Результат пошуку "2N22" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 131
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 131
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 116
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 175
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 337
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 306
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 5264
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 5034
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 52
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 250 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 2971 шт
|
|
||||||||||||||||
2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080 |
Fairchild |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 331 шт
очікується:
2000 шт
|
|
|||||||||||||||
2N222A Код товару: 187856 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,6 A Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|||||||||||||||||
220pF 500V NPO 5% 1812 (C1812N221J501N1-Hitano) Код товару: 179841 |
Hitano |
Керамічні SMD конденсатори > 1812 Ємність: 220 pF Номін.напруга: 500 V Діелектрик: NP0 Точність: ±5% J Типорозмір: 1812 |
у наявності: 661 шт
|
|
|||||||||||||||
220pF 50V 5% NP0 0402 (0402N221J500NU-Hitano) Код товару: 199273 |
Hitano |
Керамічні SMD конденсатори > 0402 Номінал: 220 pF Ном.напруга: 50 V Діелектрик: NP0 Точність: ±5% J Типорозмір: 0402 |
очікується:
10000 шт
|
||||||||||||||||
22pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N220J500NU-Hitano) Код товару: 50699 |
Hitano |
Керамічні SMD конденсатори > 0402 Номінал: 22 pF Ном.напруга: 50 V Діелектрик: NP0 Точність: ±5% J Типорозмір: 0402 |
очікується:
10000 шт
|
|
|||||||||||||||
2N2218A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2218A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2218A PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB Case: TO39 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.8/3W Polarisation: bipolar Noise Figure: 4dB Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB Case: TO39 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.8/3W Polarisation: bipolar Noise Figure: 4dB Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219 | CDIL |
NPN 800mA 40V 800mW 300MHz 2N2219 T2N2219 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB Case: TO39 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.8/3W Polarisation: bipolar Noise Figure: 4dB Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB Case: TO39 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.8/3W Polarisation: bipolar Noise Figure: 4dB Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 420 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A | Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.8A, TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch |
на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219A-CDI | CDIL |
BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219AE3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2219AJTXV | National Semiconductor |
Description: NPN SILICON SWITCHING TRANS, 30V Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2221AUB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18; 4dB Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.5/1.2W Polarisation: bipolar Noise Figure: 4dB Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18; 4dB Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.5/1.2W Polarisation: bipolar Noise Figure: 4dB Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 666 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 500 mW, TO-18, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-18 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222 | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
+1 |
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN |
на замовлення 20925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N2222A | Diotec | Транз. Бипол. ММ NPN; 40V; 600mA; 625mW; TO92 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
+1 |
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 20925 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N2222A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 11867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT |
на замовлення 6859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Description: BJT TO-92 40V 600MA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 29803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Diotec Electronics | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN EBC 0.6A 75V TO-92 Packaging: Bulk |
на замовлення 5550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Diotec Electronics | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 20925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 113255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANSISTOR, NPN, 0.8A, 40V, TO-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Description: BJT TO-92 40V 600MA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | DIOTEC |
Tranzystor NPN bipolarny 75V 600mA 625mW 2N2222A T2N2222a p DIO кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3595 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A CDIL T2N2222a кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A | SLKOR |
