Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149250) > Сторінка 1266 з 2488

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1488 1736 1984 2232 2480 2488  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.25 грн
10+133.86 грн
17+66.35 грн
47+62.55 грн
500+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.16 грн
10+129.03 грн
20+57.34 грн
50+57.25 грн
54+54.12 грн
1600+53.17 грн
2400+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.26 грн
5+141.73 грн
10+120.37 грн
21+54.97 грн
56+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FD2406001F1A303005056AB0C4F&compId=irf2907zpbf.pdf?ci_sign=d9930ff1f83e629ad9856e6d356b20e0d58e4614 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.77 грн
7+169.29 грн
19+154.49 грн
200+149.75 грн
250+147.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.24 грн
10+91.63 грн
25+76.11 грн
30+38.01 грн
81+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.79 грн
10+118.70 грн
22+52.13 грн
59+49.29 грн
4000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.36 грн
10+87.89 грн
20+57.34 грн
54+54.21 грн
1600+53.17 грн
2400+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+154.13 грн
10+107.28 грн
14+82.46 грн
38+77.72 грн
500+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF IRF3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.21 грн
7+170.27 грн
19+155.44 грн
50+153.54 грн
100+149.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.59 грн
10+108.27 грн
24+48.15 грн
50+48.05 грн
64+45.49 грн
5000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.39 грн
10+115.85 грн
20+56.01 грн
55+52.98 грн
4800+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.29 грн
3+112.70 грн
10+84.73 грн
20+56.01 грн
55+52.98 грн
1000+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+268.44 грн
8+157.48 грн
21+143.12 грн
100+141.22 грн
500+137.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.30 грн
10+150.59 грн
12+93.83 грн
33+89.09 грн
1000+86.25 грн
1250+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.86 грн
5+221.45 грн
10+111.84 грн
28+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207 IRF40B207 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.21 грн
10+44.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDD1A753CD6143&compId=IRF40R207.pdf?ci_sign=4cd6fca78f66572d898b62deac93256e3bb94244 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.24 грн
10+46.95 грн
42+26.82 грн
115+25.40 грн
2000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.17 грн
10+105.31 грн
15+75.82 грн
41+71.08 грн
500+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.04 грн
5+124.01 грн
10+112.79 грн
11+110.89 грн
25+103.31 грн
50+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.23 грн
10+126.97 грн
17+67.29 грн
46+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.51 грн
10+173.23 грн
12+95.73 грн
32+90.99 грн
1600+87.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.97 грн
10+34.55 грн
25+30.04 грн
42+27.20 грн
100+26.63 грн
113+25.78 грн
500+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.70 грн
10+140.75 грн
17+68.24 грн
46+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+286.82 грн
5+206.69 грн
9+130.80 грн
24+123.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.15 грн
10+84.05 грн
25+69.47 грн
30+37.25 грн
83+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.49 грн
10+54.33 грн
25+47.86 грн
46+24.26 грн
127+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.92 грн
10+71.16 грн
30+38.39 грн
80+36.30 грн
1600+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.47 грн
10+53.44 грн
25+47.20 грн
36+31.56 грн
98+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B74F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540z.pdf?ci_sign=dc37eeef6533ef9813e70c1f6eb24e960c6946c6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 26.5mΩ
Power dissipation: 92W
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.39 грн
10+54.33 грн
20+49.95 грн
25+45.78 грн
68+43.31 грн
200+42.65 грн
500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.79 грн
9+32.87 грн
11+28.24 грн
50+19.62 грн
74+15.07 грн
203+14.31 грн
250+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.70 грн
12+25.20 грн
14+20.57 грн
75+14.98 грн
100+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.81 грн
12+26.48 грн
50+19.33 грн
98+11.47 грн
268+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.72 грн
5+59.25 грн
25+50.33 грн
26+43.88 грн
70+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.97 грн
10+70.77 грн
25+54.31 грн
38+29.48 грн
105+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.57 грн
10+82.68 грн
27+41.70 грн
74+39.43 грн
2400+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.10 грн
10+37.50 грн
25+30.14 грн
50+26.35 грн
82+13.65 грн
225+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.97 грн
49+23.72 грн
135+21.51 грн
4000+20.85 грн
8000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F7487F4D128F1A303005056AB0C4F&compId=irf7241pbf.pdf?ci_sign=3e6eac7109da8f3470ac2e7a87b7804a4856b55f description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.37 грн
6+56.89 грн
10+49.57 грн
26+43.69 грн
71+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F751DDD019EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7306pbf.pdf?ci_sign=244ded6274750851bd5e8e76cc1513b6407fc75b description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.28 грн
10+75.00 грн
40+28.43 грн
108+26.82 грн
8000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 4/-3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.80 грн
10+58.17 грн
35+32.60 грн
95+30.80 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D76070127F1A303005056AB0C4F&compId=irf7313pbf.pdf?ci_sign=e7bd49b91212a50639a11cd438aa89f6c9fcf565 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.72 грн
10+57.68 грн
48+23.32 грн
132+22.08 грн
4000+21.99 грн
8000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E0768620AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7316pbf.pdf?ci_sign=f3ac06c6dfbd1b2e65f97e10a01cbbc54ab17c25 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.38 грн
10+81.40 грн
36+31.28 грн
98+29.57 грн
