Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124866) > Сторінка 254 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKCM15L60GDXKMA1 IKCM15L60GDXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IKCM15L60GD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46254bdc4f50154cd2e84aa378d Description: IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 600 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.28 грн
14+720.41 грн
28+685.55 грн
112+594.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60HDXKMA1 IKCM15L60HDXKMA1 Infineon Technologies IKCM15L60HD.pdf Description: IFPS MODULES
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 20 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD2111XUMA2 ILD2111XUMA2 Infineon Technologies Infineon-ILD2111-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd8501521b9a7b9a2afd Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-58
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPA50R190CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f5fde3aa57bf4 Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.13 грн
50+55.46 грн
100+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7 Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
50+45.01 грн
100+40.10 грн
500+29.54 грн
1000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1 IPA65R1K5CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384e0f7a67456 Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R190CEXKSA1 IPAW60R190CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAW60R190CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015418cb305b4e0b Description: MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280CEXKSA1 IPAW60R280CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAW60R280CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015418cb38a34e0d Description: MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R380CEXKSA1 IPAW60R380CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAW60R380CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015418cb427d4e0f Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R600CEXKSA1 IPAW60R600CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAW60R600CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015418cb4a6b4e11 Description: MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1 IPB60R060C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac25385ea1 Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917abf8885e9d Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+163.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1 IPB60R120C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac3d3b5ea3 Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEBTMA1 IPD60R650CEBTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83678231f12 Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.01 грн
5000+26.81 грн
7500+25.74 грн
12500+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.28 грн
5000+19.81 грн
7500+18.97 грн
12500+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R2K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ebc2c39500f Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1 IPD70R600CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ed7bcca509d Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1 IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600CEAKMA1 IPS70R600CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS70R600CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153e153a04e421a Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R1K4CEAKMA1 IPU50R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R1K4CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7 Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R2K0CEAKMA1 IPU50R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R2K0CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed08fda5f0f0f Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R3K0CEAKMA1 IPU50R3K0CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R3K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R950CEAKMA2 IPU50R950CEAKMA2 Infineon Technologies Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K0CEAKMA2 IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies Infineon-IPU60R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c897d71e96 Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K5CEAKMA2 IPU60R1K5CEAKMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98 Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.32 грн
75+26.41 грн
150+23.40 грн
525+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060C7XKSA1 IPW60R060C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a130041f2b80 Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.20 грн
30+377.31 грн
120+319.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120C7XKSA1 IPW60R120C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a0cb7d622aa6 Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.13 грн
30+208.71 грн
120+173.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1 IPZ60R060C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a515b3f40f2e Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.06 грн
10+431.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9665VQ20FW551XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TPM%20SLB%209665-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625185e0e201518b83d9273d87 Description: TPM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9665XQ20FW551XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TPM%20SLB%209665-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625185e0e201518b83d9273d87 Description: TPM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW740XUMA2 Infineon Technologies Description: TPM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670XQ20FW740XUMA2 Infineon Technologies Description: TPM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLE950510434WLPXTSA1 SLE950510434WLPXTSA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IC BATT MGMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ32GDA064CLM84XHSA1 Infineon Technologies Description: IDENT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ32GDA064CLMCC8IXHSA1 Infineon Technologies Description: IDENT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ32GDA064CLMCS8XHSA1 Infineon Technologies Description: IDENT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GCA128CRM48XHSA2 Infineon Technologies Description: IDENT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GDL128CRCOM86XHSA1 Infineon Technologies Description: IDENT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GDL128CRM84XHSA2 Infineon Technologies Description: IDENT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GDL128CRMCC8IXHSA1 Infineon Technologies Description: IDENT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GDL128CRMCS8XHSA1 Infineon Technologies Description: IDENT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLM10TLC002LMCC8IXHSA2 Infineon Technologies Description: TRANSPORT&TICKETING
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1604 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLM10TLC002LNBX1SA1 Infineon Technologies Description: TRANSPORT&TICKETING
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2942 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC234LP32F200NACKXUMA1 TC234LP32F200NACKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 144TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 192K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.17V ~ 1.43V, 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-27
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+735.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC237LP32F200NACKXUMA1 TC237LP32F200NACKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 292LFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TP128F300NBCKXUMA1 TC297TP128F300NBCKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Description: IC MCU 32BIT 8MB FLASH 292LFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49632MXTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4963-2M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edd79f27ca Description: IC HALL EFFECT LATCH SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4986CBXANF27XTMA1 Infineon Technologies Description: SPEED SENSORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4986CBXTNF27NXTMA1 Infineon Technologies Description: SPEED SENSORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4986CBXTNF27XTMA1 Infineon Technologies Description: SPEED SENSORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75004ELDXUMA1 Infineon Technologies TLE75004-ELD.pdf Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:4 SSOP14-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 470mA
Ratio - Input:Output: 1:4
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE80802EMXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8080EM-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a446d32b90bb5&ack=t Description: ENGINECONTR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9221SXXUMA2 TLE9221SXXUMA2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGSSOP162
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Protocol: FlexRay
Supplier Device Package: PG-SSOP16-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9271QXXUMA1 TLE9271QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9271QX-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016885465c676856 Description: BODY SYSTEM ICS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9272QXXUMA1 Infineon Technologies Description: BODY SYSTEM ICS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9273QXXUMA1 Infineon Technologies Description: BODY SYSTEM ICS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60GDXKMA1 Infineon-IKCM15L60GD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46254bdc4f50154cd2e84aa378d
