Сторінка 22 з 2147

Name: BAS21E6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 506261-3
Price: 13050.00 UAH
Availability: InStock

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IRDC3048

Infineon Technologies

Description: KIT W/IRU3048 DUAL PWM LDO CTRLR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRPLLNR4

Infineon Technologies

Description: BALLAST UNIV INP FLUOR IR2166
Packaging: Box
Function: Ballast Control
Type: Opto/Lighting
Utilized IC / Part: IR2166
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRDCIP1001-A

Infineon Technologies

Description: CONV SGL PHA SYNC BUCK 3.3-4.5V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRDCIP1001-B

Infineon Technologies

Description: CONV SGL PHA SYNC BUCK 5-12V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB20256E-V21

Infineon Technologies

Description: IC CONTROLLER INTERFACE 388-BGA

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PEB20320H-V34

Infineon Technologies

Description: IC TELECOM INTERFACE 160-MQFP

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

PEB20321H-V22

Infineon Technologies

Description: IC TELECOM INTERFACE 160-MQFP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PEB20534H10-V21

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 208FQFP

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

PEB20534H52-V2.1

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 208FQFP

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

PEB2086H-V14TR

Infineon Technologies

Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: S-Bus
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 22mA
Supplier Device Package: P-MQFP-64

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB22504HT-V11

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3.13V ~ 3.46V
Applications: Wireless
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB2255H-V13

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 80MQFP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB2256H-V12

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 80MQFP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB2447H-V12

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 100MQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Memory Time Switch
Supplier Device Package: PG-MQFP-100-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB3265H-V13

Infineon Technologies

Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-64

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 504 шт

В кошику од. на суму грн.

PEF22810T-V21TR

Infineon Technologies

Description: IC CHIPSET VDSL-L 4BAND 8-PDSO

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

PEF3452H-V13

Infineon Technologies

Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tray
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Line Interface Unit (LIU)
Interface: DS3, E3, STS-1
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.13V ~ 3.46V
Current - Supply: 155mA
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 96 шт

В кошику од. на суму грн.

PSB2163T-V31TR

Infineon Technologies

Description: IC TELECOM INTERFACE 28-PDSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: CODEC Filter
Interface: IOM-2, PCI, Serial
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 900µA
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 1 mW

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

PXB4220E-V32

Infineon Technologies

Description: IC CHIPSET 8 E1/T1 LINE 256-BGA

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PXB4220E-V33

Infineon Technologies

Description: IC CHIPSET 8 E1/T1 LINE 256-BGA

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SAB82525H-V21

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 44MQFP
Packaging: Tube
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 96 шт

В кошику од. на суму грн.

SAB82525N-V21TR

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 44PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: P-LCC-44-1
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

SAB82526N-V21

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 44PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: P-LCC-44-1
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 750 шт

В кошику од. на суму грн.

SAB82532H10V32A

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 80MQFP
Packaging: Tube
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SAE800

Infineon Technologies

Description: IC AUDIO TONE PROCESSOR 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Audio Tone Processor
Interface: Logic
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 18V
Specifications: 100kHz
Applications: Audio Systems
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SAF82525N-V21

Infineon Technologies

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 750 шт

В кошику од. на суму грн.

SAF82532N10V32A

Infineon Technologies

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 68PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: P-LCC-68
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 90 шт

В кошику од. на суму грн.

TCA785

Infineon Technologies

Description: IC PHASE CONTROL 250MA OUT 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Applications: Multiphase Controller
Current - Supply: 6.5mA
Supplier Device Package: PG-DIP-16-1
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB2075N-V13TR

Infineon Technologies

Description: IC CONTROLLER D-CH EXCH 44-PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PCM
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 10mA
Supplier Device Package: P-LCC-44
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEF22810T-V21TR

Infineon Technologies

Description: IC CHIPSET VDSL-L 4BAND 8-PDSO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BF998E6327HTSA1

Infineon Technologies

Description: RF MOSFET 8V SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 45MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 28dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.8dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS119E6327

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP123L6327HTSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSP129E6327

Infineon Technologies

Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f

Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP295E6327

Infineon Technologies

Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f

Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP296E6327

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP315P-E6327

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP88E6327

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS123E6327

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS131E6327

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS138N-E6327

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS84P-E6327

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS87E6327

Infineon Technologies

Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb

Description: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BUP213

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 32A 200W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/400ns
Test Condition: 600V, 15A, 82Ohm, 15V
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 200 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUZ30A

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUZ73

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUZ80A

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

SGP30N60XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 41A 250W TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SPD07N60S5

Infineon Technologies

SPD_U07N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c8df34723

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SPP03N60S5HKSA1

Infineon Technologies

SPP03N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c7ad9470b

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

SPP07N60S5

Infineon Technologies

Infineon-SPP_I07N60S5-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c81144713

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

SPP08P06PBKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SPP18P06PHKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SPP20N60S5

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

BAS21E6327HTSA1

Infineon Technologies

bas21series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141bed353f040f

Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.35 грн
6000+	3.88 грн
9000+	3.22 грн
30000+	2.97 грн
75000+	2.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BAV170E6327HTSA1

Infineon Technologies

Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA PGSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 33000 шт

В кошику од. на суму грн.

