Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128813) > Сторінка 2147 з 2147

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY8C624ALQI-S2D02 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSOC_6_MCU_CY8C62X8_CY8C62XA-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7d03a70b1 Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9201SGAUMA1 TLE9201SGAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE9201SG.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; IMC,motor controller; SPI; PG-DSO-12-17; 6A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Interface: SPI
Case: PG-DSO-12-17
Output current: 6A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: current monitoring; fault detection; internal temperature sensor
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Operating voltage: 5...28V DC
Frequency: 0...20kHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.20 грн
5+209.40 грн
10+190.29 грн
25+174.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7842pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.23 грн
10+91.66 грн
50+66.14 грн
100+57.84 грн
250+49.11 грн
500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 BSS169H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169 H6327 BSS169 H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Application: automotive industry
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
219+23.36 грн
300+18.20 грн
500+17.45 грн
1000+16.95 грн
4000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF12501AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLF12501-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810184118dac153d8b Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R150G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP100R12KT4-DS-v02_00-en_jp.pdf?fileId=db3a30433dcf2fc4013dd015eb0a0208 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 100A; 515W; EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 515W
Technology: EconoPIM™ 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N04LST-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201698038e9d0330c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 161A; 94W; SuperSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 161A
Power dissipation: 94W
Case: SuperSO8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06LS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62162G18-55BGXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 55ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.65...2.2V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3160DAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3160D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa322d2390fa5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD261N22K DD261N22K INFINEON TECHNOLOGIES DD261N22K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 261A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 261A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.42V
Max. forward impulse current: 9.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD261N22KHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DD261N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fa08c4ca0 Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T4771N22TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T4771N-DS-v09_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ffe5c4e94 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 6.82kA; Igt: 350mA; in-tray
Max. off-state voltage: 2.2kV
Gate current: 350mA
Body dimensions: Ø151.5/Ø100mm
Max. load current: 6.82kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12KE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS300R12KE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c9e7133c09ce Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.6kW
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17OE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS300R17OE4-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304336797ff901369d007309733f Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 1.85kW; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.85kW
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS300R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311ff85394 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12N3E7BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS300R12N3E7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb57018901d6e6f6124b Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3B; Inverter; screw
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO3B
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12OE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS300R12OE4-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304335f1f4b601363fdf1629503d Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.65kW
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.65kW
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12OE4PNOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS300R12OE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d5ff1ab4a53be Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; screw; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS300R17KE3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42feb734e50 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; 1.65kW; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.65kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17KE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS300R17KE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb311a8c95003 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17OE4PBOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L225R07W2H3PB63BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F3L225R07W2H3P_B63-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f3405c1db5680 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; EasyPACK™
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EasyPACK™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Gate charge: 230nC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.95 грн
10+245.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGZ50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
Gate charge: 109nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65NH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65H5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Gate charge: 0.12µC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Gate charge: 116nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754b1a2aa576ae Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW50N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972bb321efa Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 621W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 621W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD08P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3 G IPD048N06L3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; DPAK,TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 37nC
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252AA
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+80.54 грн
100+68.97 грн
300+64.82 грн
500+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4227pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1400R17IP4PBOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1400R17IP4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153e60bd6d7773c Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; screw; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1400R12IP4PBOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1400R12IP4P-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46253e9fadc0153f02ac7813d20 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.4kA; 7.65kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 7.65kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK240N16PBOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK240N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee1179a75223 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO4-1
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO4-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR7546TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUTN12S5N018G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c86919021018712f65ab14212 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGA616_Rev2011.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD214SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT363
On-state resistance: 0.25Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD218B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD218_B1series-DS-v01_00-EN.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=5546d4624933b875014961528fb74523 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7380pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
On-state resistance: 0.7mΩ
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+234.46 грн
30+186.14 грн
50+179.49 грн
100+175.33 грн
200+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Category: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 8A; 36.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 36.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Pulsed collector current: 12A