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18 Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18 Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 540 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035 |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 2971 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 1 грн |
2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 331 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.5 грн |
100+ | 1.3 грн |
1000+ | 1 грн |
2N222A Код товару: 187856 |
у наявності: 1 шт
220pF 500V NPO 5% 1812 (C1812N221J501N1-Hitano) Код товару: 179841 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1812
Ємність: 220 pF
Номін.напруга: 500 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1812
Керамічні SMD конденсатори > 1812
Ємність: 220 pF
Номін.напруга: 500 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1812
у наявності: 661 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.4 грн |
220pF 50V 5% NP0 0402 (0402N221J500NU-Hitano) Код товару: 199273 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 220 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 220 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
очікується:
10000 шт
22pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N220J500NU-Hitano) Код товару: 50699 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 22 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 22 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 0.4 грн |
100+ | 0.3 грн |
1000+ | 0.2 грн |
10000+ | 0.1 грн |
2N2218A |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 672.95 грн |
100+ | 616.51 грн |
2N2218A |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N2218A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 145.16 грн |
10+ | 116 грн |
100+ | 92.33 грн |
2N2219 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 54.67 грн |
10+ | 35.61 грн |
25+ | 21.42 грн |
51+ | 15.99 грн |
140+ | 15.09 грн |
2N2219 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.61 грн |
6+ | 44.37 грн |
25+ | 25.7 грн |
51+ | 19.19 грн |
140+ | 18.11 грн |
2N2219 |
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 18.51 грн |
2N2219 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.6 грн |
10+ | 127.61 грн |
500+ | 85.94 грн |
1000+ | 68.43 грн |
2N2219 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.58 грн |
10+ | 139.73 грн |
100+ | 119.5 грн |
250+ | 118.84 грн |
500+ | 81.45 грн |
1000+ | 68.76 грн |
5000+ | 63.96 грн |
2N2219A |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 65.91 грн |
9+ | 43.12 грн |
25+ | 25.87 грн |
42+ | 19.26 грн |
116+ | 18.22 грн |
2N2219A |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.09 грн |
5+ | 53.73 грн |
25+ | 31.04 грн |
42+ | 23.12 грн |
116+ | 21.86 грн |
2N2219A |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
131+ | 457.14 грн |
250+ | 452.65 грн |
2N2219A |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.8A, TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Description: TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.8A, TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.44 грн |
10+ | 104.73 грн |
100+ | 83.36 грн |
500+ | 66.19 грн |
1000+ | 56.16 грн |
2N2219A |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 190.98 грн |
10+ | 152.78 грн |
100+ | 109.34 грн |
500+ | 70.93 грн |
1000+ | 46.73 грн |
5000+ | 40.89 грн |
2N2219A |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 493.03 грн |
100+ | 452.21 грн |
2N2219A |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
131+ | 443.18 грн |
2N2219A |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 492.31 грн |
250+ | 487.47 грн |
2N2219A |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 460.75 грн |
100+ | 412.17 грн |
2N2219A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 93.7 грн |
10+ | 92.76 грн |
100+ | 91.83 грн |
500+ | 84.49 грн |
2N2219A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
на замовлення 7860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 160.45 грн |
10+ | 133.59 грн |
100+ | 94.13 грн |
500+ | 80.78 грн |
1000+ | 67.43 грн |
5000+ | 65.23 грн |
10000+ | 63.96 грн |
2N2219A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
116+ | 100.91 грн |
118+ | 99.9 грн |
119+ | 98.9 грн |
500+ | 90.99 грн |
2N2219A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.6 грн |
10+ | 127.61 грн |
100+ | 101.56 грн |
500+ | 80.65 грн |
2N2219A-CDI |
Виробник: CDIL
BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
кількість в упаковці: 50 шт
BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 17.13 грн |
2N2219AE3 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 554.56 грн |
100+ | 509.02 грн |
2N2219AJTXV |
Виробник: National Semiconductor
Description: NPN SILICON SWITCHING TRANS, 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NPN SILICON SWITCHING TRANS, 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 271.82 грн |
2N2221AUB |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 587.28 грн |
100+ | 537.43 грн |
2N2222 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18; 4dB
