Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (129299) > Сторінка 2155 з 2155
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S27KL0643DPBHI023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 64Mb DRAM Clock frequency: 166MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| S27KS0642GABHI020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 64Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| S27KL0642DPBHI020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 64Mb DRAM Clock frequency: 166MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BC846PNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP Type of transistor: NPN / PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPN50R950CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 5W Gate charge: 10.5nC Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Drain current: 4.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 On-state resistance: 0.95Ω |
на замовлення 944 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 5W Gate charge: 6nC Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Drain current: 2.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 On-state resistance: 2Ω |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSO613SPVGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.44A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -13.8A |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSO303SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.2A Power dissipation: 1.56W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 1EDF5673K | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; H-bridge; MOSFET; 4A Type of integrated circuit: driver Topology: H-bridge Integrated circuit features: MOSFET Maximum output current: 4A Application: automotive industry Impulse rise time: 12ns |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
AUIR3240STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: 0.3A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Voltage class: 40V Number of channels: 1 Supply voltage: 4...36V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CY8C21234-24SXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO16; 512BSRAM,8kBFLASH,2MBSRAM Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Clock frequency: 24MHz Case: SO16 Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH; 2MB SRAM Number of inputs/outputs: 12 Mounting: SMD Interface: I2C; SPI; UART Kind of core: 8-bit |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1440 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY8C21234-24SXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2EDL05N06PJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-14; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Technology: EiceDRIVER™ Case: PG-DSO-14 Output current: -0.7...0.36A Number of channels: 2 Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 10...20V Voltage class: 600V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKZA40N65EH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 210W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 210W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 81nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CYW88359CUBGT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modulesDescription: IC: WIFi Network Controller Type of integrated circuit: WIFi Network Controller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BAS2103WE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching Type of diode: switching |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPAN70R450P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.5A; 22.7W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 6.5A Power dissipation: 22.7W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 13.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ISSI20R11HXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Integrated circuits - othersDescription: IC: interface Type of integrated circuit: interface |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BCR22PNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BCR22PNH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE83862ELXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - DC/DC circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
ILD8150EXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LED driversDescription: IC: driver; buck; LED driver; PG-DSO-8; 1.5A; Ch: 1; 8÷80VDC Type of integrated circuit: driver Topology: buck Kind of integrated circuit: LED driver Case: PG-DSO-8 Output current: 1.5A Number of channels: 1 Integrated circuit features: linear dimming; PWM Mounting: SMD Operating voltage: 8...80V DC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IDD10SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 10A; 120W Mounting: SMD Max. forward impulse current: 44A Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 120W Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.8µA Case: PG-TO252-3 Type of diode: Schottky rectifying |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying Type of diode: Schottky rectifying |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ISP26DP06NMSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD350N06L G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4650 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IMW120R090M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 58W Case: TO247 Gate-source voltage: -7...23V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRGP4066DEPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 140A; 454W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 140A Power dissipation: 454W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUMN10S5N016GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
BCR402WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LED driversDescription: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver Case: SOT343 Output current: 20...60mA Number of channels: 1 Integrated circuit features: linear dimming Mounting: SMD Operating voltage: 1.2...18V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FS100R12KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; AG-ECONO3-4; 480W; NPT Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 480W Technology: NPT Case: AG-ECONO3-4 Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS100R12KT4PB11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; Inverter; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS100R17N3E4B11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3-4; Inverter; 600W Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 600W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO3-4 Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS100R17N3E4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3-4; Inverter; 600W Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 600W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO3-4 Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS100R06KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO3-4; Inverter; 335W Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 335W Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 200A Application: Inverter Case: AG-ECONO3-4 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS100R07N2E4B11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2B; Inverter; 335W Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 335W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS100R07N2E4BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 335W Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 335W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Collector current: 100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IRFS4615TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 552 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| CY8C5888LTI-LP097 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: ARM microcontroller; 80MHz; QFN68; 64kBSRAM,256kBFLASH Type of integrated circuit: ARM microcontroller Case: QFN68 Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH Mounting: SMD Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB Kind of core: 32-bit Supply voltage: 1.71...5.5V DC Number of inputs/outputs: 48 Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: watchdog Clock frequency: 80MHz |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