4000+29.29 грн
8000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.58 грн
10+120.08 грн
17+69.19 грн
45+65.40 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.26 грн
10+68.90 грн
49+23.13 грн
133+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.42 грн
10+78.25 грн
25+64.54 грн
38+29.86 грн
103+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.17 грн
10+75.69 грн
25+61.32 грн
42+27.11 грн
114+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A0DE506CD3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7351pbf.pdf?ci_sign=4edfec3e68a3b8645ed0cd18f9eb510a94e2a897 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.34 грн
5+87.99 грн
10+78.10 грн
21+55.07 грн
56+52.03 грн
1000+50.33 грн
2000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.24 грн
10+44.09 грн
50+32.04 грн
52+21.80 грн
142+20.57 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.01 грн
10+59.25 грн
25+50.33 грн
47+23.88 грн
129+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A30B2ACF36F1A303005056AB0C4F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=8154e3d2bf5a42d04cc55b32e63b7ef1350777ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.03 грн
10+74.80 грн
18+62.55 грн
25+61.61 грн
50+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.76 грн
10+71.26 грн
21+54.97 грн
56+52.03 грн
100+51.75 грн
250+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 description IRF7842TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.71 грн
20+58.76 грн
53+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.64 грн
27+42.93 грн
72+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D852BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf8010.pdf?ci_sign=d280f417751b4795fda78b32f97b3dbddff52aba description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.42 грн
5+103.35 грн
10+92.88 грн
17+66.35 грн
47+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.41 грн
10+41.44 грн
62+18.01 грн
171+16.97 грн
2000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.43 грн
10+51.57 грн
25+44.07 грн
35+31.75 грн
97+30.04 грн
1000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.88 грн
10+101.77 грн
29+39.62 грн
50+39.52 грн
78+37.44 грн
4000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.97 грн
10+34.84 грн
49+22.94 грн
134+21.61 грн
250+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Drain current: -7.3A
Drain-source voltage: -30V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 19.4mΩ
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.22 грн
10+42.62 грн
50+29.19 грн
54+20.85 грн
147+19.71 грн
500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D85A9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9530n.pdf?ci_sign=2c38ddd36f45d6a026a2c2caf41a7917df1e373c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.78 грн
10+54.72 грн
25+48.43 грн
30+37.53 грн
82+35.45 грн
1000+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.25 грн
10+133.86 грн
17+66.35 грн
47+62.55 грн
500+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.16 грн
10+129.03 грн
20+57.34 грн
50+57.25 грн
54+54.12 грн
1600+53.17 грн
2400+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.26 грн
5+141.73 грн
10+120.37 грн
21+54.97 грн
56+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FD2406001F1A303005056AB0C4F&compId=irf2907zpbf.pdf?ci_sign=d9930ff1f83e629ad9856e6d356b20e0d58e4614
IRF2907ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.77 грн
7+169.29 грн
19+154.49 грн
200+149.75 грн
250+147.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.24 грн
10+91.63 грн
25+76.11 грн
30+38.01 грн
81+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.79 грн
10+118.70 грн
22+52.13 грн
59+49.29 грн
4000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.36 грн
10+87.89 грн
20+57.34 грн
54+54.21 грн
1600+53.17 грн
2400+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.13 грн
10+107.28 грн
14+82.46 грн
38+77.72 грн
500+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8
IRF3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.21 грн
7+170.27 грн
19+155.44 грн
50+153.54 грн
100+149.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.59 грн
10+108.27 грн
24+48.15 грн
50+48.05 грн
64+45.49 грн
5000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.39 грн
10+115.85 грн
20+56.01 грн
55+52.98 грн
4800+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.29 грн
3+112.70 грн
10+84.73 грн
20+56.01 грн
55+52.98 грн
1000+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d
IRF3805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.44 грн
8+157.48 грн
21+143.12 грн
100+141.22 грн
500+137.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.30 грн
10+150.59 грн
12+93.83 грн
33+89.09 грн
1000+86.25 грн
1250+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.86 грн
5+221.45 грн
10+111.84 грн
28+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39
IRF40B207
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.21 грн
10+44.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDD1A753CD6143&compId=IRF40R207.pdf?ci_sign=4cd6fca78f66572d898b62deac93256e3bb94244
IRF40R207
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.24 грн
10+46.95 грн
42+26.82 грн
115+25.40 грн
2000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4
IRF4104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.17 грн
10+105.31 грн
15+75.82 грн
41+71.08 грн
500+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.04 грн
5+124.01 грн
10+112.79 грн
11+110.89 грн
25+103.31 грн
50+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.23 грн
10+126.97 грн
17+67.29 грн
46+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.51 грн
10+173.23 грн
12+95.73 грн
32+90.99 грн
1600+87.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.97 грн
10+34.55 грн
25+30.04 грн
42+27.20 грн
100+26.63 грн
113+25.78 грн
500+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.70 грн
10+140.75 грн
17+68.24 грн
46+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.82 грн
5+206.69 грн
9+130.80 грн
24+123.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.15 грн
10+84.05 грн
25+69.47 грн
30+37.25 грн
83+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.49 грн
