Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CD5668CB | HUAJING | 09+ HSOP32 |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
CD9088CB | HUAJING | 01+ SOP16 |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
CEFGCJ1.8432 | HUAJING | 04+ |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
CEFGCJ1.8432 | HUAJING | 0515 |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
HFGM100D12V1 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: V1 Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Technology: PT Mechanical mounting: screw |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
HFGM100D12V1 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: V1 Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Technology: PT Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
HFGM150D12V3 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
HFGM150D12V3 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
HFGM200D12V3 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
HFGM200D12V3 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
HFGM300D12V3 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
HFGM300D12V3 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V3 62MM кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
HFGM75D12V1 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1 Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 75A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V1 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
HFGM75D12V1 | HUAJING |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1 Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 75A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: PT Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: V1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() +1 |
KP1100A 600V | HUAJING |
![]() Description: Thyristor: hockey-puck; 600V; Ifmax: 1730A; 1100A; Igt: 200mA; bulk Type of thyristor: hockey-puck Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1730A Load current: 1.1kA Gate current: 200mA Case: Ø74,5/47mm Mounting: Press-Pack Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 20kA |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() +1 |
KP1100A 600V | HUAJING |
![]() Description: Thyristor: hockey-puck; 600V; Ifmax: 1730A; 1100A; Igt: 200mA; bulk Type of thyristor: hockey-puck Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1730A Load current: 1.1kA Gate current: 200mA Case: Ø74,5/47mm Mounting: Press-Pack Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 20kA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
KP25A 1200V | HUAJING |
![]() Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw Mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 40A Load current: 25A Gate current: 90mA Max. forward impulse current: 380A Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) Type of thyristor: stud Case: TO208AA |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
KP25A 1200V | HUAJING |
![]() Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw Mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 40A Load current: 25A Gate current: 90mA Max. forward impulse current: 380A Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) Type of thyristor: stud Case: TO208AA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
KP25A 1600V | HUAJING | KP25A16V-HUA Stud mounting thyristors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
KP50A 1600V | HUAJING | KP50A16V-HUA Stud mounting thyristors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
ST600C12C | HUAJING | ST600C12C-HUA Button thyristors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
CD5668CB |
Виробник: HUAJING
09+ HSOP32
09+ HSOP32
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CD9088CB |
Виробник: HUAJING
01+ SOP16
01+ SOP16
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CEFGCJ1.8432 |
Виробник: HUAJING
04+
04+
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CEFGCJ1.8432 |
Виробник: HUAJING
0515
0515
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
HFGM100D12V1 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: V1
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: V1
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Mechanical mounting: screw
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2864.64 грн |
HFGM100D12V1 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: V1
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: V1
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Technology: PT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3437.57 грн |
HFGM150D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4492.10 грн |
HFGM150D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5390.52 грн |
HFGM200D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4716.58 грн |
HFGM200D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5659.90 грн |
HFGM300D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7062.54 грн |
HFGM300D12V3 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V3 62MM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8475.05 грн |
HFGM75D12V1 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V1
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2470.95 грн |
HFGM75D12V1 |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: V1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2965.15 грн |
KP1100A 600V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 600V; Ifmax: 1730A; 1100A; Igt: 200mA; bulk
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1730A
Load current: 1.1kA
Gate current: 200mA
Case: Ø74,5/47mm
Mounting: Press-Pack
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 20kA
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 600V; Ifmax: 1730A; 1100A; Igt: 200mA; bulk
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1730A
Load current: 1.1kA
Gate current: 200mA
Case: Ø74,5/47mm
Mounting: Press-Pack
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 20kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8254.66 грн |
KP1100A 600V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 600V; Ifmax: 1730A; 1100A; Igt: 200mA; bulk
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1730A
Load current: 1.1kA
Gate current: 200mA
Case: Ø74,5/47mm
Mounting: Press-Pack
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 20kA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 600V; Ifmax: 1730A; 1100A; Igt: 200mA; bulk
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1730A
Load current: 1.1kA
Gate current: 200mA
Case: Ø74,5/47mm
Mounting: Press-Pack
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 20kA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9905.59 грн |
3+ | 9011.65 грн |
KP25A 1200V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Type of thyristor: stud
Case: TO208AA
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Type of thyristor: stud
Case: TO208AA
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 433.65 грн |
3+ | 322.14 грн |
8+ | 304.77 грн |
KP25A 1200V |
![]() |
Виробник: HUAJING
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Type of thyristor: stud
Case: TO208AA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
Mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Load current: 25A
Gate current: 90mA
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Type of thyristor: stud
Case: TO208AA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 520.38 грн |
3+ | 401.44 грн |
8+ | 365.72 грн |
KP25A 1600V |
Виробник: HUAJING
KP25A16V-HUA Stud mounting thyristors
KP25A16V-HUA Stud mounting thyristors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 633.64 грн |
3+ | 427.31 грн |
8+ | 403.62 грн |
KP50A 1600V |
Виробник: HUAJING
KP50A16V-HUA Stud mounting thyristors
KP50A16V-HUA Stud mounting thyristors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1304.01 грн |
2+ | 882.10 грн |
4+ | 833.77 грн |