Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126649) > Сторінка 2050 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2053 2054 2055 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BAV70UE6327HTSA1 BAV70UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
305+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
49+9.39 грн
100+7.04 грн
500+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA42.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 6128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
19+23.15 грн
22+19.96 грн
50+13.84 грн
100+11.91 грн
500+8.39 грн
1000+7.46 грн
3000+6.37 грн
6000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+11.02 грн
53+8.05 грн
250+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.00 грн
24+17.61 грн
100+12.16 грн
500+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9303pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5616H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+19.15 грн
30+16.02 грн
100+14.26 грн
250+12.24 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
Turn-off time: 475ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+350.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G FM24C04B-G INFINEON TECHNOLOGIES FM24C04B-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-GTR FM24C04B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec967c841cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.21 грн
5+155.99 грн
25+155.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+342.30 грн
5+285.98 грн
30+252.43 грн
120+227.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.64 грн
10+48.31 грн
50+40.34 грн
100+37.15 грн
250+33.55 грн
500+31.20 грн
1000+29.18 грн
2000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.12 грн
6+77.99 грн
10+64.58 грн
50+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.15 грн
10+62.06 грн
25+53.34 грн
50+47.64 грн
100+42.69 грн
250+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-G FM24C64B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+334.17 грн
3+309.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4140N BTS4140N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.9...60V DC
Output current: 0.2A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
6+79.67 грн
25+70.45 грн
100+63.74 грн
500+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 270A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.31 грн
10+163.54 грн
20+162.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D120V01XTSA1 IM69D120V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D120.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Interface: PDM
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D130V01XTSA1 IM69D130V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D130.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Interface: PDM
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.43 грн
10+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4142N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 12...45V DC
Output current: 1.4A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.21 грн
10+152.63 грн
40+129.15 грн
80+119.09 грн
100+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 680ns
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.14 грн
5+161.86 грн
10+154.31 грн
30+143.41 грн
60+140.05 грн
120+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.05 грн
5+122.78 грн
10+107.77 грн
25+88.06 грн
50+75.39 грн
100+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6163D-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+393.78 грн
10+259.14 грн
100+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 2.6...5.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.6W
Technology: Classic PROFET
Turn-on time: 270µs
Case: SO20
Turn-off time: 0.25ms
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 4
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+323.33 грн
10+228.95 грн
25+210.50 грн
50+202.95 грн
100+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+479.58 грн
5+387.46 грн
10+361.46 грн
15+351.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.41 грн
7+68.94 грн
10+60.05 грн
50+42.52 грн
100+37.57 грн
250+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.45 грн
42+10.15 грн
60+7.09 грн
100+6.01 грн
250+4.88 грн
500+4.28 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-G FM24CL04B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4b FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+299.85 грн
5+249.92 грн
25+238.18 грн
97+209.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-GTR FM24CL16B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM24CL16B-GTR.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T INFINEON TECHNOLOGIES BTS462T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.73 грн
10+123.28 грн
25+117.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.51 грн
17+24.99 грн
19+22.14 грн
25+18.95 грн
100+15.68 грн
200+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 BTS711L1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS711L1.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+391.07 грн
10+277.59 грн
25+256.63 грн
50+250.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
57+7.38 грн
78+5.38 грн
100+4.76 грн
500+3.70 грн
1000+3.31 грн
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
45+9.39 грн
50+8.47 грн
100+5.75 грн
500+4.58 грн
1000+4.24 грн
3000+3.70 грн
6000+3.42 грн
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RFATMA1 AIHD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21094PBF IRS21094PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2109.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 235ns
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.90 грн
10+88.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108SPBF IRS2108SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2108.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Turn-off time: 235ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.64 грн
10+57.20 грн
100+37.91 грн
250+33.21 грн
500+30.28 грн
1000+27.68 грн
2000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.67 грн
10+90.49 грн
25+74.22 грн
50+63.74 грн
100+55.27 грн
250+46.71 грн
500+42.02 грн
1000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856SH6327 BC856SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
37+11.49 грн
100+7.53 грн
500+5.63 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.67 грн
10+45.45 грн
50+34.05 грн
100+30.19 грн
200+26.92 грн
500+23.40 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S405.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD068P03L3GATMA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.67 грн
11+38.41 грн
50+36.15 грн
100+34.89 грн
500+32.96 грн
1000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 SPA07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA07N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.80 грн
10+83.03 грн
25+63.74 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx07N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
8+55.35 грн
10+50.32 грн
50+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+328.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+483.19 грн
2+413.45 грн
10+338.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5010pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5015pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DH5XKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+9.39 грн
100+7.04 грн
500+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42.pdf
SMBTA42E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 6128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.61 грн
19+23.15 грн
22+19.96 грн
50+13.84 грн
100+11.91 грн
500+8.39 грн
1000+7.46 грн
3000+6.37 грн
6000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327.pdf
BC856UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+11.02 грн
53+8.05 грн
250+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327.pdf