CY8C4246LTI-DM405 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Case: QFN68 Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH Mounting: SMD Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART Kind of core: 32-bit Supply voltage: 1.71...5.5V DC Number of inputs/outputs: 55 Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: CapSense; LCD controller Clock frequency: 48MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CY8C4247LTI-M475 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN68; 16kBSRAM,128kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Case: QFN68 Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH Mounting: SMD Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART Kind of core: 32-bit Supply voltage: 1.71...5.5V DC Number of inputs/outputs: 48 Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: CapSense; LCD controller Clock frequency: 48MHz |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CYUSB3304-68LTXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Development kits - othersDescription: IC: interface; SMD; 0÷70°C; QFN68; Kind of ciruit: USB controller Type of integrated circuit: interface Case: QFN68 Mounting: SMD Interface: I2C Kind of integrated circuit: USB controller Operating temperature: 0...70°C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS50R12KT4B15BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 280W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FP25R12KT4B15BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 160W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 160W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2C Gate-emitter voltage: ±20V Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS75R12KT4B15BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 385W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 385W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS100R12N2T7B15BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS150R12N2T7B15BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 150A; AG-ECONO2B; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS50R12N2T7B15BPSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS75R12N2T7B15BPSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
BSZ0902NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| T1590N26TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 2.6kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA Load current: 1.59kA Max. load current: 3.2kA Kind of package: in-tray Case: BG-T10026K-1 Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack Max. forward impulse current: 32kA Gate current: 300mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 2.6kV Body dimensions: Ø100/Ø65mm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| T1590N28TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA Load current: 1.59kA Max. load current: 3.2kA Kind of package: in-tray Case: BG-T10026K-1 Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack Max. forward impulse current: 32kA Gate current: 300mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 2.8kV Body dimensions: Ø100/Ø65mm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TDA21590AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
SPD02N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 2A; DPAK Mounting: SMD Gate charge: 12nC Drain current: 2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK On-state resistance: 2.7Ω |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD50P04P413ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; 58W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Power dissipation: 58W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BTS722204ESEXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY7C1480BV33-167AXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Mounting: SMD Case: TQFP100 Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Memory: 72Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 2Mx36bit Kind of package: in-tray Frequency: 167MHz Kind of memory: SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY7C1480BV33-200AXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C Type of integrated circuit: SRAM memory Mounting: SMD Case: TQFP100 Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: 0...70°C Memory: 72Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 2Mx36bit Kind of package: in-tray Frequency: 200MHz Kind of memory: SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
SPD04P10PLGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.2A Power dissipation: 38W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| S27KL0643DPBHI023 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 64Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 64Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S27KS0642GABHI020 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 64Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...2V DC
Interface: HyperBus
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 64Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...2V DC
Interface: HyperBus
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S27KL0642DPBHI020 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 64Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 64Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC846PNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP
Type of transistor: NPN / PNP
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP
Type of transistor: NPN / PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPN50R950CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 10.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 4.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.95Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 10.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 4.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.95Ω
на замовлення 944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 29.90 грн |
| 25+ | 25.13 грн |
| 49+ | 19.87 грн |
| 134+ | 18.76 грн |
| IPN50R2K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2Ω
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSO613SPVGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.8A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.8A
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 131.66 грн |
| 10+ | 69.79 грн |
| 21+ | 47.88 грн |
| 56+ | 45.25 грн |
| 500+ | 43.55 грн |
| BSO303SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1EDF5673K |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; MOSFET; 4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Integrated circuit features: MOSFET
Maximum output current: 4A
Application: automotive industry
Impulse rise time: 12ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; MOSFET; 4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Integrated circuit features: MOSFET
Maximum output current: 4A
Application: automotive industry
Impulse rise time: 12ns
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 196.58 грн |
| 30+ | 150.28 грн |
| 50+ | 143.48 грн |
| 100+ | 138.39 грн |
| 300+ | 122.26 грн |
| 500+ | 121.41 грн |
| AUIR3240STR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: 0.3A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Number of channels: 1
Supply voltage: 4...36V DC
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: 0.3A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Number of channels: 1
Supply voltage: 4...36V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C21234-24SXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO16; 512BSRAM,8kBFLASH,2MBSRAM
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Case: SO16
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH; 2MB SRAM
Number of inputs/outputs: 12
Mounting: SMD
Interface: I2C; SPI; UART
Kind of core: 8-bit
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO16; 512BSRAM,8kBFLASH,2MBSRAM
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Case: SO16
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH; 2MB SRAM
Number of inputs/outputs: 12
Mounting: SMD
Interface: I2C; SPI; UART
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1440 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C21234-24SXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2EDL05N06PJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-14
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-14
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IKZA40N65EH7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 210W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 210W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYW88359CUBGT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: IC: WIFi Network Controller
Type of integrated circuit: WIFi Network Controller
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: IC: WIFi Network Controller
Type of integrated circuit: WIFi Network Controller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BAS2103WE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPAN70R450P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.5A; 22.7W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.5A; 22.7W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 73.15 грн |
| 8+ | 58.58 грн |
| 10+ | 51.79 грн |
| 50+ | 50.09 грн |
| ISSI20R11HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCR22PNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCR22PNH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE83862ELXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ILD8150EXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; LED driver; PG-DSO-8; 1.5A; Ch: 1; 8÷80VDC
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: PG-DSO-8
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 8...80V DC
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; LED driver; PG-DSO-8; 1.5A; Ch: 1; 8÷80VDC
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: PG-DSO-8
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 8...80V DC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IDD10SG60C |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 10A; 120W
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 44A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 120W
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 10A; 120W
