Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119473) > Сторінка 1976 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1971 1972 1973 1974 1975 1976 1977 1978 1979 1980 1981 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CYPD3177-24LQXQT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; I2C; transceiver; QFN24; 10mA; USB
Application: USB
Interface: I2C
Type of integrated circuit: interface
Case: QFN24
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: transceiver
DC supply current: 10mA
Data transfer rate: 1Mbps
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+106.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ100N65H5XKSA1 IGZ100N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGZ100N65H5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 101A; 268W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 101A
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 485ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPSIR2085TOBO1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-UG-2021-33_EVAL-PSIR2085-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c5627e7017c6fe78b1d0879 Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: EVALPSIR2085TOBO1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+13039.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.07 грн
25+16.92 грн
100+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N03S4L02.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3806pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.30 грн
7+65.16 грн
10+58.33 грн
50+46.08 грн
100+41.66 грн
250+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF8MR12W1M1H_B70-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b728bcf5a7c92 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Kind of channel: enhancement
Version: module; semiconductor
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+9417.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF17MR12W1M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a0188201359d2742d Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; 1.2kV; 50A; AG-EASY1B; SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 16.2mΩ
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: AG-EASY1B
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+6228.74 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704E6327HTSA1 BAT1704E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.56 грн
42+10.00 грн
49+8.67 грн
61+6.92 грн
100+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.56 грн
4+134.99 грн
10+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC019N10NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTC019N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4fde687225b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 279A; Idm: 31A; 300W; PG-HDSOP-16
Case: PG-HDSOP-16
Mounting: SMD
Polarisation: N
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 279A
Gate-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1800+209.09 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+243.19 грн
10+162.49 грн
100+128.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1 IPA65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA1 IPW65R190CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R190CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139afa2346920a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1 IPB65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R190C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R190CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R190C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.19Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190CFDXKSA1 IPI65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R190E6AUMA1 IPL65R190E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R190E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1 IPP65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.61 грн
10+44.75 грн
50+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+70.00 грн
10+62.50 грн
50+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc7b033f30d49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK3
On-state resistance: 702mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ PFD7
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 10A; Idm: 10A; 7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 203nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 300W
Drain current: 198A
Case: D2PAK; TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 BSB013NE2LXIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB013NE2LXI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 103A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 64Mb FLASH
Operating frequency: 108MHz
Application: automotive
Case: SOIC8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES S25FL.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: SOIC8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: WSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES 001-98283%20Rev%20T.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: SOIC16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 256Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: SOIC16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Application: automotive
Case: SOIC16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: SOIC16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 80MHz
Memory: 512Mb FLASH
Application: automotive
Case: WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HL512TFPBHB013 INFINEON TECHNOLOGIES S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 166MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 166MHz
Application: automotive
Case: BGA24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHB013 INFINEON TECHNOLOGIES S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 200MHz
Application: automotive
Case: BGA24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S10DHB013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Application: automotive
Case: BGA64
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS11FHB013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S70GL02GS_2Gbit_(256Mbytes)_3.0V_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed148734d74 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
Case: BGA64
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3314-88LTXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
168+363.44 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
1EDF5673FXUMA1 1EDF5673FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDF5673F_1EDF5663H.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Case: PG-DSO-16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Type of integrated circuit: driver
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 1EDS5663HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDF5673F_1EDF5663H.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Case: PG-DSO-16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Type of integrated circuit: driver
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.41 грн
10+54.25 грн
100+42.50 грн
500+33.75 грн
1000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES esd5v3u2useries.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011488a9e66f0ded&fileId=db3a30431b0626df011b0d3e3ca97dc0 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; TSFP-3; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5.3V
Breakdown voltage: 6V
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBF IRFU13N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3171-24LQXQT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD(TM)_CCG3PA_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee438366ac0 Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; I2C,SPI,UART,USB 3.0; USB controller; 3.3VDC
Interface: I2C; SPI; UART; USB 3.0
Type of integrated circuit: interface
Case: QFN24
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: USB controller
Supply voltage: 3.3V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3XKSA1 IPW90R340C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501183c3a02810087 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3177-24LQXQT Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; I2C; transceiver; QFN24; 10mA; USB
Application: USB
Interface: I2C
Type of integrated circuit: interface
Case: QFN24
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: transceiver
DC supply current: 10mA