BC817UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.00 грн
24+17.61 грн
100+12.16 грн
500+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF irlml9303pbf.pdf
IRLML9303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1.pdf
BCP5616H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+19.15 грн
30+16.02 грн
100+14.26 грн
250+12.24 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX5610H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX56H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
Turn-off time: 475ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+350.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G FM24C04B-G.pdf
FM24C04B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-GTR Infineon-FM24C04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec967c841cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24C04B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.21 грн
5+155.99 грн
25+155.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 description SPW20N60S5.pdf
SPW20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+342.30 грн
5+285.98 грн
30+252.43 грн
120+227.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description irlz34n.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.64 грн
10+48.31 грн
50+40.34 грн
100+37.15 грн
250+33.55 грн
500+31.20 грн
1000+29.18 грн
2000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.12 грн
6+77.99 грн
10+64.58 грн
50+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
IRFZ46NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.15 грн
10+62.06 грн
25+53.34 грн
50+47.64 грн
100+42.69 грн
250+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-G Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
FM24C64B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+334.17 грн
3+309.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4140N BTS4140N.pdf
BTS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.9...60V DC
Output current: 0.2A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.74 грн
6+79.67 грн
25+70.45 грн
100+63.74 грн
500+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 270A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.31 грн
10+163.54 грн
20+162.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D120V01XTSA1 IM69D120.pdf
IM69D120V01XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Interface: PDM
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D130V01XTSA1 IM69D130.pdf
IM69D130V01XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Interface: PDM
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.43 грн
10+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60R.pdf
AIHD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N.pdf
BTS4142N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 12...45V DC
Output current: 1.4A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.21 грн
10+152.63 грн
40+129.15 грн
80+119.09 грн
100+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5.pdf
IHW30N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 680ns
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+325.14 грн
5+161.86 грн
10+154.31 грн
30+143.41 грн
60+140.05 грн
120+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3G-DTE.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5-dte.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.05 грн
5+122.78 грн
10+107.77 грн
25+88.06 грн
50+75.39 грн
100+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D-DTE.pdf
BTS6163D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+393.78 грн
10+259.14 грн
100+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716G.pdf
BTS716GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 2.6...5.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.6W
Technology: Classic PROFET
Turn-on time: 270µs
Case: SO20
Turn-off time: 0.25ms
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 4
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+323.33 грн
10+228.95 грн
25+210.50 грн
50+202.95 грн
100+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+479.58 грн
5+387.46 грн
10+361.46 грн
15+351.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF irfr3910pbf.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.41 грн
7+68.94 грн
10+60.05 грн
50+42.52 грн
100+37.57 грн
250+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.45 грн
42+10.15 грн
60+7.09 грн
100+6.01 грн
250+4.88 грн
500+4.28 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-G Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24CL04B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4b FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.85 грн
5+249.92 грн
25+238.18 грн
97+209.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-GTR FM24CL16B-GTR.pdf
FM24CL16B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T.pdf
BTS462T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+179.73 грн
10+123.28 грн
25+117.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.51 грн
17+24.99 грн
19+22.14 грн
25+18.95 грн
100+15.68 грн
200+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 description BTS711L1.pdf
BTS711L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+391.07 грн
10+277.59 грн
25+256.63 грн
50+250.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
57+7.38 грн
78+5.38 грн
100+4.76 грн
500+3.70 грн
1000+3.31 грн
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
45+9.39 грн
50+8.47 грн
100+5.75 грн
500+4.58 грн
1000+4.24 грн
3000+3.70 грн
6000+3.42 грн
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RFATMA1 AIHD10N60RF.pdf
AIHD10N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21094PBF description irs2109.pdf
IRS21094PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 235ns
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+88.90 грн
10+88.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108SPBF irs2108.pdf
IRS2108SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Turn-off time: 235ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description irfr120npbf.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.64 грн
10+57.20 грн
100+37.91 грн
250+33.21 грн
500+30.28 грн
1000+27.68 грн
2000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF irfr6215pbf.pdf
IRFR6215TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.67 грн
10+90.49 грн
25+74.22 грн
50+63.74 грн
100+55.27 грн
250+46.71 грн
500+42.02 грн
1000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856SH6327 BC856UE6327.pdf
BC856SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.26 грн
37+11.49 грн
100+7.53 грн
500+5.63 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF
BSP170PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+77.67 грн
10+45.45 грн
50+34.05 грн
100+30.19 грн
200+26.92 грн
500+23.40 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF irl7833pbf.pdf
IRL7833STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405.pdf
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.67 грн
11+38.41 грн
50+36.15 грн
100+34.89 грн
500+32.96 грн
1000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 description SPA07N60C3.pdf
SPA07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.80 грн
10+83.03 грн
25+63.74 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPx07N60C3.pdf
SPP07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.74 грн
8+55.35 грн
10+50.32 грн
50+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5.pdf
AIGW40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+328.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5.pdf
AIGW40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+483.19 грн
2+413.45 грн
10+338.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5.pdf
AIKW40N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5.pdf
AIKW40N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF irfh5010pbf.pdf
IRFH5010TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF irfh5015pbf.pdf
IRFH5015TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2053 2054 2055 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]