BAV70E6327HTSA1

Infineon Technologies

bav70series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c0ba40e041d

Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA PGSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 48000 шт

В кошику од. на суму грн.

BAV99E6327

Infineon Technologies

Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA PGSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BAW78DE6327HTSA1

Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PG-SOT89
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BB535E7908HTSA1

Infineon Technologies

Description: DIODE VARACTR 30V SGL PG-SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Supplier Device Package: PG-SOD323-3D
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 9.8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRDC3048

Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT W/IRU3048 DUAL PWM LDO CTRLR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRPLLNR4

Виробник: Infineon Technologies
Description: BALLAST UNIV INP FLUOR IR2166
Packaging: Box
Function: Ballast Control
Type: Opto/Lighting
Utilized IC / Part: IR2166
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRDCIP1001-A

Виробник: Infineon Technologies
Description: CONV SGL PHA SYNC BUCK 3.3-4.5V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRDCIP1001-B

Виробник: Infineon Technologies
Description: CONV SGL PHA SYNC BUCK 5-12V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB20256E-V21

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CONTROLLER INTERFACE 388-BGA

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PEB20320H-V34

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 160-MQFP

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

PEB20321H-V22

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 160-MQFP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PEB20534H10-V21

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 208FQFP

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

PEB20534H52-V2.1

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 208FQFP

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

PEB2086H-V14TR

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: S-Bus
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 22mA
Supplier Device Package: P-MQFP-64

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB22504HT-V11

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3.13V ~ 3.46V
Applications: Wireless
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB2255H-V13

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 80MQFP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB2256H-V12

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 80MQFP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB2447H-V12

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 100MQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Memory Time Switch
Supplier Device Package: PG-MQFP-100-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB3265H-V13

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-64

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 504 шт

В кошику од. на суму грн.

PEF22810T-V21TR

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CHIPSET VDSL-L 4BAND 8-PDSO

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

PEF3452H-V13

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tray
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Line Interface Unit (LIU)
Interface: DS3, E3, STS-1
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.13V ~ 3.46V
Current - Supply: 155mA
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 96 шт

В кошику од. на суму грн.

PSB2163T-V31TR

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 28-PDSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: CODEC Filter
Interface: IOM-2, PCI, Serial
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 900µA
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 1 mW

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

PXB4220E-V32

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CHIPSET 8 E1/T1 LINE 256-BGA

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PXB4220E-V33

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CHIPSET 8 E1/T1 LINE 256-BGA

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SAB82525H-V21

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 44MQFP
Packaging: Tube
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 96 шт

В кошику од. на суму грн.

SAB82525N-V21TR

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 44PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: P-LCC-44-1
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

SAB82526N-V21

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 44PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: P-LCC-44-1
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 750 шт

В кошику од. на суму грн.

SAB82532H10V32A

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 80MQFP
Packaging: Tube
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SAE800

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AUDIO TONE PROCESSOR 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Audio Tone Processor
Interface: Logic
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 18V
Specifications: 100kHz
Applications: Audio Systems
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SAF82525N-V21

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 750 шт

В кошику од. на суму грн.

SAF82532N10V32A

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 68PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: P-LCC-68
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 90 шт

В кошику од. на суму грн.

TCA785

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PHASE CONTROL 250MA OUT 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Applications: Multiphase Controller
Current - Supply: 6.5mA
Supplier Device Package: PG-DIP-16-1
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEB2075N-V13TR

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CONTROLLER D-CH EXCH 44-PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PCM
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 10mA
Supplier Device Package: P-LCC-44
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PEF22810T-V21TR

Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CHIPSET VDSL-L 4BAND 8-PDSO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BF998E6327HTSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 8V SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 45MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 28dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.8dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS119E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP123L6327HTSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSP129E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP295E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP296E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP315P-E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSP88E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS123E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS131E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS138N-E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS84P-E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS87E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

BUP213

Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 32A 200W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/400ns
Test Condition: 600V, 15A, 82Ohm, 15V
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 200 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BUZ30A

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUZ73

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

BUZ80A

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

SGP30N60XKSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 41A 250W TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SPD07N60S5

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SPP03N60S5HKSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

SPP07N60S5

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

SPP08P06PBKSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SPP18P06PHKSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SPP20N60S5

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

BAS21E6327HTSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	4.35 грн
6000+	3.88 грн
9000+	3.22 грн
30000+	2.97 грн
75000+	2.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

BAV170E6327HTSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA PGSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 33000 шт

В кошику од. на суму грн.

BAV70E6327HTSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA PGSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 48000 шт

В кошику од. на суму грн.

BAV99E6327

Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA PGSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BAW78DE6327HTSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PG-SOT89
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BB535E7908HTSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VARACTR 30V SGL PG-SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Supplier Device Package: PG-SOD323-3D
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 9.8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.