Turn-off time: 90ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C624ALQI-S2D02 Infineon-PSOC_6_MCU_CY8C62X8_CY8C62XA-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7d03a70b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9201SGAUMA1 TLE9201SG.pdf
TLE9201SGAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; IMC,motor controller; SPI; PG-DSO-12-17; 6A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Interface: SPI
Case: PG-DSO-12-17
Output current: 6A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: current monitoring; fault detection; internal temperature sensor
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Operating voltage: 5...28V DC
Frequency: 0...20kHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.20 грн
5+209.40 грн
10+190.29 грн
25+174.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf
IRF7842TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.23 грн
10+91.66 грн
50+66.14 грн
100+57.84 грн
250+49.11 грн
500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS169H6906XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169 H6327
BSS169 H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Application: automotive industry
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+23.36 грн
300+18.20 грн
500+17.45 грн
1000+16.95 грн
4000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF12501AUMA1 Infineon-TLF12501-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810184118dac153d8b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1 IPDD60R150G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PB11BPSA1 Infineon-FP100R12KT4-DS-v02_00-en_jp.pdf?fileId=db3a30433dcf2fc4013dd015eb0a0208
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PBPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 100A; 515W; EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 515W
Technology: EconoPIM™ 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1 Infineon-BSC019N04LST-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201698038e9d0330c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 161A; 94W; SuperSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 161A
Power dissipation: 94W
Case: SuperSO8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3G-DTE.pdf
BSC028N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62162G18-55BGXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 55ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.65...2.2V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3160DAUMA1 Infineon-BTS3160D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa322d2390fa5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD261N22K DD261N22K.pdf
DD261N22K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 261A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 261A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.42V
Max. forward impulse current: 9.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD261N22KHPSA1 Infineon-DD261N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fa08c4ca0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T4771N22TOFXPSA1 Infineon-T4771N-DS-v09_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ffe5c4e94
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 6.82kA; Igt: 350mA; in-tray
Max. off-state voltage: 2.2kV
Gate current: 350mA
Body dimensions: Ø151.5/Ø100mm
Max. load current: 6.82kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12KE4BOSA1 Infineon-FS300R12KE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c9e7133c09ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.6kW
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17OE4BOSA1 Infineon-FS300R17OE4-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304336797ff901369d007309733f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 1.85kW; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.85kW
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12KE3BOSA1 Infineon-FS300R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311ff85394
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12N3E7BPSA1 Infineon-FS300R12N3E7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb57018901d6e6f6124b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3B; Inverter; screw
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO3B
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12OE4BOSA1 Infineon-FS300R12OE4-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304335f1f4b601363fdf1629503d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter; 1.65kW
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.65kW
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12OE4PNOSA1 Infineon-FS300R12OE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d5ff1ab4a53be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; screw; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17KE3BOSA1 Infineon-FS300R17KE3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42feb734e50
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; 1.65kW; Field Stop,Trench
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 1.65kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17KE4BOSA1 Infineon-FS300R17KE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb311a8c95003
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 300A; Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17OE4PBOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 300A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L225R07W2H3PB63BPSA1 Infineon-F3L225R07W2H3P_B63-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f3405c1db5680
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; EasyPACK™
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EasyPACK™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Gate charge: 230nC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.95 грн
10+245.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5.pdf
IGZ50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
Gate charge: 109nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5.pdf
IKZ50N65NH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Gate charge: 0.12µC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5.pdf
IKZ50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Gate charge: 116nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754b1a2aa576ae
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65ES5XKSA1 Infineon-IKFW50N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972bb321efa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 621W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 621W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1-DTE.pdf
SPD08P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD048N06L3 G
IPD048N06L3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; Idm: 360A; DPAK,TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 37nC
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252AA
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+80.54 грн
100+68.97 грн
300+64.82 грн
500+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF irfs4227pbf.pdf
IRFS4227TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1400R17IP4PBOSA1 Infineon-FF1400R17IP4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153e60bd6d7773c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; screw; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1400R12IP4PBOSA1 Infineon-FF1400R12IP4P-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46253e9fadc0153f02ac7813d20
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.4kA; 7.65kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 7.65kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK240N16PBOSA1 Infineon-TDB6HK240N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee1179a75223
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO4-1
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO4-1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR183E6327HTSA1 bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656
BFR183E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF.pdf
IRFR7546TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018GATMA1 Infineon-IAUTN12S5N018G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c86919021018712f65ab14212
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA616H6327XTSA1 BGA616_Rev2011.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1.pdf
BSD214SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT363
On-state resistance: 0.25Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD218B102ELSE6327XTSA1 Infineon-ESD218_B1series-DS-v01_00-EN.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=5546d4624933b875014961528fb74523
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf
IRF7380TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
On-state resistance: 0.7mΩ
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+234.46 грн
30+186.14 грн
50+179.49 грн
100+175.33 грн
200+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 8A; 36.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 36.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Pulsed collector current: 12A
Turn-off time: 90ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.