Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119473) > Сторінка 1979 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1974 1975 1976 1977 1978 1979 1980 1981 1982 1983 1984 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.9mΩ
Drain current: 54A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 240A
Gate-source voltage: ±16V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.4mΩ
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 240A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 320A
Technology: OptiMOS™ 6
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC45N04S6L063H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530913a295ff5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.5mΩ
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 134A
Gate-source voltage: ±16V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 119A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.2mΩ
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 311A
Gate-source voltage: ±16V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 193A
Gate-source voltage: ±16V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.6mΩ
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 311A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 171A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752R ISP752R INFINEON TECHNOLOGIES ISP752R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+109.16 грн
10+105.83 грн
25+101.66 грн
100+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752T ISP752T INFINEON TECHNOLOGIES ISP752T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N INFINEON TECHNOLOGIES BSP75N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ084N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 63W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC367DP-64F300S AA INFINEON TECHNOLOGIES Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+1959.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.97 грн
5+86.66 грн
10+81.66 грн
50+75.83 грн
100+70.00 грн
250+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 250BSRAM,4kBFLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27243-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 256BSRAM,16kBFLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB6B60KDPBF IRGB6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irgs6b60kdpbf.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS6B60KDTRLP IRGS6B60KDTRLP INFINEON TECHNOLOGIES IRGS6B60KDTRLP.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP20E65D2XKSA1 IDP20E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDP20E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c45c5fe3eae Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 20A; Ifsm: 60A; Ufmax: 2.2V; Ir: 40uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 32ns
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.40 грн
6+73.66 грн
10+64.41 грн
40+49.58 грн
50+47.41 грн
100+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES BSP78.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+201.91 грн
10+122.49 грн
25+110.83 грн
100+94.16 грн
250+83.33 грн
500+76.66 грн
1000+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP77E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.55 грн
10+113.33 грн
25+100.83 грн
100+85.00 грн
250+75.00 грн
500+68.33 грн
1000+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.83 грн
10+167.49 грн
100+132.49 грн
250+119.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 4A
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.07 грн
12+35.83 грн
13+33.50 грн
50+29.00 грн
100+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3314-BVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: ARM microprocessor
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
429+744.83 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 BC857AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC857B-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
145+3.11 грн
193+2.17 грн
228+1.83 грн
250+1.67 грн
271+1.54 грн
500+1.47 грн
1000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+633.55 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
HFA08TB60PBF HFA08TB60PBF INFINEON TECHNOLOGIES hfa08tb60pbf.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; TO220AC; Ufmax: 1.7V; 55ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 55ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.04 грн
5+99.16 грн
10+90.83 грн
50+72.50 грн
100+67.50 грн
250+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRL1404STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirl1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28243-24PVXI CY8C28243-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 1kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 16
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: SSOP20
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24894-24LTXI CY8C24894-24LTXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C24794-24LTXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN56; 1kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 49
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB 2.0
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN56
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+613.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 69nC
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 125A
Power dissipation: 136W
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.76 грн
10+70.83 грн
50+55.00 грн
100+50.00 грн
200+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF PVDZ172NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvdz172.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 1.5A
Switched voltage: 0...60V DC
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
Control voltage: 1.2V DC
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+717.91 грн
10+615.80 грн
25+589.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+427.15 грн
5+231.65 грн
10+211.65 грн
25+194.16 грн
50+184.99 грн
100+178.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4137PBF IRFP4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4137PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 83nC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.98 грн
5+263.32 грн
25+234.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP13DP06NMSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP13DP06NMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae951b44b1ccc Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Gate charge: 20.2nC
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGSX22G2A10.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: DPDT
Number of channels: 2
Case: ATSLP-10-2
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+52.50 грн
25+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327 BSP125L6327 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125-Infineon.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV170E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.36 грн
44+9.50 грн
50+8.42 грн
66+6.37 грн
100+5.58 грн
500+3.94 грн
1000+3.44 грн
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144F1024ACXQSA1 XMC4500E144F1024ACXQSA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LFBGA-144
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Supply voltage: 3.3V DC
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...85°C
Number of 16bit timers: 26
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 91
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144X1024ACXQSA1 XMC4500E144X1024ACXQSA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LFBGA-144
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Supply voltage: 3.3V DC
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 26
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 91
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2112STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.48 грн
10+124.16 грн
25+119.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05N06PFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDL05x06xx.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -0.7...0.36A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Technology: EiceDRIVER™
Supply voltage: 10...20V
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Voltage class: 600V
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3034TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLS3034.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.9mΩ
Drain current: 54A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 240A
