KP1100A06V-HUA Button thyristors
KP1100A06V-HUA Button thyristors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9630.11 грн |
| 10+ | 9434.35 грн |
| KP25A 1200V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Case: TO208AA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 380A
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Case: TO208AA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 380A
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 429.21 грн |
| 5+ | 359.19 грн |
| 25+ | 317.36 грн |
| KP25A 1600V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.6kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Case: TO208AA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 380A
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.6kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Case: TO208AA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 380A
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 443.34 грн |
| 5+ | 370.67 грн |
| KP25A 1200V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Case: TO208AA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 380A
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Case: TO208AA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 380A
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 515.05 грн |
| 5+ | 447.60 грн |
| 25+ | 380.84 грн |
| KP25A 1600V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.6kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Case: TO208AA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 380A
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.6kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Case: TO208AA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 380A
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 532.00 грн |
| 5+ | 461.91 грн |
| 25+ | 393.63 грн |
| KP50A 1600V |
Виробник: HUAJING
KP50A16V-HUA Stud mounting thyristors
KP50A16V-HUA Stud mounting thyristors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1221.91 грн |
| 2+ | 831.54 грн |
| 4+ | 786.27 грн |
| ST600C12C |
Виробник: HUAJING
ST600C12C-HUA Button thyristors
ST600C12C-HUA Button thyristors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5020.72 грн |
| ZB25A 1200V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting universal diodes
Description: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; anode to stud; DO5; M5; screw type
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: anode to stud
Case: DO5
Fastening thread: M5
Mounting: screw type
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 370A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
Category: Stud mounting universal diodes
Description: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; anode to stud; DO5; M5; screw type
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: anode to stud
Case: DO5
Fastening thread: M5
Mounting: screw type
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 370A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.80 грн |
| 5+ | 140.23 грн |
| 25+ | 123.83 грн |
| 100+ | 112.35 грн |
| ZB25A 1200V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting universal diodes
Description: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; anode to stud; DO5; M5; screw type
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: anode to stud
Case: DO5
Fastening thread: M5
Mounting: screw type
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 370A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Stud mounting universal diodes
Description: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; anode to stud; DO5; M5; screw type
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: anode to stud
Case: DO5
Fastening thread: M5
Mounting: screw type
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 370A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.36 грн |
| 5+ | 174.75 грн |
| 25+ | 148.59 грн |
| 100+ | 134.82 грн |
| ZB25AR 1200V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting universal diodes
Description: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; cathode to stud; DO5; M5; screw type
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: cathode to stud
Case: DO5
Fastening thread: M5
Mounting: screw type
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 370A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
Category: Stud mounting universal diodes
Description: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; cathode to stud; DO5; M5; screw type
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: cathode to stud
Case: DO5
Fastening thread: M5
Mounting: screw type
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 370A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 144.83 грн |
| 5+ | 120.55 грн |
| 25+ | 106.61 грн |
| 100+ | 97.59 грн |
| ZB25AR 1200V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting universal diodes
Description: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; cathode to stud; DO5; M5; screw type
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: cathode to stud
Case: DO5
Fastening thread: M5
Mounting: screw type
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 370A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Stud mounting universal diodes
Description: Diode: rectifying; 1.2kV; 25A; cathode to stud; DO5; M5; screw type
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: cathode to stud
Case: DO5
Fastening thread: M5
Mounting: screw type
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 370A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.80 грн |
| 5+ | 150.22 грн |
| 25+ | 127.93 грн |
| 100+ | 117.10 грн |
| ZB25AR 1600V |
Виробник: HUAJING
ZB25AR16V-HUA Stud mounting universal diodes
ZB25AR16V-HUA Stud mounting universal diodes
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.82 грн |
| 10+ | 122.02 грн |
| 27+ | 115.14 грн |
| ZP70A 600V |
Виробник: HUAJING
ZP70A06V-HUA Stud mounting universal diodes
ZP70A06V-HUA Stud mounting universal diodes
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 484.31 грн |
| 4+ | 293.25 грн |
| 11+ | 277.51 грн |
| ZP70A 800V |
Виробник: HUAJING
ZP70A08V-HUA Stud mounting universal diodes
ZP70A08V-HUA Stud mounting universal diodes
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 447.22 грн |
| 4+ | 332.62 грн |
| 10+ | 314.90 грн |
| ZP70AR 600V |
Виробник: HUAJING
ZP70AR06V-HUA Stud mounting universal diodes
ZP70AR06V-HUA Stud mounting universal diodes
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 484.31 грн |
| 4+ | 296.20 грн |
| 11+ | 279.48 грн |
| ZP70AR 800V |
Виробник: HUAJING
ZP70AR08V-HUA Stud mounting universal diodes
ZP70AR08V-HUA Stud mounting universal diodes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 440.86 грн |
| 4+ | 317.85 грн |
| 11+ | 300.14 грн |