Data transfer rate: 1Mbps
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+106.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ100N65H5XKSA1 IGZ100N65H5XKSA1-DTE.pdf
IGZ100N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 101A; 268W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 101A
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 485ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPSIR2085TOBO1 Infineon-UG-2021-33_EVAL-PSIR2085-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c5627e7017c6fe78b1d0879
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: EVALPSIR2085TOBO1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13039.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.07 грн
25+16.92 грн
100+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02.pdf
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.30 грн
7+65.16 грн
10+58.33 грн
50+46.08 грн
100+41.66 грн
250+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104.pdf
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon-FF8MR12W1M1H_B70-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b728bcf5a7c92
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Kind of channel: enhancement
Version: module; semiconductor
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+9417.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon-FF17MR12W1M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a0188201359d2742d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; 1.2kV; 50A; AG-EASY1B; SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 16.2mΩ
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: AG-EASY1B
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+6228.74 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704E6327HTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.56 грн
42+10.00 грн
49+8.67 грн
61+6.92 грн
100+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.56 грн
4+134.99 грн
10+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC019N10NM5ATMA1 Infineon-IPTC019N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4fde687225b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 279A; Idm: 31A; 300W; PG-HDSOP-16
Case: PG-HDSOP-16
Mounting: SMD
Polarisation: N
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 279A
Gate-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+209.09 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6-DTE.pdf
IPA65R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.19 грн
10+162.49 грн
100+128.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6-DTE.pdf
IPI65R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7-DTE.pdf
IPA65R190C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1 IPA65R190CFD-DTE.pdf
IPA65R190CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA1 IPW65R190CFD-DTE.pdf
IPW65R190CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 Infineon-IPX65R190CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139afa2346920a1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1 IPB65R190C7-DTE.pdf
IPB65R190C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFD-DTE.pdf
IPB65R190CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7-DTE.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.19Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190CFDXKSA1 IPI65R190CFD-DTE.pdf
IPI65R190CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R190E6AUMA1 IPL65R190E6-DTE.pdf
IPL65R190E6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6-DTE.pdf
IPP65R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190E6XKSA1 IPP65R190E6-DTE.pdf
IPP65R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.61 грн
10+44.75 грн
50+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7.pdf
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7.pdf
IPP60R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.00 грн
10+62.50 грн
50+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon-IPP60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc7b033f30d49
IPP60R360CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK3
On-state resistance: 702mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ PFD7
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 10A; Idm: 10A; 7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 203nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 300W
Drain current: 198A
Case: D2PAK; TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 BSB013NE2LXI-DTE.pdf
BSB013NE2LXIXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 103A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB013 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 64Mb FLASH
Operating frequency: 108MHz
Application: automotive
Case: SOIC8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFB013 S25FL.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: SOIC8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGNFB013 Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: WSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFB013 001-98283%20Rev%20T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: SOIC16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFB013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 256Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: SOIC16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFB013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFB013 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Application: automotive
Case: SOIC16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFB013 Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
Case: SOIC16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFB013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 80MHz
Memory: 512Mb FLASH
Application: automotive
Case: WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HL512TFPBHB013 S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 166MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 166MHz
Application: automotive
Case: BGA24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHB013 S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 200MHz
Application: automotive
Case: BGA24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S10DHB013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Application: automotive
Case: BGA64
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS11FHB013 Infineon-S70GL02GS_2Gbit_(256Mbytes)_3.0V_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed148734d74
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
Case: BGA64
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3314-88LTXC Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
168+363.44 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
1EDF5673FXUMA1 1EDF5673F_1EDF5663H.pdf
1EDF5673FXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Case: PG-DSO-16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Type of integrated circuit: driver
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 1EDF5673F_1EDF5663H.pdf
1EDS5663HXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Case: PG-DSO-16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Type of integrated circuit: driver
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF irf7410pbf.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.41 грн
10+54.25 грн
100+42.50 грн
500+33.75 грн
1000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 esd5v3u2useries.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011488a9e66f0ded&fileId=db3a30431b0626df011b0d3e3ca97dc0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; TSFP-3; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5.3V
Breakdown voltage: 6V
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFU13N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFR13N20DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3171-24LQXQT Infineon-EZ-PD(TM)_CCG3PA_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee438366ac0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; I2C,SPI,UART,USB 3.0; USB controller; 3.3VDC
Interface: I2C; SPI; UART; USB 3.0
Type of integrated circuit: interface
Case: QFN24
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: USB controller
Supply voltage: 3.3V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3XKSA1 Infineon-IPW90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501183c3a02810087
IPW90R340C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1971 1972 1973 1974 1975 1976 1977 1978 1979 1980 1981 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]