Gate-source voltage: ±16V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.4mΩ
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 240A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 320A
Technology: OptiMOS™ 6
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6L063H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530913a295ff5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.5mΩ
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 134A
Gate-source voltage: ±16V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 119A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.2mΩ
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 311A
Gate-source voltage: ±16V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 193A
Gate-source voltage: ±16V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.6mΩ
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 311A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 171A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752R ISP752R.pdf
ISP752R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.16 грн
10+105.83 грн
25+101.66 грн
100+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752T ISP752T.pdf
ISP752T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N.pdf
BSP75N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf
BSZ086P03NS3EGATMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 63W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSG-DTE.pdf
BSZ088N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSG-DTE.pdf
BSZ088N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC367DP-64F300S AA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1959.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.97 грн
5+86.66 грн
10+81.66 грн
50+75.83 грн
100+70.00 грн
250+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF irf8010spbf.pdf
IRF8010STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 250BSRAM,4kBFLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27243-24PVXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 256BSRAM,16kBFLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB6B60KDPBF description irgs6b60kdpbf.pdf
IRGB6B60KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS6B60KDTRLP IRGS6B60KDTRLP.pdf
IRGS6B60KDTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP20E65D2XKSA1 Infineon-IDP20E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c45c5fe3eae
IDP20E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 20A; Ifsm: 60A; Ufmax: 2.2V; Ir: 40uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 32ns
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.40 грн
6+73.66 грн
10+64.41 грн
40+49.58 грн
50+47.41 грн
100+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78.pdf
BSP78
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.91 грн
10+122.49 грн
25+110.83 грн
100+94.16 грн
250+83.33 грн
500+76.66 грн
1000+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 BSP77E6433.pdf
BSP77E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.55 грн
10+113.33 грн
25+100.83 грн
100+85.00 грн
250+75.00 грн
500+68.33 грн
1000+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T.pdf
BSP772T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.83 грн
10+167.49 грн
100+132.49 грн
250+119.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 4A
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.07 грн
12+35.83 грн
13+33.50 грн
50+29.00 грн
100+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5-DTE.pdf
BSZ110N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3314-BVXI Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: ARM microprocessor
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
429+744.83 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 BC857B-DTE.pdf
BC857AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
145+3.11 грн
193+2.17 грн
228+1.83 грн
250+1.67 грн
271+1.54 грн
500+1.47 грн
1000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
240+633.55 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
HFA08TB60PBF hfa08tb60pbf.pdf
HFA08TB60PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; TO220AC; Ufmax: 1.7V; 55ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 55ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.04 грн
5+99.16 грн
10+90.83 грн
50+72.50 грн
100+67.50 грн
250+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF irl1404zpbf.pdf
IRL1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF.pdf
IRL1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL auirl1404s.pdf
AUIRL1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28243-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28243-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 1kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 16
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: SSOP20
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24894-24LTXI CY8C24794-24LTXI.pdf
CY8C24894-24LTXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN56; 1kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 49
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB 2.0
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN56
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+613.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
IPP020N03LF2SAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 69nC
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 125A
Power dissipation: 136W
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.76 грн
10+70.83 грн
50+55.00 грн
100+50.00 грн
200+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF description pvdz172.pdf
PVDZ172NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 1.5A
Switched voltage: 0...60V DC
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
Control voltage: 1.2V DC
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+717.91 грн
10+615.80 грн
25+589.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+427.15 грн
5+231.65 грн
10+211.65 грн
25+194.16 грн
50+184.99 грн
100+178.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4137PBF IRFP4137PBF.pdf
IRFP4137PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 83nC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.98 грн
5+263.32 грн
25+234.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CP-DTE.pdf
IPW60R165CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP13DP06NMSATMA1 Infineon-ISP13DP06NMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae951b44b1ccc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Gate charge: 20.2nC
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10.pdf
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: DPDT
Number of channels: 2
Case: ATSLP-10-2
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.50 грн
25+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327 BSP125-Infineon.pdf
BSP125L6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327.pdf
BAV170E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.36 грн
44+9.50 грн
50+8.42 грн
66+6.37 грн
100+5.58 грн
500+3.94 грн
1000+3.44 грн
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144F1024ACXQSA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4500E144F1024ACXQSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LFBGA-144
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Supply voltage: 3.3V DC
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...85°C
Number of 16bit timers: 26
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 91
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144X1024ACXQSA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4500E144X1024ACXQSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LFBGA-144
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Supply voltage: 3.3V DC
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 26
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 91
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF.pdf
IR2112STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.48 грн
10+124.16 грн
25+119.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05x06xx.pdf
2EDL05N06PFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -0.7...0.36A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Technology: EiceDRIVER™
Supply voltage: 10...20V
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Voltage class: 600V
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 AUIRLS3034.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1974 1975 1976 1977 1978 1979 1980 1981 1982 1983 1984 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]