Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126648) > Сторінка 2051 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2053 2054 2055 2056 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx21N50C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 13.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.31 грн
3+192.89 грн
10+169.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+346.81 грн
10+215.53 грн
100+174.44 грн
250+158.50 грн
500+146.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441TG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+336.88 грн
10+237.34 грн
100+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3207zgpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.70 грн
10+169.41 грн
20+152.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 100W
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.73 грн
5+90.57 грн
10+79.67 грн
50+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF IRS2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Power: 1W
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 290ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
Output current: -2.3...1.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM31256-GTR FM31256-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM3164_31256-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 1MHz; SO14
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Clock frequency: 1MHz
Memory: 256kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 32kx8bit
Case: SO14
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+989.86 грн
3+852.07 грн
10+822.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
88+5.17 грн
100+4.33 грн
250+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+316.11 грн
3+259.98 грн
10+233.14 грн
50+217.21 грн
250+216.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKB20N60CT.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60TA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 70...140
Case: SOT343
Frequency: 8GHz
Collector current: 65mA
Mounting: SMD
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.06 грн
30+14.09 грн
35+11.99 грн
45+9.48 грн
53+7.97 грн
100+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP196WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
19+22.31 грн
100+13.84 грн
250+11.15 грн
500+9.73 грн
1000+8.39 грн
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
33+12.83 грн
50+8.92 грн
100+7.60 грн
500+5.44 грн
1000+4.70 грн
3000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
на замовлення 665 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
10+46.38 грн
100+30.69 грн
200+27.42 грн
250+26.42 грн
500+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT323
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.68 грн
30+14.17 грн
50+9.76 грн
100+8.24 грн
500+5.69 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
17+25.66 грн
20+21.72 грн
50+12.75 грн
100+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
39+10.82 грн
57+7.48 грн
100+6.37 грн
250+5.20 грн
500+4.49 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 99W
Gate charge: 62nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.28 грн
10+60.30 грн
50+48.05 грн
100+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.77 грн
10+66.34 грн
100+45.20 грн
250+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
Number of channels: 2
Part status: Not recommended for new designs
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -600...290mA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.25 грн
8+59.54 грн
10+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.42 грн
91+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
47+9.06 грн
52+8.22 грн
100+5.95 грн
500+5.03 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D BTS6143D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6143D.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 33A
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Case: DPAK5
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.47 грн
10+150.96 грн
25+142.57 грн
50+135.86 грн
100+129.15 грн
250+120.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF45MR12W1M1B11.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Electrical mounting: Press-Fit
Pulsed drain current: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: -10...20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-EASY1BM-2
On-state resistance: 45mΩ
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4725.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF IRS2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2104.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.61 грн
25+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.06 грн
36+11.82 грн
53+7.97 грн
100+6.73 грн
500+4.72 грн
1000+4.09 грн
3000+3.40 грн
6000+3.04 грн
9000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
33+12.92 грн
50+9.24 грн
100+8.06 грн
500+6.05 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
41+10.23 грн
57+7.46 грн
100+6.54 грн
500+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 11.4...18V DC
Voltage class: 200V
Power: 625mW
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.47 грн
5+106.51 грн
10+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
32+13.25 грн
100+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT210N12KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Max. forward voltage: 1.65V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 210A
Semiconductor structure: double series
Case: BG-PB50-1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4407.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRS21531DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Output current: -260...180mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Turn-off time: 50ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.99 грн
10+57.03 грн
25+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR400W.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Output current: 10mA
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: active bias controller
Power: 0.33W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.6...18V DC
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.45 грн
50+9.39 грн
100+8.55 грн
250+8.22 грн
500+7.80 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF IRS21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2186-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Power: 1W
Turn-off time: 290ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -2.3...1.9A
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.70 грн
5+112.38 грн
10+102.32 грн
25+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1120ELXUMA1 TLD1120ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD1120EL.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.61 грн
10+46.13 грн
11+41.43 грн
25+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G INFINEON TECHNOLOGIES BTS724G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 3.3...7.3A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO20
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 4
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+457.00 грн
5+340.49 грн
10+293.53 грн
25+242.37 грн
50+218.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141NHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4141N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -30...85°C
Power dissipation: 1.4W
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.44 грн
10+86.38 грн
25+78.83 грн
50+76.32 грн
100+72.96 грн
250+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4007WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
Max. forward impulse current: 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7005WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L INFINEON TECHNOLOGIES ITS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.70 грн
10+140.05 грн
25+124.96 грн
50+120.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+391.97 грн
10+240.69 грн
25+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+329.65 грн
3+279.27 грн
10+238.18 грн
25+208.82 грн
50+187.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.61 грн
10+50.82 грн
100+33.46 грн
500+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.69 грн
10+172.76 грн
25+150.12 грн
100+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.28 грн
10+155.15 грн
25+144.25 грн
100+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPx21N50C3.pdf
SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 13.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.31 грн