IKCM15L60GDXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 600 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+973.28 грн
14+720.41 грн
28+685.55 грн
112+594.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60HDXKMA1 IKCM15L60HD.pdf
IKCM15L60HDXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IFPS MODULES
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 20 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD2111XUMA2 Infineon-ILD2111-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd8501521b9a7b9a2afd
ILD2111XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-58
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 Infineon-IPA50R190CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f5fde3aa57bf4
IPA50R190CEXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.13 грн
50+55.46 грн
100+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7
IPA65R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
50+45.01 грн
100+40.10 грн
500+29.54 грн
1000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1 Infineon-IPA65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384e0f7a67456
IPA65R1K5CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R190CEXKSA1 Infineon-IPAW60R190CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015418cb305b4e0b
IPAW60R190CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280CEXKSA1 Infineon-IPAW60R280CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015418cb38a34e0d
IPAW60R280CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R380CEXKSA1 Infineon-IPAW60R380CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015418cb427d4e0f
IPAW60R380CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R600CEXKSA1 Infineon-IPAW60R600CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015418cb4a6b4e11
IPAW60R600CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a
IPB60R040C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1 Infineon-IPB60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac25385ea1
IPB60R060C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1 Infineon-IPB60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917abf8885e9d
IPB60R099C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+163.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1 Infineon-IPB60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac3d3b5ea3
IPB60R120C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEBTMA1 Infineon-IPD60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83678231f12
IPD60R650CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.01 грн
5000+26.81 грн
7500+25.74 грн
12500+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1
IPD70R1K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.28 грн
5000+19.81 грн
7500+18.97 грн
12500+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 Infineon-IPD70R2K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ebc2c39500f
IPD70R2K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1 Infineon-IPD70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ed7bcca509d
IPD70R600CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1 Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c
IPD70R950CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600CEAKMA1 Infineon-IPS70R600CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153e153a04e421a
IPS70R600CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R1K4CEAKMA1 Infineon-IPD50R1K4CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7
IPU50R1K4CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R2K0CEAKMA1 Infineon-IPD50R2K0CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed08fda5f0f0f
IPU50R2K0CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R3K0CEAKMA1 Infineon-IPD50R3K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4
IPU50R3K0CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R950CEAKMA2 Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064
IPU50R950CEAKMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon-IPU60R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c897d71e96
IPU60R1K0CEAKMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K5CEAKMA2 Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98
IPU60R1K5CEAKMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.32 грн
75+26.41 грн
150+23.40 грн
525+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060C7XKSA1 Infineon-IPW60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a130041f2b80
IPW60R060C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+667.20 грн
30+377.31 грн
120+319.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120C7XKSA1 Infineon-IPW60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a0cb7d622aa6
IPW60R120C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.13 грн
30+208.71 грн
120+173.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R060C7XKSA1 Infineon-IPZ60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a515b3f40f2e
IPZ60R060C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.06 грн
10+431.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9665VQ20FW551XUMA1 Infineon-TPM%20SLB%209665-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625185e0e201518b83d9273d87
Виробник: Infineon Technologies
Description: TPM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9665XQ20FW551XUMA1 Infineon-TPM%20SLB%209665-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625185e0e201518b83d9273d87
Виробник: Infineon Technologies
Description: TPM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW740XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TPM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670XQ20FW740XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TPM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLE950510434WLPXTSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
SLE950510434WLPXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC BATT MGMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ32GDA064CLM84XHSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IDENT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ32GDA064CLMCC8IXHSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IDENT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ32GDA064CLMCS8XHSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IDENT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GCA128CRM48XHSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IDENT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GDL128CRCOM86XHSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IDENT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GDL128CRM84XHSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IDENT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GDL128CRMCC8IXHSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IDENT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLJ52GDL128CRMCS8XHSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IDENT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLM10TLC002LMCC8IXHSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANSPORT&TICKETING
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1604 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLM10TLC002LNBX1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANSPORT&TICKETING
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2942 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC234LP32F200NACKXUMA1 Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee
TC234LP32F200NACKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 144TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 192K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.17V ~ 1.43V, 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-27
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+735.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC237LP32F200NACKXUMA1 Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee
TC237LP32F200NACKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 292LFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TP128F300NBCKXUMA1 Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
TC297TP128F300NBCKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 8MB FLASH 292LFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49632MXTMA1 Infineon-TLE4963-2M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edd79f27ca
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL EFFECT LATCH SOT23-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4986CBXANF27XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED SENSORS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4986CBXTNF27NXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED SENSORS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4986CBXTNF27XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED SENSORS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75004ELDXUMA1 TLE75004-ELD.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:4 SSOP14-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 470mA
Ratio - Input:Output: 1:4
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE80802EMXUMA1 Infineon-TLE8080EM-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a446d32b90bb5&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: ENGINECONTR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9221SXXUMA2 fundamentals-of-power-semiconductors
TLE9221SXXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGSSOP162
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Protocol: FlexRay
Supplier Device Package: PG-SSOP16-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9271QXXUMA1 Infineon-TLE9271QX-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016885465c676856
TLE9271QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BODY SYSTEM ICS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9272QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BODY SYSTEM ICS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9273QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BODY SYSTEM ICS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]