10+54.33 грн
25+47.86 грн
46+24.26 грн
127+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.92 грн
10+71.16 грн
30+38.39 грн
80+36.30 грн
1600+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.47 грн
10+53.44 грн
25+47.20 грн
36+31.56 грн
98+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B74F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540z.pdf?ci_sign=dc37eeef6533ef9813e70c1f6eb24e960c6946c6
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 26.5mΩ
Power dissipation: 92W
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.39 грн
10+54.33 грн
20+49.95 грн
25+45.78 грн
68+43.31 грн
200+42.65 грн
500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.79 грн
9+32.87 грн
11+28.24 грн
50+19.62 грн
74+15.07 грн
203+14.31 грн
250+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.70 грн
12+25.20 грн
14+20.57 грн
75+14.98 грн
100+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.81 грн
12+26.48 грн
50+19.33 грн
98+11.47 грн
268+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.72 грн
5+59.25 грн
25+50.33 грн
26+43.88 грн
70+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.97 грн
10+70.77 грн
25+54.31 грн
38+29.48 грн
105+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.57 грн
10+82.68 грн
27+41.70 грн
74+39.43 грн
2400+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.10 грн
10+37.50 грн
25+30.14 грн
50+26.35 грн
82+13.65 грн
225+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780
IRF7205TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.97 грн
49+23.72 грн
135+21.51 грн
4000+20.85 грн
8000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F7487F4D128F1A303005056AB0C4F&compId=irf7241pbf.pdf?ci_sign=3e6eac7109da8f3470ac2e7a87b7804a4856b55f
IRF7241TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.37 грн
6+56.89 грн
10+49.57 грн
26+43.69 грн
71+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F751DDD019EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7306pbf.pdf?ci_sign=244ded6274750851bd5e8e76cc1513b6407fc75b
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.28 грн
10+75.00 грн
40+28.43 грн
108+26.82 грн
8000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 4/-3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.80 грн
10+58.17 грн
35+32.60 грн
95+30.80 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D76070127F1A303005056AB0C4F&compId=irf7313pbf.pdf?ci_sign=e7bd49b91212a50639a11cd438aa89f6c9fcf565
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.72 грн
10+57.68 грн
48+23.32 грн
132+22.08 грн
4000+21.99 грн
8000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E0768620AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7316pbf.pdf?ci_sign=f3ac06c6dfbd1b2e65f97e10a01cbbc54ab17c25
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.38 грн
10+81.40 грн
36+31.28 грн
98+29.57 грн
4000+29.29 грн
8000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.58 грн
10+120.08 грн
17+69.19 грн
45+65.40 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.26 грн
10+68.90 грн
49+23.13 грн
133+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9
IRF7342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.42 грн
10+78.25 грн
25+64.54 грн
38+29.86 грн
103+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4
IRF7343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.17 грн
10+75.69 грн
25+61.32 грн
42+27.11 грн
114+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A0DE506CD3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7351pbf.pdf?ci_sign=4edfec3e68a3b8645ed0cd18f9eb510a94e2a897
IRF7351TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.34 грн
5+87.99 грн
10+78.10 грн
21+55.07 грн
56+52.03 грн
1000+50.33 грн
2000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.24 грн
10+44.09 грн
50+32.04 грн
52+21.80 грн
142+20.57 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.01 грн
10+59.25 грн
25+50.33 грн
47+23.88 грн
129+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A30B2ACF36F1A303005056AB0C4F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=8154e3d2bf5a42d04cc55b32e63b7ef1350777ab
IRF7425TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.03 грн
10+74.80 грн
18+62.55 грн
25+61.61 грн
50+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.76 грн
10+71.26 грн
21+54.97 грн
56+52.03 грн
100+51.75 грн
250+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7842TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.71 грн
20+58.76 грн
53+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.64 грн
27+42.93 грн
72+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D852BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf8010.pdf?ci_sign=d280f417751b4795fda78b32f97b3dbddff52aba
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.42 грн
5+103.35 грн
10+92.88 грн
17+66.35 грн
47+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1
IRF8714TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.41 грн
10+41.44 грн
62+18.01 грн
171+16.97 грн
2000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c
IRF8734TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.43 грн
10+51.57 грн
25+44.07 грн
35+31.75 грн
97+30.04 грн
1000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.88 грн
10+101.77 грн
29+39.62 грн
50+39.52 грн
78+37.44 грн
4000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.97 грн
10+34.84 грн
49+22.94 грн
134+21.61 грн
250+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3
IRF9393TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Drain current: -7.3A
Drain-source voltage: -30V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 19.4mΩ
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.22 грн
10+42.62 грн
50+29.19 грн
54+20.85 грн
147+19.71 грн
500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D85A9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9530n.pdf?ci_sign=2c38ddd36f45d6a026a2c2caf41a7917df1e373c
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
10+54.72 грн
25+48.43 грн
30+37.53 грн
82+35.45 грн
1000+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1488 1736 1984 2232 2480 2488  [ Наступна Сторінка >> ]