3+192.89 грн
10+169.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2.pdf
BTS428L2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+346.81 грн
10+215.53 грн
100+174.44 грн
250+158.50 грн
500+146.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG.pdf
BTS441TG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+336.88 грн
10+237.34 грн
100+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF irfb3207zgpbf.pdf
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+198.70 грн
10+169.41 грн
20+152.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 100W
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.73 грн
5+90.57 грн
10+79.67 грн
50+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF irs2184.pdf
IRS2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Power: 1W
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 290ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
Output current: -2.3...1.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM31256-GTR FM3164_31256-DTE.pdf
FM31256-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 1MHz; SO14
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Clock frequency: 1MHz
Memory: 256kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 32kx8bit
Case: SO14
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+989.86 грн
3+852.07 грн
10+822.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CT.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185.pdf
BCR185WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+5.17 грн
100+4.33 грн
250+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+316.11 грн
3+259.98 грн
10+233.14 грн
50+217.21 грн
250+216.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CT.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TA.pdf
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 70...140
Case: SOT343
Frequency: 8GHz
Collector current: 65mA
Mounting: SMD
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.06 грн
30+14.09 грн
35+11.99 грн
45+9.48 грн
53+7.97 грн
100+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327-dte.pdf
BFP196WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.61 грн
19+22.31 грн
100+13.84 грн
250+11.15 грн
500+9.73 грн
1000+8.39 грн
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
33+12.83 грн
50+8.92 грн
100+7.60 грн
500+5.44 грн
1000+4.70 грн
3000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
на замовлення 665 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.77 грн
10+46.38 грн
100+30.69 грн
200+27.42 грн
250+26.42 грн
500+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT323
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.68 грн
30+14.17 грн
50+9.76 грн
100+8.24 грн
500+5.69 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.42 грн
17+25.66 грн
20+21.72 грн
50+12.75 грн
100+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.16 грн
39+10.82 грн
57+7.48 грн
100+6.37 грн
250+5.20 грн
500+4.49 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF.pdf
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 99W
Gate charge: 62nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.28 грн
10+60.30 грн
50+48.05 грн
100+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.77 грн
10+66.34 грн
100+45.20 грн
250+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description irs2101pbf.pdf
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
Number of channels: 2
Part status: Not recommended for new designs
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -600...290mA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.25 грн
8+59.54 грн
10+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+5.42 грн
91+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.64 грн
47+9.06 грн
52+8.22 грн
100+5.95 грн
500+5.03 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D description BTS6143D.pdf
BTS6143D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 33A
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Case: DPAK5
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.47 грн
10+150.96 грн
25+142.57 грн
50+135.86 грн
100+129.15 грн
250+120.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11.pdf
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Electrical mounting: Press-Fit
Pulsed drain current: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: -10...20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-EASY1BM-2
On-state resistance: 45mΩ
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4725.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF irs2104.pdf
IRS2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.61 грн
25+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.06 грн
36+11.82 грн
53+7.97 грн
100+6.73 грн
500+4.72 грн
1000+4.09 грн
3000+3.40 грн
6000+3.04 грн
9000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
33+12.92 грн
50+9.24 грн
100+8.06 грн
500+6.05 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.16 грн
41+10.23 грн
57+7.46 грн
100+6.54 грн
500+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
IR11672ASTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 11.4...18V DC
Voltage class: 200V
Power: 625mW
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.47 грн
5+106.51 грн
10+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
32+13.25 грн
100+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF irs2184.pdf
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF.pdf
TT210N12KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Max. forward voltage: 1.65V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 210A
Semiconductor structure: double series
Case: BG-PB50-1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4407.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21531DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Output current: -260...180mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Turn-off time: 50ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.99 грн
10+57.03 грн
25+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400W.pdf
BCR400WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Output current: 10mA
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: active bias controller
Power: 0.33W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.6...18V DC
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.45 грн
50+9.39 грн
100+8.55 грн
250+8.22 грн
500+7.80 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF infineon-irs2186-datasheet-en.pdf
IRS21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Power: 1W
Turn-off time: 290ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -2.3...1.9A
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+142.70 грн
5+112.38 грн
10+102.32 грн
25+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1120ELXUMA1 TLD1120EL.pdf
TLD1120ELXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.61 грн
10+46.13 грн
11+41.43 грн
25+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G.pdf
BTS724G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 3.3...7.3A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO20
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 4
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+457.00 грн
5+340.49 грн
10+293.53 грн
25+242.37 грн
50+218.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141N.pdf
ITS4141NHUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -30...85°C
Power dissipation: 1.4W
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.44 грн
10+86.38 грн
25+78.83 грн
50+76.32 грн
100+72.96 грн
250+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4007WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
Max. forward impulse current: 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7005WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L.pdf
ITS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.70 грн
10+140.05 грн
25+124.96 грн
50+120.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RF.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+391.97 грн
10+240.69 грн
25+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+329.65 грн
3+279.27 грн
10+238.18 грн
25+208.82 грн
50+187.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.61 грн
10+50.82 грн
100+33.46 грн
500+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.69 грн
10+172.76 грн
25+150.12 грн
100+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.28 грн
10+155.15 грн
25+144.25 грн
100+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2053 2054 2055 2056 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]