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 44A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 120W
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IDD10SG60CXTMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISP26DP06NMSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD350N06L G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 51.02 грн |
| 300+ | 43.38 грн |
| 500+ | 42.62 грн |
| 1000+ | 37.78 грн |
| 4000+ | 37.19 грн |
| IMW120R090M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 58W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 58W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRGP4066DEPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 140A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 140A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 140A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 140A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IAUMN10S5N016GAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCR402WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT343
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.2...18V DC
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT343
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.2...18V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO3-4; 480W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 480W
Technology: NPT
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO3-4; 480W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 480W
Technology: NPT
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R12KT4PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R17N3E4B11BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3-4; Inverter; 600W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 600W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3-4; Inverter; 600W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 600W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R17N3E4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3-4; Inverter; 600W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 600W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO3-4; Inverter; 600W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 600W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R06KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO3-4; Inverter; 335W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO3-4; Inverter; 335W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R07N2E4B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2B; Inverter; 335W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2B; Inverter; 335W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R07N2E4BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 335W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Collector current: 100A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 335W
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Collector current: 100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFS4615TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 199.32 грн |
| 17+ | 56.88 грн |
| 47+ | 54.34 грн |
| CY8C5888LTI-LP097 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; 80MHz; QFN68; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: QFN68
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 48
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Clock frequency: 80MHz
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; 80MHz; QFN68; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: QFN68
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 48
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Clock frequency: 80MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C4246LTI-DM405 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 48MHz
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 48MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C4247LTI-M475 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN68; 16kBSRAM,128kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 48
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 48MHz
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN68; 16kBSRAM,128kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 48
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 48MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYUSB3304-68LTXC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: IC: interface; SMD; 0÷70°C; QFN68; Kind of ciruit: USB controller
Type of integrated circuit: interface
Case: QFN68
Mounting: SMD
Interface: I2C
Kind of integrated circuit: USB controller
Operating temperature: 0...70°C
Category: Development kits - others
Description: IC: interface; SMD; 0÷70°C; QFN68; Kind of ciruit: USB controller
Type of integrated circuit: interface
Case: QFN68
Mounting: SMD
Interface: I2C
Kind of integrated circuit: USB controller
Operating temperature: 0...70°C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FS50R12KT4B15BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP25R12KT4B15BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 160W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 160W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 160W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 160W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS75R12KT4B15BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 385W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 385W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 385W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 385W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R12N2T7B15BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS150R12N2T7B15BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 150A; AG-ECONO2B; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 150A; AG-ECONO2B; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS50R12N2T7B15BPSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS75R12N2T7B15BPSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ0902NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T1590N26TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.6kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Load current: 1.59kA
Max. load current: 3.2kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T10026K-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 32kA
Gate current: 300mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 2.6kV
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.6kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Load current: 1.59kA
Max. load current: 3.2kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T10026K-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 32kA
Gate current: 300mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 2.6kV
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T1590N28TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Load current: 1.59kA
Max. load current: 3.2kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T10026K-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 32kA
Gate current: 300mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 2.8kV
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Load current: 1.59kA
Max. load current: 3.2kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T10026K-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 32kA
Gate current: 300mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 2.8kV
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TDA21590AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPD02N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 2A; DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
On-state resistance: 2.7Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 2A; DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
On-state resistance: 2.7Ω
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 104.23 грн |
| 50+ | 68.77 грн |
| 100+ | 64.53 грн |
| 300+ | 61.13 грн |
| 500+ | 54.34 грн |
| 1000+ | 53.49 грн |
| IPD50P04P413ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; 58W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Power dissipation: 58W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; 58W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Power dissipation: 58W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS722204ESEXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1480BV33-167AXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 72Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx36bit
Kind of package: in-tray
Frequency: 167MHz
Kind of memory: SRAM
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 72Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx36bit
Kind of package: in-tray
Frequency: 167MHz
Kind of memory: SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1480BV33-200AXC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Memory: 72Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx36bit
Kind of package: in-tray
Frequency: 200MHz
Kind of memory: SRAM
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Memory: 72Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx36bit
Kind of package: in-tray
Frequency: 200MHz
Kind of memory: SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPD04P10PLGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
















