Продукція > INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI > Всі товари виробника INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI (164) > Сторінка 3 з 3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IS43TR16640C-125JBL | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBL - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: DDR3 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.5V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IS43TR16640C-125JBL. | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBL. - DRAM, 800MHZ, 1GBIT, BGA-96 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.5V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16bit directShipCharge: 25 |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS43TR16640C-125JBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBLI - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: DDR3 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.5V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IS43TR16640C-125JBLI. | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBLI. - 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 39AH0720 tariffCode: 85423290 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS43TR16640CL-125JBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640CL-125JBLI - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS43TR16640CL-107MBL | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640CL-107MBL - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS43TR16640CL-107MBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640CL-107MBLI - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS43TR81280C-125JBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR81280C-125JBLI - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: DDR3 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.5V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IS43TR81280C-125JBLI. | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR81280C-125JBLI. - DRAM, 800MHZ, 1GBIT, BGA-78 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.5V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 128M x 8bit directShipCharge: 25 |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS43TR85120BL-125KBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS46LQ16512B-053BLA2 | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ16512B-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS46LQ32512A-053BLA2 | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32512A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS46LQ32K01S2A-053BLA2 | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32K01S2A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61C256AL-12TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61C256AL-12TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, TSOP-I, 28 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 256Kbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61C6416AL-12TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61C6416AL-12TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61LV5128AL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61WV102416BLL-10MLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61WV102416DBLL-10BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416DBLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61WV102416DBLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416DBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61WV102416FBLL-10BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416FBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61WV102416FBLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61WV10248BLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV10248BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61WV25616BLL-10BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61WV25616BLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS61WV25616EDBLL-10BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IS61WV25616EDBLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IS61WV51216BLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IS61WV5128FBLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV5128FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IS61WV6416EEBLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV6416EEBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IS62C1024AL-35QLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C1024AL-35QLI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 35ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOP-32tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOP Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS62C1024AL-35TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C1024AL-35TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS62C256AL-45TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C256AL-45TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, TSOP, 28 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 256Kbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS62C256AL-45ULI. | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C256AL-45ULI. - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOP, 28 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP Speicherdichte: 256Kbit MSL: 0 usEccn: 3A991.b.1.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit directShipCharge: 25 |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS62WV12816EBLL-45BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV12816EBLL-45BLI - SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA Speicherdichte: 2Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: - Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS62WV25616EBLL-45BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV25616EBLL-45BLI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: - Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IS62WV2568BLL-55HLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV2568BLL-55HLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.5 VtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: STSOP Speicherdichte: 2Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IS62WV51216BLL-55TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 5 - 48 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS62WV51216EBLL-45TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216EBLL-45TLI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: - Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS62WV51216EBLL-45BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216EBLL-45BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 3.6 VtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IS62WV5128BLL-55HLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV5128BLL-55HLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.5 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 5 - 48 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS66WV51216EBLL-55TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
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IS66WVH16M8DBLL-166B1LI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVH16M8DBLL-166B1LI - SRAM, Pseudo-SRAM, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, TFBGA, 24 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 128Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IS66WVH32M8DBLL-166B1LI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVH32M8DBLL-166B1LI - SRAM, Pseudo-SRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, TFBGA, 24 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 256Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IS43TR16640C-125JBL |
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Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBL - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBL - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS43TR16640C-125JBL. |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBL. - DRAM, 800MHZ, 1GBIT, BGA-96
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16bit
directShipCharge: 25
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBL. - DRAM, 800MHZ, 1GBIT, BGA-96
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16bit
directShipCharge: 25
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS43TR16640C-125JBLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBLI - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBLI - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS43TR16640C-125JBLI. |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBLI. - 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 39AH0720
tariffCode: 85423290
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640C-125JBLI. - 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 39AH0720
tariffCode: 85423290
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS43TR16640CL-125JBLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640CL-125JBLI - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640CL-125JBLI - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS43TR16640CL-107MBL |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640CL-107MBL - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640CL-107MBL - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS43TR16640CL-107MBLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640CL-107MBLI - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16640CL-107MBLI - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS43TR81280C-125JBLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR81280C-125JBLI - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR81280C-125JBLI - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS43TR81280C-125JBLI. |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR81280C-125JBLI. - DRAM, 800MHZ, 1GBIT, BGA-78
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8bit
directShipCharge: 25
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR81280C-125JBLI. - DRAM, 800MHZ, 1GBIT, BGA-78
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8bit
directShipCharge: 25
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS43TR85120BL-125KBLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS46LQ16512B-053BLA2 |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ16512B-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ16512B-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS46LQ32512A-053BLA2 |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32512A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32512A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS46LQ32K01S2A-053BLA2 |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32K01S2A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32K01S2A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61C256AL-12TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61C256AL-12TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, TSOP-I, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61C256AL-12TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, TSOP-I, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61C6416AL-12TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61C6416AL-12TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61C6416AL-12TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61LV5128AL-10TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV102416BLL-10MLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV102416DBLL-10BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416DBLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416DBLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV102416DBLL-10TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416DBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416DBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV102416FBLL-10BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416FBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416FBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV102416FBLL-10TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV102416FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV10248BLL-10TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV10248BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV10248BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV25616BLL-10BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV25616BLL-10TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV25616EDBLL-10BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV25616EDBLL-10TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV51216BLL-10TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV5128FBLL-10TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV5128FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV5128FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV6416EEBLL-10TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV6416EEBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV6416EEBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62C1024AL-35QLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C1024AL-35QLI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 35ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOP-32
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C1024AL-35QLI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 35ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOP-32
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62C1024AL-35TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C1024AL-35TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C1024AL-35TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62C256AL-45TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C256AL-45TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, TSOP, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C256AL-45TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, TSOP, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62C256AL-45ULI. |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C256AL-45ULI. - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOP, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: 0
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
directShipCharge: 25
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62C256AL-45ULI. - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOP, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: 0
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
directShipCharge: 25
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62WV12816EBLL-45BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV12816EBLL-45BLI - SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV12816EBLL-45BLI - SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62WV25616EBLL-45BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV25616EBLL-45BLI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV25616EBLL-45BLI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62WV2568BLL-55HLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV2568BLL-55HLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV2568BLL-55HLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62WV51216BLL-55TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62WV51216EBLL-45TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216EBLL-45TLI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216EBLL-45TLI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62WV51216EBLL-45BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216EBLL-45BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216EBLL-45BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS62WV5128BLL-55HLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV5128BLL-55HLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV5128BLL-55HLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS66WV51216EBLL-55TLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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| IS66WVH16M8DBLL-166B1LI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVH16M8DBLL-166B1LI - SRAM, Pseudo-SRAM, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, TFBGA, 24 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVH16M8DBLL-166B1LI - SRAM, Pseudo-SRAM, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, TFBGA, 24 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS66WVH32M8DBLL-166B1LI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVH32M8DBLL-166B1LI - SRAM, Pseudo-SRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, TFBGA, 24 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVH32M8DBLL-166B1LI - SRAM, Pseudo-SRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, TFBGA, 24 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
















