Продукція > BSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GP120BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 80A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: 3 Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP120BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP120BOSA1 | Infineon | IGBT MODULE 1200V 50A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP120BOSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER ECONO | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM50GP120D | EUPEC | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP120DN2 Код товару: 114402
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM50GP120G | EUPEC | MODULE | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP120OTISBOSA1 | Infineon Technologies | Description: BSM50GP120 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60 Код товару: 80024
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM50GP60 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM50GP60 | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 50A PIM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60(60G) | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60B2BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM50GP60B2BOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GP60B2BOSA1 - BSM50GP60 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSI tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM50GP60BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 70A 250W MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60C | EUPEC | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60G | EUPEC | MODULE | на замовлення 331 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60G | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 50A PIM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60GBOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GP60GBOSA1 - BSM50GP60 - IGBT MODULE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 70A 250W MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GP60_B2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM50GX120DN2 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM50GX120DN2 Код товару: 29986
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM50GX120DN2 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GX120DN2BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GX120DN2BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 360mW 24-Pin | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GX120DN2BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2 Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GX120DN2BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 Packaging: Tray Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM50GX120DN2BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM550-120-BET-S00 | Astrodyne TDI | Description: AC/DC CONVERTER 12V 540W Power (Watts): 540W Features: Standby Output, Universal Input Packaging: Box Size / Dimension: 7.00" L x 4.36" W x 1.58" H (177.8mm x 110.7mm x 40.1mm) Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 80 ~ 275 VAC, 110 ~ 380 VDC Type: Enclosed Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating) Applications: Medical Approval Agency: CB, CE, cTUVus, TUV Efficiency: 90% Voltage - Output 1: 12V Part Status: Active Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV Standard Number: 60601-1 Current - Output 1: 45 A | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM550-150-BET-S00 | Astrodyne TDI | Description: AC/DC CONVERTER 15V 551W Power (Watts): 551W Features: Standby Output, Universal Input Packaging: Box Size / Dimension: 7.00" L x 4.36" W x 1.58" H (177.8mm x 110.7mm x 40.1mm) Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 80 ~ 275 VAC, 110 ~ 380 VDC Type: Enclosed Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating) Applications: Medical Approval Agency: CB, CE, cTUVus, TUV Efficiency: 90% Voltage - Output 1: 15V Part Status: Active Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV Standard Number: 60601-1 Current - Output 1: 36.7 A | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM550-180-BET-S00 | Astrodyne TDI | Description: AC/DC CONVERTER 18V 551W Current - Output 1: 30.6 A Standard Number: 60601-1 Voltage - Isolation: 4 kV Number of Outputs: 1 Part Status: Active Voltage - Output 1: 18V Efficiency: 90% Approval Agency: CB, CE, cTUVus, TUV Applications: Medical Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating) Type: Enclosed Voltage - Input: 80 ~ 275 VAC, 110 ~ 380 VDC Mounting Type: Chassis Mount Size / Dimension: 7.00" L x 4.36" W x 1.58" H (177.8mm x 110.7mm x 40.1mm) Features: Standby Output, Universal Input Power (Watts): 551W Packaging: Box | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM550-240-BET-S00 | Astrodyne TDI | Description: AC/DC CONVERTER 24V 550W | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM550-280-BET-S00 | Astrodyne TDI | Description: AC/DC CONVERTER 28V 549W Current - Output 1: 19.6 A Standard Number: 60601-1 Voltage - Isolation: 4 kV Number of Outputs: 1 Part Status: Active Voltage - Output 1: 28V Efficiency: 92% Approval Agency: CB, CE, cTUVus, TUV Applications: Medical Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating) Type: Enclosed Voltage - Input: 80 ~ 275 VAC, 110 ~ 380 VDC Mounting Type: Chassis Mount Size / Dimension: 7.00" L x 4.36" W x 1.58" H (177.8mm x 110.7mm x 40.1mm) Features: Standby Output, Universal Input Power (Watts): 549W Packaging: Box | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM550-360-BET-S00 | Astrodyne TDI | Description: AC/DC CONVERTER 36V 551W Power (Watts): 551W Features: Standby Output, Universal Input Packaging: Box Size / Dimension: 7.00" L x 4.36" W x 1.58" H (177.8mm x 110.7mm x 40.1mm) Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 80 ~ 275 VAC, 110 ~ 380 VDC Type: Enclosed Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating) Applications: Medical Approval Agency: CB, CE, cTUVus, TUV Efficiency: 92% Voltage - Output 1: 36V Part Status: Active Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV Standard Number: 60601-1 Current - Output 1: 15.3 A | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM550-480-BET-S00 | Astrodyne TDI | Description: AC/DC CONVERTER 48V 552W Current - Output 1: 11.5 A Standard Number: 60601-1 Voltage - Isolation: 4 kV Number of Outputs: 1 Part Status: Active Voltage - Output 1: 48V Efficiency: 92% Approval Agency: CB, CE, cTUVus, TUV Applications: Medical Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating) Type: Enclosed Voltage - Input: 80 ~ 275 VAC, 110 ~ 380 VDC Mounting Type: Chassis Mount Size / Dimension: 7.00" L x 4.36" W x 1.58" H (177.8mm x 110.7mm x 40.1mm) Features: Standby Output, Universal Input Power (Watts): 552W Packaging: Box | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM550-540-BET-S00 | Astrodyne TDI | Description: AC/DC CONVERTER 54V 567W Voltage - Output 1: 54V Efficiency: 92% Approval Agency: CB, CE, cTUVus, TUV Applications: Medical Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating) Type: Enclosed Voltage - Input: 80 ~ 275 VAC, 110 ~ 380 VDC Mounting Type: Chassis Mount Size / Dimension: 7.00" L x 4.36" W x 1.58" H (177.8mm x 110.7mm x 40.1mm) Features: