Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148445) > Сторінка 1266 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA028N08N3GXKSA1 IPA028N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA028N08N3G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA029N06NM5SXKSA1 IPA029N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA029N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd953036de6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 348A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA029N06NXKSA1 IPA029N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA029N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10N3GXKSA1 IPA030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 IPA037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA037N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+303.04 грн
3+253.07 грн
7+171.97 грн
18+161.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA040N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N08NM5SXKSA1 IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cf4ced66e27 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 300A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.15 грн
3+164.26 грн
9+129.66 грн
24+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA041N04N_G-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145460399014560aaf8193f1c IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA050N10NM5SXKSA1 IPA050N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA052N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfde8986e2a IPA052N08NM5SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA057N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.61 грн
10+179.53 грн
12+96.56 грн
32+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA057N08N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011dce0004a4351e IPA057N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 IPA060N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 224A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.60 грн
10+96.56 грн
13+83.68 грн
36+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA060N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA075N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+571.43 грн
3+475.58 грн
4+343.93 грн
9+324.62 грн
50+319.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2aab965048b IPA083N10N5XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.05 грн
9+131.50 грн
23+124.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+148.55 грн
3+128.92 грн
10+109.43 грн
11+100.24 грн
31+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA086N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.50 грн
10+108.87 грн
15+73.57 грн
42+69.89 грн
1000+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA093N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA105N15N3GXKSA1 IPA105N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA105N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 37A; 40.5W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 37A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.5W
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+514.98 грн
3+427.83 грн
4+320.94 грн
10+302.55 грн
100+291.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA126N10NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA126N10NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d07a0046e37 IPA126N10NM3SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA320N20NM3SXKSA1 IPA320N20NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA320N20NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d1035e86e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 104A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cdc7347c0 IPA50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+476.35 грн
3+364.16 грн
9+343.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA50R190CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f5fde3aa57bf4 IPA50R190CEXKSA2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b347657008a IPA50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cd97047bc IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.64 грн
8+146.22 грн
21+138.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPA50R280CE_2_2.pdf?fileId=5546d4614815da880148594e0dbc1751 IPA50R280CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.98 грн
19+57.02 грн
52+54.26 грн
1000+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.01 грн
10+71.15 грн
20+54.35 грн
55+51.41 грн
250+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R399CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R399CP.pdf IPA50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R500CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA50R500CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149e640abc53919 IPA50R500CEXKSA2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R520CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R520CP.pdf IPA50R520CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R800CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA50R800CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d82a1c8656be IPA50R800CEXKSA2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048 IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.28 грн
28+39.36 грн
76+37.24 грн
500+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 IPA600N25NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R060P7 IPA60R060P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R060P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7 IPA60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R099C7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 83A
Gate charge: 42nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7 IPA60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R099P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120C7XKSA1 IPA60R120C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R120C7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 66A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7 IPA60R120P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R120P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R125C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 IPA60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R125CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6XKSA1 IPA60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160C6XKSA1 IPA60R160C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R160C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R165CPXKSA1 IPA60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R170CFD7XKSA1 IPA60R170CFD7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R170CFD7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 51A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 51A
Gate charge: 28nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R180P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.62 грн
10+120.33 грн
11+99.32 грн
30+94.72 грн
100+91.96 грн
250+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.26 грн
3+153.75 грн
8+143.46 грн
10+137.94 грн
21+135.18 грн
50+129.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R199CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R230P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+234.71 грн
3+203.41 грн
9+132.42 грн
23+125.07 грн
500+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R250CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+297.10 грн
11+110.78 грн
28+100.24 грн
200+96.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA028N08N3GXKSA1 IPA028N08N3G.pdf
IPA028N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA029N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd953036de6
IPA029N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 348A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA029N06NXKSA1 IPA029N06N-DTE.pdf
