Сторінка 2158 з 2158

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
2ED21084S06JXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2 Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V Output current: -0.7...0.29A Type of integrated circuit: driver Protection: undervoltage UVP Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Voltage class: 650V Kind of package: reel; tape Case: PG-DSO-14 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн.
FP150R12N3T7B16BPS	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн.
IPA60R120P7	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IPA60R120C7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 66A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 66A Gate charge: 34nC	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IPA60R120P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн.
FS100R12KT3BOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 140A; AG-ECONO3-4; Inverter; 480W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 140A Case: AG-ECONO3-4 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 480W Technology: Field Stop; Trench	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн.
CYT4BF8CEDQ0AEEGS	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн.
CYT4BF8CEDQ0AEEGST	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн.
IPB017N10N5	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; Idm: 720A; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 720A Gate charge: 168nC Application: automotive industry	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн.
BTS3160D	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-5-13 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TO252-5-13 On-state resistance: 35mΩ Technology: HITFET® Output voltage: 42V	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн.
BSZ018NE2LSIATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IPZA60R080P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IPI90R500C3XKSA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 156W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: I2PAK; TO262 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн.

2ED21084S06JXUMA1

Infineon-2ED2108-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d752c029ef

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Output current: -0.7...0.29A
Type of integrated circuit: driver
Protection: undervoltage UVP
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Voltage class: 650V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-14
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

FP150R12N3T7B16BPS

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA60R120P7

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA60R120C7XKSA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 66A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 34nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA60R120P7XKSA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

FS100R12KT3BOSA1

Infineon-FS100R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431b56f553f

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 140A; AG-ECONO3-4; Inverter; 480W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 140A
Case: AG-ECONO3-4
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 480W
Technology: Field Stop; Trench

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

CYT4BF8CEDQ0AEEGS

infineon-traveo-t2g-automotive-microcontroller-cyt4bf-32-bit-arm-cortex-m7-datasheet-en.pdf

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 400 шт

В кошику од. на суму грн.

CYT4BF8CEDQ0AEEGST

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 300 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; Idm: 720A; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 720A
Gate charge: 168nC
Application: automotive industry

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

BTS3160D

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-5-13
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-13
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPZA60R080P7XKSA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R500C3XKSA2

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 156W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: I2PAK; TO262
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.