Standby Output, Universal Input Power (Watts): 567W Packaging: Box Current - Output 1: 10.5 A Standard Number: 60601-1 Voltage - Isolation: 4 kV Number of Outputs: 1 Part Status: Active | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM5GB120DN1 | EUPEC | A4-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM6-L | Panduit Corp | Description: TERM SPLICE NON INS 4.0" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM6-X | Panduit Corp | Description: CONN SPLICE 10-12 AWG CRIMP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM600C12P3G201 | ROHM | Description: ROHM - BSM600C12P3G201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 600 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker Verlustleistung: 2.46kW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: - | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM600C12P3G201 | ROHM Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM600C12P3G201 | Rohm Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 600A MODULE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -4V Part Status: Active Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA Power Dissipation (Max): 2460W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM600D12P3G001 | ROHM Semiconductor | MOSFET Modules 576A 1200V HALF BRIDGE SIC | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM600D12P3G001 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 2450W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM600D12P4G103 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1780W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 567A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 291.2mA Supplier Device Package: Module | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM600D12P4G103 | ROHM | Description: ROHM - BSM600D12P4G103 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 567 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 567A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.78kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM600D12P4G103 | ROHM Semiconductor | MOSFET Modules 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM600GA120DLC | EUPEC | MODULE | на замовлення 122 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM600GA120DLCS | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM600GA120DLCS - BSM600GA120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM600GA120DLCS | EUPEC | MODULE | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM600GA120DLCS | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 3.9 kW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 44 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM756GD120 | EUPEC | MODULE | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GAL120D | SIEMENS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GAL120DN2 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GAL120DN2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 75A CHOPPER | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GAL120DN2 (силовий модуль IGBT) Код товару: 88707
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GAL120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 105A 625W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GAL120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Infineon MEDIUM POWER 34MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GAL120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 625000mW 5-Pin 34MM-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GAL120DN2А¶Й« | SIEMENS | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GAL123D | EUPEC | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GAR120D | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GAR120DN2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V 100A GAR CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GAR120DN2 | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GAR120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 30A 235W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 235 W Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM75GAR120DN2HOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GAR120DN2HOSA1 - BSM75GAR120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM75GAR120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 30A 235W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 235 W Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB100D | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GB100DN1 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GB120 | EUPEC | MODULE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120D | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BSM75GB120DLC | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 75A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DLC | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GB120DLC Код товару: 28671
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GB120DLCHOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB120DLCHOSA1 - BSM75GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM75GB120DLCHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 170A 690W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 170 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 690 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DLCK | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BSM75GB120DN1 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GB120DN11 | EUPEC | MODULE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DN1E3204 | EUPEC | A4-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DN2 Код товару: 39708
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT УКТЗЕД: 8541 29 00 10 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GB120DN2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 75A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DN2(CH100) | EUPEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GB120DN2(DLC) | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DN2E | EUPEC | MODULE | на замовлення 188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DN2E3223 | SIEMENS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 34MM | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM75GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 105A 625W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DN2_E3223C-SE | Infineon Technologies | BSM75GB120DN2_E3223C-SE | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM75GB120DN2_E3223C-SE | Infineon Technologies | BSM75GB120DN2_E3223C-SE | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM75GB120DN2_E3223c-Se | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM75GB120DN2_E3223c-Se | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 75A | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB120DN2_E3223C-SE | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB120DN2_E3223C-SE - BSM75GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM75GB123D | EUPEC | MODULE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB170DN | EUPEC | MODULE | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM75GB170DN2 Код товару: 98076
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM75GB170DN2 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