IPA029N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10N3GXKSA1 IPA030N10N3G-DTE.pdf
IPA030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3G-DTE.pdf
IPA032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 IPA037N08N3G-DTE.pdf
IPA037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+303.04 грн
3+253.07 грн
7+171.97 грн
18+161.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06N-DTE.pdf
IPA040N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N08NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cf4ced66e27
IPA040N08NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 300A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.15 грн
3+164.26 грн
9+129.66 грн
24+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 Infineon-IPA041N04N_G-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145460399014560aaf8193f1c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3G-DTE.pdf
IPA045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d
IPA050N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA052N08NM5SXKSA1 Infineon-IPA052N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfde8986e2a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA052N08NM5SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3G-DTE.pdf
IPA057N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.61 грн
10+179.53 грн
12+96.56 грн
32+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011dce0004a4351e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA057N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20
IPA060N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 224A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+96.56 грн
13+83.68 грн
36+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06N-DTE.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3G-DTE.pdf
IPA075N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.43 грн
3+475.58 грн
4+343.93 грн
9+324.62 грн
50+319.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10N5XKSA1 Infineon-IPA083N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2aab965048b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA083N10N5XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.05 грн
9+131.50 грн
23+124.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
IPA083N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+148.55 грн
3+128.92 грн
10+109.43 грн
11+100.24 грн
31+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3G-DTE.pdf
IPA086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.50 грн
10+108.87 грн
15+73.57 грн
42+69.89 грн
1000+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3G-DTE.pdf
IPA093N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA105N15N3GXKSA1 IPA105N15N3G-DTE.pdf
IPA105N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 37A; 40.5W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 37A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.5W
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.98 грн
3+427.83 грн
4+320.94 грн
10+302.55 грн
100+291.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon-IPA126N10NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d07a0046e37
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA126N10NM3SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA320N20NM3SXKSA1 Infineon-IPA320N20NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d1035e86e3a
IPA320N20NM3SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 104A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cdc7347c0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.35 грн
3+364.16 грн
9+343.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 Infineon-IPA50R190CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f5fde3aa57bf4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R190CEXKSA2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R199CPXKSA1 IPA50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b347657008a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cd97047bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.64 грн
8+146.22 грн
21+138.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 DS_IPA50R280CE_2_2.pdf?fileId=5546d4614815da880148594e0dbc1751
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R280CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.98 грн
19+57.02 грн
52+54.26 грн
1000+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CE-DTE.pdf
IPA50R380CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.01 грн
10+71.15 грн
20+54.35 грн
55+51.41 грн
250+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R399CPXKSA1 IPA50R399CP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R500CEXKSA2 Infineon-IPA50R500CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149e640abc53919
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R500CEXKSA2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R520CPXKSA1 IPA50R520CP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R520CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R800CEXKSA2 Infineon-IPA50R800CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d82a1c8656be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R800CEXKSA2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.28 грн
28+39.36 грн
76+37.24 грн
500+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d
IPA600N25NM3SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R060P7 IPA60R060P7.pdf
IPA60R060P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7 IPA60R080P7.pdf
IPA60R080P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7.pdf
IPA60R099C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 83A
Gate charge: 42nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7 IPA60R099P7.pdf
IPA60R099P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120C7XKSA1 IPA60R120C7.pdf
IPA60R120C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 66A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7 IPA60R120P7.pdf
IPA60R120P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6-DTE.pdf
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 IPA60R125CP-DTE.pdf
IPA60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6XKSA1 IPA60R125P6-DTE.pdf
IPA60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160C6XKSA1 IPA60R160C6-DTE.pdf
IPA60R160C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6-DTE.pdf
IPA60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R165CPXKSA1 IPA60R165CP-DTE.pdf
IPA60R165CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R170CFD7XKSA1 IPA60R170CFD7.pdf
IPA60R170CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 51A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 51A
Gate charge: 28nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7S.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.62 грн
10+120.33 грн
11+99.32 грн
30+94.72 грн
100+91.96 грн
250+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7.pdf
IPA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6-DTE.pdf
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6-DTE.pdf
IPA60R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6-DTE.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.26 грн
3+153.75 грн
8+143.46 грн
10+137.94 грн
21+135.18 грн
50+129.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CP-DTE.pdf
IPA60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6-DTE.pdf
IPA60R230P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.71 грн
3+203.41 грн
9+132.42 грн
23+125.07 грн
500+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CP-DTE.pdf
IPA60R250CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6-DTE.pdf
IPA60R280E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6-DTE.pdf
IPA60R280P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+297.10 грн
11+110.78 грн
28+100.24 грн
200+96.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]