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5/1.2W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18; 4dB
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5/1.2W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 53.17 грн |
11+ | 34.49 грн |
25+ | 20.72 грн |
50+ | 16.27 грн |
137+ | 15.44 грн |
2N2222 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18; 4dB
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5/1.2W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18; 4dB
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5/1.2W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 4dB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.81 грн |
7+ | 42.98 грн |
25+ | 24.87 грн |
50+ | 19.53 грн |
137+ | 18.53 грн |
2N2222 |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 500 mW, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 500 mW, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 89.12 грн |
11+ | 71.45 грн |
100+ | 51.08 грн |
500+ | 33.17 грн |
1000+ | 21.89 грн |
5000+ | 19.13 грн |
2N2222 |
на замовлення 285 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 18 грн |
2N2222 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.58 грн |
10+ | 148.18 грн |
100+ | 102.81 грн |
250+ | 101.48 грн |
500+ | 86.79 грн |
1000+ | 72.1 грн |
2000+ | 66.43 грн |
2N2222 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.6 грн |
10+ | 127.61 грн |
100+ | 101.56 грн |
2N2222 TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 196.28 грн |
10+ | 161.23 грн |
100+ | 111.49 грн |
250+ | 102.81 грн |
500+ | 93.47 грн |
1000+ | 84.79 грн |
2000+ | 73.44 грн |
2N2222A |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
на замовлення 20925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
175+ | 2.22 грн |
225+ | 1.65 грн |
500+ | 1.3 грн |
825+ | 0.99 грн |
2250+ | 0.94 грн |
2N2222A |
Виробник: Diotec
Транз. Бипол. ММ NPN; 40V; 600mA; 625mW; TO92
Транз. Бипол. ММ NPN; 40V; 600mA; 625mW; TO92
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 69.65 грн |
10+ | 25.87 грн |
2N2222A |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.66 грн |
150+ | 2.05 грн |
500+ | 1.56 грн |
825+ | 1.19 грн |
2250+ | 1.13 грн |
2N2222A |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 191.74 грн |
2N2222A |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 11867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
337+ | 0.93 грн |
2N2222A |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 196.43 грн |
100+ | 175.15 грн |
2N2222A |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.3 грн |
100+ | 192.71 грн |
2N2222A |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
306+ | 1.02 грн |
2N2222A |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO-92 40V 600MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: BJT TO-92 40V 600MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 29803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 10.83 грн |
38+ | 7.37 грн |
100+ | 3.98 грн |
500+ | 2.93 грн |
1000+ | 2.04 грн |
2000+ | 1.69 грн |
2N2222A |
Виробник: Diotec Electronics
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5264+ | 2.22 грн |
12000+ | 1.69 грн |
2N2222A |
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 16.09 грн |
50+ | 10.93 грн |
100+ | 9.31 грн |
500+ | 5.19 грн |
1000+ | 4.28 грн |
2000+ | 3.97 грн |
2N2222A |
Виробник: Diotec Electronics
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 20925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5034+ | 2.32 грн |
6383+ | 1.83 грн |
12000+ | 1.69 грн |
2N2222A |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 113255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 95.11 грн |
10+ | 76.39 грн |
100+ | 54.3 грн |
500+ | 35.33 грн |
1000+ | 23.3 грн |
5000+ | 20.35 грн |
2N2222A |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANSISTOR, NPN, 0.8A, 40V, TO-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANSISTOR, NPN, 0.8A, 40V, TO-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.1 грн |
10+ | 101.53 грн |
100+ | 80.8 грн |
500+ | 64.16 грн |
2N2222A |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 209.64 грн |
100+ | 208.49 грн |
2N2222A |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO-92 40V 600MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: BJT TO-92 40V 600MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 1.87 грн |
8000+ | 1.7 грн |
12000+ | 1.45 грн |
28000+ | 1.26 грн |
2N2222A |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
52+ | 225.77 грн |
100+ | 224.52 грн |
2N2222A |
Виробник: DIOTEC
Tranzystor NPN bipolarny 75V 600mA 625mW 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 500 шт
Tranzystor NPN bipolarny 75V 600mA 625mW 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 1.06 грн |
2N2222A |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.51 грн |
2N2222A |
Виробник: SLKOR
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.89 грн |
2N2222A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 119.83 грн |
5+ | 106.4 грн |
10+ | 89.02 грн |
25+ | 84.15 грн |
2N2222A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 143.79 грн |
5+ | 132.59 грн |
10+ | 106.82 грн |
25+ | 100.98 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]